JPS6098593A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS6098593A JPS6098593A JP58205807A JP20580783A JPS6098593A JP S6098593 A JPS6098593 A JP S6098593A JP 58205807 A JP58205807 A JP 58205807A JP 20580783 A JP20580783 A JP 20580783A JP S6098593 A JPS6098593 A JP S6098593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- transfer
- magnetic
- leg
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気パズルメモリ素子、特に磁気パズル転送路
の改良に関するものである。
の改良に関するものである。
第１図は従来の磁気バブル転送路の一例を示す要部拡大
平面図である。同図において、ｌａ、Ｉｂ。
平面図である。同図において、ｌａ、Ｉｂ。
ン、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ は各転送ノくタン
１ ａ’＋ ＩＣ１ｃ、ｌｄ、ｌｅ に磁気バブルを転
入させる入力側脚部、３ａ、３ｂ、３ｅ、３ｄ、３ｅは
各転送パタン１ａ、１ｂ。
１ ａ’＋ ＩＣ１ｃ、ｌｄ、ｌｅ に磁気バブルを転
入させる入力側脚部、３ａ、３ｂ、３ｅ、３ｄ、３ｅは
各転送パタン１ａ、１ｂ。
ｌｅ、ｌｄ、ｌｅ から磁気バブルを転出させる出力側
脚部、４は各磁気バブル転送バタンｌａ、ｌｂ、ｌｃ。
脚部、４は各磁気バブル転送バタンｌａ、ｌｂ、ｌｃ。
１ｄ、１ｅ を多数個所定間隔を介して例えば中央部分
に平行配列となるようにループ状に配列してなる磁気バ
ブル転送路、５は転送パタンｌａ、１ｂ１１ｃ１１ｄ、
Ｉｅ 上を転送される磁気バブル、６は磁気バブル５を
駆動させる回転磁界の軌跡、γは回転磁界の回転方向、
８は磁気バブル５の転送方向を示す。
に平行配列となるようにループ状に配列してなる磁気バ
ブル転送路、５は転送パタンｌａ、１ｂ１１ｃ１１ｄ、
Ｉｅ 上を転送される磁気バブル、６は磁気バブル５を
駆動させる回転磁界の軌跡、γは回転磁界の回転方向、
８は磁気バブル５の転送方向を示す。
このような構成において、回転磁界の方向Ｉが＠ −＊
ｌ） −＋ Ｃの順に回転すると、転送パタン１ａ〜
１ｅの磁化方向も回転し、磁気バブル５は例λ−ば転送
パタン１ｂ１１Ｃの間においで、ａ−ンｂ−ｈｃの順に
転送される。この転送において、磁気バブル５が転送パ
タン１ｂと１Ｃとの間の位１Ｉｖｂにあるとき、この磁
気バブル５は転送パタン１ｂの磁気バブルの両方から引
きつけられるが、出力側脚部３ｂの引きつける強さと入
力側脚部２ｃの引きつける強さとがほぼ同じであると、
出力側脚部３ｂと入力側脚部２ｃ との間に発生する磁
界の壁にはばまれ、磁気バブル５は出力側脚部３ｂから
入力側脚部２ｃへ渡ることができず、誤動作を起こすこ
とがある。
ｌ） −＋ Ｃの順に回転すると、転送パタン１ａ〜
１ｅの磁化方向も回転し、磁気バブル５は例λ−ば転送
パタン１ｂ１１Ｃの間においで、ａ−ンｂ−ｈｃの順に
転送される。この転送において、磁気バブル５が転送パ
タン１ｂと１Ｃとの間の位１Ｉｖｂにあるとき、この磁
気バブル５は転送パタン１ｂの磁気バブルの両方から引
きつけられるが、出力側脚部３ｂの引きつける強さと入
力側脚部２ｃの引きつける強さとがほぼ同じであると、
出力側脚部３ｂと入力側脚部２ｃ との間に発生する磁
界の壁にはばまれ、磁気バブル５は出力側脚部３ｂから
入力側脚部２ｃへ渡ることができず、誤動作を起こすこ
とがある。
これを防ぐため、同図に示すように入力側脚部２ｃを出
力側脚部３ｂ よりもバタン幅を大きく形成して前記位
置すにある磁気バブル５を引きつける強さを入力側脚部
２ｃの方が出力側脚部３ｂ よりも強くする方法が一般
に用いられている。
力側脚部３ｂ よりもバタン幅を大きく形成して前記位
置すにある磁気バブル５を引きつける強さを入力側脚部
２ｃの方が出力側脚部３ｂ よりも強くする方法が一般
に用いられている。
第２図は前述し７た磁気バブル転送方法による第１図の
転送路のバイアス磁界マージンを、回転磁界の各方向に
ついて測定した結果である３、同図において、横軸は第
１図の回転磁界の方向１、縦軸はその方向におけるバイ
アス磁界マージンを巨分率で示したものである。この結
果によると、回転磁界が９０ の方向を向いたときのバ
イアス磁界マージンが他の方向に比べて小さい。これは
前述したように転送パタン１ｃの磁気バブル入力側脚部
２ｃを転送パタン１ｂの出力側脚部３ｂ よりもバタン
幅を大きく形成したにもかかわらず、バイアス磁界上限
で磁気バブル５が出力側ｌｌｌ１１部３ｂから転送方向
側転送パクン１ｃの入力側脚部２ｅＫ渡ることができず
、誤動作を発生させているためである。
転送路のバイアス磁界マージンを、回転磁界の各方向に
ついて測定した結果である３、同図において、横軸は第
１図の回転磁界の方向１、縦軸はその方向におけるバイ
アス磁界マージンを巨分率で示したものである。この結
果によると、回転磁界が９０ の方向を向いたときのバ
イアス磁界マージンが他の方向に比べて小さい。これは
前述したように転送パタン１ｃの磁気バブル入力側脚部
２ｃを転送パタン１ｂの出力側脚部３ｂ よりもバタン
幅を大きく形成したにもかかわらず、バイアス磁界上限
で磁気バブル５が出力側ｌｌｌ１１部３ｂから転送方向
側転送パクン１ｃの入力側脚部２ｅＫ渡ることができず
、誤動作を発生させているためである。
したがって本発明の目的は、前述した誤動作の発生を防
止して大きなバイアス磁界マージンが得られる磁気バブ
ルメモリ素子を提供することにある。
止して大きなバイアス磁界マージンが得られる磁気バブ
ルメモリ素子を提供することにある。
このような目的を達成するだめに本発明による磁気バブ
ルメモリ素子は、磁気バブルを転入させる脚部と転出さ
せる脚部とを有する磁気バブル転送パタンを、各脚部を
対向させて周期的に配列して構成する磁気バブル転送路
において、相互に対向配置される転送パタンの磁気バブ
ル転入（１ｊ１１脚部間の間隔をｔｉｎ、転出側脚部間
の間Ｍをｔａｕｔとしたとき、ｔｏｕｔ＜０．８ｔｉｎ
の関係を満たすように磁気バブル転送路を構成したも
のである。。
ルメモリ素子は、磁気バブルを転入させる脚部と転出さ
せる脚部とを有する磁気バブル転送パタンを、各脚部を
対向させて周期的に配列して構成する磁気バブル転送路
において、相互に対向配置される転送パタンの磁気バブ
ル転入（１ｊ１１脚部間の間隔をｔｉｎ、転出側脚部間
の間Ｍをｔａｕｔとしたとき、ｔｏｕｔ＜０．８ｔｉｎ
の関係を満たすように磁気バブル転送路を構成したも
のである。。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第３図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一例を示
す磁気バブル転送路の要部拡大平面図であり、第１図と
同一部分は同一符号を付す。同図において、磁気バブル
転送パタン１ｂの出力側脚部３ｂと、この転送パクン１
ｂに対向配置される転送パタン１ｄの出力（１１！Ｉ脚
部３ｄとの間の間隔をＩｎｕｔとし、一方、磁気バブル
転送方向８側の転送パタン１ｃの入力側１ｉ１１部２ｃ
と、この転送パタン１ｃに対向配置される転送パタン１
ｄの入力側脚部２ｄとの間の間隔をｔｉｎとしたとき、
これらの間隔ｔａｎと間隔ｔｏｕｔとの関係がｔＯｕｔ
＜０．８・ｔｉｎとなるように転送パタンｌａ、１ｂ、
１ｃ とこれらに対向する転送パタン１ｄ、Ｉｅ が形
成配置されている。
す磁気バブル転送路の要部拡大平面図であり、第１図と
同一部分は同一符号を付す。同図において、磁気バブル
転送パタン１ｂの出力側脚部３ｂと、この転送パクン１
ｂに対向配置される転送パタン１ｄの出力（１１！Ｉ脚
部３ｄとの間の間隔をＩｎｕｔとし、一方、磁気バブル
転送方向８側の転送パタン１ｃの入力側１ｉ１１部２ｃ
と、この転送パタン１ｃに対向配置される転送パタン１
ｄの入力側脚部２ｄとの間の間隔をｔｉｎとしたとき、
これらの間隔ｔａｎと間隔ｔｏｕｔとの関係がｔＯｕｔ
＜０．８・ｔｉｎとなるように転送パタンｌａ、１ｂ、
１ｃ とこれらに対向する転送パタン１ｄ、Ｉｅ が形
成配置されている。
このように（ｉ＠磁気バブル転出する対向脚部３ｂ。
３ｄが近接するように転送パタンｉｂ、１ａ を配置す
ると、回転磁界の方向７がｂ方向に向いたとへ、転送パ
タン１ｂと転送パタン１ｃとの間の位置すにある磁気バ
ブル５け、対向する転送パタン１ｄの出力側脚部３ｄ先
端に発生する磁気バブルを反発する磁極により、出力側
脚部３ｂから入力側脚部２Ｃへ押し出される力が作用し
、前述した磁気バブル５が転送パタン１ｂの出力Ｊ１１
［脚部３ｂに留“まる誤動作が発生しにくくなった。
ると、回転磁界の方向７がｂ方向に向いたとへ、転送パ
タン１ｂと転送パタン１ｃとの間の位置すにある磁気バ
ブル５け、対向する転送パタン１ｄの出力側脚部３ｄ先
端に発生する磁気バブルを反発する磁極により、出力側
脚部３ｂから入力側脚部２Ｃへ押し出される力が作用し
、前述した磁気バブル５が転送パタン１ｂの出力Ｊ１１
［脚部３ｂに留“まる誤動作が発生しにくくなった。
第４図は本発明による第３図の転送路のバイアス磁界マ
ージンを第２図と同様にして測定した結果である。ここ
で縦軸、横１ｈ１１とも第２図と全く同一である。同図
において、破線で示す特性Ｉは第２図に示す従来の結果
、実線で示す特性■は第３図の実姉例による結果である
。同図から明らかなように第３図の実施例によれば、バ
イアス磁界マージンが従来に比し約１０チから約１７チ
程度改善することがでべた。
ージンを第２図と同様にして測定した結果である。ここ
で縦軸、横１ｈ１１とも第２図と全く同一である。同図
において、破線で示す特性Ｉは第２図に示す従来の結果
、実線で示す特性■は第３図の実姉例による結果である
。同図から明らかなように第３図の実施例によれば、バ
イアス磁界マージンが従来に比し約１０チから約１７チ
程度改善することがでべた。
また、第５図は第３図に示す転送パタンにおいて、対向
する転送路４間の間隔Ｗを一定として、ｔｉｍとｔｏｕ
ｔとの比ｒ＝ｔｏｕｔ／ｌｉｎと、回転磁界方向Ｔが９
０度のときのバイアス磁界マージンとの関係を測定した
ものである。この精巣、ｒ＝／−ｏｕｔ／ｌｉｎ≦０，
８のときに大きなバイアス磁界マージンが得られること
がわかった。
する転送路４間の間隔Ｗを一定として、ｔｉｍとｔｏｕ
ｔとの比ｒ＝ｔｏｕｔ／ｌｉｎと、回転磁界方向Ｔが９
０度のときのバイアス磁界マージンとの関係を測定した
ものである。この精巣、ｒ＝／−ｏｕｔ／ｌｉｎ≦０，
８のときに大きなバイアス磁界マージンが得られること
がわかった。
なお、前述した実施例においては、転送パタンニ非対称
シェブロンパタンについてのみ説明したが、バー７デイ
スクバタン、Ｃパタンにおいても同様の効果が１）られ
ることは勿論である。
シェブロンパタンについてのみ説明したが、バー７デイ
スクバタン、Ｃパタンにおいても同様の効果が１）られ
ることは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、転送における誤動
作の発生を防止でへるので、大きなバイアス磁界マージ
ンが得られるという極めて優れた効果を有する。
作の発生を防止でへるので、大きなバイアス磁界マージ
ンが得られるという極めて優れた効果を有する。
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子の磁気バブル転送
路の一例を示す要部拡大平面図、第２図は第１図に示す
磁気バブル転送路のバイアス磁界マージンの測定結果を
示す図、第３図は本発明による磁気バブルメモリ素子の
一例を示す磁気バブル転送路の要部拡大平面図、第４図
は第３図に示す磁気バブル転送路のバイアス磁界マージ
ンの測定結果を示す図、第５図は対向配置、される転送
バタンの入力側脚部相互間の距離と出力側脚部相互間の
距離との比と、バイアス磁界マージンとの関係の測定結
果を示す図である。 ｌａ、ｌｂ、１ｃ、１ｄ、ｊｅ ＋ １− ・転送バタ
ン、２３゜２ｂ、２ｅ、２ｄ、２ｅ ・・・・磁気バブ
ル入プ月目す脚部、３ａ ＋３ｂ、３ｅ 、３ａ 、３
ｓ ・・・・磁気バブル出力１１１す１ｌｌ１１部、４
・・・・磁気バブル転送路、５・・・・磁気バブル、６
・・・・回転磁界の軌跡、１・・・・回転磁界の回転方
向、８・・・・磁気バブル転送方向。 代理人弁理士高橋明未 第１図 第２図 回転様外。方向（贋） 第３図 第４図 第５図 ｒ □ １ｏｕｔ／ｉｉｎ
路の一例を示す要部拡大平面図、第２図は第１図に示す
磁気バブル転送路のバイアス磁界マージンの測定結果を
示す図、第３図は本発明による磁気バブルメモリ素子の
一例を示す磁気バブル転送路の要部拡大平面図、第４図
は第３図に示す磁気バブル転送路のバイアス磁界マージ
ンの測定結果を示す図、第５図は対向配置、される転送
バタンの入力側脚部相互間の距離と出力側脚部相互間の
距離との比と、バイアス磁界マージンとの関係の測定結
果を示す図である。 ｌａ、ｌｂ、１ｃ、１ｄ、ｊｅ ＋ １− ・転送バタ
ン、２３゜２ｂ、２ｅ、２ｄ、２ｅ ・・・・磁気バブ
ル入プ月目す脚部、３ａ ＋３ｂ、３ｅ 、３ａ 、３
ｓ ・・・・磁気バブル出力１１１す１ｌｌ１１部、４
・・・・磁気バブル転送路、５・・・・磁気バブル、６
・・・・回転磁界の軌跡、１・・・・回転磁界の回転方
向、８・・・・磁気バブル転送方向。 代理人弁理士高橋明未 第１図 第２図 回転様外。方向（贋） 第３図 第４図 第５図 ｒ □ １ｏｕｔ／ｉｉｎ
Claims (1)
- 磁気バブルを転入する入力側脚部と転出する出力側脚部
とを有する磁気バブル転送パタンを、各脚部側を対向さ
せて複数個周期的に配列する磁気バブル転送路を備えた
磁気バブルメモリ素子において、前記対向配置される転
送パタンの入力側脚部相互間の間隔をｔｌｎ、出力側脚
部相互間の間隔をｔｏｕｔとするとき、ｔＯｕ、ｔり０
．８ｔｉｎ の関係を満足するように磁気バブル転送路
を構成したことを特徴とする磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205807A JPS6098593A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205807A JPS6098593A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6098593A true JPS6098593A (ja) | 1985-06-01 |
Family
ID=16513012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58205807A Pending JPS6098593A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6098593A (ja) |
-
1983
- 1983-11-04 JP JP58205807A patent/JPS6098593A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ATE133807T1 (de) | Magnetische dünnfilmvorrichtungen für flussausbreitung | |
| JPS6098593A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| KR100189479B1 (ko) | 다중-트랙 자기 기록헤드 | |
| JPS60111387A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS60179989A (ja) | 磁気バブル転送路 | |
| JPS6013384A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS62170089A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS6145488A (ja) | イオン打込み型磁気バブル素子 | |
| JPS58108084A (ja) | 磁気バブル素子 | |
| JPS6037759Y2 (ja) | 磁気バブルメモリチツプ | |
| Xu | Non-modal growths of symmetric perturbations produced by paired normal modes | |
| JPS59152586A (ja) | バブル磁区検出器 | |
| JPS5990288A (ja) | 磁気バブル転送回路 | |
| JPH01166389A (ja) | バブル磁区転送パターン | |
| JPS60129996A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS6074185A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS60171690A (ja) | 磁気バブル記憶素子 | |
| JPS636759U (ja) | ||
| JPS6018883A (ja) | 磁気バブルメモリ | |
| JPS6054301U (ja) | 電流検出用抵抗器 | |
| JPS6050693A (ja) | 磁気バブルメモリデバイス | |
| JPS5860321U (ja) | 磁気消去ヘツド | |
| JPS6076077A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| Sakai et al. | Effects of pole tip configuration on side-cross-talk of thin film heads for VCR | |
| JPS61210595A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 |