JPH03198368A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH03198368A
JPH03198368A JP1339670A JP33967089A JPH03198368A JP H03198368 A JPH03198368 A JP H03198368A JP 1339670 A JP1339670 A JP 1339670A JP 33967089 A JP33967089 A JP 33967089A JP H03198368 A JPH03198368 A JP H03198368A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
mounting part
resin
substrate
stopper
Prior art date
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Pending
Application number
JP1339670A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazufumi Terachi
寺地　和文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特にプラスチックビングリ
ッドアレイ型の半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置は、第３図に示すように、ワイヤーボ
ンディング部２、ざぐり加工により成形された半導体素
子搭載部４を有するＰＷＢ基板１上に半導体素子３を搭
載後、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の封止樹脂６で
封止され、ストッパービン１０を含むビン９を立て、金
属キャップ７で封止されていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体装置は、ガラスエポキシ基板、Ｂ
Ｔレジン基板等のＰＷＢ基板にざぐり加工で成形した半
導体素子搭載部４にＡｇペースト。
エポキシ樹脂等の接着剤５により半導体素子３が搭載さ
れ、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の封止樹脂６で封
止されている。その後、ストッパービン１０を含む外部
導出用ビン９を立て、封止部を覆う様に、金属キャップ
７が樹脂８で接着されている。
しかし、半導体素子搭載部４がＰＷＢ基板１上に有る為
、放熱効果が悪くハイパワーの半導体素子３を搭載する
ことができなかった。又、外部導出用ビン９を立てる時
、ビン９とストッパー１０とを別々に立てなければなら
ず、２重に工数がかかっていた。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、ＰＷＢ基板上に半導体素子搭載
部が凸状の金属で成形され、かつ、半導体素子搭載部の
裏面がＰＷＢ基板裏面より突出した形状を有している。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。ガラス
エポキシ基板、ＢＴレジン基板等の１．０〜３．０龍厚
のＰＷＢ基板１上にワイヤーボンディング部２を有し、
半導体素子３は銅、アルミニウム、モリブデン等の金属
で凸状に形成され、裏面がＰＷＢ基板裏面より０．５〜
１．０■突出した半導体素子搭載部４上にＡｇペースト
、エポキシ樹脂等の接着剤５により搭載され、エポキシ
樹脂。
シリコーン樹脂等の封止樹脂６で封止後、封止部を覆う
様に金属キャップ７が接着用樹脂８で接着した後、外部
導出用ビン９をプレス加工により立てて製造される。
以上の構造により、放熱効果が大きく又、プリント基板
に実装時、半導体素子搭載部４がストッパーの役目をす
る。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
半導体素子搭載部４の裏面に溝を設けることにより放熱
効果はより大きくなる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、半導体素子搭載部を凸
状の金属で成形することにより、ハイパワーの半導体素
子の放熱効果が大きく、又、ＰＷＰ基板裏面より半導体
素子搭載部裏面を突出することによりプリント基板実装
時、ストッパーの役目を行ない、ストッパービンが不要
となる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の第１及び第２の実
施例の断面図、第３図は従来の半導体装置の一例の断面
図である。 １・・・ＰＷＢ基板、２・・・ワイヤーボンディング部
、３・・・半導体素子、４・・・半導体素子搭載部、５
・・・接着剤、６・・・封止樹脂、７・・・金属キャッ
プ、８・・・接着用樹脂、９・・・外部導出用ビン、１
ｏ・・・ストッパービン。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ＰＷＢ基板上に半導体素子を搭載し、樹脂封止後、封止
    部を覆うように金属キャップを樹脂で接着してなるプラ
    スチック・ピン・グリッド・アレイ型の半導体装置にお
    いて、前記ＰＷＢ基板上の前記半導体素子搭載部が凸状
    の金属で形成され、かつ前記半導体素子搭載部の裏面が
    前記ＰＷＢ基板裏面より０．５〜１．０ｍｍ突出してい
    ることを特徴とする半導体装置。
JP1339670A 1989-12-26 1989-12-26 半導体装置 Pending JPH03198368A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5642261A (en) * 1993-12-20 1997-06-24 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Ball-grid-array integrated circuit package with solder-connected thermal conductor
US5693572A (en) * 1993-12-20 1997-12-02 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Ball grid array integrated circuit package with high thermal conductivity
US6940154B2 (en) 2002-06-24 2005-09-06 Asat Limited Integrated circuit package and method of manufacturing the integrated circuit package
US7015072B2 (en) 2001-07-11 2006-03-21 Asat Limited Method of manufacturing an enhanced thermal dissipation integrated circuit package

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