JPS6063928A - 密着露光装置 - Google Patents
密着露光装置Info
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- JPS6063928A JPS6063928A JP59137154A JP13715484A JPS6063928A JP S6063928 A JPS6063928 A JP S6063928A JP 59137154 A JP59137154 A JP 59137154A JP 13715484 A JP13715484 A JP 13715484A JP S6063928 A JPS6063928 A JP S6063928A
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- JP
- Japan
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- mask
- wafer
- pressure
- alignment
- air
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば半導体工業において選択的フォトエツ
チング処理を実施する場合のマスク露光工程などに使用
するのに好適なホトマスクをアライメントする装置に関
し、特に半導体ウェーッ・とマスク間の接触および分離
をする装置に関する。
チング処理を実施する場合のマスク露光工程などに使用
するのに好適なホトマスクをアライメントする装置に関
し、特に半導体ウェーッ・とマスク間の接触および分離
をする装置に関する。
たとえば、マスクパターンを光学的に転写するための露
光装置に関しては、特願昭43−4973号に示めされ
ている。
光装置に関しては、特願昭43−4973号に示めされ
ている。
従来、例えばアメリカ特許第3645622に示される
ように、所定位置に固定されたマスクの下側K、該マス
クと位置合せされるべきウェハを保持したウェハチャッ
クを上下動自在に配置することによって、前記ウェハを
前記マスクの下面に密着させうるようにし1こマスクア
ライメント装置が提案されている。この種の装置におい
ては、半導体集積回路の回路パターンなどのあるハター
ンを持つマスクに対してかき傷などのような損傷を与え
ないように、さらに、ウエノ・に対しても損傷を与えな
いように、ウェハなマスクに対して圧力で圧接すること
が要求されるとともに、ウェハとマスクとの間のアライ
メントの後の最終的工程の露光のための配置において、
ウェハとマスクとの間の圧接は正確な密着性が要求され
る。特に大規模集積回路装置の回路パターンのように相
互接続線及び素子の微細パターンを持つマスクにおいて
は不正確な密着は、その微細パターンの解像度を悪化さ
せて、結果的にウェハの良品率を低下させる原因となる
。
ように、所定位置に固定されたマスクの下側K、該マス
クと位置合せされるべきウェハを保持したウェハチャッ
クを上下動自在に配置することによって、前記ウェハを
前記マスクの下面に密着させうるようにし1こマスクア
ライメント装置が提案されている。この種の装置におい
ては、半導体集積回路の回路パターンなどのあるハター
ンを持つマスクに対してかき傷などのような損傷を与え
ないように、さらに、ウエノ・に対しても損傷を与えな
いように、ウェハなマスクに対して圧力で圧接すること
が要求されるとともに、ウェハとマスクとの間のアライ
メントの後の最終的工程の露光のための配置において、
ウェハとマスクとの間の圧接は正確な密着性が要求され
る。特に大規模集積回路装置の回路パターンのように相
互接続線及び素子の微細パターンを持つマスクにおいて
は不正確な密着は、その微細パターンの解像度を悪化さ
せて、結果的にウェハの良品率を低下させる原因となる
。
従来知られるこの種の装置においては、露光時のウェハ
とマスクとの圧接において、マスクのベンド郊、の精密
なコントロールが考慮されていないために、圧接(7た
状態においてマスクにベンドが生じ、それによってウェ
ハとマスクとが同一平面内において正確に密着しないま
まに、露光が行なわれていた。このため、露光後の解像
度の悪化によるウェハの良品率の低下、若しくはウェハ
上に完成された露光パターン寸法の誤差を生じるという
欠点があった。
とマスクとの圧接において、マスクのベンド郊、の精密
なコントロールが考慮されていないために、圧接(7た
状態においてマスクにベンドが生じ、それによってウェ
ハとマスクとが同一平面内において正確に密着しないま
まに、露光が行なわれていた。このため、露光後の解像
度の悪化によるウェハの良品率の低下、若しくはウェハ
上に完成された露光パターン寸法の誤差を生じるという
欠点があった。
Summary of the 1nrention従
って、本発明の一般的な目的は、露光時のマスクのベン
ド量を精密にコントロールするためのマスクとウェハと
の密着装置を提供することにある1、 本発明の他の目的は、マスクとウエノ・を密着させる際
、予めアライメントしたマスクとウェハとの相対位置が
ずれるのを防止する密着装置を提供することにある。
って、本発明の一般的な目的は、露光時のマスクのベン
ド量を精密にコントロールするためのマスクとウェハと
の密着装置を提供することにある1、 本発明の他の目的は、マスクとウエノ・を密着させる際
、予めアライメントしたマスクとウェハとの相対位置が
ずれるのを防止する密着装置を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、マスクとウエノ・を密着さ
せる際の密着時間の短縮、並びに密着後の引離しを容易
になし得る密着装置を提供することにある。
せる際の密着時間の短縮、並びに密着後の引離しを容易
になし得る密着装置を提供することにある。
本発明のきらに、他の目的は、上述せる目的に沿ったマ
スクアライメント装置に適用可能なマスクとウエノ・と
の間の接近度或いは圧接度を検知するための装置、一般
的には、マスクアライメント装置のマスクとウエノ・と
の圧接度の検出などに使用されるように、2物体間の圧
接の度合を精密に検知できる装置、を提供することにあ
る。
スクアライメント装置に適用可能なマスクとウエノ・と
の間の接近度或いは圧接度を検知するための装置、一般
的には、マスクアライメント装置のマスクとウエノ・と
の圧接度の検出などに使用されるように、2物体間の圧
接の度合を精密に検知できる装置、を提供することにあ
る。
以下、本発明について図面を参照にして説明する。
第1図は、本発明に従ったマスクアライメント装置を示
す。同図にて、マスクアライメント装置1は、次の構成
から成る。
す。同図にて、マスクアライメント装置1は、次の構成
から成る。
固定されたベース2上には平面Y方向に移動可能なスキ
ャンYテーブル3および平面X方向に移動可能なスキャ
ンXテーブル4からなるスキャンテーブルが設けられて
いる。また、スキャンXテーブル4の外周部には支柱5
が固定されるとともに、これらの支柱5上には上部ベー
ス6が固定されている。この上部ベース6は中央が円形
空間を有し、この円形空間には上下面が平坦なドーナツ
状のマスクホルダ吸着固定板7が嵌合固定されている。
ャンYテーブル3および平面X方向に移動可能なスキャ
ンXテーブル4からなるスキャンテーブルが設けられて
いる。また、スキャンXテーブル4の外周部には支柱5
が固定されるとともに、これらの支柱5上には上部ベー
ス6が固定されている。この上部ベース6は中央が円形
空間を有し、この円形空間には上下面が平坦なドーナツ
状のマスクホルダ吸着固定板7が嵌合固定されている。
このマスクホルダ吸着固定板7には真空圧を供給するた
めのパイプ8および9が設けられ、マスクホルダ吸着固
定板7上に載置されるマスクホルダ10およびマスク1
1をそれぞれ吸着固定1−るようになっている。また、
スキャンXテーブル4内側上面には枠状のアライメント
Yテーブル12、アライメン)Xテーブル13が順次積
み重ねられ、平面XY方向に移動自在のアライメントテ
ーブルが形成されている。また、前記アライメントXテ
ーブル13の内側下部には鍔部14が設けられるととも
に、この鍔部14上にはドーナツ状のリテイナ15が固
定され、このリテイナ15上には鋼球16を介してドー
ナツ状の平面θ方向に移動するアライメントθテーブル
17が取り付けられている。また、このアライメントθ
テーブル17の上面には鋼球18が配設されるとともに
、これら鋼球18はその上面をアライメントXテーブル
13の上部に固定されるドーナツ状の押え板19で押え
られている。
めのパイプ8および9が設けられ、マスクホルダ吸着固
定板7上に載置されるマスクホルダ10およびマスク1
1をそれぞれ吸着固定1−るようになっている。また、
スキャンXテーブル4内側上面には枠状のアライメント
Yテーブル12、アライメン)Xテーブル13が順次積
み重ねられ、平面XY方向に移動自在のアライメントテ
ーブルが形成されている。また、前記アライメントXテ
ーブル13の内側下部には鍔部14が設けられるととも
に、この鍔部14上にはドーナツ状のリテイナ15が固
定され、このリテイナ15上には鋼球16を介してドー
ナツ状の平面θ方向に移動するアライメントθテーブル
17が取り付けられている。また、このアライメントθ
テーブル17の上面には鋼球18が配設されるとともに
、これら鋼球18はその上面をアライメントXテーブル
13の上部に固定されるドーナツ状の押え板19で押え
られている。
また、前記アライメントθテーブル17の内側には上下
動機構の筒状本体20が固定されている。
動機構の筒状本体20が固定されている。
この筒状本体20の下面および上面は板ばね部21を周
縁に形成するブロック22がそれぞれ固定されている。
縁に形成するブロック22がそれぞれ固定されている。
また、これ・らのブロック22の中央部は管状の連結棒
23で固定されている。また、下面側のブロック22の
下面には皿状の蓋体24が固定され、下面側のブロック
22と蓋体24との間にエアー室25を形成している。
23で固定されている。また、下面側のブロック22の
下面には皿状の蓋体24が固定され、下面側のブロック
22と蓋体24との間にエアー室25を形成している。
また、前記連結棒23内には電気マイクロメータなどか
らなる変位量検出器26が装着され、その検出端を下面
のブロック22を貫通させて蓋体24の内壁面に臨ませ
ている。また、検出端を取り囲むように、シール27が
配設されている。また、エアー室25にはパイプ28を
通して圧縮空気が入れられるようになっている。パイプ
28および29を通してエアー室25に圧縮空気Aを送
り込むと、各ブロック22の周縁板はね部21が弾性変
形してブロック22と筒状本体23とから成るピストン
装置は、上方に移動する。ところで、後述するように、
このエアー室40における空気圧と板ばね部21の変位
量は比例し、このピストン装置の上方に支持されるウェ
ハがマスクホルダ吸着固定板7に固定されるマスクに接
触すると、板ばね部21の比例定数が急激に変化するこ
とを利用して、マスクとウェハがわずかに接した位置を
検知し、ウニノ・とマスク間隔を正確にコントロールす
るようになっている。
らなる変位量検出器26が装着され、その検出端を下面
のブロック22を貫通させて蓋体24の内壁面に臨ませ
ている。また、検出端を取り囲むように、シール27が
配設されている。また、エアー室25にはパイプ28を
通して圧縮空気が入れられるようになっている。パイプ
28および29を通してエアー室25に圧縮空気Aを送
り込むと、各ブロック22の周縁板はね部21が弾性変
形してブロック22と筒状本体23とから成るピストン
装置は、上方に移動する。ところで、後述するように、
このエアー室40における空気圧と板ばね部21の変位
量は比例し、このピストン装置の上方に支持されるウェ
ハがマスクホルダ吸着固定板7に固定されるマスクに接
触すると、板ばね部21の比例定数が急激に変化するこ
とを利用して、マスクとウェハがわずかに接した位置を
検知し、ウニノ・とマスク間隔を正確にコントロールす
るようになっている。
一方、前記上方のブロック22上には球面床受は板30
が固定されるとともに、この球面床受は板30上には球
面座31を介してウニノーを固定するためのウェハチャ
ック32が取り付けられている。このウニノゝチャック
32の上面にはウニノ・チャック周辺部に対して設けら
れた吸着孔34と連らなるパイプ35を有し、かつウニ
ノ1チャックの中央部に対して設けられた吸着孔36と
連らなる他のパイプ37を有し、これらのパイプによっ
てマスク33に真空圧を供給し、又はN2ガスを供給す
る。
が固定されるとともに、この球面床受は板30上には球
面座31を介してウニノーを固定するためのウェハチャ
ック32が取り付けられている。このウニノゝチャック
32の上面にはウニノ・チャック周辺部に対して設けら
れた吸着孔34と連らなるパイプ35を有し、かつウニ
ノ1チャックの中央部に対して設けられた吸着孔36と
連らなる他のパイプ37を有し、これらのパイプによっ
てマスク33に真空圧を供給し、又はN2ガスを供給す
る。
球面床受は版30と球面座31との空間部45には、図
示されていない導気孔を通して不活性ガス(N tガス
)または真空圧が供給される。
示されていない導気孔を通して不活性ガス(N tガス
)または真空圧が供給される。
ウェハ33とマスク11の密着を図るために、上部のブ
ロック22の外壁には支持板38が固定さil、この支
持板38にはベロー39が取り付けられるとともに、こ
のベロー39.ブロック22゜マスクホルダ吸着固定板
7.マスクJ1によって取り囲まれたエア室40を形成
し、このエアー室40に真空圧又はガスを供給する1こ
めのパイプ41がマスクホルダ吸着固定板7に設けられ
ている。
ロック22の外壁には支持板38が固定さil、この支
持板38にはベロー39が取り付けられるとともに、こ
のベロー39.ブロック22゜マスクホルダ吸着固定板
7.マスクJ1によって取り囲まれたエア室40を形成
し、このエアー室40に真空圧又はガスを供給する1こ
めのパイプ41がマスクホルダ吸着固定板7に設けられ
ている。
また、上部ベース6の一側上面にはエアベアリング機構
42を有するウェハアンローダ用テーブル43が取り付
けられている。
42を有するウェハアンローダ用テーブル43が取り付
けられている。
他方、マスクホルダー10の上方にはアライメント用ス
コープ44が配設され、このアライメント用スコープ4
4でマスクとウェハのアライメントを行なうようになっ
ている。また、マスクホルダ10の上向には、図示しな
い露光機構が配設され、マスクとウェハとの密着後、露
光できるよう罠なっている。
コープ44が配設され、このアライメント用スコープ4
4でマスクとウェハのアライメントを行なうようになっ
ている。また、マスクホルダ10の上向には、図示しな
い露光機構が配設され、マスクとウェハとの密着後、露
光できるよう罠なっている。
このような本発明に従うアライメント装置においては、
次の構成を特徴としている。
次の構成を特徴としている。
まず、ウェハチャック上の半導体ウェハ33とマスク1
1との圧接状態又は、それら両者間の接近度を常に検知
するための装置が装着されている。
1との圧接状態又は、それら両者間の接近度を常に検知
するための装置が装着されている。
後述するアライメント装置の全体的な動作から明らかに
されるように、マスクとウニノ・との間のアライメント
をする前のステップおよびアライメント後の露光のステ
ップにおいていく度かマスクとウェハを圧接又は両者間
を所定距離関係に接近さぜることが要求される。本発明
に従えば、上記構成において、パイプ28を介してエア
ー室25にエアーAを送りこみ、その圧力を制御すると
、シャフト23とともにウェハチャック32を上下動さ
せることができ、その上下の移動量は変位量検出器26
により検出される。本発明者等はこの場合のエアーの供
給圧Pと検出器26の出力端子45b・ら得られる変位
出力Eとの関係は第2図に示すように比例関係になるこ
とに注目した。すなわち、阪ばね21が応力を生じる弾
性変形の限界内では、駆動力たる供給圧Pとウニノ・チ
ャック32の移動lたる変位出力Eは直線S1に示すよ
うにリニアケ関係になり、E−KPとなる。ここでKは
比例g数であり、供給圧Pの増分Δ1と、変位出力Eつ
増分Δ8とによりに一Δe/Δ、で表わされるものであ
る。ところで、この比例定数はウニノ・チャック32が
マスク11に接近することによりそれから抵抗力を受け
るまでは、一定であるが、抵抗力を受けた場合には変化
することになる。すなわち、第2図に示すように変位出
力がE。のときウェハチャック32(又はその上のウニ
ノ・33)がマスク11に圧接して抵抗を受けるものと
づ−ると、それ以上にエアーの供給圧Pを増大させると
、供給圧Pと変位出力Eとの関係は直線S2に示すよう
になり、直線SIの場合とは勾配、すなわち比例定数が
異なって(る。本発明では、この比例定数が変化する点
を検知することによりマスク位置を正確にめ、そのマス
ク位置を基準にしてウェハチャックの上下移動量を精確
に制御することが提案される。
されるように、マスクとウニノ・との間のアライメント
をする前のステップおよびアライメント後の露光のステ
ップにおいていく度かマスクとウェハを圧接又は両者間
を所定距離関係に接近さぜることが要求される。本発明
に従えば、上記構成において、パイプ28を介してエア
ー室25にエアーAを送りこみ、その圧力を制御すると
、シャフト23とともにウェハチャック32を上下動さ
せることができ、その上下の移動量は変位量検出器26
により検出される。本発明者等はこの場合のエアーの供
給圧Pと検出器26の出力端子45b・ら得られる変位
出力Eとの関係は第2図に示すように比例関係になるこ
とに注目した。すなわち、阪ばね21が応力を生じる弾
性変形の限界内では、駆動力たる供給圧Pとウニノ・チ
ャック32の移動lたる変位出力Eは直線S1に示すよ
うにリニアケ関係になり、E−KPとなる。ここでKは
比例g数であり、供給圧Pの増分Δ1と、変位出力Eつ
増分Δ8とによりに一Δe/Δ、で表わされるものであ
る。ところで、この比例定数はウニノ・チャック32が
マスク11に接近することによりそれから抵抗力を受け
るまでは、一定であるが、抵抗力を受けた場合には変化
することになる。すなわち、第2図に示すように変位出
力がE。のときウェハチャック32(又はその上のウニ
ノ・33)がマスク11に圧接して抵抗を受けるものと
づ−ると、それ以上にエアーの供給圧Pを増大させると
、供給圧Pと変位出力Eとの関係は直線S2に示すよう
になり、直線SIの場合とは勾配、すなわち比例定数が
異なって(る。本発明では、この比例定数が変化する点
を検知することによりマスク位置を正確にめ、そのマス
ク位置を基準にしてウェハチャックの上下移動量を精確
に制御することが提案される。
かかる制御系統について第1図を参照して説明する。
空気圧源46からバ・イブ29および28に供給される
エアーAの圧力は空気圧制御装置47により制御される
。制御装置47は、例えばパルスモータで駆動・操作さ
れる精密減圧弁で#&成され、制御信号発生装置50か
らの制御信号CAに応じてエアーAの供給圧Pを制御す
る。供給圧Pを検知−fるための検知器48が設けられ
、この検知器の出力Pは制御信号発生装置50に入力さ
れろ。
エアーAの圧力は空気圧制御装置47により制御される
。制御装置47は、例えばパルスモータで駆動・操作さ
れる精密減圧弁で#&成され、制御信号発生装置50か
らの制御信号CAに応じてエアーAの供給圧Pを制御す
る。供給圧Pを検知−fるための検知器48が設けられ
、この検知器の出力Pは制御信号発生装置50に入力さ
れろ。
制御信号発生装置50にはこの他変位量検出器26から
の変位出力Eと、ウニ・パチャック移動量設定器49か
らの移動i信号Mとが加えられろ。制御信号発生装置5
0は、これらの入力信号P、E。
の変位出力Eと、ウニ・パチャック移動量設定器49か
らの移動i信号Mとが加えられろ。制御信号発生装置5
0は、これらの入力信号P、E。
Mに基づいて、先に第2図に関して説明した制御動作を
可能にする制御信号CAを発生するものである。
可能にする制御信号CAを発生するものである。
第3図に示すように、制御信号発生装置50においては
、供給圧Pと変位量Eとの比を演算してその比に応じた
出力を発生する比演算回路51が設けられる。一致回路
52は、この比演算回路51の出力と予め設定された直
線S2の比例定数Kに応じた入力とを比較して両者が一
致したときホールド回路53をセットし、ホールド回路
53にそのときの変位出力Eをホールドさせるためのも
のである。ホールド回路53は、一致回路52のセット
出力に応じて変位出力Eをホールドして制御目標値信号
Tを発生し、これを加算回路54の一方の入力端に送出
する。加算回路54のもう一方の入力端には、移動量設
定器49から移動量信号Mが与えられており、両人力T
、Mは代数学的に加算される。この加算出力Nを一方の
入力端に受信し且つ変位出力Eを他方の入力端に受信す
る差演算回路55は両人力N、Hの差に応じた制御出力
CAを空気圧制御装置47に送出′1−る。
、供給圧Pと変位量Eとの比を演算してその比に応じた
出力を発生する比演算回路51が設けられる。一致回路
52は、この比演算回路51の出力と予め設定された直
線S2の比例定数Kに応じた入力とを比較して両者が一
致したときホールド回路53をセットし、ホールド回路
53にそのときの変位出力Eをホールドさせるためのも
のである。ホールド回路53は、一致回路52のセット
出力に応じて変位出力Eをホールドして制御目標値信号
Tを発生し、これを加算回路54の一方の入力端に送出
する。加算回路54のもう一方の入力端には、移動量設
定器49から移動量信号Mが与えられており、両人力T
、Mは代数学的に加算される。この加算出力Nを一方の
入力端に受信し且つ変位出力Eを他方の入力端に受信す
る差演算回路55は両人力N、Hの差に応じた制御出力
CAを空気圧制御装置47に送出′1−る。
第1図の装置において最初、ウニノ・チャック32が板
ばね21のみによる保持位置にあるものとすると、変位
量検出器26の出力Eは最小レベルをとる。そこで、移
動量設定器49を操作して一度つエハチャソク32をマ
スク11に当接或いは圧接させるような位置にまで上昇
させるべく移動量信号Mを加算回路54に加える。この
場合、加算回路54は、ホールド回路53の目標値信号
Tがまだ確立されていないので、これを受信することは
ない。従って、設定された移動量信号Mはそのまま加算
信号Nとして差演算回路55に送られ、そこで変位出力
Eと差演算され、その差に応じた制御信号出力CAが発
生される。この差は、変位出力Eが移動量信号Mの設定
値に等しくなるにつれて小さくなる。そして、ウェハチ
ャック32がマスク11に当接すると、次のようにして
制御目標値が確立される。すなわち、前述のように供給
圧Pと変位出力Eとの比を演算する回路51は、ウェハ
33とマスク11とが当接したとき、直線S、の比例定
数に対応した出力を一致回路に送出するので、一致回路
52では、このときの受信信号と予め設定された比例定
数入力との一致が確立し、従って、ホールド回路53は
そのときの変位出力Eの値をホールドする。このときの
ホールド出力Tはすなわち目標値信号であって、マスク
11の正確な高さ位置を指示する。なお、この目標値の
確立と同時に移動量設定器をリセットし、制御系を新た
に確立された目標値に追従させるように動作させること
によりウェハ33がマスク11に接触したソフトコンタ
クト状態を維持させる。この後、第3図の制御系では、
確立された目標値をもとにして移動量設定器49で修正
移動量を設定することにより微細な移動量制御を実施で
きる。
ばね21のみによる保持位置にあるものとすると、変位
量検出器26の出力Eは最小レベルをとる。そこで、移
動量設定器49を操作して一度つエハチャソク32をマ
スク11に当接或いは圧接させるような位置にまで上昇
させるべく移動量信号Mを加算回路54に加える。この
場合、加算回路54は、ホールド回路53の目標値信号
Tがまだ確立されていないので、これを受信することは
ない。従って、設定された移動量信号Mはそのまま加算
信号Nとして差演算回路55に送られ、そこで変位出力
Eと差演算され、その差に応じた制御信号出力CAが発
生される。この差は、変位出力Eが移動量信号Mの設定
値に等しくなるにつれて小さくなる。そして、ウェハチ
ャック32がマスク11に当接すると、次のようにして
制御目標値が確立される。すなわち、前述のように供給
圧Pと変位出力Eとの比を演算する回路51は、ウェハ
33とマスク11とが当接したとき、直線S、の比例定
数に対応した出力を一致回路に送出するので、一致回路
52では、このときの受信信号と予め設定された比例定
数入力との一致が確立し、従って、ホールド回路53は
そのときの変位出力Eの値をホールドする。このときの
ホールド出力Tはすなわち目標値信号であって、マスク
11の正確な高さ位置を指示する。なお、この目標値の
確立と同時に移動量設定器をリセットし、制御系を新た
に確立された目標値に追従させるように動作させること
によりウェハ33がマスク11に接触したソフトコンタ
クト状態を維持させる。この後、第3図の制御系では、
確立された目標値をもとにして移動量設定器49で修正
移動量を設定することにより微細な移動量制御を実施で
きる。
例えば、第2図に示すようにウニノ・33がマスク11
に接触したときの圧力よりもわずかに高い供給圧P。に
対応した移動量を設定することによりウェハ33をマス
ク11に対して若干抑圧させ、マスクのたわみ量を制御
することができ、また、この反対に移動量を設定するこ
とによりウェハ33をマスク11かられずかに離間させ
、いわゆるセパレーション又はプロキシミテイの状態を
作り出すこともできる。なお、上記のマスクたわみ量制
御は、後述するように、エアー室4oを真空で引いて真
空密着の状態を作り出したときに行われる。
に接触したときの圧力よりもわずかに高い供給圧P。に
対応した移動量を設定することによりウェハ33をマス
ク11に対して若干抑圧させ、マスクのたわみ量を制御
することができ、また、この反対に移動量を設定するこ
とによりウェハ33をマスク11かられずかに離間させ
、いわゆるセパレーション又はプロキシミテイの状態を
作り出すこともできる。なお、上記のマスクたわみ量制
御は、後述するように、エアー室4oを真空で引いて真
空密着の状態を作り出したときに行われる。
本発明に従う第2の特徴は、マスク11.板バネ21.
封止ペロ−39マスクホルダ吸着固定板7から取り囲れ
た気密室40を形成し、この気密室40内にウェハ33
を封じ込める点にある。この気密室40の真空圧はパイ
プ41を含む空気圧調整手段によって調整可能圧される
。さらにこの気密室40は、第4図のアライメント装置
の略式図に示されるように、室40に対するマスクの受
圧面積AMは、上下運動可能なシャフト23を含むピス
トン装置の受圧面積(筒状本体20の内径で決める面積
)Awより大きくされていることを特徴としている。
封止ペロ−39マスクホルダ吸着固定板7から取り囲れ
た気密室40を形成し、この気密室40内にウェハ33
を封じ込める点にある。この気密室40の真空圧はパイ
プ41を含む空気圧調整手段によって調整可能圧される
。さらにこの気密室40は、第4図のアライメント装置
の略式図に示されるように、室40に対するマスクの受
圧面積AMは、上下運動可能なシャフト23を含むピス
トン装置の受圧面積(筒状本体20の内径で決める面積
)Awより大きくされていることを特徴としている。
このような気密室40を形成することにより、ウェハと
マスクとのアライメントの後のマスクとウェハとの密着
工程において、室40を真空にし、第6図の略式図に示
すように、AM>Awの関係を用いてマスク11を下側
にベンドさせて、ウェハのほぼ中央部においてマスクと
ウェハを当接させて、その後連続する密着工程において
ウニノ・およびマスクを互いに中央部から周縁部に向っ
て同心円的に密着させる。これによってマスクとウェハ
の密着は、予めアライメント工程において位置づけられ
た相対位置をずらすことなく、密着きせることかできる
。
マスクとのアライメントの後のマスクとウェハとの密着
工程において、室40を真空にし、第6図の略式図に示
すように、AM>Awの関係を用いてマスク11を下側
にベンドさせて、ウェハのほぼ中央部においてマスクと
ウェハを当接させて、その後連続する密着工程において
ウニノ・およびマスクを互いに中央部から周縁部に向っ
て同心円的に密着させる。これによってマスクとウェハ
の密着は、予めアライメント工程において位置づけられ
た相対位置をずらすことなく、密着きせることかできる
。
本発明に従う第3の%徴は、ウニノ・チャック32に不
活性ガス(N、ガス)を噴出させるための孔34および
36を設けた点にある。もちろんこれらは、ある5te
pにおいて、真空圧Vを供給することによってウェハな
チャックするために用いられる。特に本発明の実施例に
おいては、それらの孔はウェハチャックの中央部と周縁
部とに2分されて設けられている。密着工程においてマ
スクをベンドさせた後、マスク中央部から周縁部へと同
心円的に密着を促進させるために、第7図の略式図に示
すように、先ず中央部の孔36からN、カスを噴出させ
て中央部の密着を優先的に促進させ1こ後、第8図の略
式図に示すように、周縁部の孔34からもN、ガスを噴
出させて周縁部のウェハとマスクの密着を促進させる。
活性ガス(N、ガス)を噴出させるための孔34および
36を設けた点にある。もちろんこれらは、ある5te
pにおいて、真空圧Vを供給することによってウェハな
チャックするために用いられる。特に本発明の実施例に
おいては、それらの孔はウェハチャックの中央部と周縁
部とに2分されて設けられている。密着工程においてマ
スクをベンドさせた後、マスク中央部から周縁部へと同
心円的に密着を促進させるために、第7図の略式図に示
すように、先ず中央部の孔36からN、カスを噴出させ
て中央部の密着を優先的に促進させ1こ後、第8図の略
式図に示すように、周縁部の孔34からもN、ガスを噴
出させて周縁部のウェハとマスクの密着を促進させる。
このような機構により、マスクはウェハとの間に空気層
を介在させることなく、密着を促進できる。密着および
露光後のウェハとマスクとの間の引離しは、上述せるい
くつかのs tepの逆を実行させることによって、容
易に達成できる。
を介在させることなく、密着を促進できる。密着および
露光後のウェハとマスクとの間の引離しは、上述せるい
くつかのs tepの逆を実行させることによって、容
易に達成できる。
本発明に従う第4の特徴は、上述せる空気室25の供給
圧Pを、密着工程において調整する機構を有することに
ある。室40が大気圧であるとき、上述せる制御装置に
よって第4図に示すようなマスクの基準面に対し、ウニ
ノ・が当接する位置(変位出力E)を記憶しておき、第
8図に示すような密着工程においてN、ガスの流量QN
と変位量ΔXNとの関係を実験的にめておき、ΔXNの
値を空気室25の供給圧制御装置に入力して、基準面の
変位出力EよりΔXNだけウェハチャックの位置を下げ
るように供給圧Pをコントロールする。これによってマ
スクのベンドを小さくできる。
圧Pを、密着工程において調整する機構を有することに
ある。室40が大気圧であるとき、上述せる制御装置に
よって第4図に示すようなマスクの基準面に対し、ウニ
ノ・が当接する位置(変位出力E)を記憶しておき、第
8図に示すような密着工程においてN、ガスの流量QN
と変位量ΔXNとの関係を実験的にめておき、ΔXNの
値を空気室25の供給圧制御装置に入力して、基準面の
変位出力EよりΔXNだけウェハチャックの位置を下げ
るように供給圧Pをコントロールする。これによってマ
スクのベンドを小さくできる。
次に、第1図の装置の全体としての動作説明する。まず
、図示しないウニ/・自動供給機構から供給サレるウェ
ハ33をパイプ35および37の真空■で引かれるウニ
ノ・チャック32により吸着保持する。次に、図示しな
いマスク自動供給機構から供給されるマスク11および
マスクホルダ10をパイプ8および9を介して真空Vで
吸着固定する。前述した移動量設定器49により初期上
昇量を設定しエアー室25の供給圧を制御してウニノ・
チャック32上のウニノ゛33をマスク11に当接させ
る。このとき、前述の動作によりマスク11の高さに応
じた制御目標値が確立される。
、図示しないウニ/・自動供給機構から供給サレるウェ
ハ33をパイプ35および37の真空■で引かれるウニ
ノ・チャック32により吸着保持する。次に、図示しな
いマスク自動供給機構から供給されるマスク11および
マスクホルダ10をパイプ8および9を介して真空Vで
吸着固定する。前述した移動量設定器49により初期上
昇量を設定しエアー室25の供給圧を制御してウニノ・
チャック32上のウニノ゛33をマスク11に当接させ
る。このとき、前述の動作によりマスク11の高さに応
じた制御目標値が確立される。
この時、ウニノルチャックの平行出しくマスクと平行に
させる)のための球面座31の空気室45は、大気圧或
いは低真空となっているので、球面座は自由に回転し、
平行出しを可能にして(・る。
させる)のための球面座31の空気室45は、大気圧或
いは低真空となっているので、球面座は自由に回転し、
平行出しを可能にして(・る。
さらに必要があればウニノ・す1ヤツクの上昇が停止し
た後、ウニノ・とマスクの平行出しをより完全なものと
するため、微量のエア或いはN、ガスが空気室45に送
付される。平行出しの後、その空気々AIニーLp1!
r殉fすλンシf計り 硬面腐31は告け板30に固定
される。
た後、ウニノ・とマスクの平行出しをより完全なものと
するため、微量のエア或いはN、ガスが空気室45に送
付される。平行出しの後、その空気々AIニーLp1!
r殉fすλンシf計り 硬面腐31は告け板30に固定
される。
その後、空気室25への供給圧は空気圧源のパルスモー
タ(図示されていない)の逆転により減少させて、マス
クとウェハ間隔を20μm程度にする。この状態で、ア
ライメントテ−ブルよりマスクとウェハのターゲット位
置を確認しながら、アライメントテーブル12.13お
よび17を移動させてマスクのパターンとウェハのパタ
ーンを一致させる。
タ(図示されていない)の逆転により減少させて、マス
クとウェハ間隔を20μm程度にする。この状態で、ア
ライメントテ−ブルよりマスクとウェハのターゲット位
置を確認しながら、アライメントテーブル12.13お
よび17を移動させてマスクのパターンとウェハのパタ
ーンを一致させる。
この後、マスクに対してウェハの位置を正確に合せ、再
たび室25の供給圧を−E昇させ、マスクとウェハ間の
間隔を5〜10μmとし、この位置で、マスクとウェハ
とのアライメントを確認し、もし7必要ならば、補正さ
れる。
たび室25の供給圧を−E昇させ、マスクとウェハ間の
間隔を5〜10μmとし、この位置で、マスクとウェハ
とのアライメントを確認し、もし7必要ならば、補正さ
れる。
このアライメントステップの終了後、空気室25の供給
圧を上昇させ、ウェハとマスクを当接させろ21次の露
光のための密着工程を第5図〜第8図を参照にして説明
する。
圧を上昇させ、ウェハとマスクを当接させろ21次の露
光のための密着工程を第5図〜第8図を参照にして説明
する。
アライメントステップの終了後、空気室25に関する制
御装置によってウェハなマスクにソフトタッチした状態
では、定性的に第5図に示すように、マスクはベンドし
、ウェハとマスクとの間に空気層56が存在することと
なる。この空気層56を排除し、密着を完全にするため
に、先ず、第6図に示すように、室40を大気圧より低
い圧力(負の圧力)にする。室40を負の圧力にすると
、AM>AJであることより、マスク11は上方から下
方に力を受け下方にたわむ。これによって上述せる如く
、マスクのほぼ中央部においてウニノ・33とマスク1
1を圧接させる。
御装置によってウェハなマスクにソフトタッチした状態
では、定性的に第5図に示すように、マスクはベンドし
、ウェハとマスクとの間に空気層56が存在することと
なる。この空気層56を排除し、密着を完全にするため
に、先ず、第6図に示すように、室40を大気圧より低
い圧力(負の圧力)にする。室40を負の圧力にすると
、AM>AJであることより、マスク11は上方から下
方に力を受け下方にたわむ。これによって上述せる如く
、マスクのほぼ中央部においてウニノ・33とマスク1
1を圧接させる。
次に、上述せる如く、マスクの中央部から周縁部へと同
心円的に密着させることを促進させるために第7図に示
す如く、ウェハチャック32の中央部からウェハに対し
N2ガスを吹き出させろ。
心円的に密着させることを促進させるために第7図に示
す如く、ウェハチャック32の中央部からウェハに対し
N2ガスを吹き出させろ。
さらに、引続いて、第8図に示すように、ウェハチャッ
クの周縁部からもN、ガスを吹き出して密着を完了させ
る。この状態においてウェハ33とマスク11との間の
空気層は除去されるが、ウェハチャックから噴出された
N、ガス流のため、マスクとウェハはともに上方向に若
干ベンドするかもしれない。このベンドな補正するため
、室25の供給圧Pは、上述せる如く、制御系統によっ
てコントロールされる。
クの周縁部からもN、ガスを吹き出して密着を完了させ
る。この状態においてウェハ33とマスク11との間の
空気層は除去されるが、ウェハチャックから噴出された
N、ガス流のため、マスクとウェハはともに上方向に若
干ベンドするかもしれない。このベンドな補正するため
、室25の供給圧Pは、上述せる如く、制御系統によっ
てコントロールされる。
上述せる密着工程において、第7図に示したウェハチャ
ック中央部からの優先的なN、ガスの供給工程を省略す
ることもできるが、空気層56の早期の除去方法として
、採用することが好しい。
ック中央部からの優先的なN、ガスの供給工程を省略す
ることもできるが、空気層56の早期の除去方法として
、採用することが好しい。
このようにして、本発明に従えば、マスクとウェハとの
間に空気層が入ることなく、早期にウェハとマスクの密
着を完了させることができる。また、マスクとウニノ・
の中央部が接触した後、全面密着に移行するので、密着
時のマスクとウニノ・との位置ずれを著しく小さくする
ことができる。
間に空気層が入ることなく、早期にウェハとマスクの密
着を完了させることができる。また、マスクとウニノ・
の中央部が接触した後、全面密着に移行するので、密着
時のマスクとウニノ・との位置ずれを著しく小さくする
ことができる。
密着後、ウェハ上にマスクのパターンが図示されていな
い露光装置によって露光される。
い露光装置によって露光される。
次の段階によって、第8図に示すウニノ1とマスクの密
着状態からマスクとウニノ・とを引離す第1の方法は、
第7図に示すように、ウェハチャック周辺のみを真空に
切り換え、ウニノ・中央部をベンドさせ、ウェハ周辺か
らマスクとの引離しを行ない空気の流入を促進させるこ
とにある。第2の方法は、第6図に示す状態において室
40を負の圧力にしたまま、空気層25の圧力を減少さ
せるとウェハチャック32は除々に板バネ21の作用に
より下降する。この時マスクはマスク上面より大気圧を
受け下シリになるため、マスクとウェハの間に、ウェハ
周辺から空気の流入を促進させることができる、しかる
後、室40は大気圧にもどされ、マスクとウェハの引離
しを完了させる。
着状態からマスクとウニノ・とを引離す第1の方法は、
第7図に示すように、ウェハチャック周辺のみを真空に
切り換え、ウニノ・中央部をベンドさせ、ウェハ周辺か
らマスクとの引離しを行ない空気の流入を促進させるこ
とにある。第2の方法は、第6図に示す状態において室
40を負の圧力にしたまま、空気層25の圧力を減少さ
せるとウェハチャック32は除々に板バネ21の作用に
より下降する。この時マスクはマスク上面より大気圧を
受け下シリになるため、マスクとウェハの間に、ウェハ
周辺から空気の流入を促進させることができる、しかる
後、室40は大気圧にもどされ、マスクとウェハの引離
しを完了させる。
この第1および第2の方法によりウェハとマスクの間の
真空状態に空気を流入することができ、これによって、
ウェハとマスクが離れなくなるという事故を解決できる
。
真空状態に空気を流入することができ、これによって、
ウェハとマスクが離れなくなるという事故を解決できる
。
以上の本発明に従う装置と方法により、マスクとウェハ
の密着を相対位置のずれをす))すことなく円滑に行な
うことが出来、また、密着、露光後のマスクとウェハの
はく離(引離)を短時間で達成できる。その結果とし2
て、ウェハから製造されろ製品の歩留りの向上、および
マスクアライメント工程におけるマスクの損傷の防止が
期待できる。
の密着を相対位置のずれをす))すことなく円滑に行な
うことが出来、また、密着、露光後のマスクとウェハの
はく離(引離)を短時間で達成できる。その結果とし2
て、ウェハから製造されろ製品の歩留りの向上、および
マスクアライメント工程におけるマスクの損傷の防止が
期待できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に従うマスクアライメント装置を示す
断面図、第2図は、本発明の供給圧制御装置を説明する
ための供給圧(P)対変位出力(E)特性図、第3図は
、本発明の供給圧制御装ffrσ)システムブロックダ
イヤグラム、第4図〜第8図を第1図に示した本発明の
マスクアライメント装置を略式的に示し7た断面図。 ■・・マスクアライメント装置、20・・・筒状本体、
24・・・蓋体で20および24はチャンバを構成、2
2・・ブロック、23・・連結棒、30・・・球面床受
1−J−板で、22.23および30はピストン装置を
構成、32・・・ウェハチャ、り、25・・・エアー室
、46・・・空気圧源、47・・・空気圧制御装置で2
5.46および47は駆動装置を構成、21・・・応力
を与えるための板はね部、26・・・位置検出器、48
・・検知器、49・・・ウェハチャック移動量設定器、
50・・制御信号発生装置で26.48.49および5
0は駆動制御手段を構成、33・・・ウニノ・、10・
・マスクホルダ、11・・・マスク、39・・・気密封
止用ペロー、40・・・エアー室、41・・・真空圧又
はガス供給用パイプ、34・・・吸着孔又はガス噴出孔
、35・・・パイプ、36・・・吸着孔又はガス噴出孔
、37・・・パイプ。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 第 2 図 戸−□ 第 3 図 第 4 図 第 5 間 第 6 図
断面図、第2図は、本発明の供給圧制御装置を説明する
ための供給圧(P)対変位出力(E)特性図、第3図は
、本発明の供給圧制御装ffrσ)システムブロックダ
イヤグラム、第4図〜第8図を第1図に示した本発明の
マスクアライメント装置を略式的に示し7た断面図。 ■・・マスクアライメント装置、20・・・筒状本体、
24・・・蓋体で20および24はチャンバを構成、2
2・・ブロック、23・・連結棒、30・・・球面床受
1−J−板で、22.23および30はピストン装置を
構成、32・・・ウェハチャ、り、25・・・エアー室
、46・・・空気圧源、47・・・空気圧制御装置で2
5.46および47は駆動装置を構成、21・・・応力
を与えるための板はね部、26・・・位置検出器、48
・・検知器、49・・・ウェハチャック移動量設定器、
50・・制御信号発生装置で26.48.49および5
0は駆動制御手段を構成、33・・・ウニノ・、10・
・マスクホルダ、11・・・マスク、39・・・気密封
止用ペロー、40・・・エアー室、41・・・真空圧又
はガス供給用パイプ、34・・・吸着孔又はガス噴出孔
、35・・・パイプ、36・・・吸着孔又はガス噴出孔
、37・・・パイプ。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 第 2 図 戸−□ 第 3 図 第 4 図 第 5 間 第 6 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(at マスクを周辺で保持するマスク・ホルダと (bl 被処理板状物を上記マスクと対向させて保持す
る載置台と (cl 上記マスクと上記被処理板状物を当接または近
接させるだめの位置制御機構と (dl 上記マスクの両面間の気圧差を制御するための
気圧制御機構 よりなる密着露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137154A JPS6063928A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 密着露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137154A JPS6063928A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 密着露光装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10094978A Division JPS5527656A (en) | 1977-09-22 | 1978-08-21 | Method and device of sticking photomask and wafer together |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063928A true JPS6063928A (ja) | 1985-04-12 |
Family
ID=15192080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59137154A Pending JPS6063928A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 密着露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142292A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | 基板検査装置 |
| JP2010517300A (ja) * | 2007-01-29 | 2010-05-20 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 基板変形を利用したコンタクトリソグラフィ装置及び方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5375867A (en) * | 1976-12-17 | 1978-07-05 | Hitachi Ltd | Mask aligment apparatus |
-
1984
- 1984-07-04 JP JP59137154A patent/JPS6063928A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5375867A (en) * | 1976-12-17 | 1978-07-05 | Hitachi Ltd | Mask aligment apparatus |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142292A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | 基板検査装置 |
| JP2010517300A (ja) * | 2007-01-29 | 2010-05-20 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 基板変形を利用したコンタクトリソグラフィ装置及び方法 |
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