JPS6013314A - 複合型磁気ヘツド - Google Patents
複合型磁気ヘツドInfo
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- JPS6013314A JPS6013314A JP11991983A JP11991983A JPS6013314A JP S6013314 A JPS6013314 A JP S6013314A JP 11991983 A JP11991983 A JP 11991983A JP 11991983 A JP11991983 A JP 11991983A JP S6013314 A JPS6013314 A JP S6013314A
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- magnetic
- flux density
- gap
- magnetic flux
- magnetic head
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この光明け・位属酸化甥磁性材料であるフェライトと・
位属磁性材料と全組合せて構成する複合型磁気ヘッドの
コア設計に関するものである。
位属磁性材料と全組合せて構成する複合型磁気ヘッドの
コア設計に関するものである。
背暖技術
磁気記録全行わせるＶＴＩ’（…磁気ヘッドは、従来、
高透磁率で、高周波渦電流損失が少く、しかも耐摩耗性
が優れているフェライトコアが採＋４１さ １− れてきた。さらに、最近では、ＶＴＦｔ小型化のための
副記録署度化が進むにつれて、記録媒体としてメタルテ
ープが出現するに至り、磁気ヘッドとしても、メタルテ
ープに対応する、パーマロイやセンダスト合金コア全採
用するものが作られ始めた。しかし、上記の合体コアは
、比抵抗がフェライトよりも著しく小さく、そのため嶋
周波渦電流コ員失が大であり、しかも耐に耗性が低い欠
点がある。
高透磁率で、高周波渦電流損失が少く、しかも耐摩耗性
が優れているフェライトコアが採＋４１さ １− れてきた。さらに、最近では、ＶＴＦｔ小型化のための
副記録署度化が進むにつれて、記録媒体としてメタルテ
ープが出現するに至り、磁気ヘッドとしても、メタルテ
ープに対応する、パーマロイやセンダスト合金コア全採
用するものが作られ始めた。しかし、上記の合体コアは
、比抵抗がフェライトよりも著しく小さく、そのため嶋
周波渦電流コ員失が大であり、しかも耐に耗性が低い欠
点がある。
一方磁気へラドコアを製作するには、極めて複雑で多大
な工数を留するσ）で、従来のフェライトコアから、こ
れと製作工程が異る合金コアへ変更すれば、原価高騰や
製作歩留り６３点でも不利である。
な工数を留するσ）で、従来のフェライトコアから、こ
れと製作工程が異る合金コアへ変更すれば、原価高騰や
製作歩留り６３点でも不利である。
発明の開示
この発明は、−上記背景に立脚して、次に主旨全述べる
ような摺合型磁気ヘッド全提唱するものである。すなわ
ちこの発明は、フェライトコアの磁気ギャップ対同面に
、高飽和磁束密度の磁性金（鳴音、少くとも記録波長と
同等かそれ以下の膜厚に ２− スパッタリング形成したこと全特徴とするものである。
ような摺合型磁気ヘッド全提唱するものである。すなわ
ちこの発明は、フェライトコアの磁気ギャップ対同面に
、高飽和磁束密度の磁性金（鳴音、少くとも記録波長と
同等かそれ以下の膜厚に ２− スパッタリング形成したこと全特徴とするものである。
したがって、この発明によれば、フェライトコアの長所
と合金コアの長所とが併せて得られ、しかも製１・Ｐ上
の弱点全排除することができるものである。
と合金コアの長所とが併せて得られ、しかも製１・Ｐ上
の弱点全排除することができるものである。
発明全実施するだめの最艮の形態
この発明の実施例としては、以下に説明するものがあり
、これらの実施例から、容易に最艮の形態？想起するこ
とができる。
、これらの実施例から、容易に最艮の形態？想起するこ
とができる。
まず第１図及び第２図は、この発明の一実施例全示す磁
気へラドコアの平面図及び正面図である。
気へラドコアの平面図及び正面図である。
第１図及び第２図において、１．２は互に突キ合せ接合
して環状コアを形成するブロック片で、第２図から判る
ように、ブロック片１の突き合せ部３に巻線挿通窓とな
る切欠き４と接層材溜め前５とを設け・従来のフェライ
トヘッドとほぼ同様な構造となっている。
して環状コアを形成するブロック片で、第２図から判る
ように、ブロック片１の突き合せ部３に巻線挿通窓とな
る切欠き４と接層材溜め前５とを設け・従来のフェライ
トヘッドとほぼ同様な構造となっている。
１１１１記ブロック片１．２の材質は、Ｍ ｎ −Ｚ
ｎ単結晶フェライトに選定しである。そして６は、ブロ
ック片１と２の突き合せ部３で磁気テープ摺動部ともな
る磁気ギヤツブ形成部であって、この幅寸法ｔは、両側
よりのノツチ７．８により磁気トラック幅に等しく設定
しである。この磁気ギヤツブ形成部６は、円Ａ部を拡大
して示す第３図から判るように、ブロック片１．２の薄
肉としたＪ： ｌ（＋’１部９、ｌＯは寸法ｇのギャッ
プ１１全形成させである。ここで上隅部９．ｌＯの対向
面９ａ、９ｂには、高飽和磁束密硬材料であるパーマロ
イ（Ｎｉ８０Ｗ１％、Ｆｅ１２ ％）１２．１３全、ス
パッタリング法によって肉１ｖｔ法ｐ、ｑ全約１μｍに
等しいか又はそれ以下にして被層形成しである。この場
合に、ギャップ１１はブロック片１１２が突合せ接合さ
れている曲に対して、アジマス角度θだけ傾斜させであ
る。また、パーマロイ１２．１３は、ギャップ近傍、つ
まり」三隅部９，１０のノツチ側面には仮着させる必要
はないが、磁気ギャップ形成部６全一点鎖線で示すよう
に磁気テープ１４が摺動すると摩擦により加熱されて摩
耗全促進しがちなので、放熱性全槽して加熱防止全図る
ために、対向面９ａ 、９ｂ工り延在被層させている。
ｎ単結晶フェライトに選定しである。そして６は、ブロ
ック片１と２の突き合せ部３で磁気テープ摺動部ともな
る磁気ギヤツブ形成部であって、この幅寸法ｔは、両側
よりのノツチ７．８により磁気トラック幅に等しく設定
しである。この磁気ギヤツブ形成部６は、円Ａ部を拡大
して示す第３図から判るように、ブロック片１．２の薄
肉としたＪ： ｌ（＋’１部９、ｌＯは寸法ｇのギャッ
プ１１全形成させである。ここで上隅部９．ｌＯの対向
面９ａ、９ｂには、高飽和磁束密硬材料であるパーマロ
イ（Ｎｉ８０Ｗ１％、Ｆｅ１２ ％）１２．１３全、ス
パッタリング法によって肉１ｖｔ法ｐ、ｑ全約１μｍに
等しいか又はそれ以下にして被層形成しである。この場
合に、ギャップ１１はブロック片１１２が突合せ接合さ
れている曲に対して、アジマス角度θだけ傾斜させであ
る。また、パーマロイ１２．１３は、ギャップ近傍、つ
まり」三隅部９，１０のノツチ側面には仮着させる必要
はないが、磁気ギャップ形成部６全一点鎖線で示すよう
に磁気テープ１４が摺動すると摩擦により加熱されて摩
耗全促進しがちなので、放熱性全槽して加熱防止全図る
ために、対向面９ａ 、９ｂ工り延在被層させている。
１５．１６及び１７は、ノツチ７、８及び溝５Ｋ ｌ充
填した接着材としての低融点ガラスである。
填した接着材としての低融点ガラスである。
なお現状ではギャップ１１の寸法ｇがＱ、３μｍ程闇１
で縮まり、ギヤツブ損失７抑えるために通常記録波長χ
＝３ｇに設計するのが一般的であるので、パーマロイ１
２．１３の閃厚寸法ｐ又はｑ′に３ｇにほぼ等しいｌ／
Ａｍ程度に設定して諭る。
で縮まり、ギヤツブ損失７抑えるために通常記録波長χ
＝３ｇに設計するのが一般的であるので、パーマロイ１
２．１３の閃厚寸法ｐ又はｑ′に３ｇにほぼ等しいｌ／
Ａｍ程度に設定して諭る。
以」二説明した磁気へラドコアは、従来パーマロイコア
では、克服できなかった晶周波渦電流損失全大幅に低減
できることが確認された。また、この磁気ヘッドは、従
来のＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトの磁気ギャップ対同面
に、パーマロイ全スパッタリング形成する叩業全）ＪＵ
えるだけでよいので為製作工数の大幅上昇や作業歩留り
の大１＠低下Ｔｔ招かずに済むのである。
では、克服できなかった晶周波渦電流損失全大幅に低減
できることが確認された。また、この磁気ヘッドは、従
来のＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトの磁気ギャップ対同面
に、パーマロイ全スパッタリング形成する叩業全）ＪＵ
えるだけでよいので為製作工数の大幅上昇や作業歩留り
の大１＠低下Ｔｔ招かずに済むのである。
尚、上記実施例は、高飽和磁束密度磁性金属としてパー
マロイ全選定したが、この発明では、その他にＦｅ、Ｓ
ｉ、Ａ見等全組成分とするセンダスト合金やニマロイ合
金全選定してもよく、同様な効果が期待できる。
マロイ全選定したが、この発明では、その他にＦｅ、Ｓ
ｉ、Ａ見等全組成分とするセンダスト合金やニマロイ合
金全選定してもよく、同様な効果が期待できる。
５−
第１図は、この発明の一実施例全示す磁気へラドコアの
平面図、第２図は、その正面図、第３図は第１図の円Ａ
部に拡大した断面図である。 １．２・・・・・ブロック片、 ６・・・ 磁気ギャップ形成部、 ９、ｌＯ・・・・・上隅部、 ９ａ、９ｂ・・・・・・ギャップ対同面、１１・・・・
・−ギャップ、 １２．１３・・・・・副飽和磁束密度磁性金属（パーマ
ロイ）。 特許出願人 新日本電気株式会社：。 ６− 毛 続 補 正 書 昭和５８年１０月に日 特許庁長官殿 （特許庁審査官 殿） 工事性の表示 複合型磁気ヘッド ３補正をする者 事件との関係 特許 出願人 カンサイニツホ゛ンデンキカブシキガイシャ関西日本電
気株式会社 添付別紙の通り。 特許請求の範囲 フェライトコアの磁気ギャップ対向面に、高飽和磁束密
度磁性金属を、 記録波長と同等かそれ以下の膜厚にス
パッタリング形成したことを特徴Ｊ−する複合型磁気ヘ
ッド。
平面図、第２図は、その正面図、第３図は第１図の円Ａ
部に拡大した断面図である。 １．２・・・・・ブロック片、 ６・・・ 磁気ギャップ形成部、 ９、ｌＯ・・・・・上隅部、 ９ａ、９ｂ・・・・・・ギャップ対同面、１１・・・・
・−ギャップ、 １２．１３・・・・・副飽和磁束密度磁性金属（パーマ
ロイ）。 特許出願人 新日本電気株式会社：。 ６− 毛 続 補 正 書 昭和５８年１０月に日 特許庁長官殿 （特許庁審査官 殿） 工事性の表示 複合型磁気ヘッド ３補正をする者 事件との関係 特許 出願人 カンサイニツホ゛ンデンキカブシキガイシャ関西日本電
気株式会社 添付別紙の通り。 特許請求の範囲 フェライトコアの磁気ギャップ対向面に、高飽和磁束密
度磁性金属を、 記録波長と同等かそれ以下の膜厚にス
パッタリング形成したことを特徴Ｊ−する複合型磁気ヘ
ッド。
Claims (1)
- フェライトコアの磁気ギャップ対回向に、副飽和磁束密
度磁性金属を、少くとも記＠波長と同等かそれ以下の膜
厚にスパッタリング形成したこと全特徴とする複合型磁
気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11991983A JPS6013314A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 複合型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11991983A JPS6013314A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 複合型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013314A true JPS6013314A (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=14773421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11991983A Pending JPS6013314A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 複合型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013314A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02101998U (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-14 | ||
| US5877039A (en) * | 1990-09-10 | 1999-03-02 | Nippondenso Company, Ltd. | Method of making a semiconductor pressure sensor |
| US5949118A (en) * | 1994-03-14 | 1999-09-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Etching method for silicon substrates and semiconductor sensor |
| US6284670B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-09-04 | Denso Corporation | Method of etching silicon wafer and silicon wafer |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP11991983A patent/JPS6013314A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02101998U (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-14 | ||
| US5877039A (en) * | 1990-09-10 | 1999-03-02 | Nippondenso Company, Ltd. | Method of making a semiconductor pressure sensor |
| US5949118A (en) * | 1994-03-14 | 1999-09-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Etching method for silicon substrates and semiconductor sensor |
| US6194236B1 (en) | 1994-03-14 | 2001-02-27 | Denso Corporation | Electrochemical etching method for silicon substrate having PN junction |
| US6284670B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-09-04 | Denso Corporation | Method of etching silicon wafer and silicon wafer |
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