JPS60137454U - 信号読み出し装置 - Google Patents

信号読み出し装置

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JPS60137454U
JPS60137454U JP2486484U JP2486484U JPS60137454U JP S60137454 U JPS60137454 U JP S60137454U JP 2486484 U JP2486484 U JP 2486484U JP 2486484 U JP2486484 U JP 2486484U JP S60137454 U JPS60137454 U JP S60137454U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type semiconductor
conductivity type
readout device
signal readout
semiconductor regions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2486484U
Other languages
English (en)
Inventor
浜崎　正治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2486484U priority Critical patent/JPS60137454U/ja
Publication of JPS60137454U publication Critical patent/JPS60137454U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図は背景技術を説明するためのもので、
第１図Ａ〜Ｃは従来の信号読み出し装置の製造プロセス
を工程順に示す断面図、第２図Ａは従来の信号読み出し
装置の断面図、Ｂはその信号読み出し装置のポテンシャ
ルプロフィールを示す図、第３図はゲート電極が加えら
れる信号とフローティングディフュージョン領域のレベ
ル変化とを示すタイムチャート、第４図は本考案信号読
み出し装置の実施の一例を示すもので、同図Ａは断面図
、同図Ｂは横方向のポテンシャルプロフィールを示す図
、第５図は本考案信号読み出し装置の他の実施例を示す
断面図である。 符号の説明、１，１１・・・第１導電型半導体、３．４
・・・第２導電型半導体領域、９，１４・・・ゲート電
極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 第１導電型半導体の表面に互いに離間して一対の第２導
    電型半導体領域が形成され、該一対の半導体領域の間の
    部分上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が半導体表面
    側から見た位置が少なくとも一方の第２導電型半導体領
    域とは重なり合わないように形成され、上記第１導電型
    半導体表面の少なくとも上記一方の第２導電型半導体領
    域とゲート電極下との間の部分がその第２導電型半導体
    領域と同じ導電型で且つそれよりも不純物濃度が低くさ
    れてなることを特徴とする信号読み出し装置。
JP2486484U 1984-02-23 1984-02-23 信号読み出し装置 Pending JPS60137454U (ja)

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JP2486484U JPS60137454U (ja) 1984-02-23 1984-02-23 信号読み出し装置

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JP2486484U JPS60137454U (ja) 1984-02-23 1984-02-23 信号読み出し装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60137454U true JPS60137454U (ja) 1985-09-11

Family

ID=30519416

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2486484U Pending JPS60137454U (ja) 1984-02-23 1984-02-23 信号読み出し装置

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JP (1) JPS60137454U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02137235A (ja) * 1988-11-17 1990-05-25 Sanyo Electric Co Ltd 電荷転送素子の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56100476A (en) * 1980-01-16 1981-08-12 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5758358A (en) * 1980-09-25 1982-04-08 Toshiba Corp Charge transfer device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56100476A (en) * 1980-01-16 1981-08-12 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5758358A (en) * 1980-09-25 1982-04-08 Toshiba Corp Charge transfer device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02137235A (ja) * 1988-11-17 1990-05-25 Sanyo Electric Co Ltd 電荷転送素子の製造方法

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