JPH09275176A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH09275176A JPH09275176A JP8082200A JP8220096A JPH09275176A JP H09275176 A JPH09275176 A JP H09275176A JP 8082200 A JP8082200 A JP 8082200A JP 8220096 A JP8220096 A JP 8220096A JP H09275176 A JPH09275176 A JP H09275176A
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- Japan
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- die pad
- resin
- semiconductor chip
- palladium layer
- semiconductor device
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージの耐クラック性を向上させ、信頼
性を有する樹脂封止型半導体装置の提供。 【解決手段】 半導体チップ１を載置固定するダイパッ
ド４と、半導体チップ１およびダイパッド４を樹脂封止
したパッケージ３と、パッケージ３から突出するリード
２とを有する樹脂封止型半導体装置において、ダイパッ
ド４の半導体チップ１を載置固定する面の反対面に、パ
ラジウム層を形成する。 【効果】 パッケージが薄肉となるダイパッドの裏面に
作用する応力を分散させることができるので、パッケー
ジの耐クラック性が向上する。従って、信頼性を有する
樹脂封止型半導体装置とすることができる。
性を有する樹脂封止型半導体装置の提供。 【解決手段】 半導体チップ１を載置固定するダイパッ
ド４と、半導体チップ１およびダイパッド４を樹脂封止
したパッケージ３と、パッケージ３から突出するリード
２とを有する樹脂封止型半導体装置において、ダイパッ
ド４の半導体チップ１を載置固定する面の反対面に、パ
ラジウム層を形成する。 【効果】 パッケージが薄肉となるダイパッドの裏面に
作用する応力を分散させることができるので、パッケー
ジの耐クラック性が向上する。従って、信頼性を有する
樹脂封止型半導体装置とすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型半導体装
置に関し、さらに詳しくは、パッケージの耐クラック性
を向上させる樹脂封止型半導体装置に関する。
置に関し、さらに詳しくは、パッケージの耐クラック性
を向上させる樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、樹脂封止型半導体装置のパッケー
ジの小型化および薄型化が顕著である。しかしながら、
薄型パッケージの進展に伴い半導体チップおよびダイパ
ッドを樹脂封止したパッケージにクラックが生じ、樹脂
封止型半導体装置の耐久性や信頼性を損なう虞が大とな
っている。すなわち、樹脂封止型半導体装置の封止樹脂
に供されるエポキシ樹脂と、ダイパッドを含むリードフ
レームの銅材との熱膨張率は大きく異なるものとなって
いる。この為、樹脂封止型半導体装置を基板等に実装す
る際のリフローにより２５０℃前後の雰囲気に晒される
等、温度差の生じる熱履歴を受けると、半導体チップを
載置固定しているダイパッド周辺に応力集中が起こる。
特に、ダイパッドの半導体チップを載置固定する面の反
対面側のパッケージは薄厚であり、ダイパッド周辺に応
力集中が起こるとこの部分にクラックが生じ易い傾向に
ある。パッケージに生じたクラックは、外観的に好まし
くないばかりでなく、パッケージ本来の防湿機能や封止
機能を失わせ、樹脂封止型半導体装置の信頼性を著しく
低下させるものである。
ジの小型化および薄型化が顕著である。しかしながら、
薄型パッケージの進展に伴い半導体チップおよびダイパ
ッドを樹脂封止したパッケージにクラックが生じ、樹脂
封止型半導体装置の耐久性や信頼性を損なう虞が大とな
っている。すなわち、樹脂封止型半導体装置の封止樹脂
に供されるエポキシ樹脂と、ダイパッドを含むリードフ
レームの銅材との熱膨張率は大きく異なるものとなって
いる。この為、樹脂封止型半導体装置を基板等に実装す
る際のリフローにより２５０℃前後の雰囲気に晒される
等、温度差の生じる熱履歴を受けると、半導体チップを
載置固定しているダイパッド周辺に応力集中が起こる。
特に、ダイパッドの半導体チップを載置固定する面の反
対面側のパッケージは薄厚であり、ダイパッド周辺に応
力集中が起こるとこの部分にクラックが生じ易い傾向に
ある。パッケージに生じたクラックは、外観的に好まし
くないばかりでなく、パッケージ本来の防湿機能や封止
機能を失わせ、樹脂封止型半導体装置の信頼性を著しく
低下させるものである。
【０００３】図２（ａ）は、樹脂封止型半導体装置の概
略側面断面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）における
Ａ部の概略拡大図である。一般に樹脂封止型半導体装置
の概略構成は、半導体チップ１がダイパッド４上に銀ペ
ースト等の導電性接着剤により載置固定され、半導体チ
ップ１上に形成された電極とリード２とが金線等のワイ
ヤー５で電気的に接続され、更に半導体チップ１、ダイ
パッド４及びリード２の一部を樹脂封止したパッケージ
３が形成され、パッケージ３から突出しているリード２
はガルウイング形状に曲げ加工されたものとなってい
る。
略側面断面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）における
Ａ部の概略拡大図である。一般に樹脂封止型半導体装置
の概略構成は、半導体チップ１がダイパッド４上に銀ペ
ースト等の導電性接着剤により載置固定され、半導体チ
ップ１上に形成された電極とリード２とが金線等のワイ
ヤー５で電気的に接続され、更に半導体チップ１、ダイ
パッド４及びリード２の一部を樹脂封止したパッケージ
３が形成され、パッケージ３から突出しているリード２
はガルウイング形状に曲げ加工されたものとなってい
る。
【０００４】ところで、樹脂封止型半導体装置に供せら
れるリードフレームには表面処理により三層から成る処
理膜６が形成されている。この三層は、リードフレーム
の素材２ａ上にニッケル層６ａ、ニッケル層６ａ上に第
一のパラジウム層６ｂ、更に第一のパラジウム層６ｂ上
に金層６ｃから形成されている。この金層６ｃの厚さは
３０〜１００×１０-10 ｍであり、半導体チップ１との
接合強度の向上及びリード２部におけるハンダ接合性の
向上の為に施されている。しかしながら、この金層６ｃ
を施したリードフレームは、上述した半導体チップ１と
の接合強度の向上及びハンダ接合性を向上させる効果は
あるものの、エポキシ樹脂等の封止樹脂との密着性が小
であり、上述したようなパッケージ３の耐クラック性に
問題があった。図２（ａ）は、樹脂封止型半導体装置が
温度差の生じる熱履歴を受け、パッケージ３にクラック
８が生じた事例を示したものである。このような事例
は、特にパッケージが薄型化および薄型化するほど顕著
なものとなる傾向にある。
れるリードフレームには表面処理により三層から成る処
理膜６が形成されている。この三層は、リードフレーム
の素材２ａ上にニッケル層６ａ、ニッケル層６ａ上に第
一のパラジウム層６ｂ、更に第一のパラジウム層６ｂ上
に金層６ｃから形成されている。この金層６ｃの厚さは
３０〜１００×１０-10 ｍであり、半導体チップ１との
接合強度の向上及びリード２部におけるハンダ接合性の
向上の為に施されている。しかしながら、この金層６ｃ
を施したリードフレームは、上述した半導体チップ１と
の接合強度の向上及びハンダ接合性を向上させる効果は
あるものの、エポキシ樹脂等の封止樹脂との密着性が小
であり、上述したようなパッケージ３の耐クラック性に
問題があった。図２（ａ）は、樹脂封止型半導体装置が
温度差の生じる熱履歴を受け、パッケージ３にクラック
８が生じた事例を示したものである。このような事例
は、特にパッケージが薄型化および薄型化するほど顕著
なものとなる傾向にある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、パッ
ケージの耐クラック性を向上させ、信頼性を有する樹脂
封止型半導体装置を提供することである。
ケージの耐クラック性を向上させ、信頼性を有する樹脂
封止型半導体装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の樹脂封止型半導体装置では、半導体チップ
を載置固定するダイパッドと、半導体チップおよびダイ
パッドを樹脂封止したパッケージと、パッケージから突
出するリードとを有する樹脂封止型半導体装置におい
て、ダイパッドの半導体チップを載置固定する面の反対
面に、パラジウム層が形成されているものであることを
特徴とする。
に、本発明の樹脂封止型半導体装置では、半導体チップ
を載置固定するダイパッドと、半導体チップおよびダイ
パッドを樹脂封止したパッケージと、パッケージから突
出するリードとを有する樹脂封止型半導体装置におい
て、ダイパッドの半導体チップを載置固定する面の反対
面に、パラジウム層が形成されているものであることを
特徴とする。
【０００７】上述した手段による作用としては、ダイパ
ッドの半導体チップを載置固定する面の反対面のパラジ
ウム層と、封止樹脂に供されるエポキシ樹脂等との密着
性が向上し、ダイパッドの半導体チップを載置固定する
面の反対面に作用する応力を分散させることができるこ
とである。
ッドの半導体チップを載置固定する面の反対面のパラジ
ウム層と、封止樹脂に供されるエポキシ樹脂等との密着
性が向上し、ダイパッドの半導体チップを載置固定する
面の反対面に作用する応力を分散させることができるこ
とである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例につ
いて、図１（ａ）〜（ｂ）を参照して説明する。なお、
図中の構成要素で従来の技術と同様の構造を成している
ものについては同一の参照符号を付すものとする。ま
た、樹脂封止型半導体装置の概略構成については、従来
の技術で図２（ａ）を参照し説明した事例と同様である
にので省略する。
いて、図１（ａ）〜（ｂ）を参照して説明する。なお、
図中の構成要素で従来の技術と同様の構造を成している
ものについては同一の参照符号を付すものとする。ま
た、樹脂封止型半導体装置の概略構成については、従来
の技術で図２（ａ）を参照し説明した事例と同様である
にので省略する。
【０００９】図１（ａ）〜（ｂ）は、従来の技術におけ
る図２（ｂ）と同様、図２（ａ）におけるＡ部の概略拡
大図である。本発明は、従来の技術において図２を参照
して説明した事例と同様に、樹脂封止型半導体装置に供
されるリードフレームの素材２ａ上にニッケル層６ａ、
ニッケル層６ａ上に第一のパラジウム層６ｂ、更に第一
のパラジウム層６ｂ上に金層６ｃからなる処理膜６が形
成されているが、図１（ａ）に示したように、ダイパッ
ド４の裏面４ａの表面が金層６ｃでなく、第一のパラジ
ウム層６ｂとなっている点が異なるものである。
る図２（ｂ）と同様、図２（ａ）におけるＡ部の概略拡
大図である。本発明は、従来の技術において図２を参照
して説明した事例と同様に、樹脂封止型半導体装置に供
されるリードフレームの素材２ａ上にニッケル層６ａ、
ニッケル層６ａ上に第一のパラジウム層６ｂ、更に第一
のパラジウム層６ｂ上に金層６ｃからなる処理膜６が形
成されているが、図１（ａ）に示したように、ダイパッ
ド４の裏面４ａの表面が金層６ｃでなく、第一のパラジ
ウム層６ｂとなっている点が異なるものである。
【００１０】裏面４ａの表面を第一のパラジウム層６ｂ
とする手段としては、リードフレームに処理膜６を形成
する工程の内、第一のパラジウム層６ｂ上に金層６ｃを
形成する工程において、予めダイパッド４の裏面４ａに
ポリイミド等の絶縁物を形成してマスキングする、また
は金層６ｃの形成後、ダイパッド４の裏面４ａを王水等
で金層６ｃを剥離する、さらにまた図１（ｂ）に示した
ように、金層６ｃの形成後、ダイパッド４の裏面４ａに
形成された金層６ｃ上に第二のパラジウム層７を形成す
る等がある。そして、これ等は何れも容易にダイパッド
４の裏面４ａにパラジウム層を形成することができる。
とする手段としては、リードフレームに処理膜６を形成
する工程の内、第一のパラジウム層６ｂ上に金層６ｃを
形成する工程において、予めダイパッド４の裏面４ａに
ポリイミド等の絶縁物を形成してマスキングする、また
は金層６ｃの形成後、ダイパッド４の裏面４ａを王水等
で金層６ｃを剥離する、さらにまた図１（ｂ）に示した
ように、金層６ｃの形成後、ダイパッド４の裏面４ａに
形成された金層６ｃ上に第二のパラジウム層７を形成す
る等がある。そして、これ等は何れも容易にダイパッド
４の裏面４ａにパラジウム層を形成することができる。
【００１１】ダイパッド４の裏面４ａ表面にある第一の
Ｐｄ層６ｂあるいは第二のＰｄ層７とパッケージ３に供
されるエポキシ樹脂等の合成樹脂とは密着性は、金層６
ｃとエポキシ樹脂等の合成樹脂との密着性よりも向上す
るので、半導体チップ１を載置固定しているダイパッド
４の裏面４ａに作用する応力集中を分散させることがで
きる。
Ｐｄ層６ｂあるいは第二のＰｄ層７とパッケージ３に供
されるエポキシ樹脂等の合成樹脂とは密着性は、金層６
ｃとエポキシ樹脂等の合成樹脂との密着性よりも向上す
るので、半導体チップ１を載置固定しているダイパッド
４の裏面４ａに作用する応力集中を分散させることがで
きる。
【００１２】
【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置によれ
ば、特にパッケージが薄肉となるダイパッドの裏面に作
用する応力を分散させることができるので、パッケージ
の耐クラック性が向上する。従って、信頼性を有する樹
脂封止型半導体装置とすることができる。
ば、特にパッケージが薄肉となるダイパッドの裏面に作
用する応力を分散させることができるので、パッケージ
の耐クラック性が向上する。従って、信頼性を有する樹
脂封止型半導体装置とすることができる。
【図１】 本発明の実施の形態例を示し、（ａ）〜
（ｂ）は、図２（ａ）におけるＡ部の概略拡大図であ
る。
（ｂ）は、図２（ａ）におけるＡ部の概略拡大図であ
る。
【図２】 従来例を示し、（ａ）は、樹脂封止型半導体
装置の概略側面断面図であり、（ｂ）は（ａ）における
Ａ部の概略拡大図である。
装置の概略側面断面図であり、（ｂ）は（ａ）における
Ａ部の概略拡大図である。
１…半導体チップ、２…リード、２ａ…素材、３…パッ
ケージ、４…ダイパッド、４ａ…裏面、５…ワイヤー、
６…処理膜、６ａ…ニッケル層、６ｂ…第一のパラジウ
ム層、６ｃ…金層、７…第二のパラジウム層、８…クラ
ック
ケージ、４…ダイパッド、４ａ…裏面、５…ワイヤー、
６…処理膜、６ａ…ニッケル層、６ｂ…第一のパラジウ
ム層、６ｃ…金層、７…第二のパラジウム層、８…クラ
ック
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップと、 前記半導体チップを載置固定するダイパッドと、 前記半導体チップおよび前記ダイパッドを樹脂封止した
パッケージと、 前記パッケージから突出するリードとを有する樹脂封止
型半導体装置において、 前記ダイパッドの前記半導体チップを載置固定する面の
反対面に、パラジウム層が形成されているものであるこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8082200A JPH09275176A (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8082200A JPH09275176A (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09275176A true JPH09275176A (ja) | 1997-10-21 |
Family
ID=13767793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8082200A Pending JPH09275176A (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09275176A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223634A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2017168617A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Ｓｈマテリアル株式会社 | リードフレーム及び半導体装置、並びにそれらの製造方法 |
-
1996
- 1996-04-04 JP JP8082200A patent/JPH09275176A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223634A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2017168617A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Ｓｈマテリアル株式会社 | リードフレーム及び半導体装置、並びにそれらの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040816 |