JPH08306899A - 固体撮像素子用パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

固体撮像素子用パッケージ及びその製造方法

Info

Publication number
JPH08306899A
JPH08306899A JP7340590A JP34059095A JPH08306899A JP H08306899 A JPH08306899 A JP H08306899A JP 7340590 A JP7340590 A JP 7340590A JP 34059095 A JP34059095 A JP 34059095A JP H08306899 A JPH08306899 A JP H08306899A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
package
state image
bonding
inner lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7340590A
Other languages
English (en)
Inventor
Ki-Rok Hur
フア キ−ロク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
LG Semicon Co Ltd
Goldstar Electron Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Semicon Co Ltd, Goldstar Electron Co Ltd filed Critical LG Semicon Co Ltd
Publication of JPH08306899A publication Critical patent/JPH08306899A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/93—Interconnections
    • H10F77/933—Interconnections for devices having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/726—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】固体撮像素子の上に形成したボンディングパッ
ドを、ボンディングバンパーによって外部回路と直接接
続する固体撮像素子用パッケージ及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】受光領域１９に入る映像信号を電気信号に
変換しボンディングパッド２０を通じて外部に出力する
固体撮像素子１１と、固体撮像素子１１のボンディング
パッド２０に形成したボンディングバンパー１２と、ボ
ンディングバンパー１２に電気的に接続されたインナー
リード１５と、インナーリード１５とボンディングバン
パー１２との接続部を密封し、固体撮像素子１１の受光
領域１９の周囲を囲む絶縁体壁１３と、絶縁対壁１３の
上に取り付けられ、受光領域１９を密封するガラス蓋１
４と、ガラス蓋１４の上面とインナーリード１５の出口
とを除く全体を包むパッケージボディ１６とからなる固
体撮像素子用パッケージとその製造方法からなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像素子用パッ
ケージ及びその製造方法に関し、特にボンディングワイ
ヤを使用しないで製造する、固体撮像素子用プラスチッ
クパッケージ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビデオカメラ等において撮像素子として
広く使用されている固体撮像素子（ＣＣＤ、Charged Co
upled Device、電荷結合素子）のパッケージを図５に示
す。
【０００３】図に示す従来技術においては、所定のサイ
ズに切断した固体撮像素子である各ＣＣＤチップ１を、
導電性接着剤７を用いてリードフレームのパドル６に取
り付ける。受光領域９とボンディングパッド１０との間
のＣＣＤチップ１の表面には、絶縁膜（または樹脂壁）
からなる絶縁体壁２を形成し、ボンディングパッド１０
とリード５とをワイヤ４を用いて電気的に接続するワイ
ヤボンディングを施す。
【０００４】その後、透光性のガラス蓋（lid）３を絶
縁体壁２の上に取り付ける。そこで、成型コンパウンド
を用いたモルディング工程により、ガラス蓋３の表面が
開放されているようにガラス蓋３の表面と成型コンパウ
ンドの表面とを一致させて、パッケージボディ８を形成
する。その後、仕上げ工程を経て、固体撮像素子用プラ
スチックパッケージを完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の固体撮像素
子用パッケージにおいては、ＣＣＤチップ１の表面の、
受光領域９とボンディングパッド１０との間のスペース
に絶縁体壁２を形成するので、ある程度の広さと高さと
を有する絶縁体壁２を、かなり狭いスペース（約２５０
μｍ）に形成することは実際上かなり難しいという問題
がある。更に、接続にワイヤボンディングを用いるの
で、スペース上の大きな制約があるという問題がある。
【０００６】本発明の目的は、上記問題点を解決して、
固体撮像素子の上に形成したボンディングパッドを、ボ
ンディングワイヤを使用することなく、ボンディングパ
ッド上に形成した金属製のボンディングバンパーによっ
て外部回路と直接接続する、固体撮像素子用パッケージ
及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明の固体撮像素子用パッケージは、受光領域
に入る映像信号を電気信号に変換して、映像に関する信
号をボンディングパッドを通じて外部に出力する固体撮
像素子と、上記固体撮像素子の上記ボンディングパッド
に形成した金属性のボンディングバンパーと、上記ボン
ディングバンパーに電気的に接続されたインナーリード
と、上記インナーリードと上記ボンディングバンパーと
の接続部を密封し、上記固体撮像素子の受光領域の周囲
を囲む絶縁体壁と、上記絶縁対壁の上に取り付けられ、
上記受光領域を密封するガラス蓋と、上記ガラス蓋の上
面と上記インナーリードの出口とを除く全体を包むパッ
ケージボディとからなることを特徴とする。
【０００８】この場合、上記ガラス蓋の上面と上記パッ
ケージボディの上部の表面とが一致するように成形する
ことを特徴とする。
【０００９】またこの場合、上記絶縁体壁は絶縁性ポリ
マーを用いて形成することを特徴とする。
【００１０】またこの場合、上記絶縁性ポリマーは、上
下に位置する上記固体撮像素子及び上記ガラス蓋との接
着性を向上するため、接着性を有する絶縁性熱硬化性ポ
リマーであることを特徴とする。
【００１１】また、上記目的を達成するための本願発明
の固体撮像素子用パッケージ製造方法は、（１）固体撮
像素子のボンディングパッド上に金属製のボンディング
バンパーを形成し、その上にインナーリードを位置させ
て電気的に接続する工程と、（２）上記固体撮像素子の
受光領域の周囲に、上記ボンディングバンパーと上記イ
ンナーリードとの接続部を密封する、所定の高さを有す
る、絶縁体壁を形成する工程と、（３）上記絶縁体壁上
に透光性のガラス蓋を取り付け、成型コンパウンドでパ
ッケージボディをモルディングする工程とを含んでなる
ことを特徴とする。
【００１２】この場合、上記（２）工程における上記絶
縁体壁は、絶縁性ポリマーで形成することを特徴とす
る。
【００１３】またこの場合、上記絶縁性ポリマーはポリ
イミドまたはホトレジストであり、上記インナリード及
び上記ガラス蓋との間の接着性を向上するために、接着
性を有する熱硬化性ポリマーであることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図４を参照して、本
発明の固体撮像素子用パッケージ及びその製造方法の実
施の形態を詳細に説明する。
【００１５】図１は、本発明の固体撮像素子用パッケー
ジの断面図である。
【００１６】図２は、本発明の固体撮像素子用パッケー
ジの製造方法の製造工程断面図である。
【００１７】図３は、本発明の固体撮像素子用パッケー
ジの製造方法の製造工程間における固体撮像素子用パッ
ケージの平面図である。
【００１８】図４は、図３のＸ−Ｘ線における断面図で
ある。
【００１９】本発明の固体撮像素子用パッケージの製造
方法においては、図２（ａ）に示すように、半導体チッ
プである固体撮像素子１１のボンディングパッド２０上
に、金属製のボンディングバンパー１２を形成し、ボン
ディングバンパー１２の上にインナーリード１５を位置
させ、熱圧着によってボンディングバンパー１２に接続
して、電気的接続を達成する。
【００２０】その後、図２（ｂ）及び図３、図４に示す
ように、受光領域１９を除く固体撮像素子１１（ＣＣ
Ｄ）の上面に、ボンディングバンパー１２とインナーリ
ード１５との接続部を覆い、所定の広さと高さとを有す
る絶縁体壁１３を形成するために、ホトレジストマスク
を用いて絶縁体壁の形成領域を限定した後、その上にポ
リマー（例えばポリイミド）をコーティングし、絶縁体
壁１３を形成する。上記ポリマーとしては、固体撮像素
子１１及びガラス蓋との接着性を向上するために、接着
性を有する絶縁性熱硬化ポリマーを用いる。この場合、
ボンディングバンパー１２の材質の融点は、上記絶縁性
熱硬化ポリマーの融点よりも高いものであることを要す
る。
【００２１】もう１つの例として、以下のように実施し
てもよい。すなわち、最初に、インナーリード１５にボ
ンディングバンパー１２を形成する。そして、ボンディ
ングバンパー１２を取り付ける部分を除いて、インナー
リード１５とボンディングバンパー１２との接続部を囲
むように、ポリマーで絶縁体壁１３を部分的に形成す
る。ついで、インナーリード１５を、ボンディングバン
パー１２が固体撮像素子１１のボンディングパッド２０
部に位置するように配置する。そこで、固体撮像素子１
１のボンディングパッド２０部に絶縁体壁１３の残りの
部分を形成した後、熱処理を施して、固体撮像素子１１
のボンディングパッド２０と各ボンディングバンパー１
２とを融着させる。この場合には、ボンディングバンパ
ー１２の材質の融点は、ポリマーの融点よりも低いもの
であることを要する。
【００２２】次いで、図２（Ｃ）に示すように、絶縁体
壁１３の上に高透光性を有するガラス蓋１４を取り付け
ることにより、固体撮像素子１１上に一定空間のキャビ
ティ１７が形成される。
【００２３】その後、一定形状に設計された金型上に装
着して、成型コンパウンドをトランスファーさせること
により、成型コンパウンドから構成されたパッケージボ
ディ１６を形成する。この際、図２（ｄ）に示すよう
に、パッケージボディ１６の上部表面とガラス蓋１４の
表面とが一致するようにモルディングを施す。
【００２４】残りの工程はプラスチックパッケージの標
準的な従来技術によって実行する。すなわち、インナー
リードにトリミングとフォーミングを施して本願発明の
パッケージの製品を完成する。
【００２５】絶縁体壁１３形成のためのポリマーは、ポ
リイミドあるいはホトレジストであり、インナーリード
１５間を電気的に絶縁し、一定の高さを保ちながら、成
型工程時に成型コンパウンドが受光領域に流れ込むこと
を防ぐ。ポリマーの材質に関しては、固体撮像素子１
１、ガラス蓋１４、インナーリード１５との間の接着性
を向上させるため、接着性を有する熱硬化性ポリマーを
用いる。
【００２６】
【発明の効果】上記本願発明の固体撮像素子用パッケー
ジ及びその製造方法においては、従来技術におけるワイ
ヤボンディングに代えてバンパーボンディングを行うの
で、ボンディング部位の厚さを縮小することができ、パ
ッケージの寸法を小さくすることができ、電気的な特性
も向上することができるという効果がある。
【００２７】また、絶縁体壁を形成するために、受光領
域を除く表面全体にポリマーをコーティングするので、
絶縁体壁のデザインマージンが広くなって、絶縁体壁の
厚さと広さとを容易に調節することができ、固体撮像素
子の受光領域とガラス蓋との間隔はこの絶縁体壁の厚さ
により決定できるという効果がある。
【００２８】更に、本願発明の絶縁体壁は、従来技術の
絶縁体壁よりも幅や厚さを大きく形成できるので、従来
の固体撮像素子用パッケージよりも、成型時にコンパウ
ンドが受光領域に流れ込むことを防止することが可能と
なるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の固体撮像素子用パッケージの断面図で
ある。
【図２】本発明の固体撮像素子用パッケージの製造方法
の製造工程断面図である。
【図３】本発明の固体撮像素子用パッケージの製造方法
の製造工程間における固体撮像素子用パッケージの平面
図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ線における断面図である。
【図５】従来の固体撮像素子用パッケージの断面図であ
る。
【符号の説明】
１１…固体撮像素子、 １２…ボンディングバンパー、 １３…絶縁体壁、 １４…ガラス蓋、 １５…インナーリード、 １６…パッケージボディ、 １７…キャビティ、 １９…受光領域、 ２０…ボンディングパッド

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】受光領域に入る映像信号を電気信号に変換
    して、映像に関する信号をボンディングパッドを通じて
    外部に出力する固体撮像素子と、 上記固体撮像素子の上記ボンディングパッドに形成した
    金属性のボンディングバンパーと、 上記ボンディングバンパーに電気的に接続されたインナ
    ーリードと、 上記インナーリードと上記ボンディングバンパーとの接
    続部を密封し、上記固体撮像素子の受光領域の周囲を囲
    む絶縁体壁と、 上記絶縁対壁の上に取り付けられ、上記受光領域を密封
    するガラス蓋と、 上記ガラス蓋の上面と上記インナーリードの出口とを除
    く全体を包むパッケージボディとからなる固体撮像素子
    用パッケージ。
  2. 【請求項２】請求項１に記載の固体撮像素子用パッケー
    ジにおいて、上記ガラス蓋の上面と上記パッケージボデ
    ィの上部の表面とが一致するように成形することを特徴
    とする固体撮像素子用パッケージ。
  3. 【請求項３】請求項１に記載の固体撮像素子用パッケー
    ジにおいて、上記絶縁体壁は絶縁性ポリマーを用いて形
    成することを特徴とする固体撮像素子用パッケージ。
  4. 【請求項４】請求項３に記載の固体撮像素子用パッケー
    ジにおいて、上記絶縁性ポリマーは、上下に位置する上
    記固体撮像素子及び上記ガラス蓋との接着性を向上する
    ため、接着性を有する絶縁性熱硬化性ポリマーであるこ
    とを特徴とする固体撮像素子用パッケージ。
  5. 【請求項５】（１）固体撮像素子のボンディングパッド
    上に金属製のボンディングバンパーを形成し、その上に
    インナーリードを位置させて電気的に接続する工程と、 （２）上記固体撮像素子の受光領域の周囲に、上記ボン
    ディングバンパーと上記インナーリードとの接続部を密
    封する、所定の高さを有する、絶縁体壁を形成する工程
    と、 （３）上記絶縁体壁上に透光性のガラス蓋を取り付け、
    成型コンパウンドでパッケージボディをモルディングす
    る工程とを含んでなる固体撮像素子用パッケージ製造方
    法。
  6. 【請求項６】請求項５に記載の固体撮像素子用パッケー
    ジ製造方法において、上記（２）工程における上記絶縁
    体壁は、絶縁性ポリマーで形成することを特徴とする固
    体撮像素子用パッケージ製造方法。
  7. 【請求項７】請求項６に記載の固体撮像素子用パッケー
    ジ製造方法において、上記絶縁性ポリマーはポリイミド
    またはホトレジストであり、上記インナリード及び上記
    ガラス蓋との間の接着性を向上するために、接着性を有
    する熱硬化性ポリマーであることを特徴とする固体撮像
    素子用パッケージ製造方法。
JP7340590A 1995-04-27 1995-12-27 固体撮像素子用パッケージ及びその製造方法 Pending JPH08306899A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950010041A KR0148733B1 (ko) 1995-04-27 1995-04-27 고체 촬상 소자용 패키지 및 그 제조방법
KR1995-10041 1995-04-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08306899A true JPH08306899A (ja) 1996-11-22

Family

ID=19413073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7340590A Pending JPH08306899A (ja) 1995-04-27 1995-12-27 固体撮像素子用パッケージ及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5773323A (ja)
JP (1) JPH08306899A (ja)
KR (1) KR0148733B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031939A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Agilent Technol Inc 撮像装置およびその製造方法

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3536504B2 (ja) 1996-01-17 2004-06-14 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
DE19831570A1 (de) * 1998-07-14 2000-01-20 Siemens Ag Biometrischer Sensor und Verfahren zu dessen Herstellung
US6307258B1 (en) 1998-12-22 2001-10-23 Silicon Bandwidth, Inc. Open-cavity semiconductor die package
FR2798226B1 (fr) * 1999-09-02 2002-04-05 St Microelectronics Sa Procede de mise en boitier d'une puce de semi-conducteur contenant des capteurs et boitier obtenu
US6515269B1 (en) 2000-01-25 2003-02-04 Amkor Technology, Inc. Integrally connected image sensor packages having a window support in contact with a window and the active area
US6512219B1 (en) 2000-01-25 2003-01-28 Amkor Technology, Inc. Fabrication method for integrally connected image sensor packages having a window support in contact with the window and active area
US6384473B1 (en) 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
US6379988B1 (en) 2000-05-16 2002-04-30 Sandia Corporation Pre-release plastic packaging of MEMS and IMEMS devices
US6531341B1 (en) 2000-05-16 2003-03-11 Sandia Corporation Method of fabricating a microelectronic device package with an integral window
US6492699B1 (en) * 2000-05-22 2002-12-10 Amkor Technology, Inc. Image sensor package having sealed cavity over active area
WO2001091193A2 (en) 2000-05-23 2001-11-29 Atmel Corporation Integrated ic chip package for electronic image sensor die
US6503780B1 (en) 2000-07-05 2003-01-07 Amkor Technology, Inc. Wafer scale image sensor package fabrication method
JP4845250B2 (ja) * 2000-07-25 2011-12-28 ソニー株式会社 固体撮像素子収納パッケージ及び固体撮像装置
FR2819103B1 (fr) * 2000-12-29 2003-12-12 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique a pastille transparente et son procede de fabrication
US6646316B2 (en) * 2001-01-24 2003-11-11 Kingpak Technology, Inc. Package structure of an image sensor and packaging
US6541837B2 (en) * 2001-02-09 2003-04-01 International Business Machines Corporation Charge-coupled device wafer cover plate with compact interconnect wiring
EP1246235A1 (en) * 2001-03-26 2002-10-02 European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. Method for encapsulating a chip having a sensitive surface
KR100784103B1 (ko) * 2001-04-28 2007-12-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
JP3773177B2 (ja) * 2001-11-30 2006-05-10 松下電器産業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US6949808B2 (en) * 2001-11-30 2005-09-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof
FR2835653B1 (fr) * 2002-02-06 2005-04-15 St Microelectronics Sa Dispositif semi-conducteur optique
JP2003243577A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6906403B2 (en) 2002-06-04 2005-06-14 Micron Technology, Inc. Sealed electronic device packages with transparent coverings
JP4190269B2 (ja) 2002-07-09 2008-12-03 新光電気工業株式会社 素子内蔵基板製造方法およびその装置
ITMI20022467A1 (it) * 2002-11-20 2004-05-21 St Microelectronics Srl Processo per realizzare un transistore di selezione di byte per
JP2004296453A (ja) * 2003-02-06 2004-10-21 Sharp Corp 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法
JP2004319530A (ja) * 2003-02-28 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
EP1625627A2 (de) * 2003-05-19 2006-02-15 X-FAB Semiconductor Foundries AG Herstellen eines in kunststoff eingekapselten optoelektronischen bauelementes und zugehörige verfahren
JP4551638B2 (ja) 2003-08-01 2010-09-29 富士フイルム株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP4259979B2 (ja) * 2003-10-22 2009-04-30 新光電気工業株式会社 光透過性カバー及びこれを備えたデバイス並びにそれらの製造方法
US6930398B1 (en) * 2004-03-24 2005-08-16 United Microelectronics Corp. Package structure for optical image sensing integrated circuits
US8093672B2 (en) * 2005-10-28 2012-01-10 Panasonic Corporation Solid-state imaging device
TWI313501B (en) * 2006-03-22 2009-08-11 Ind Tech Res Inst A process for manufacture plastic package of mems devices and the structure for the same
WO2008082565A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-10 Tessera, Inc. Microelectronic devices and methods of manufacturing such devices
US20090215216A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Impac Technology Co., Ltd. Packaging method of image sensing device
US9059074B2 (en) * 2008-03-26 2015-06-16 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with planar interconnect
NL2017885B1 (en) * 2016-11-29 2018-06-11 Sencio B V Sensor package and method of manufacturing the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02101776A (ja) * 1988-10-11 1990-04-13 Mitsubishi Electric Corp 光センサ用パッケージとその製造方法
JPH02143436A (ja) * 1988-11-24 1990-06-01 Nec Corp フィルムキャリヤ半導体装置の樹脂封止方法
JPH0745655A (ja) * 1993-08-03 1995-02-14 Seiko Epson Corp 半導体素子の封止構造

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60141178A (ja) * 1983-12-27 1985-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd モ−タの制御装置
US5258576A (en) * 1989-06-15 1993-11-02 Cray Research, Inc. Integrated circuit chip carrier lid
JPH03116948A (ja) * 1989-09-29 1991-05-17 Yoshiki Tanigawa 超高周波ｉｃ用窒化アルミニウムパッケージ
JP2528991B2 (ja) * 1990-02-28 1996-08-28 株式会社日立製作所 樹脂封止型半導体装置及びリ―ドフレ―ム
CA2047486C (en) * 1990-07-21 2002-03-05 Shigeru Katayama Semiconductor device and method for manufacturing the same
US5434357A (en) * 1991-12-23 1995-07-18 Belcher; Donald K. Reduced semiconductor size package
CA2092165C (en) * 1992-03-23 2001-05-15 Tuyosi Nagano Chip carrier for optical device
JPH05343658A (ja) * 1992-06-09 1993-12-24 Sony Corp 固体撮像装置のパッケージ構造
US5534725A (en) * 1992-06-16 1996-07-09 Goldstar Electron Co., Ltd. Resin molded charge coupled device package and method for preparation thereof
US5471011A (en) * 1994-05-26 1995-11-28 Ak Technology, Inc. Homogeneous thermoplastic semi-conductor chip carrier package

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02101776A (ja) * 1988-10-11 1990-04-13 Mitsubishi Electric Corp 光センサ用パッケージとその製造方法
JPH02143436A (ja) * 1988-11-24 1990-06-01 Nec Corp フィルムキャリヤ半導体装置の樹脂封止方法
JPH0745655A (ja) * 1993-08-03 1995-02-14 Seiko Epson Corp 半導体素子の封止構造

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031939A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Agilent Technol Inc 撮像装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR0148733B1 (ko) 1998-08-01
US5773323A (en) 1998-06-30
KR960039413A (ko) 1996-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08306899A (ja) 固体撮像素子用パッケージ及びその製造方法
TWI233685B (en) Optical sensor package
US6696752B2 (en) Encapsulated semiconductor device with flash-proof structure
JP2843464B2 (ja) 固体撮像装置
US7282693B2 (en) Camera module for compact electronic equipments
US5534725A (en) Resin molded charge coupled device package and method for preparation thereof
JP3630447B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
US7755030B2 (en) Optical device including a wiring having a reentrant cavity
US20090256222A1 (en) Packaging method of image sensing device
US20140374848A1 (en) Semiconductor sensor device with metal lid
JPH11260856A (ja) 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の実装構造
JPH06204442A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
US20090215216A1 (en) Packaging method of image sensing device
JP2003332542A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20260107594A1 (en) Image sensor packaging structures and related methods
JP3141634B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び樹脂封止用金型
JPH065726A (ja) 樹脂製中空パッケージを用いた半導体装置
US20220270960A1 (en) Open-Cavity Package for Chip Sensor
CN216291189U (zh) 摄像模组及移动终端
JPH0724272B2 (ja) 光透過用窓を有する半導体装置の製造方法
JP2001177007A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR0132439Y1 (ko) 수지봉지형 반도체 패키지의 글래스리드 탑재구조
KR0179832B1 (ko) 적층형 시시디 패키지 및 그 제조방법
JP2002314024A (ja) 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
KR200286322Y1 (ko) 반도체패키지