JPS6095941A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6095941A JPS6095941A JP58204310A JP20431083A JPS6095941A JP S6095941 A JPS6095941 A JP S6095941A JP 58204310 A JP58204310 A JP 58204310A JP 20431083 A JP20431083 A JP 20431083A JP S6095941 A JPS6095941 A JP S6095941A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- resin
- tape
- semiconductor chip
- bed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
- H10W70/413—Insulating or insulated substrates serving as die pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置の組立構造に関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕第1図を参照し
て従来装置を説明する。第1図は従来装置の一構成例の
断面図である。フレームはベッドl、インナーリー22
およびアウターリード3からなり、ぺ、lドlの上には
Agペースト弘で半導体チップ(ペレツト)Sがマウン
トされている。そして、半導体チップSとインナーリー
ド−の間には金属細繊6がボンディングされ、樹脂7に
よって全体が封止されている。なお、インナーリードコ
のズレ防止のために、長手方向にポリイミドテーゾ等が
貼付される。
て従来装置を説明する。第1図は従来装置の一構成例の
断面図である。フレームはベッドl、インナーリー22
およびアウターリード3からなり、ぺ、lドlの上には
Agペースト弘で半導体チップ(ペレツト)Sがマウン
トされている。そして、半導体チップSとインナーリー
ド−の間には金属細繊6がボンディングされ、樹脂7に
よって全体が封止されている。なお、インナーリードコ
のズレ防止のために、長手方向にポリイミドテーゾ等が
貼付される。
上記の如〈従来装置では、金属性のベラP/に有機性の
Agペーストqによって半導体チップSが固着されてい
るために、次のような問題が生じている。
Agペーストqによって半導体チップSが固着されてい
るために、次のような問題が生じている。
■半導体チップSのマウントに際してマウント剤が必要
になり、このマウント剤がAgペースト等の有機剤であ
るときはそれに含まれるA9゜K等が半導体チップSに
はい上がり、A1コロ−ジョン等の腐食を起こす。その
ため、耐湿性が低下するという欠点が生じる。
になり、このマウント剤がAgペースト等の有機剤であ
るときはそれに含まれるA9゜K等が半導体チップSに
はい上がり、A1コロ−ジョン等の腐食を起こす。その
ため、耐湿性が低下するという欠点が生じる。
■金属性のベッドl、半導体チップSおよび樹脂g等の
部材間の膨張係数の差により、ペレットクラック等を生
じ、製品の歩留りが低下するという欠点が生じる。
部材間の膨張係数の差により、ペレットクラック等を生
じ、製品の歩留りが低下するという欠点が生じる。
■樹脂封止の際に、金属細線6が流れて金属細線6とイ
ンナーリードコの間および金属細線6と半導体チップS
の間で接触不良を起こし、製品の歩留りが低下するとい
う欠点がある。
ンナーリードコの間および金属細線6と半導体チップS
の間で接触不良を起こし、製品の歩留りが低下するとい
う欠点がある。
また、従来装置には特開昭3’l −119975号公
報に示される如く、半導体チップを搭載したベッドとイ
ンナーリーrの裏面に絶縁性の保持部材を接着したもの
もあるが、全6製ベツドKAgペースト等で半導体チッ
プをマウントするという構成は第1図の構成例と同一で
あるので、上記の欠点を取り除くことはできない。
報に示される如く、半導体チップを搭載したベッドとイ
ンナーリーrの裏面に絶縁性の保持部材を接着したもの
もあるが、全6製ベツドKAgペースト等で半導体チッ
プをマウントするという構成は第1図の構成例と同一で
あるので、上記の欠点を取り除くことはできない。
本発明は上記の従来技術の欠点を克服するためになされ
たもので、耐湿性の低下、ペレットクラ・ツクの発生等
を起すことがなく、製品の歩留りを向上させることので
きる半導体装置を提供することを目的とする。
たもので、耐湿性の低下、ペレットクラ・ツクの発生等
を起すことがなく、製品の歩留りを向上させることので
きる半導体装置を提供することを目的とする。
上記の目的を実現するため本発明は、インナーリードと
アウターリードのみでベッドのないフレームのチンゾマ
ウント領域に、ポリイミドチーシー等の樹脂テープを貼
付け、その上に半導体チップをマウントして樹脂封止し
た半導体装置を提供するものである。
アウターリードのみでベッドのないフレームのチンゾマ
ウント領域に、ポリイミドチーシー等の樹脂テープを貼
付け、その上に半導体チップをマウントして樹脂封止し
た半導体装置を提供するものである。
第一図を参照して本発明の一実施例を説明する。
第1図は同実施例の断面図で、第1図と同一要素は同一
符号で示しである。インナーリード2およびアウターリ
ード3のみからなるフレームの半導体チップSをマウン
トする領域(インナーリードコに囲まれた領域)に、接
着剤を付けた一すイミrテーゾを200℃前後で熱圧着
する。このとき、ポリイミドチーシは一定の寸法に切り
出されており、インナー+r−p2を固定する役割も果
たす。
符号で示しである。インナーリード2およびアウターリ
ード3のみからなるフレームの半導体チップSをマウン
トする領域(インナーリードコに囲まれた領域)に、接
着剤を付けた一すイミrテーゾを200℃前後で熱圧着
する。このとき、ポリイミドチーシは一定の寸法に切り
出されており、インナー+r−p2を固定する役割も果
たす。
次圧フレームをマウンタでマウント部に搬送し、半導体
チップ3fマウント部に固着する(このときのマウント
部は、200 ’C前後に保つ)。そして。
チップ3fマウント部に固着する(このときのマウント
部は、200 ’C前後に保つ)。そして。
金属細線6をボンディングしたのち樹脂封止して、半導
体装置が完成する。
体装置が完成する。
なお、本発明においては半導体チップは樹脂テープに直
接マウントされ、フレームのベッドにはマウントされな
い(金属性のベッドそのものが不要な構造になっている
)ため、発熱量の少いメモリ装置、ディジタル回路装置
等に特に適している。
接マウントされ、フレームのベッドにはマウントされな
い(金属性のベッドそのものが不要な構造になっている
)ため、発熱量の少いメモリ装置、ディジタル回路装置
等に特に適している。
上記の如(本発明によれば、ベッドのないフレームのチ
ップマウント領域に樹脂テープを貼付け、そこに半導体
チップをマウントして樹脂封止するようにしたので、耐
湿性の低下やペレットクラックの発生等を起すことがな
(、製品の歩留りを向上させることのできる半導体装置
を提供することができる。特に、マウント剤としてAg
ペーストを使わないためAgによるA1コローノヨン、
マイグレーション等を少なくして耐湿性を向上させるこ
とができ、また金属細線のボンディングにおいて接触不
良を抑えることができるのでモールドする樹脂の選択範
囲を広げることができる。
ップマウント領域に樹脂テープを貼付け、そこに半導体
チップをマウントして樹脂封止するようにしたので、耐
湿性の低下やペレットクラックの発生等を起すことがな
(、製品の歩留りを向上させることのできる半導体装置
を提供することができる。特に、マウント剤としてAg
ペーストを使わないためAgによるA1コローノヨン、
マイグレーション等を少なくして耐湿性を向上させるこ
とができ、また金属細線のボンディングにおいて接触不
良を抑えることができるのでモールドする樹脂の選択範
囲を広げることができる。
さらに、フレームのベッドに要したメッキコストを削減
し、ベッドのボンディングがなくなるの−(−7レーム
の汎用化を図ることかでキ、またマウントの工程を簡略
化(Mount curθ工程をなくす)してマウント
工程とボンディング工程を一体化することができる。
し、ベッドのボンディングがなくなるの−(−7レーム
の汎用化を図ることかでキ、またマウントの工程を簡略
化(Mount curθ工程をなくす)してマウント
工程とボンディング工程を一体化することができる。
第1図は従来装置の一構成例の断面図、第2図は本発明
の一実施例の断面図である。 l・・・ベッド、コ・・・インナーリーP、3・・・ア
ウターリーP、弘・・・Agペースト、S・・・半導体
チップ、6・・・金属+!1ilI線、7・・・樹脂、
g・・・ポリイミドテープ。 出願人代理人 猪 股 清 61 圓 も2 図
の一実施例の断面図である。 l・・・ベッド、コ・・・インナーリーP、3・・・ア
ウターリーP、弘・・・Agペースト、S・・・半導体
チップ、6・・・金属+!1ilI線、7・・・樹脂、
g・・・ポリイミドテープ。 出願人代理人 猪 股 清 61 圓 も2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、インナーリードおよびアウターリードからなるフレ
ームと、 前記インナーリードを相互に固定するように、半導体チ
ップをマウントする領域に貼付けられた高抵抗で化学的
に安定な樹脂テープと、この樹脂テープにマウントされ
た半導体チップと、 前記インナーリーr、樹脂テープおよび半導体チ・ツブ
を封止する樹脂とを備える半導体装置。 コ、樹脂テープはポリイミドテーゾである特許請求の範
囲第1項記載の半導体装置う
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204310A JPS6095941A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204310A JPS6095941A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095941A true JPS6095941A (ja) | 1985-05-29 |
Family
ID=16488362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58204310A Pending JPS6095941A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095941A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318652A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| FR2624651A1 (fr) * | 1987-12-14 | 1989-06-16 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede de mise en place d'un composant electronique et de ses connexions electriques sur un support et produit ainsi obtenu |
| FR2673041A1 (fr) * | 1991-02-19 | 1992-08-21 | Gemplus Card Int | Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant. |
| USRE35578E (en) * | 1988-12-12 | 1997-08-12 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Method to install an electronic component and its electrical connections on a support, and product obtained thereby |
| KR100352120B1 (ko) * | 1996-12-06 | 2003-01-24 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 리드프레임의 구조 및 이를 이용한 반도체 패키지 |
| KR100426330B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2004-04-08 | 삼성전자주식회사 | 지지 테이프를 이용한 초박형 반도체 패키지 소자 |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP58204310A patent/JPS6095941A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318652A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| FR2624651A1 (fr) * | 1987-12-14 | 1989-06-16 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede de mise en place d'un composant electronique et de ses connexions electriques sur un support et produit ainsi obtenu |
| US4908937A (en) * | 1987-12-14 | 1990-03-20 | Sgs-Thomson Microelectronics, S.A. | Method to install an electronic component and its electrical connections on a support, and product obtained thereby |
| USRE35578E (en) * | 1988-12-12 | 1997-08-12 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Method to install an electronic component and its electrical connections on a support, and product obtained thereby |
| FR2673041A1 (fr) * | 1991-02-19 | 1992-08-21 | Gemplus Card Int | Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant. |
| KR100352120B1 (ko) * | 1996-12-06 | 2003-01-24 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 리드프레임의 구조 및 이를 이용한 반도체 패키지 |
| KR100426330B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2004-04-08 | 삼성전자주식회사 | 지지 테이프를 이용한 초박형 반도체 패키지 소자 |
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