JPS60136231A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS60136231A
JPS60136231A JP58248516A JP24851683A JPS60136231A JP S60136231 A JPS60136231 A JP S60136231A JP 58248516 A JP58248516 A JP 58248516A JP 24851683 A JP24851683 A JP 24851683A JP S60136231 A JPS60136231 A JP S60136231A
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JP
Japan
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lead frame
glass beads
sticking
thickness
semiconductor element
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JP58248516A
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English (en)
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Masahiko Sakurai
櫻井　正彦
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はＣｕ系リードフレームを用いた樹脂封止型の半
導体装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来の樹脂封止型半導体装置を第１図に示す。
即ちリードフレーム１１上に、工Ｉキシ系や？リイミド
系の導電性接着剤２を用いて半導体素子３を固着し、Ａ
ｕ等の金属細線４で素子３．リードプレーム１Ｎ＋’８
間の接続を行々い、その後エポキシ樹脂等の封止樹脂５
で封止を行なっていた。
ところで熱抵抗が良好な製品特性が要求されて、Ｃｕ系
リードフレーム上に素子３を固着する場合、従来技術で
は固着後、素子はがれや素子クラックが発生する。これ
は、Ｃｕと別との熱膨張係数差に基づく固着後の収縮応
力によるものであり、上記素子のはがれやクラックを防
止するためには、収縮応力を緩和するために固着層２の
厚さを厚く（２０μｍ以上）する必要がある。しかしな
がら従来技術ではこれが困難であり、１〜１５μｍ程度
の固着層２しか得られないものであった。
〔発明の目的〕
本発明は、厚い固着層を得るために、所望の厚さと同程
度の粒径を有するガラスピーズを含有する接着剤を用い
ることにより、素子はがれ、素子り２ツク等のない良好
な製品を得ることを目的とする。
〔１明−の概要〕 本発明は、Ｃｕ系リードフレームに半導体素子を固着す
る場合に、最大粒径が２０〜５０μｍのガラスピーズを
１〜４ウエイトチ（重′量比）、Ａｇを６０〜７５ウエ
イトチ含有する接着剤を用いることにより、素子はがれ
、素子クラックの生じない厚さの固着層を容易に得るこ
とができるようにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第２
図は同実施例を示すものであるが、これは第１図のもの
と対応させた場合の例であるから、対応個所には同一符
号を用いる。即ち最大粒径が２０〜５０μｍのガラスピ
ーズを１〜４ウ工イト％（重量比）、Ａｇを６０〜７５
ウエイトチ含有する導電性接着剤２１を用いて、Ｃｕ系
リードフレーム１．上に半導体素子３を固着し、Ａｕ等
の金属剤線４で素子３．リードフレーム７ｍ＋１ｍ間を
接続し、その後エポキシ樹脂等の封止樹脂５で封止を打
力うものである。
上記ガラスピーズの最大粒径を２０〜５０μｍとしたの
は、２０μｍ以下だと素子クラックの発生があるからで
あり、５０μｍ以上だと作業性等の面でよくないからで
ある。捷た上記のガラスピーズを１〜４ウエイトチとし
たのは、１ウエイ）％が上記２０μｍの厚さを確保する
だめの最低量であるからであシ、４ウエイ）％を越える
と素子３のマウント強度が弱くなるからである。
またＡｇを６０〜７５ウエイトチとしたのは、この値の
範囲であれば強度と導電性が良好に確保できるからであ
る。
上記実施例によれば、最大粒径が２０〜５０μｍのガラ
スピーズを含有しているためにこれが固着ＭＮ（Ｄ−ｙ
ｙ）ｏ−ｊｕＱ役ｇ＊＊＊、ｂ・素“固着後の冷却過程
で発生する収縮応力を緩和するために必要な固着層厚さ
を容易に得ることが可能となり、素子はがれ、クラック
が解消した。
本発明によるガラスピーズ入シ接着剤と、従来の接着剤
とを用いて素子３をＣｕフレーム１１に固着した場合の
素子クラック発生率を下表に示す。
〔発明の効果〕
以上説明した如く本発明によれば、所定径のガラスピー
ズを含有しているためにこれが固着層厚さのコントロー
ルの役目を果たし、素子固着後の冷却過程で発生する収
縮応力を緩和するために必要が固着層厚さを容易に得る
ことが可能となシ、素子はがれ、クラックが解消する半
導体装置が提供できるものである。
′４、図面の簡単な説明 第１図は従来の半導体装置の断面図、第２図は本発明の
一実施例の断面図である。
１１〜１３・・・リードフレーム、３・・・半導体素子
、４・・・金属細線、６・・・封止樹脂、２ノ・・・導
電性接着剤。
第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 銅系リードフレーム上に、粒径が２０ないし５０μｍの
    ガラスピーズを１ないし４ウエイトチ、銀を６０ないし
    ７５ウエイ）％含有する導電性接着剤を用いて半導体素
    子を固着し、金属細線により半導体素子とリードフレー
    ム間を接続し、樹脂封止を行なったことを特徴とする半
    導体装置。
JP58248516A 1983-12-24 1983-12-24 半導体装置 Pending JPS60136231A (ja)

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