JPH0477370B2

JPH0477370B2 -

Info

Publication number: JPH0477370B2
Application number: JP58080896A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Kumasaka; Hideo Fujiwara; Moichi Ootomo; Takeo Yamashita; Shinji Takayama; Noritoshi Saito; Sanehiro Kudo
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1983-05-11
Filing date: 1983-05-11
Publication date: 1992-12-08
Also published as: US4656547A; EP0125891B1; JPS59207415A; EP0125891A1; KR910007872B1; KR850000101A; DE3475019D1

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明はVTR等の高周波信号の記録再生に適
した磁気ヘツドに係り、特に高保磁力記録媒体に
対して好適な複合型磁気ヘツドおよびその製造方
法に関する。

〔発明の背景〕

高密度磁気記録再生装置においては、磁気記録
媒体の保磁力H_cを大きくすれば有利であること
はよく知られているが、高保磁力の磁気記録媒体
に情報を記録するためには、強い磁場が必要とな
る。ところが、現在磁気ヘツドに用いられている
フエライト材は、その飽和磁束密度B_sが4000〜
5000ガウス程度であるため、得られる記録磁界の
強さに限度があり、磁気記録媒体の保磁力H_cが
1000エルステツドを越える場合には、記録が不十
分になるという欠点がある。

一方、金属磁性材料で総称されるFe−Al−Si
合金（センダストと称されている）、Ni−Fe合金
（パーマロイ）等の結晶質磁性合金、あるいは、
非晶質磁性合金を用いた磁気ヘツドは、一般にフ
エライト材より飽和磁束密度の高いものがあり、
かつ摺動ノイズが低いという優れた特性を有す
る。しかし、一般に使用されるトラツク幅（10μ
ｍ以上）の厚みでは渦電流損失によりビデオ周波
数領域での実効透磁率がフエライトより低下し、
再生能率が低くなる欠点を有する。また、耐摩耗
性に関してはフエライトより数段劣る。

そこで、上記のような問題を解決するために、
フエライトと金属磁性材を組み合せて両者の良い
点を利用した複合型磁気ヘツドが提案されてい
る。

たとえば、第１図にその磁気ヘツドコアの斜視
図を示すごとく、コア部１０が高透磁率フエライ
トからなり、記録作用の主要部となる作動ギヤツ
プ近傍部１１が物理蒸着によつて形成された金属
磁性材からなる複合型磁気ヘツドが提案されてい
る。さらに、高密度記録用磁気ヘツドに対しては
狭トラツク化のために、作動ギヤツプ近傍にトラ
ツク幅絞り用の切り欠き溝１２を設け、ここに補
強用の非磁性材が充填されている。１３はコイル
巻線用の窓である。第２図は上記従来の磁気ヘツ
ドの記録媒体対向面の平面図を示したものであ
る。ここでフエライトコア部１０，１０′と金属
磁性材部１１，１１′との結合境界部１４，１
４′が疑似の作動ギヤツプとして作用して記録再
生特性を損なう欠点がある。特に、結合境界部１
４，１４′と作動ギヤツプ１５が平行になるとそ
の境界部で相当量の信号を拾うことになり、コン
タ効果が激しいという欠点を有する。

また、コンタ効果を除くためにフエライトコア
部１０，１０′と金属磁性材部１１，１１′の結合
境界部１４，１４′に適当な凹凸を設ける方法が
知られている。しかし、コンタ効果を完全除去す
ることは難かしい。

その他、本出願人の出願した先願発明（特願昭
57−36413）の例として、第３図に示すような構
造のヘツドが提案されている。すなわち、磁気記
録媒体対向面側における断面形状が突出している
突起部を有する２個の高透磁率フエライトブロツ
ク２０，２０′の該突起部の少なくとも両側面上
に該フエライトブロツクより飽和磁束密度の高い
磁性体２１，２１′が被着され、該突起部の先端
部において作動ギヤツプ２２を介して該磁性体が
相対峙した構造を有する。しかし、前記構造のヘ
ツドにおいては後部の磁気回路について言及する
ものがなかつた。われわれは、後部磁気回路の構
成に着目し、種々検討した結果、高飽和磁束密度
の磁性体と高透磁率フエライトで構成された磁気
ヘツドにおいて、後部磁気回路の構成がヘツド特
性の向上と深い関係があることを見出した。さら
に、ヘツド製造工程においても、ギヤツプ精度の
制御において重要な役割を持つていることがわか
つた。

〔発明の目的〕

本発明の目的はかかる上記従来の欠点を除去
し、高保磁力記録媒体にも優れた記録再生特性を
示す磁気ヘツドを提供し、且つその容易な製造方
法を提供するものである。

〔発明の概要〕

上記目的を達成するため、本発明の複合型磁気
ヘツドは、磁気記録媒体対向面における断面形状
が突出している突起部を有する２個の高透磁率フ
エライトブロツクの該突起部の少なくとも一側面
上に該フエライトより飽和磁束密度の高い磁性体
が被着され、該突起部の先端部において作動ギヤ
ツプを介して該磁性体が相対峙し、前記フエライ
トブロツクと前記被着された磁性体の境界部が作
動ギヤツプと非平行となつており、且つ前記磁性
体がコイル巻線用窓を周回するように構成され
る。その一例は、コイル巻線窓の内壁にも磁性体
が被着されるようにし、磁性体膜が周回して磁気
回路を構成するようにする。他の例はコイル巻線
窓の外側を通つて磁性体が周回して形成されるよ
うにする。前者の場合、突起部の頂角（または両
側面により形成される角）は30゜〜90゜が好まし
い。一方、後者の場合は、10〜20゜が好ましい。

本発明において磁性体の被着工程は少なくとも
コイル巻線用の溝を形成した後に行なわれる。こ
のようにすることによつて、磁性体膜によつてコ
イル巻線窓の内壁を通して磁気回路が形成され、
フエライト部が補助コアとなる。この結果、従来
の磁気ヘツドより高周波における記録特性が大幅
に向上した。

前記高透磁率フエライトは通常、Mn−Znフエ
ライトまたはNi−Znフエライトとする。また、
前記磁性体は前記フエライトより飽和磁束密度が
高く且つ磁歪が０附近の高透磁率材料であれば何
でもよいが、代表的なものとしては周知のFe−
Si合金、Fe−Al−Si合金（いわゆるセンダスト
系合金）、Ni−Fe合金（いわゆるパーマロイ系合
金）および各種高透磁率非晶質合金等を挙げるこ
とができる。特に本発明のような磁気ヘツド構造
においては、結晶構造のない非晶質合金が適して
いる。非晶質合金はスパツタリング等の薄膜形成
技術によつて被着されるため、多元系合金より２
元、３元系合金が好ましい。これは組成制御を簡
単にするためである。例えばCo−Zr、Co−Nb、
Co−Mo−Zr、Co−Ｗ−Zr、Co−Nb−Zr、Co
−Ni−Zr、Co−Zr−Ｂ等の各系が挙げられる。
また、例えば、SiO₂、Al₂O₃のような非磁性体か
らなる厚さ100Å〜1μｍの非磁性体層と前記高飽
磁束密度磁性体層とを交互に積層した磁性体でも
よい。なお、このように、磁性体層と非磁性体層
を交互に積層することにより磁気特性を向上せし
めることは周知である。作動ギヤツプ形成面は、
ギヤツプ近傍の飽和磁束密度を高めるため、前記
磁性体のみで形成する。フエライトブロツク突起
部の両側面上の前記磁性体膜とコア側面との間に
は非磁性材料が充填され、周知のコア切欠き部と
なる。

作動ギヤツプ形成面が前記高飽和磁束密度の磁
性体のみからなる場合、前記突起部における先端
部のフエライトのトラツク幅方向の幅はトラツク
幅の1/2以下とするのが好ましく、先端部のフエ
ライト面が平坦にならないように加工すればコン
タ効果がほとんど問題にならない程度まで低下す
る。また、先端部のフエライト幅を０にする、即
ち先端部を角形にしてもよい。

本発明においては、前記磁性体はフエライトブ
ロツク突起部の両側面に被着せしめるものであ
り、一方の側面のみに被着したのでは該磁性体と
該フエライトとの接合面積が小さくなり磁気回路
の磁気抵抗が増大し、また被着する該磁性体の厚
さをトラツク幅程度まで厚くしなければならず、
さらには一方の側面のみに被着するために工程が
複雑になり、好ましくない。

本発明における磁気回路は、前記高飽和磁束密
度磁性体と高透磁率フエライトからなるが、少な
くとも、高飽和磁束密度磁性体でリング状の磁気
回路が形成されている。フエライト突起部を形成
する溝の深さがコイル巻線用溝より浅い場合には
コイル巻線窓の内壁に形成された磁性体膜を通じ
て磁気回路が形成される。勿論フエライトを通し
ても磁束は流れる。また、フエライト突起部を形
成する溝の深さをコイル巻線用溝より深くすれば
コイル巻線窓の外側を通つて磁性体膜によつて磁
気回路が形成される。なお、この場合でもコイル
巻線用溝の内壁に磁性体膜を形成すればさらに好
ましい。コイル巻線用溝の内壁に磁性体膜を形成
する場合、溝の形状は直角部を持たないように傾
斜面を形成しておけば、磁性体膜を容易に溝内壁
に形成することができる。スパツタリング法によ
ればイオンの廻り込みも良く直角部があつても形
成可能である。

なお、以上述べた磁気ヘツドは、コイル巻線窓
以外は実質的に同じ上記構造の２個のコア半体か
らなるものであるが、これを一方のコア半体のみ
として他方については、作動ギヤツプ形成面にフ
エライトより高飽和磁束密度の第２の磁性体が存
在することを除いては異なる構造としてもよい。

例えば、非磁性材料からなる作動ギヤツプを介
して相対峙している高飽和磁束密度磁性体のう
ち、一方は上記構造の複合材においてフエライト
に複合してなる第１の高飽和磁束密度磁性体で、
他方はこの複合材の上に堆積された第２の高飽和
磁束密度磁性体であつてもよい。この場合、巻線
コイルは薄膜作成技術によつて設けることが可能
である。両磁性体の材料は同一であつても、異な
つてもよい。

本発明の複合型磁気ヘツドの構造において、本
明細書記載以外のことはすべて従来技術を踏襲し
てよいものとする。

上述した本発明の、複数のフエライトブロツク
を用いる複合型磁気ヘツドは、（）高透磁率フ
エライトからなる一対を形成する少なくとも一方
のブロツクのギヤツプ形成側の面に、コイル巻線
用の溝を形成する工程、（）工程（）を終了
した前記フエライトブロツクのギヤツプ形成側の
面の前記コイル巻線用溝に直交してトラツク幅よ
り狭い幅の先端部を有する突起部を挾持するよう
に隣接する２本の溝を１組とする少なくとも１組
の溝を平行に設ける工程、（）工程（）を終
了した前記フエライトブロツクのギヤツプ形成側
の面の少なくとも前記コイル巻線溝面上および前
記突起部を挾持する溝面上に前記フエライトより
飽和磁束密度の高い磁性体を被着せしめる工程、
（）前記磁性体が表面に被着されている前記突
起部を形成する溝に非磁性材を充填する工程、
（）前記非磁性材ならびに磁性体の不要部を除
去し、磁性体部が所定のトラツク幅を有するギヤ
ツプ形成面を露呈せしめる工程、（）工程（）
を終了したブロツクを一対用意し、少なくとも一
方のブロツクのギヤツプ形成側の面に所要の厚さ
の非磁性層を形成する工程、（）工程（）を
終了した前記１対のブロツクのギヤツプ形成面を
相対峙せしめ、互いに接合して一体化する工程、
および（）接合された前記ブロツクを所定の位
置にて切断し、少なくとも１個の磁気コアを得る
工程を有する製造方法により容易に製造すること
ができる。

工程（）において、前記コイル巻線用溝は少
なくとも記録媒体側の側壁を傾斜面とするが、両
側面を傾斜させることによつて磁性体膜が被着さ
れ易くなるので好ましい。工程（）において、
前記溝を、前記ブロツクのギヤツプ形成側の面の
一つの稜から他の稜にかけて縦断するように設け
るとよいが、一稜部側にのみ設けてもよい。

本発明の複合型磁気ヘツドはコアの占める大部
分は高透磁率のMn−ZnフエライトあるいはNi−
Znフエライトのバルク材からなり、作動ギヤツ
プ部を構成する部分およびその近傍、およびコイ
ル巻線用窓を周回する部分は高飽和磁束密度を有
する磁性材、たとえば、Fe−Si系、Fe−Al−Si
系、Ni−Fe系などの結晶質合金あるいは非晶質
合金からなり、スパツタリング、真空蒸着等の物
理蒸着によつて得られる。場合によつてはケミカ
ル蒸着、メツキ等によつても可能である。また、
高飽和磁束密度の磁性体は堆積可能なものであれ
ば金属磁性体以外のものでもよい。

その他、本発明の複合型磁気ヘツドの製造方法
において、本明細書に記載していないことは、す
べて従来技術を踏襲してよい。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の磁気ヘツドの構造およびその製
造方法について実施例によつて詳しく説明する。

第４図ａ，ｂは本発明の第１の実施例における
複合型磁気ヘツドの構造を示す斜視図と平面図で
ある。３０，３０′はトラツク部および作動ギヤ
ツプ部を形成し、高飽和磁束密度の金属磁性体か
らなり、Fe−Si、Fe−Al−Si、Ni−Feの結晶質
合金もしくは非晶質合金で構成されており、それ
ぞれほぼ磁歪０近傍の組成を有し、飽和磁束密度
がフエライトより大きいものである。一方、３
１，３１′はMn−Znフエライト、Ni−Znフエラ
イト等の高透磁率のバルク材からなり、前記金属
磁性体と磁気的に連結されている。また、金属磁
性体は作動ギヤツプ部からコイル巻線窓３４の内
壁を通つて周回して磁気回路が形成されている。

また、一対の金属磁性体の突き合せ部には所定
の非磁性膜が形成され、作動ギヤツプ３２を構成
している。なお、トラツク幅はコア幅より狭くな
つており、トラツク幅を決めるための切り溝が設
けてある。この切り溝はあらかじめフエライトブ
ロツクのギヤツプ形成側の面にトラツク幅より狭
い幅のフエライト部を残してその両側部にコア前
部から後部まで形成される。この残されたフエラ
イト突起部の側部に向けてスパツタリングあるい
は真空蒸着等の薄膜形成技術によつて前記金属磁
性材料３０，３０′が被着される。なお、溝部に
はガラス、セラミツク、樹脂等の非磁性材３３，
３３′が補強材として充填されてなる。また、第
４図ｂは磁気テープ摺動面の拡大図を示す。本発
明においては、フエライト突起部３５，３５′の
両側部に金属磁性体膜３０，３０′を被着する。
そのため、金属磁性体の厚みはトラツク幅ｔの半
分程度ですみ、膜形成時間が短縮される。第４図
ｂの磁気テープ摺動面において、フエライト突起
部３５，３５′が作動ギヤツプ３２から離れるに
したがつて広くなる形状にすればコア半体の時に
作動ギヤツプ面側から金属磁性体膜をスパツタリ
ングすれば効率良く膜形成ができる。また、前記
金属磁性体膜が２本に分割されているので単層膜
でも渦電流損失の影響を低減できる。さらに、フ
エライト部と金属磁性体膜の接合部の形状が作動
ギヤツプ３２と平行部を持たない構造になつてい
るためコンタ効果による特性劣化の心配がない。
さらに、フエライト突起部３５，３５′が金属磁
性体膜の芯となつており、しかも、作動ギヤツプ
の近傍まであるので耐摩耗性が保障され、機械的
強度も高いものである。さらに、本発明が十数ミ
クロン以下のトラツク幅を有する磁気ヘツドに適
しているのは、金属磁性体膜を付着した後にトラ
ツク幅規制用の切り欠き溝加工を不用とするもの
であり、加工中におこる膜のはく離の問題が解消
される。

第５図は第４図ａの磁気ヘツドコアのうち磁性
体膜部分３０，３０′だけを取り出したものの斜
視図である。このように磁性体膜が周回した磁気
回路を構成している。

第６図ａ，ｂは本発明の他の実施例における複
合型磁気ヘツドの構造を示す斜視図と平面図であ
る。概略は前記フエライト突起部を形成するため
の溝をコイル巻線用溝（窓）３４より深く形成
し、溝の両側面に被着される磁性体膜３０をコイ
ル巻線窓の外側まで延びているようにする。この
ようにすればコイル巻線窓の外側を通つて磁性体
膜が周回し、磁気回路を構成する。さらにコイル
巻線窓の内壁にも磁性体膜を被着すればさらに好
ましい。なお、溝部にはガラス、セラミツク、樹
脂等の非磁性材が補強材として充填されてなる。
この場合、２種の補強材を用いると好都合であ
る。例えば、３６，３６′は磁性体膜３０，３
０′を保護する目的に用いられ３３，３３′は２個
のコア半体を接合するための補強材とする。それ
ぞれに付記した符号は第４図と同一である。

第７図ａ，ｂは本発明の別の実施例における複
合型磁気ヘツドのコイル巻線窓の平面拡大図を示
す。ａは従来の一般的なコイル巻線窓の形状を示
し、溝底部に対して後部側面は直角になつている
ため、真空蒸着等によつて被着された磁性体膜の
厚みl₂が傾斜面を有する先端部の厚みl₁より薄く
なつてしまう。例えば、先端部の傾斜面θを60゜
にした場合と後部θ′が90゜の場合とでは約1/3の厚
みとなる。そこで本発明においては第７図ｂに示
すごとく、θ′を90゜以下にすることによつて解決
した。θおよびθ′の好ましい角度は30〜80゜であ
る。30゜以下にすると磁路が遠くなつてしまい、
ヘツド特性は逆く悪くなる。なお、θとθ′は同一
角にする必要はない。

なお、θ′を90゜としても、スパツタリング法を
用いれば、磁性体膜を特に問題なく形成できる。

本発明は上記実施例を基本形状とするものであ
れば外観形状を特に規定するものではない。例え
ば、一方の半体コア部を延長してコアスライダー
に適用すれば磁気デスク用の浮動型磁気ヘツドと
して使用することができる。

以上に説明したごとく、本発明による複合型磁
気ヘツドは高保磁力を有する記録媒体にも十分記
録可能で、従来の高飽和磁束密度の金属磁性体と
高透磁率フエライトとを組み合せた複合型ヘツド
より記録および再生効率の優れた磁気ヘツドとな
つている。

なお、磁気ヘツドを示す各図面において、コイ
ルの図示を省略してあるが、コイルは装着するも
のとする。

以下本発明の前記複合型磁気ヘツドの製造方法
を実施例によつて詳細に説明する。

本発明の第１の製造方法の各工程の説明図を第
８図イ〜リに示す。

() 第８図イは高透磁率フエライトよりなるブ
ロツク４０のギヤツプ突き合せ面となる面４１
にコイル巻線用溝４２を形成する工程である。
面４１はあらかじめ鏡面研磨しておく。ここで
高透磁率フエライトはMn−Znフエライト、Ni
−Znフエライトの単結晶あるいは多結晶から
なる。溝４２は少なくとも先端が傾斜してお
り、後部も傾斜しておくと磁性体膜形成する時
に有効である。

() 工程ロは前記イの工程で得られコイル巻線
溝に直行して、ギヤツプ突き合せ面となる面４
１にトラツク幅より狭い突起を残して隣接する
２本の溝４３，４３′を組とする複数組の溝を
平行に設ける工程である。溝は先端がＶ字もし
くはＵ字状に成形されたメタルボンド砥石もし
くはレジンボンド砥石が用いられ、高速ダイサ
等によつて加工される。ここで、各組の溝の間
に残された平坦部４４は後工程、たとえば工程
ホの研磨や工程チのブロツクの接合時における
金属磁性膜の補強部であり、基準面となる。

() 第８図ハは第８図ロで示す工程で加工され
た溝４３，４３′の拡大側面を示す（以下、第
８図ロ、第８図ハ等に対応する工程を、工程
ロ、工程ハ等とする）。工程ハは前記ロの工程
で得られた溝部を含めギヤツプ突き合せ面全面
にフエライトより飽和磁束密度の高い金属磁性
体膜４５をスパツタリングによつて堆積させる
工程である。金属磁性体はFe−Si（Si6.5重量
％）、Fe−Al−Si合金（センダスト）、Ni−Fe
合金（パーマロイ）等で代表される結晶質合金
であり、非晶質合金はCo−Fe−Si−Ｂ系で代
表される周知のメタルーメタロイド系合金や、
Co−Zr、Co−Mo−Zr等の周知のメタルーメ
タル系合金等が用いられる。堆積法は他に真空
蒸着、イオンプレーテイング、化学蒸着あるい
はメツキ等でも可能であるが、限られた金属し
かできないことや組成変動が大きい等の難点が
あり、スパツタリング法が適している。また、
スパツタリング法は付着強度が高く、溝部にも
廻り込みがよいという利点があり本発明法に対
して適している。工程ハは少なくとも工程イ，
ロの後に行なう。その理由は、磁性体膜をコイ
ル巻線溝の内壁にも被着するためである。ま
た、磁性体膜を被着後にコイル巻線溝を形成す
ると溝の稜部に金属特有のバリが生じギヤツプ
面の平面精度を悪くしてしまう。したがつて、
バリ取り研磨を行なう必要がある。しかし、コ
イル巻線溝を形成した後で研磨を行なうと、作
動ギヤツプ面の重要な部分（第８図ヘに示す符
号４８の稜部）が面だれを起し、ギヤツプ精度
が得られなくなる。

() 工程ニは工程ハで得られた金属磁性体膜の
上に少なくとも残りの溝部が埋まる程度に非磁
性材４６を充填する工程である。非磁性材４６
はガラス、セラミツク系の無機接着材あるいは
硬質の樹脂が用いられる。安定性の面からガラ
スが適している。ガラス材は金属磁性体膜４５
が結晶質合金であれば作業温度が800℃以下の
広い範囲で選ぶことが可能である。一方非晶質
合金の場合は少なくとも結晶化温度以下のもの
が選ばれ、作業温度が500℃以下の低融点ガラ
スにする必要がある。また、非磁性材を２種以
上用いてもよい。例えば、第１の非磁性材は磁
性体膜を保護し、かつ耐摩耗性のAl₂O₃を所定
の厚さだけスパツタリング法によつて形成した
後、残りの部分に第２の非磁性材としてガラス
を充填する方法がある。ガラスは工程チにおい
て２個のブロツクを接合するための接着材とし
て用いることができる。

() 工程ホは工程ニで得られたブロツクの不要
の非磁性材４６および金属磁性体膜４５を除去
し、ギヤツプ形成面を露呈させる工程である。
除去法は研削および研磨によつて行なわれ、ギ
ヤツプ突き合せ面を得るため、最終了仕上げは
鏡面研磨面とする。鏡面研磨は前記トラツク幅
ｔが得られるまで行なう。

() 第８図ヘは工程ホで得られたコイル巻線溝
を有する一方のコアブロツクの斜視図を示す。
もう一方のコアブロツクはコイル巻線溝がなく
てもよい。工程ヘはこのような一対のコアブロ
ツクの少なくとも一方のコアブロツクのギヤツ
プ形成面にSiO₂、ガラス等の非磁性材を所要
の厚さにスパツタリングしてギヤツプ形成膜と
する工程である。

() 工程トは前記一対のブロツク４０，４０′
のギヤツプ突き合面を互いにトラツク部が合う
ように突き合せて加熱、加圧しながら接合一体
化する工程である。この場合、接合は溝に充填
されている非磁性材４６がガラスならばお互い
のガラスによつて行われ、樹脂あるいはセラミ
ツク材を用いた場合には別途コイル巻線窓一
部、および後部接合部に切り欠き溝を設けて樹
脂等によつて行なわれる。

() 第８図チは工程トで得られた接合ブロツク
４７の磁気テープ摺動面を示す。工程チはトラ
ツク幅を中心にして点線で示す所要のコア幅Ｔ
になるように切断して複合型磁気ヘツドを複数
個得る工程である。場合によつてはアジマス角
だけ傾けて切断される。このようにして、第８
図リにその磁気テープ摺動面を示すような構造
の狭トラツク複合型磁気ヘツドコアが得られ
る。これにコイルを巻装することにより本発明
の複合型磁気ヘツドが得られる。

次に本発明の他の実施例を第９図ａ，ｂに示
す。本実施例では第８図の工程イ，ロのコイル巻
線用溝および突起部を形成する工程に対応して、
突起部を形成する溝の深さh₁をコイル巻線用溝の
深さh₂より深くしてなる。このようにすれば磁気
ヘツドを構成する磁気回路が磁性体膜自身によつ
てコイル巻線用窓の外側を通つて周回するように
できる。かつ、コイル巻線用窓の内壁にも磁性体
膜を被着することができ、磁気ヘツドの記録再生
効率を高めることができる。ここで、h₁は0.4〜
0.6mmとし、h₂を0.3〜0.4mmとした。突起部の角度
はコア厚みを0.15〜0.2mmとすると10〜20゜が適
している。突起を形成する溝の深さh₁あまり深く
すると磁性体膜が溝内部十分被着できなくなる。
その場合第９図ｂに示すように溝の幅を広げれば
よい。その他の工程は第８図に示した製造工程に
従つて製造することができる。完成した磁気ヘツ
ドコアは第６図に示すものとなる。

〔発明の効果〕

以上に説明したごとく本発明の複合型磁気ヘツ
ドは従来の複合型磁気ヘツドに比べ、 (1) 金属磁性体膜とフエライトとの接触面積が広
く取れ、かつ磁性体膜自身でも周回する磁気回
路を構成しているため磁気ヘツドの記録、再生
効率を高める構造となつている、 (2) 渦電流損失が小さくできる構造となつてい
る、 (3) コンタ効果が無視できる、等の構造的利点が
あり優れたヘツド特性が得られる、 (4) 一枚の金属磁性体膜を作動ギヤツプ部で２倍
に利用しているので磁性体膜の堆積時間が短縮
できるため量産性がある、 (5) コイル巻線溝および突起部を形成する溝加工
を行なつた後に磁性体膜を被着するため、ギヤ
ツプ形成面に金属磁性体を加工した時に現われ
る稜部のバリができないためにギヤツプ精度が
よい、等のヘツド製造上の利点があり量産性に適してい
る。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は従来の複合型磁気ヘツドの斜
視図および上面図、第３図は先願発明における複
合型磁気ヘツドの斜視図、第４図ａ，ｂは本発明
の一実施例における複合型磁気ヘツドの斜視図お
よび平面図、第５図は本発明の一実施例における
磁気ヘツドの磁性体膜部を示す斜視図、第６図
ａ，ｂは本発明の他の実施例における複合型磁気
ヘツドの斜視図、および平面図、第７図ａ，ｂは
本発明のさらに他の実施例における複合型磁気ヘ
ツドのコイル巻線窓形状を示す拡大平面図、第８
図イ〜リは本発明の複合型磁気ヘツド製造方法の
一実施例における各工程の説明図、第９図ａ，ｂ
は本発明の複合型磁気ヘツド製造方法の他の実施
例における加工されたフエライトブロツクの斜視
図および平面図である。３０，３０′……磁性体膜、３１，３１′……高
透磁率フエライトブロツク、３２……作動ギヤツ
プ、３３，３３′……非磁性充填材、３４……コ
イル巻線窓、３５，３５′……フエライト突起部、
４０……高透磁率フエライトブロツク、４１……
ギヤツプ形成側の面、４２……コイル巻線用溝、
４３，４３′……突起部を形成するための溝、４
５……磁性体膜、４６……非磁性材、４７……接
合ブロツク。

Claims

【特許請求の範囲】１磁気記録媒体対向面における断面形状が突出
している突起部を有する２個の高透磁率フエライ
トブロツクの該突起部の少なくとも一側面上に該
フエライトより飽和磁束密度の高い磁性体が被着
され、該突起部の先端部において作動ギヤツプを
介して該磁性体が相対峙し、前記フエライトブロ
ツクと前記被着された磁性体の境界部が作動ギヤ
ツプと非平行となつており、且つ前記磁性体がコ
イル巻線窓を周回していることを特徴とする複合
型磁気ヘツド。２前記磁性体がフエライトブロツクのコイル巻
線窓の内側を周回していることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の複合型磁気ヘツド。３前記磁性体がフエライトブロツクのコイル巻
線窓の外側まで伸びて周回していることを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の複合
型磁気ヘツド。４前記磁性体が非晶質合金であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第３項のうちいず
れかに記載の複合型磁気ヘツド。５前記磁性体がCo−Zr、Co−Nb、Co−Mo−
Zr、Co−Ｗ−Zr、Co−Nb−Zr、Co−Ni−Zr、
Co−Zr−Ｂの各系の少なくとも一種であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４項の
うちいずれかに記載の複合型磁気ヘツド。６前記磁性体が結晶質合金であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第３項のうちいず
れかに記載の複合型磁気ヘツド。７前記磁性体がFe−Si合金、Fe−Al−Si合金、
Ni−Fe合金であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項、第２項又は第３項記載の複合型磁気
ヘツド。８前記磁性体が厚さ100Å〜1μｍの非磁性体層
と高飽和磁束密度磁性体層とを交互に積層した多
層膜からなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第７項のうちいずれかに記載の複合型磁
気ヘツド。９（）高透磁率フエライトからなる一対のブ
ロツクを形成する少なくとも一方のブロツクのギ
ヤツプ形成側の面に、コイル巻線用の溝を形成す
る工程、（）工程（）を終了した前記フエラ
イトブロツクのギヤツプ形成側の面の前記コイル
巻線用溝に直交してトラツク幅より狭い幅の先端
部を有する突起部を挟持するように隣接する２本
の溝を１組とする少なくとも１組の溝を平行に設
ける工程、（）工程（）を終了した前記フエ
ライトブロツクのギヤツプ形成側の面の少なくと
も前記コイル巻線溝面上および前記突起部を挟持
する溝面上に前記フエライトより飽和磁束密度の
高い磁性体を被着せしめる工程、（）前記磁性
体が表面に被着されている前記突起部を形成する
溝に非磁性材を充填する工程、（）前記非磁性
材ならびに磁性体の少なくとも一部を除去し、露
呈された磁性体部が所定のトラツク幅を規定する
ギヤツプ形成面を形成する工程、（）工程（）
を終了したブロツクを一対用意し、少なくとも一
方のブロツクのギヤツプ形成面に所要の厚さの非
磁性層を形成する工程、（）工程（）を終了
した前記１対のブロツクのギヤツプ形成面を相対
峙せしめ、互いに接合して一体化する工程、およ
び（）接合された前記ブロツクを切断し、少な
くとも１対の対向する突起部を有する少なくとも
１個の磁気コアを得る工程を有することを特徴と
する複合型磁気ヘツドの製造方法。