JPS6013308B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6013308B2 JPS6013308B2 JP52096538A JP9653877A JPS6013308B2 JP S6013308 B2 JPS6013308 B2 JP S6013308B2 JP 52096538 A JP52096538 A JP 52096538A JP 9653877 A JP9653877 A JP 9653877A JP S6013308 B2 JPS6013308 B2 JP S6013308B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lid
- bottom plate
- wall
- insulating material
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/138—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having another interconnection being formed by a cover plate parallel to the conductive base, e.g. sandwich type
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属製の底板と金属製の蓋からなる平形容器
を備え、前記底板と蓋とが絶縁物質で機械的に相互に結
合されそして前記容器内に半導体素子が封入され、前記
底板および蓋に押し付けられてこれらと熱的および電気
的に接触する半導体装置に関する。
を備え、前記底板と蓋とが絶縁物質で機械的に相互に結
合されそして前記容器内に半導体素子が封入され、前記
底板および蓋に押し付けられてこれらと熱的および電気
的に接触する半導体装置に関する。
公知のこの種半導体装置は、可視・性の絶縁物質リング
を用いて封止されるか、可塑性絶縁物質を用いてモール
ドされていた。
を用いて封止されるか、可塑性絶縁物質を用いてモール
ドされていた。
液状絶縁物質の流入を避けるために、場合によっては、
可孫性の絶縁物質リングと、可塑性絶縁物質により形成
された絶縁体とを組合わせることも行われてきた。この
場合、半導体素子と底板ないし素子と蓋との間で「単に
加圧接触のみが行われるときには、封止に対して厳格な
要求が課せられる。というのは、液状のないし可塑状態
にある合成樹脂が、毛細管作用により底板、蓋および半
導体素子間の接触面を濡らす煩向があるからである。さ
らにモールドのために、注形用のあるいはトランスファ
ーモールドのための型が必要である。このような型は高
価であり、半導体装置の価格を引き上げることになる。
本発明の目的は、最初に述べた形式の半導体装置を改良
し、複雑な型を用いることないこ簡単に封止を行えるよ
うにすることにある。
可孫性の絶縁物質リングと、可塑性絶縁物質により形成
された絶縁体とを組合わせることも行われてきた。この
場合、半導体素子と底板ないし素子と蓋との間で「単に
加圧接触のみが行われるときには、封止に対して厳格な
要求が課せられる。というのは、液状のないし可塑状態
にある合成樹脂が、毛細管作用により底板、蓋および半
導体素子間の接触面を濡らす煩向があるからである。さ
らにモールドのために、注形用のあるいはトランスファ
ーモールドのための型が必要である。このような型は高
価であり、半導体装置の価格を引き上げることになる。
本発明の目的は、最初に述べた形式の半導体装置を改良
し、複雑な型を用いることないこ簡単に封止を行えるよ
うにすることにある。
本発明は、蓋を底部および壁部を備えたつば状体として
形成し、半導体素子の一方の電極を底部に接触させ、つ
ば状体の壁部が入り込む溝を底板に設け、半導体素子の
他の電極を溝から隔たった底板の表面に接触させそして
溝を、壁部が浸されるまで絶縁性の物質で充たすことを
特徴とする。
形成し、半導体素子の一方の電極を底部に接触させ、つ
ば状体の壁部が入り込む溝を底板に設け、半導体素子の
他の電極を溝から隔たった底板の表面に接触させそして
溝を、壁部が浸されるまで絶縁性の物質で充たすことを
特徴とする。
溝を絶縁物質で充たすにあたり、半導体素子の電極と接
触する面が絶縁物質と触れない範囲内の充填を行うのが
望ましい。こうすれば、絶縁物質による接触面の濡れを
防ぐための特別の封止処置が不要となる。半導体素子を
蓋内に保持するようにすると有利である。これを伴い、
組立てが著しく簡単になる。底板に、閉止可能な排気口
を設けることができる。
触する面が絶縁物質と触れない範囲内の充填を行うのが
望ましい。こうすれば、絶縁物質による接触面の濡れを
防ぐための特別の封止処置が不要となる。半導体素子を
蓋内に保持するようにすると有利である。これを伴い、
組立てが著しく簡単になる。底板に、閉止可能な排気口
を設けることができる。
この開□はｔリベットを用いて閉じられる。排気口を通
して、容器組立ての際に封じ込まれた空気は、絶縁物質
を通過することないこ排気される。以下本発明を図示の
実施例について詳しく説明する。
して、容器組立ての際に封じ込まれた空気は、絶縁物質
を通過することないこ排気される。以下本発明を図示の
実施例について詳しく説明する。
半導体装置の容器の蓋を「第１図に符号１で示す。
この蓋は、銅やアルミニウムのような熱良導性の金属か
らなる。蓋はつば状に形成され、底部２と壁部３を備え
る。蓋ｉ‘ま半導体素子軍Ｑを受容する働きをし、この
場合「壁部３の内蓬は、蓋亀から半導体素子】０が落ち
出さないように「素子１０の外径と適合されている。半
導体装置の容器の底板を第２図に符号亀で示す。
らなる。蓋はつば状に形成され、底部２と壁部３を備え
る。蓋ｉ‘ま半導体素子軍Ｑを受容する働きをし、この
場合「壁部３の内蓬は、蓋亀から半導体素子】０が落ち
出さないように「素子１０の外径と適合されている。半
導体装置の容器の底板を第２図に符号亀で示す。
底板４は「蓋亀の壁部３の形状を適合し，た形の溝５を
有する。両部分は、例えばリング状であり得る。溝５で
取り囲まれた面は半導体素子ＩＱの接触面として働き、
符号６を付されている。底板４は、排気口７を備える。
溝５はト段部亀２を有することができる。菱に排気口を
設けることも可能である。装置の組立てに際しては、溝
５内に液状の「硬化可能なないいま他の方法で固化する
絶縁物質を充たし（第３図）、次いで蓋１を底板４上に
、壁部３が絶縁材料９中に浸たるよう戦層する。
有する。両部分は、例えばリング状であり得る。溝５で
取り囲まれた面は半導体素子ＩＱの接触面として働き、
符号６を付されている。底板４は、排気口７を備える。
溝５はト段部亀２を有することができる。菱に排気口を
設けることも可能である。装置の組立てに際しては、溝
５内に液状の「硬化可能なないいま他の方法で固化する
絶縁物質を充たし（第３図）、次いで蓋１を底板４上に
、壁部３が絶縁材料９中に浸たるよう戦層する。
この場合、壁部３が、その全域で溝５の壁と等しい間隔
を持つようにして、蓋１と底板４との心合わせを行うと
有利である。壁部３をできる限り薄くして「押し出され
る絶縁物質の量を可能な限り少なくするのが望ましい。
壁部３を溝５内に浸す際「絶縁物質の一部だけが押しの
けられ、この結果液面が上昇する。
を持つようにして、蓋１と底板４との心合わせを行うと
有利である。壁部３をできる限り薄くして「押し出され
る絶縁物質の量を可能な限り少なくするのが望ましい。
壁部３を溝５内に浸す際「絶縁物質の一部だけが押しの
けられ、この結果液面が上昇する。
この際、毅部軍２も充たされ、これに伴って、蓋１と底
板亀との間の、絶縁物質９の沿面距離が増大する。絶縁
物質９の体積は「壁部３の浸贋時、物質９が接触面６ま
で上昇しないように選ぶのが望ましい。こうすれば〜底
板４と半導体素子ＩＱとの電気的、熱的接触がト侵入し
た物質により妨げられることがない。蓋亀を溝内に浸し
た際容器の内部に封入された空気は、排気口？を通して
抜き取られる。半導体素子１０が庭坂母上に接触すると
、排気口７‘ま、例えばリベット８を用いて閉鎖される
。半導体素子１叫ぶ通例の通りト縁部に露出するｐｎ接
合を保護するためのワニス亀富を備えることができる。
板亀との間の、絶縁物質９の沿面距離が増大する。絶縁
物質９の体積は「壁部３の浸贋時、物質９が接触面６ま
で上昇しないように選ぶのが望ましい。こうすれば〜底
板４と半導体素子ＩＱとの電気的、熱的接触がト侵入し
た物質により妨げられることがない。蓋亀を溝内に浸し
た際容器の内部に封入された空気は、排気口？を通して
抜き取られる。半導体素子１０が庭坂母上に接触すると
、排気口７‘ま、例えばリベット８を用いて閉鎖される
。半導体素子１叫ぶ通例の通りト縁部に露出するｐｎ接
合を保護するためのワニス亀富を備えることができる。
絶縁物質９の硬化に伴い、半導体装置は最終的に姿止さ
れる。
れる。
第１図は本考案の−実施例に係る半導体装置の蓋ならび
にここに収容された半導体素子の縦断面図、第２図は底
板の縦断面図、第３図は完成した半導体装道の縦断面図
である。 富…・・・蓋、２……底部、３……壁部、４…・・・底
板「 ５…・・・溝、９・・・・・・絶縁物質、１０…
・・・半導体素子。 Ｆｉｇ．’ Ｆｉｇ．２ Ｆｉ９．３
にここに収容された半導体素子の縦断面図、第２図は底
板の縦断面図、第３図は完成した半導体装道の縦断面図
である。 富…・・・蓋、２……底部、３……壁部、４…・・・底
板「 ５…・・・溝、９・・・・・・絶縁物質、１０…
・・・半導体素子。 Ｆｉｇ．’ Ｆｉｇ．２ Ｆｉ９．３
Claims (1)
- １ 金属製の底板と金属製の蓋からなる平形容器を備え
、前記底板と蓋とが絶縁物質で機械的に相互に結合され
そして前記容器内に半導体素子が封入されて前記底板お
よび蓋に押しつけられ、これらと熱的および電気的に接
触するものにおいて、蓋を底部および壁部を備えたつぼ
状体として形成し、半導体素子の一方の電極を底部に接
触させ、つぼ状体の壁部が入り込む溝を底板に設け、半
導体素子の他方の電極を溝で囲まれた底板の表面に接触
させ、そして壁部の一部のみが浸されるまで、しかも半
導体素子には触れないように絶縁性の物質で溝を充たし
たことを特徴とする半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2636629.0 | 1976-08-13 | ||
| DE19762636629 DE2636629A1 (de) | 1976-08-13 | 1976-08-13 | Halbleiterbauelement mit scheibenfoermigem gehaeuse |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5323274A JPS5323274A (en) | 1978-03-03 |
| JPS6013308B2 true JPS6013308B2 (ja) | 1985-04-06 |
Family
ID=5985435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52096538A Expired JPS6013308B2 (ja) | 1976-08-13 | 1977-08-11 | 半導体装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013308B2 (ja) |
| DE (1) | DE2636629A1 (ja) |
| FR (1) | FR2361747A1 (ja) |
| GB (1) | GB1548109A (ja) |
| IT (1) | IT1085732B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4161746A (en) * | 1978-03-28 | 1979-07-17 | Westinghouse Electric Corp. | Glass sealed diode |
| US5081327A (en) * | 1990-03-28 | 1992-01-14 | Cabot Corporation | Sealing system for hermetic microchip packages |
| FR2660797A1 (fr) * | 1990-04-06 | 1991-10-11 | Motorola Semiconducteurs | Boitier d'encapsulage perfectionne pour dispositif a semiconducteur. |
| US5371386A (en) * | 1992-04-28 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of assembling the same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR74228E (fr) * | 1957-09-30 | 1960-11-07 | Gen Motors Corp | Transistor perfectionné |
| DE1564665C3 (de) * | 1966-07-18 | 1975-10-30 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE2014289A1 (de) * | 1970-03-25 | 1971-10-14 | Semikron Gleichrichterbau | Scheibenförmiges Halbleiterbauele ment und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
1976
- 1976-08-13 DE DE19762636629 patent/DE2636629A1/de not_active Withdrawn
-
1977
- 1977-08-04 FR FR7724030A patent/FR2361747A1/fr not_active Withdrawn
- 1977-08-05 IT IT26510/77A patent/IT1085732B/it active
- 1977-08-11 JP JP52096538A patent/JPS6013308B2/ja not_active Expired
- 1977-08-12 GB GB33837/77A patent/GB1548109A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1548109A (en) | 1979-07-04 |
| JPS5323274A (en) | 1978-03-03 |
| FR2361747A1 (fr) | 1978-03-10 |
| IT1085732B (it) | 1985-05-28 |
| DE2636629A1 (de) | 1978-02-16 |
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