JPS6013301B2 - マスクアラインメント装置 - Google Patents

マスクアラインメント装置

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JPS6013301B2
JPS6013301B2 JP51150917A JP15091776A JPS6013301B2 JP S6013301 B2 JPS6013301 B2 JP S6013301B2 JP 51150917 A JP51150917 A JP 51150917A JP 15091776 A JP15091776 A JP 15091776A JP S6013301 B2 JPS6013301 B2 JP S6013301B2
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JP
Japan
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mask
wafer
amount
plate
pipe
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JP51150917A
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進 小森谷
弘 西塚
央 前島
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えば半導体工業において選択的フオトェツ
チング処理を実施する場合のマスク露光工程などで使用
するに好適なマスクアラィンメント装薄に関し、特にそ
のマスクーウェハ間接軸・分離機構の改良に関する。
従来、所定位置に固定されたマスクの下側に、該マスク
と位置合せされるべきゥェハを保持したゥヱハチャック
を上下動自在に配層するとともに、このウェハチヤック
の上面と前記マスク下面との間に大気圧より低圧に維持
される低圧室を形成して前記ワェハを前記マスクの下面
に密着させうるようにしたマスクアラィンメント装置が
提案されている。
この装置においては、前記マスクが前記低圧室に対面す
る面積をA1、前記ゥヱハチヤックが前記低圧室に対面
する面積をA2(但し、A2>AI)、前記低圧室の真
空圧をVoとすると、F=V。(ん−A,)なる力がゥ
ヱハチャックから上方のマスクに印加されるため、マス
クにペンド(まがり)が生じ、従ってマスクの正確なバ
タ−ンをウェハに投影することができなくなったり、ウ
ェハがダメ−ジをこうむるという問題点がある。また、
一般にマスクパターンをウェハ表面の感光性レジスト層
に燐付ける方法としては、上記のような真空を利用した
真空密着の状態における競付けの他に、ウェハの下面に
吹上力を加える吹上密着の状態における蛾付け、ソフト
コンタクトの状態における競付け、プロキシミティ状態
における凝付けなどがあり、これらの各種の燐付けは、
要求される解像度やマスク及びウェハの損傷の程度など
を考慮に入れて適宜選択して使用できることが望ましい
。しかるに上述の従釆装置によると、マスク及びウェハ
間の接近度や密着度を精密にコントロールできないため
、上託した各種の暁付方法を使いわけることができない
という問題点がある。本発明の目的は〜上託した従来技
術の問題点を解決した新規なマスクアラィンメント装置
を提供することにある。
本発明の特徴の1つは、マスクーウヱハ間の接近度乃至
密着度を精密に制御するのを可能にするため、ウェハチ
ャックを板ばねなどにより弾性的に且つ上下動自在に保
持してこれを弾性変形の限界内で駆動するようにすると
ともに「この駆動の際におけるゥェハチャックの移動量
とその駆動力との比例関係を規定する比例定数の変化す
る点を検知することにより正確なマスク位置を求めてそ
のマスク位置を基準にしてウェハチャックの上下の移動
量を精度よく制御するようにした点にある。
以下「添付図面に示す本発明の好ましい実施例を詳述す
る。
第1図は、本発明の一実施例によるマスクアラィシメン
ト装置を示すもので、1肌ま〜たがいに直角なX及びY
方向並びに角度a方向に移動自在なXYaテ〜ブルであ
る。
このテーブル量Qの上には、本発明を適用したマスクー
ウェハ間綾滋。分離機構が配置されている。テーブル亀
8の表面の凹所内にはベース14が上下動自在に配設さ
れており、ベース14の下面とテーブル竃0の凹所内面
との間にはパイプ12に運通したエアー室竃3が形成さ
れている。パイプ12にェア一Aを送ると、ベース1い
まその上端面がマスクホルダ48の下面に当援するまで
上昇し、反対にパイプ亀2を真空Vで引くとべ‐ス量4
は図示の元の位置に戻る。ベースi4は、円筒状部貴6
に囲まれた凹部を有し、この凹部内には〜ウェハ4鯵を
保持するウェハチャック42を球面座36aで支持する
シャフト36が配置されている。
シャフト36は板ばね26,28により上下動自在に且
つ弾性的にベース14の円筒状部亀6に取付けられてお
り「板ばね26とベース上面との間にはパイプ亀机こ蓮
通したエアー室亀9が形成されている。円筒状部16の
上端近傍には環状にマスクホルダ48の下面に係合する
封止べロー22が装着されている。ベース14上にはま
た、例えば電気マイクロメータなどからなる変位量検出
器20が装着されもその検知アーム20aはウェハチャ
ック受けシャフト36に設けた凹部38の内面に係合し
てシャフト36の変位量(すなわちゥェハチャツク42
の移動量)を検知しうるようになっている。ベース1亀
の円筒状部亀6における検出器20の取付部分と反対側
の部分には「パイプ24が取付けられるとともに〜 こ
のパイプ24に蓮通した管孔を有するパイプ受け具31
が取付けられている。一端がパイプ受け具31‘こ連結
されたパイプ30の他端はシャフト3翁の側部に取付け
られたもう1つのパイプ受け具32に後続されており、
パイプ受け具32の管孔は「 ゥェハチャック亀2内の
蓮通孔亀2に球面座36aを介して蓮適するようにシャ
フト側部に設けられた導気孔401こ連適している。マ
スクホルダ亀8‘ふマスク64の周辺部をパイプ58を
介して真空Vで吸着8固定するためのものであり「 マ
スク54の中央部下方にはウェハチャック42を収容す
るに十分な大きさの関孔が設けられている。この開口は
「マスク54、封止べロー22、板ばね28で画定され
るエアー室富8の一部をなしている。エアー室56に蓮
通したパイプ鯵2はヱア−室56を真空Vで引いたりも
エアー室蚤8中のN2ガスをパージしたりするためのも
のである。上記機成において、パイプ?8を介してエア
ーAをエアー室富91こ送りこみ「その圧力を制御する
と、シヤフト36とともにウエハチヤック42を上下動
させることができ、その上下の移動量は変位量検出器2
8‘こより検出される。
この場合のエアーの供給圧Pと検出器20の出力端子2
1から得られる変位出力Eとの関係は第2図に示すよう
に比例関係になる。すなわち、板もまね267 28の
弾性変形の限界内では、駆動力たる供給圧Pとウヱハチ
ャックの移動量たる変位出力則ま直線Sけこ示すように
リニア関係になり、E中KPとなる。ここでKは比例定
数であり、供給圧Pの増分Apと「変位出力Eの増分△
eとによりK=△eノ△pで表わされるものである。と
ころで、この比例定数はゥェハチャック42がマスク5
4に接近することによりそれから抵抗力を受けるまでは
、一定であるが、抵抗力を受けた場合には変化すること
になる。すなわち、第2図に示すように変位出力がEo
のときウェハチャック42(又はその上のウェハ46)
がマスク54に当接して抵抗を受けるものとすると、そ
れ以上にエアーの供給圧Pを増大させると、供給圧Pと
変位出力Eとの関係は直線S2に示すようになりt直線
SIの場合とは勾配、すなわち比例定数が異なってくる
。本発明では、この比例定数が変化する点を検知するこ
とによりマスク位置を正確に求め、そのマスク位置を基
準にしてウヱハチャックの上下移動量を正確に制御する
ことが提案される。なお、パイプ24を真空Vで引くと
、ウェハ46をチャックしたり「 ウェハチャック42
を球面座36aにロックしたりすることができ、またパ
イプ24にエアーAを供V給すると、エアーベアリング
効果でウェハ46をチャック面から離脱させることがで
きる。
さらに、チャック42を上昇させてウェハ46をマスク
54に接触させ且つエアー室56をパイプ52を介して
真空Vで引いてウェハ46をマスク54を真空蒸着させ
た場合には、パイプ24を介してN2ガスをウェハチヤ
ツク42に供聯合してウヱハを吹上密着させることがで
き、この場合のN2ガスはパイプ52からパージされる
。次に、第1図の装置の制御系統について説明する。
空気圧源60からパイプ18に供給されるエアーAの圧
力は空気圧制御装置62により制御される。制御装置6
2は「例えばパルスモータで駆動・操作される精密減圧
弁で構成され「制御信号発生装置66からの制御信号C
Aに応じてエアーAの供給圧Pを制御する。供給圧Pを
検知するための検知器64が設けられ、この検知器の出
力Pは制御信号発生装置66に入力される。制御信号発
生装置66にはこの他変位量検出器20からの変位出力
Eと、ウェハチャック移動量設定器68からの移動量信
号Mとが加えられる。制御信号発生装置66は、これら
の入力信号P,E,Mに基づいて、先に第2図に関して
説明した制御動作を可能にする制御信号CAを発生する
もので、例えば第3図に示すように構成されうる。第3
図に示すように、制御信号発生装置66においては、供
給圧Pと変位量Eとの比を演算してその比に応じた出力
を発生する比演算回路70が設けられる。
一致回路72は、この比演算回路70の出力と予め設定
された直線S2の比例定数Kに応じた入力とを比較して
両者が一致したときホールド回路74をセットし、ホー
ルド回路74にそのときの変位出力Eをホールドさせる
ためのものである。ホールド回路74Gま、一致回路7
2のセット出力に応じて変位出力Eをホールドして制御
目標値信号Tを発生し、これを加算回路76の一方の入
力端に送出する。加算回路76のもう一方の入力端には
、移動量設定器68から移動量信号Mが与えられており
、両入力T,Mは代数学的に加算される。この加算出力
Nを一方の入力端に受信し且つ変位出力Eを他方の入力
端に受信する差演算回路78は両入力N,Eの差に応じ
た制御出力CAを空気圧制御装置62に送出する。第1
図の装置において最初、ゥェハチャック42が板ばね2
6,28のみによる保持位置にあるものとすると、変位
量検出器20の出力Eは最小レベルをとる。そこで、移
動量設定器68を操作して一度ウェハチヤツク42をマ
スク54に当接させるような位置にまで上昇させるべく
移動量信号Mを加算回路76に加える。この場合、加算
回路76は、ホールド回路74の目標値信号Tがまだ確
立されていないので、これを受信することはない。従っ
て、設定された移動量信号Mはそのまま加算信号Nとし
て差演算回路78に送られ、そこで変位出力Eと差演算
され、その差に応じた制御信号出力CAが発生される。
この差は、変位出力Eが移動量信号Mの設定値に等しく
なるにつれて小さくなる。そして、ウエハチヤツク42
がマスク54に当援すると、次のようにして制御目標値
が確立される。すなわち、前述のように供給圧Pと変位
出力Eとの比を演算する回路70は、ウェハ42とマス
ク54とが当接したとき、直線S2の比例定数に対応し
た出力を一致回路に送出するので、一致回路72では、
このときの受信信号と予め設定された比例定数入力との
一致が確立し、従って、ホールド回路74はそのときの
変位出力Eの値をホールドする。このときのホールド出
力Tはすなわち目標値信号であって、マスク54の正確
な高さ位置を指示する。なお、この目標値の確立と同時
に移動量設定器をリセットし、制御系を新たに確立され
た目標値に追従させるように動作させることによりウヱ
ハ46がマスク54に接触したソフトコンタクト状態を
維持させる。この後、第3図の制御系ではへ確立された
目標値をもとにして移動量設定器68で修正移動量を設
定することにより微細な移動量制御を実施できる。例え
ば、第2図に示すようにウェハ46がマスク54に接触
したときの圧力よりもわずかに高い供給圧Poに対応し
た移動量を設定することによりウェハ46をマスク54
に対して若千押圧させ、マスクのたわみ量を制御するこ
とができ、また、この反対に移動量を設定することによ
りゥヱハ46をマスク54からわずかに離間させ「いわ
ゆるセパレーション又はプロキシミティの状態を作り出
すこともできる。なお、上記のマスクたわみ量制御は、
エアー室56を真空Vで引いて真空密着の状態を作り出
したときに行われ、高度の密着性が精度よく得られる点
で有利である。この場合、前述のN2ガスによる吹上密
着を併用すればさらに密着性は高められる。ここで、第
1図の装置の全体としての動作を簡単に述べる。
まず〜図示しないウェハ自動供給機構から供給されるウ
ェハ46をパイプ24の真空Vで引かれるウェハチャッ
ク42により吸着保持する。次に、図示しないマスク自
動供給機構から供給されるマスクをパイプ58を介して
真空Vで吸着固定する。前述した移動量設定器68によ
り初期上昇量を設定しエアー室量9の供給圧を制御して
ウエハチヤツク42上のりエハ46をマスク54に当援
させる。このとき、前述の動作によりマスク64の高さ
に応じた制御目標値が確立される。しかる後、その目標
値から所定量だけウェハ位層を低下させてウェハ46を
マスク54から分離する。これは、移動量設定器68に
低下量を設定することによりなされる。このようにマス
ク54から所定距離だけゥェハ46を離間させた状態に
おいて、図示しないアラインメントスコーブによりマス
ク54及びゥェハ46のターゲット位置を確認しながら
XY8テーブル10を動かしてマスク54とウェハ46
との平面的な位置合せを行う。次いで、先に確立した目
標値に追従するように制御系を動作させてウェハ46と
マスク54とがソフトコンタクトの状態をとるようにす
る。この場合「パイプ52を介してエアー室52を真空
Vで引いて真空密着の状態を作り出し、さらに所望によ
り、パイプ24を介してN2ガスを送りこんでウェハ4
6をマスク541こ吹上密着させる。真空密着時におけ
るマスク54のたわみ量は、変位量検出器20でシャフ
ト36の変位量を検知しているので前述の制御系で所望
の値に制御できる。このような真空密着状態において、
図示しない露光機構によりウェハ亀6上の感光性レジス
ト層をマスク54のパターンにしたがって露光する。こ
の露光処理後はし ゥェハチャック亀2をエアー室19
の圧力を低下させることにより降下させて「まずマスク
54を取り去り、さらにパイプ12を介してエアーAを
エアー室13に供給してベース14を全体的に上昇させ
る。すると「 ウェハチャックd2のウェハ教贋面はマ
スクホルダ48の平面とほぼ同一レベルになるので、パ
イプ24からヱアーAを孔亀Q,亀4に供給してウェハ
46をトェアベアリング効果を利用して収納する。以上
に、本発明を実施例について詳述したが、当業者は上話
実施例に制限されることなく種々の改変形態で本発明を
実施することができる。本発明の主要な利点は、マスク
とゥェハとの間の接近「分離及び密着の程度、並びにマ
スクのたわみ量を精密に制御できる点にある。従って、
本発明によれば、ワヱハダメージを減らすとともにマス
クパターンずれを減らすことができ「さらに種々の状態
における競付方法を1台の装置で実施することができ、
その産業上の効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の−実施例によるマスクアラィンメン
ト装麿を示す断面図、第2図は〜本発明の原理を説明す
るための供給圧P一変位出力E特性図、第3図は「第1
図の装置の制御系の一例を示す系統ブロック図である。 符号の説明、IQ・・・・・・XY8テーフル、14…
…ベース、26,28……板ばね「 36……ウェハチ
ヤツク受けシャフト、42……ウェハチヤツク、46…
…ウエハ、48……マスクホルダ「 54……マスク。
鰭/図豹そ図 努う図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 (a)マスクを所定位置に固定する機構と(b)上
    記マスクに相対的に位置合せされるべき被露光板状物を
    所定位置に固定する固定機構と(c)上記マスクと上記
    板状物とが実質的に平行な状態で上記マスク及び板状物
    の相対位置を変化させる位置合せ機構と(d)上記マス
    クに対して実質的に垂直な方向における上記マスク及び
    板状物の相対位置を変化させるために上記固定機構を上
    記マスクに対して実質的に垂直な方向に移動するコンタ
    クト機構と(e)上記固定機構の移動量を検出する検出
    機構と(f)上記検出機構により検出される上記垂直方
    向の上記マスク及び板状物の相対位置が減少されるとき
    の上記固定機構の移動量と上記コンタクト機構の駆動力
    との間の比例関係を規定する比例定数が変化する点を検
    知することにより上記マスクの位置を検出する手段と(
    g)上記検出されたマスク位置をもとに上記マスク及び
    板状物の垂直方向の相対位置の移動量を適宜制御する手
    段とを備えたマスクアライメント装置。
JP51150917A 1976-12-17 1976-12-17 マスクアラインメント装置 Expired JPS6013301B2 (ja)

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JP51150917A JPS6013301B2 (ja) 1976-12-17 1976-12-17 マスクアラインメント装置

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Publication Number Publication Date
JPS5375867A JPS5375867A (en) 1978-07-05
JPS6013301B2 true JPS6013301B2 (ja) 1985-04-06

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5527656A (en) * 1978-08-21 1980-02-27 Hitachi Ltd Method and device of sticking photomask and wafer together
JPS55121639A (en) * 1979-03-14 1980-09-18 Hitachi Ltd Control method for push force of mask and wafer
JPS6063928A (ja) * 1984-07-04 1985-04-12 Hitachi Ltd 密着露光装置

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JPS5375867A (en) 1978-07-05

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