JPS60136366U - 単結晶育成装置 - Google Patents

単結晶育成装置

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JPS60136366U
JPS60136366U JP2378384U JP2378384U JPS60136366U JP S60136366 U JPS60136366 U JP S60136366U JP 2378384 U JP2378384 U JP 2378384U JP 2378384 U JP2378384 U JP 2378384U JP S60136366 U JPS60136366 U JP S60136366U
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JP
Japan
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crucible
single crystal
crystal growth
furnace
utility
Prior art date
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Pending
Application number
JP2378384U
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English (en)
Inventor
玉置 暢作
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案に係る単結晶育成装置の断面図、第2図
はるつぼの下部構造を示す拡大断面図、第3図は他の実
施例を示す同上拡大断面図、第4図は従来装置の断面図
、第5図は炉内の温度分布を表わすグラフである。 1・・・炉、2・・・るつぼ、3・・・反射板、1o・
・・ヒータ、20・・・突部。 も

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 ■ 筒状の炉1内にるつぼ2を収容し、るつぼ2を下降
    させ或は炉1を引き上げることによりるつぼ2を下部か
    ら徐々に炉外に臨出させ、るつぼ2内の溶融材料をるつ
    ぼ2の下端部から単結晶化させる単結晶育成装置に於て
    、る°つぼ2の・      下方には放射熱をるつぼ
    2へ向けて反射するべく、反射板3がるつぼ2に対して
    一定の相対位置を保って水平に配備されでいることを特
    徴と、    する単結晶育成装置。 ■ るつぼ2は下端中央に筒状の突部20を有し恵シ=
    二二;:::、、i(:を−一二一   結晶育成装置
    。 ■ 筒状の突部20は内部が単結晶の種の収容室21と
    なっている実用新案登録請求の範囲第2項に記載の単結
    晶育成−置。 ■ 反射板3は1、円板状断熱片31め上面に円板状反
    射片32を密着接合してなる実用新案登録 ゛請求の範
    囲第1項乃至第3項の何れかに記載の単結晶育成装置。
JP2378384U 1984-02-20 1984-02-20 単結晶育成装置 Pending JPS60136366U (ja)

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JPS60136366U true JPS60136366U (ja) 1985-09-10

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ID=30517327

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