JPS6013384A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS6013384A JPS6013384A JP58118274A JP11827483A JPS6013384A JP S6013384 A JPS6013384 A JP S6013384A JP 58118274 A JP58118274 A JP 58118274A JP 11827483 A JP11827483 A JP 11827483A JP S6013384 A JPS6013384 A JP S6013384A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- memory element
- magnetic field
- pattern
- bubble memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はシェブロンバタンもしくけ非対称シェブロンパ
タンを転送バタンとする磁気バブルメモリ素子に関する
ものである。
タンを転送バタンとする磁気バブルメモリ素子に関する
ものである。
第１図に従来用いられている非対称シェブロンパタンの
一例を示す。図において、１は磁気バブルを受け入れる
足、２は磁気バブルをはき出す足、３はこれら２本の足
を結ぶ背部バタン、４は背部パタン３の外側の外形に設
けられた折れ曲がシ部１ １１７Ｑ を示し、このような転送バタンか破線５の方向に連続し
て複数配置される。また６は磁気バブルを駆動する外部
磁界を示すベクトル、７はその軌跡を示すが、外部磁界
は通常三角波駆動のためこの軌跡７は図示のように正方
形となる。
一例を示す。図において、１は磁気バブルを受け入れる
足、２は磁気バブルをはき出す足、３はこれら２本の足
を結ぶ背部バタン、４は背部パタン３の外側の外形に設
けられた折れ曲がシ部１ １１７Ｑ を示し、このような転送バタンか破線５の方向に連続し
て複数配置される。また６は磁気バブルを駆動する外部
磁界を示すベクトル、７はその軌跡を示すが、外部磁界
は通常三角波駆動のためこの軌跡７は図示のように正方
形となる。
このように上記駆動方法では、外部磁界強度は方向がＯ
’、９０’、１８０’、２７０’（以下９０ｏ方向と総
称）の時に比べて４５°、１３５°、２２５°、３１５
゜（以下４５°方向と総称）の時には約０．７倍に弱ま
る。そのため、上述したような従来の転送バタンでは、
外部磁界が４５°方向の時背部パタン３にできる磁気バ
ブル吸引磁界の強さが十分でなく、十分なバイアス磁界
マージンが得られないという欠点があった。
’、９０’、１８０’、２７０’（以下９０ｏ方向と総
称）の時に比べて４５°、１３５°、２２５°、３１５
゜（以下４５°方向と総称）の時には約０．７倍に弱ま
る。そのため、上述したような従来の転送バタンでは、
外部磁界が４５°方向の時背部パタン３にできる磁気バ
ブル吸引磁界の強さが十分でなく、十分なバイアス磁界
マージンが得られないという欠点があった。
しだがって本発明の目的は、三角波駆動においても十分
なバイアス磁界マージンが得られる磁気バブルメモリ素
子を提供することにある。
なバイアス磁界マージンが得られる磁気バブルメモリ素
子を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は１、、 −
２− 転送パタンの背部バタンの外側の外形の折れ曲がシ部を
増やして３個以上としだものである。
２− 転送パタンの背部バタンの外側の外形の折れ曲がシ部を
増やして３個以上としだものである。
第２図は本発明の一実施例を示す転送パタンの平面図で
あり、第１図と同一もしくは相当部分は第１図と同様の
記号を用いである。すなわち本実施例は非対称シェブロ
ンパタンに適用した例であるが、２本の足１．２を結ぶ
背部バタン３の外側の外形に、第１図と同様の折れ曲が
シ部４の他にさらに２つの折れ曲がシ部８，９を新たに
設け、全体で３個の折れ曲がシ部を設けである。
あり、第１図と同一もしくは相当部分は第１図と同様の
記号を用いである。すなわち本実施例は非対称シェブロ
ンパタンに適用した例であるが、２本の足１．２を結ぶ
背部バタン３の外側の外形に、第１図と同様の折れ曲が
シ部４の他にさらに２つの折れ曲がシ部８，９を新たに
設け、全体で３個の折れ曲がシ部を設けである。
このように折れ曲がシ部８，９を設けたことによシ、外
部磁界の方向が４５°方向の時には磁気バブル吸引磁極
がこの折れ曲が）部８，９に集中し、さらにバタン全体
の面積が大きくなることから磁気バブルを十分に引きつ
けるため、三角波駆動においても十分なバイアス磁界マ
ージンが得られるようになる。
部磁界の方向が４５°方向の時には磁気バブル吸引磁極
がこの折れ曲が）部８，９に集中し、さらにバタン全体
の面積が大きくなることから磁気バブルを十分に引きつ
けるため、三角波駆動においても十分なバイアス磁界マ
ージンが得られるようになる。
第３図に、上記構成におけるバイアス磁界マージンを実
測した結果を示す。すなわち、第３図は外部磁界強度に
対するバイアス磁界強度の変化を示したもので、図中（
ａ）の下限に対して（ｂ）〜（ｄ）は上限を示し、その
うち（ｂｊが第２図の転送パタンを三角波駆動した場合
、（ｃ）が第１図の転送パタンを三角波駆動した場合、
（ｄ）が第２図の転送パタンを正弦波駆動した場合を示
す。
測した結果を示す。すなわち、第３図は外部磁界強度に
対するバイアス磁界強度の変化を示したもので、図中（
ａ）の下限に対して（ｂ）〜（ｄ）は上限を示し、その
うち（ｂｊが第２図の転送パタンを三角波駆動した場合
、（ｃ）が第１図の転送パタンを三角波駆動した場合、
（ｄ）が第２図の転送パタンを正弦波駆動した場合を示
す。
図から明らかなように、第２図のパタンを用いた場合、
三角波駆動時のマージンＭ、は第１図のバタンを用いた
場合のマージンＭ、に比較して約１．６倍に向上し、正
弦波駆動に近い値が得られた。
三角波駆動時のマージンＭ、は第１図のバタンを用いた
場合のマージンＭ、に比較して約１．６倍に向上し、正
弦波駆動に近い値が得られた。
なお、以上の説明は非対称シェブロンパタンを例に行な
ったが、シェブロンパタンについてモ同様の効果が得ら
れた。
ったが、シェブロンパタンについてモ同様の効果が得ら
れた。
以上説明したように、本発明によればシェブロンもしく
は非対称シェブロンパタンからなる転送路を有する磁気
バブルメモリ素子において、両足を結ぶ部分の外側の外
形に３個以上の折れ曲がシ部を設けたことによシ、三角
波駆動においても十分なバイアス磁界マージンを確保す
ることが可能となった。
は非対称シェブロンパタンからなる転送路を有する磁気
バブルメモリ素子において、両足を結ぶ部分の外側の外
形に３個以上の折れ曲がシ部を設けたことによシ、三角
波駆動においても十分なバイアス磁界マージンを確保す
ることが可能となった。
第１図は従来の非対称シェブロンパタンの一例を示す平
面図、第２図は本発明の一実施例を示す非対称シェブロ
ンパタンの平面図、第３図は外部磁界強度に対するバイ
アス磁界マージンの実測値を示す図である。 １・・・・磁気バブルを受け入れる足、２・・・・磁気
バブルをはき出す足、３・・・・２本の足を結ぶ背部バ
タン、４，８．９・・・・折れ曲がシ部。
面図、第２図は本発明の一実施例を示す非対称シェブロ
ンパタンの平面図、第３図は外部磁界強度に対するバイ
アス磁界マージンの実測値を示す図である。 １・・・・磁気バブルを受け入れる足、２・・・・磁気
バブルをはき出す足、３・・・・２本の足を結ぶ背部バ
タン、４，８．９・・・・折れ曲がシ部。
Claims (1)
- シェブロンバタンモシクは非対称シェブロンパタンを転
送バタンとする磁気バブル転送路を備えた磁気バブルメ
モリ素子において、上記転送バタンの磁気バブルを受け
入れる足とはき出す足とを結ぶ部分の外側の外形に３個
以上の折れ曲がシ部を設けたことを特徴とする磁気バブ
ルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118274A JPS6013384A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118274A JPS6013384A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013384A true JPS6013384A (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=14732588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118274A Pending JPS6013384A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013384A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10307496B2 (en) | 2015-12-22 | 2019-06-04 | Heraeus Medical Gmbh | Method for sterilization of aqueous polysaccharide solutions and sterile aqueous polysaccharide solutions |
-
1983
- 1983-07-01 JP JP58118274A patent/JPS6013384A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10307496B2 (en) | 2015-12-22 | 2019-06-04 | Heraeus Medical Gmbh | Method for sterilization of aqueous polysaccharide solutions and sterile aqueous polysaccharide solutions |
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