JPS60137076A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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JPS60137076A
JPS60137076A JP58246159A JP24615983A JPS60137076A JP S60137076 A JPS60137076 A JP S60137076A JP 58246159 A JP58246159 A JP 58246159A JP 24615983 A JP24615983 A JP 24615983A JP S60137076 A JPS60137076 A JP S60137076A
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JP
Japan
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pellet
lead
silver
lead frame
paste
Prior art date
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Pending
Application number
JP58246159A
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English (en)
Inventor
Toshihiko Sugio
杉尾　敏彦
Yuji Kawamoto
川本　裕治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分封〕 本発明は光半導体装置に係り、特に表示用光源及びセン
サに使用されるＬ　Ｅ　Ｄ　（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉ
ｎｇ　Ｄｉｏｄｅ　）に関する。
〔発明の技術的背景〕
従来、この種のＬＥＤは第１図（ａ）〜（ｄ）に示すよ
うな工程で製造されている。同図（ａ）において、Ｊは
鉄Ｆ’　ｅ等の素材２に銹Ａｇめつき３を施して形成さ
れたリードフレームで、Ｊａｔｆカソード側、１ｂはア
ノード側である。先ず、このリードフレームｌのマウン
ト部４に同図（ｂ）に示すように銀ペースト５を塗布し
、その後同図（ｅ）に示すようにぺ１ノツト６を固着す
る。その後、同図（ｄ）に示すようにペレット６の電極
とリードフレーム１のアノード側１ｂとを金Ａｕワイヤ
７によシボンデイング液続する。
〔背景技術の問題点〕
前述のようにリードフレーム１は金ワイヤ７との接続の
ために銀めっき３を施しているのが一般的である。ＬＥ
Ｄの場合は反射率の高い銀めっき３を施すことにより、
ボンディングと会わせ発光効率を向上させておシ、光学
的特性からも必要不可欠といえる。
しかしながら、銀めつ舞３は銀の価格及びめつきの加工
費等を含めると非幇に高価なものであり、リードフレー
ム１の価格分析をすると、リードフレームＪの全価格の
５０％程度と大きななウェイトラ占めている。このため
、従来、製品価格の低減化が極めて困難であった。
〔発明の目的〕
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的は
、リードフレームの銀めっきが不要であり、製品価格の
大幅々低減化を実現し得る光半導体装置を提供すること
にある。
〔発明の概要〕
本発明は、マウント部及びこのマウント部を取り囲む反
射面１を不する第１のリード及びこの第１のリードに対
設された第２のリードからなるリードフレームの同マウ
ント部及び反射面にのみ例えば銀の導電性反射層を形成
し、この導電性反射層の前記マウント部上に半導体発光
ペレットを固着する。式らに、この半導体発光ペレット
の電極と前記第２のリードとの接続部に例えば銀の導電
性液ＮＲｊｔを形成して両者を固定する。
〔発明の実施例〕
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
２図（ａ）において、１ノは鉄により形カ 成されたリードフレームであり、１１ａはかソード側、
１１ｂはアノード側を示している０先ス、このリードフ
レーム１１のカソード側１１ａにおけるマウント部１２
及びその周囲ヲ取り囲む反射面１３に、同図（ｂ）に示
すように銀ペースト１４を塗布する。その後、同図（ｃ
）に示すように、マウント部１２にペレット１５ｆ載置
した後、熱処理を施して、鋏ペースト１４を硬化させる
。その後、同図（ｄ）に示すようにペレット１５の電極
１６とリードフレーム１ノのアノード側１１ｂとを金ワ
イヤ１７によシボンデイング接続し、さらに金ワイヤ１
２とアノード側ＪＪｂとの接続部に銀ペースト１８ｆｃ
塗布する０その後、熱処理を施して釧ペースト１８を硬
化した後、ペレット１５及び各リード先端部をエポキシ
樹脂によシ封止する０ このようにして形成されたＬＥＤにおいては、フレーム
全面の銀めっきが不要であるため、フレーム価格を従来
の約５０％に低減化することができる。なお、光出力に
ついては、マウント部１２及び反射面１３に銀ペースト
１４が塗布されているため、従来と略同程度である。ま
た、金ワイヤ１７とリードフレーム１１のアノード狽１
ｊｌ　ｊ　ｂとの接着性についても、鋏ペーストＪ８を
総布して両者を固定しているため、欽めっき不使用に伴
う接着性の低ゴ・全防止できる。
これについて、牛田浸加熱試験及び温度サイクル試舷を
行ったが、問題のないことが確認されたＯ 〔発明の効果〕 以上のように本発明によれは、高価な銀めっきが不要で
あるので、安価な光半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の光半導体装置の製造工程を示す断面図、
第２図は本発明の一爽施例に係る光子導体装置の製造工
程を示す断面図である。 １ノ・・・リードフレーム、１２・・・マウント部、Ｊ
３・・・反射面、１４・・・銀ペースト、１５・・・ペ
レット、１６・・・電極、１７・・・金ワイヤ、１８・
・・銀ペースト。 出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦第１図 （ｃ）　（ｄ） 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. マウント部及びこのマウント’ｕＢを取シ曲む反射面を
    南する第１のリード及びこの紀１のリードに対設された
    第２のリードからなるリードフレームと、前記第１のリ
    ードの前記マウント部及び反射面に形成された導電性反
    射層と、前記マウント部の＠ｉＩ記尋゛胤性反射層上に
    １庸された半４体発ブＣペレットと、この半尋体発光ペ
    レットの電極と６σ記彫２のリードとを接続する金属細
    線と、この金−細線と前記概２のリードとの接続部會固
    屋する導電性接着層とを具伍したことを特徴とする光半
    導体装置。
JP58246159A 1983-12-26 1983-12-26 光半導体装置 Pending JPS60137076A (ja)

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JP58246159A JPS60137076A (ja) 1983-12-26 1983-12-26 光半導体装置

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JP58246159A JPS60137076A (ja) 1983-12-26 1983-12-26 光半導体装置

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JPS60137076A true JPS60137076A (ja) 1985-07-20

Family

ID=17144372

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JP58246159A Pending JPS60137076A (ja) 1983-12-26 1983-12-26 光半導体装置

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JP (1) JPS60137076A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6465882A (en) * 1987-09-04 1989-03-13 Rohm Co Ltd Light emitting equipment
EP0290697A3 (en) * 1987-05-12 1989-03-15 Shen-Yuan Chen Light emitting diodes (led) lamp and its quick manufacturing method
US5003357A (en) * 1987-05-30 1991-03-26 Samsung Semiconductor And Telecommunications Co. Semiconductor light emitting device
US5298768A (en) * 1992-02-14 1994-03-29 Sharp Kabushiki Kaisha Leadless chip-type light emitting element
US20120074449A1 (en) * 2008-10-07 2012-03-29 Samsung Led Co., Ltd. Quantum dot-metal oxide complex, method of preparing the same, and light-emitting device comprising the same

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