JPS5919322A - クロムマスクの修正方法 - Google Patents
クロムマスクの修正方法Info
- Publication number
- JPS5919322A JPS5919322A JP57129285A JP12928582A JPS5919322A JP S5919322 A JPS5919322 A JP S5919322A JP 57129285 A JP57129285 A JP 57129285A JP 12928582 A JP12928582 A JP 12928582A JP S5919322 A JPS5919322 A JP S5919322A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chromium
- resist
- deposited
- film
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス基板表面に所望形状に金職りロミウム膜
な被着せしめたクロムマスクに於ける欠損欠陥＆−釣正
するクロムマスクの修正方法に関する。半導体・集積回
路は年々微細化・高密度化されておシ、それに伴りてフ
ォトマスクＶＣ要求きれる品質も厳しいものとなりて来
た。その結果マスクの材質も金属クロｉウムをパターン
材とする八−ドマスクが主流となりつつある。フォトマ
スクの品質の中で、欠陥は素子の製造歩留りに大きく影
響するものであシ、もちろん無欠陥マスクが望ましｖｈ
ｏ Ｌ、かじ通常のマスク製造工程で無欠陥マスクが得
られる確率は極めて低く、数個の欠陥を含む場合が多し
、従って無欠陥マスクを得るには、これ等の欠陥を何ら
かの方法で修正する必要がある。クロムハードマスクに
おいては、クロムの黒点が残る１残留欠陥“と、クロミ
ウム膜にピンホールが生じる１欠損欠陥“と、の２種類
の欠陥が存在する。残留欠陥は欠陥部にレーザー光を照
射して残留クロムを蒸発させる事により簡単に修正が可
能である。欠損欠陥の修正は、クロムのラフトオフ法と
呼ばれる以下の工程で修正可能である。
な被着せしめたクロムマスクに於ける欠損欠陥＆−釣正
するクロムマスクの修正方法に関する。半導体・集積回
路は年々微細化・高密度化されておシ、それに伴りてフ
ォトマスクＶＣ要求きれる品質も厳しいものとなりて来
た。その結果マスクの材質も金属クロｉウムをパターン
材とする八−ドマスクが主流となりつつある。フォトマ
スクの品質の中で、欠陥は素子の製造歩留りに大きく影
響するものであシ、もちろん無欠陥マスクが望ましｖｈ
ｏ Ｌ、かじ通常のマスク製造工程で無欠陥マスクが得
られる確率は極めて低く、数個の欠陥を含む場合が多し
、従って無欠陥マスクを得るには、これ等の欠陥を何ら
かの方法で修正する必要がある。クロムハードマスクに
おいては、クロムの黒点が残る１残留欠陥“と、クロミ
ウム膜にピンホールが生じる１欠損欠陥“と、の２種類
の欠陥が存在する。残留欠陥は欠陥部にレーザー光を照
射して残留クロムを蒸発させる事により簡単に修正が可
能である。欠損欠陥の修正は、クロムのラフトオフ法と
呼ばれる以下の工程で修正可能である。
すなわち、
（１１マスク全面にポジ型フォトレジストを塗布する、
（２）欠陥部にスポット状の光を照射する、（３）現像
処理。
処理。
（４）金属クロミクムの蒸着又はスパッタによる堆積、
（５） レジスト剥離（クロムリフトオフ）、この方
法では、欠損部分のガラス上に堆積した金属クロミクム
によシ欠陥を修正するのであるが。
法では、欠損部分のガラス上に堆積した金属クロミクム
によシ欠陥を修正するのであるが。
現像処理後のガラス表面と堆積した金属クロミウムの密
着度が隻いために欠損部分に堆積したクロミウムがマス
ク洗浄等の作業で剥離してしまり供れがあった。
着度が隻いために欠損部分に堆積したクロミウムがマス
ク洗浄等の作業で剥離してしまり供れがあった。
本発明はこのような問題点に着目して為δれたものであ
って、クロムリフトオフ法に於ける現像処理後のガラス
表面と堆積した金属クロミクムの密着度ケ増強する方法
を提供するものである。本発明に依りクロムマスクの欠
損欠陥のリフトオフ法に依る修正技術は確立され、容易
に無欠陥マスクを得る事が出来る。
って、クロムリフトオフ法に於ける現像処理後のガラス
表面と堆積した金属クロミクムの密着度ケ増強する方法
を提供するものである。本発明に依りクロムマスクの欠
損欠陥のリフトオフ法に依る修正技術は確立され、容易
に無欠陥マスクを得る事が出来る。
以下に図面ｆ１：参照しつつ本発明の詳細な説明する。
第１図はクロムマスクの要部の拡大図を示しており、ガ
ラス基板（１）表面に金属クロミウム膜（２）に依る所
望のパターンが描かれている。向（３）はこのクロミク
ム膜（２）の一部が欠落した欠損欠陥である。
ラス基板（１）表面に金属クロミウム膜（２）に依る所
望のパターンが描かれている。向（３）はこのクロミク
ム膜（２）の一部が欠落した欠損欠陥である。
を塗布し、続いてクロニウム膜（２）の欠損欠陥（３）
の箇所のみをスポット露光装置に依シ紫外線照射した後
、現像処理を施し、欠損欠陥（３）の箇所のみなレジス
ト（４）から露出する（第２図）。
の箇所のみをスポット露光装置に依シ紫外線照射した後
、現像処理を施し、欠損欠陥（３）の箇所のみなレジス
ト（４）から露出する（第２図）。
次にこのマスクを短詩１１」１エツチング雰囲気（５ｊ
中に置いてレジスト（４ンには被われていない露出箇所
を軽くエツチングするめ第６図）。
中に置いてレジスト（４ンには被われていない露出箇所
を軽くエツチングするめ第６図）。
続いて金属クロＩつ太（６）をマスク全面に蒸着若しく
はスパッタに依り堆積させる（第４図〕。この時クロミ
ウム（６）はレジスト（４）表面は当然であるが、露出
箇所にも同様に堆積される。
はスパッタに依り堆積させる（第４図〕。この時クロミ
ウム（６）はレジスト（４）表面は当然であるが、露出
箇所にも同様に堆積される。
最後にレジスト（４）を剥離する事に依って％該しジス
ト（４）上のクロ【ラム（６）はリフトオフされ、それ
以外の箇所、即ち露出箇所のクロミクム＋６１は残存し
、この柱存りロｉクムｆ６１ Ｋ 依って金［りＯｔウ
ム（２）に依るマスクパターンの欠損欠陥は補修され走
用となる（第５図〕。
ト（４）上のクロ【ラム（６）はリフトオフされ、それ
以外の箇所、即ち露出箇所のクロミクム＋６１は残存し
、この柱存りロｉクムｆ６１ Ｋ 依って金［りＯｔウ
ム（２）に依るマスクパターンの欠損欠陥は補修され走
用となる（第５図〕。
ここで−上述した本発明の具体的な一実施例について記
す。金属クロミクムパターンを何するフォトマスク上に
塗布するポジ型レジスト（４）としてはＡＺ−１３５ｉ
［イラれ、ソノ厚ミハ６０００Ｘで９０℃、２５分間の
ベーキング処理が施される。欠損欠陥（３）部分をスボ
ツｌ光し、６０秒間の現像を行りた後、フォトエッチャ
ントをシャワー状ＶＣ５秒間散布し念。スバタリング法
に依って１０００人の厚みで金属クロ【ラム（６）を堆
積した後、アセトンでレジス） （４）を剥離し念とこ
ろ、欠損欠陥（３）のクロミウム（６）のみが残存した
。このクロミクム（６）は酸に依るマスク洗浄でも剥離
する事はなかった。
す。金属クロミクムパターンを何するフォトマスク上に
塗布するポジ型レジスト（４）としてはＡＺ−１３５ｉ
［イラれ、ソノ厚ミハ６０００Ｘで９０℃、２５分間の
ベーキング処理が施される。欠損欠陥（３）部分をスボ
ツｌ光し、６０秒間の現像を行りた後、フォトエッチャ
ントをシャワー状ＶＣ５秒間散布し念。スバタリング法
に依って１０００人の厚みで金属クロ【ラム（６）を堆
積した後、アセトンでレジス） （４）を剥離し念とこ
ろ、欠損欠陥（３）のクロミウム（６）のみが残存した
。このクロミクム（６）は酸に依るマスク洗浄でも剥離
する事はなかった。
本発明は以上の説明から明らかな如く、クロミクム膜の
欠損欠陥なレジスト膜から露出した後、その露出箇所を
軽くエツチングし、その後にクロミクムＭを堆積してい
るので、堆積クロｉクム膜のガラス基板に対する密着度
が高くなり、クロｉウムの欠損欠陥ｆｒ：＠実に補修す
る事が出来る。
欠損欠陥なレジスト膜から露出した後、その露出箇所を
軽くエツチングし、その後にクロミクムＭを堆積してい
るので、堆積クロｉクム膜のガラス基板に対する密着度
が高くなり、クロｉウムの欠損欠陥ｆｒ：＠実に補修す
る事が出来る。
第１図乃至第５図は本発明方法を工程順に示した断面図
であ２で、（１）はガラス基板、（２）は金属クロｉウ
ム膜、（３）は欠損欠陥、（４ｊはレジス） 、 （６
１は堆積レジスト、ヲ犬々示している。
であ２で、（１）はガラス基板、（２）は金属クロｉウ
ム膜、（３）は欠損欠陥、（４ｊはレジス） 、 （６
１は堆積レジスト、ヲ犬々示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ガラス基板表面に所望形状にクロ【クム膜を被着せ
しめたクロムマスクの欠損欠陥を修正する方法であって
、クロミウム膜の欠損箇所のみなフォトレジスト膜から
露出し、その後該露出箇所を軽くエツチングし、続いて
基板全面にクロｉクム？堆積した後、上記フォトレジス
ト膜を除去してクロミウム膜の欠損箇所を堆積クロミク
ムにて浦修する事を特徴としたクロムマスクの修正方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57129285A JPS5919322A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | クロムマスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57129285A JPS5919322A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | クロムマスクの修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919322A true JPS5919322A (ja) | 1984-01-31 |
| JPS6228463B2 JPS6228463B2 (ja) | 1987-06-20 |
Family
ID=15005794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57129285A Granted JPS5919322A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | クロムマスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919322A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269269A (ja) * | 1985-09-21 | 1987-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 露光用マスク |
| KR100356794B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-10-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 마스크 형성방법 |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP57129285A patent/JPS5919322A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269269A (ja) * | 1985-09-21 | 1987-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 露光用マスク |
| KR100356794B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-10-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 마스크 형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6228463B2 (ja) | 1987-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5981110A (en) | Method for repairing photomasks | |
| JPS5919322A (ja) | クロムマスクの修正方法 | |
| US6261723B1 (en) | Transfer layer repair process for attenuated masks | |
| US7338609B2 (en) | Partial edge bead removal to allow improved grounding during e-beam mask writing | |
| JPH03139647A (ja) | マスクの修正方法 | |
| JP2803259B2 (ja) | マスクのパターン欠け欠陥の修正方法 | |
| JPH02115842A (ja) | ホトマスク欠陥の修正方法 | |
| JPS63218959A (ja) | ホトマスクパタ−ンの修正方法 | |
| JPS60235422A (ja) | マスクパタ−ンの欠陥修正方法 | |
| JPH022558A (ja) | マスクパターンの修正方法 | |
| JPS6163029A (ja) | クロムマスクの修正方法 | |
| JPS6381354A (ja) | ホトマスク | |
| JPS6140102B2 (ja) | ||
| JPH02116849A (ja) | パターン修正方法 | |
| JPH061371B2 (ja) | モリブデンシリサイドマスクの修正方法 | |
| JPH0440456A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPS6053872B2 (ja) | 遮光性マスクの修正方法 | |
| JPS59129423A (ja) | イオン注入によるマスクリペア−方法 | |
| JPH02161433A (ja) | フォトマスク基板 | |
| JPH02113247A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0266545A (ja) | 薄膜パターンの欠落欠陥部修正方法 | |
| JPS63256959A (ja) | ホトマスクの作製方法 | |
| JPS6235667B2 (ja) | ||
| JPH05313354A (ja) | レチクル・マスクの欠陥修正方法 | |
| JPS63313158A (ja) | レチクルの修正方法 |