JPS6033460U - 静電誘導型半導体装置 - Google Patents
静電誘導型半導体装置Info
- Publication number
- JPS6033460U JPS6033460U JP12507983U JP12507983U JPS6033460U JP S6033460 U JPS6033460 U JP S6033460U JP 12507983 U JP12507983 U JP 12507983U JP 12507983 U JP12507983 U JP 12507983U JP S6033460 U JPS6033460 U JP S6033460U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- electrostatic induction
- induction semiconductor
- regions
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図、第２図は従来例を示す断面図、第３図は本考案
の実施例を示す断面図である。 １１・・・制御電極としてのＰ型高濃度層、１２・・・
第１主電極としてのＮ型高濃度層、１３・・・第２主電
極としてのＮ型高濃度層、１４・・・同Ｐ型高濃度層。
の実施例を示す断面図である。 １１・・・制御電極としてのＰ型高濃度層、１２・・・
第１主電極としてのＮ型高濃度層、１３・・・第２主電
極としてのＮ型高濃度層、１４・・・同Ｐ型高濃度層。
Claims (1)
- 制御電極を挾んで対峙する第１、第２の主電極のうち、
一方の主電極を、互いに異なる導伝型の２つの高濃度層
領域で構成し、これら各領域を夫々トランジスタ動作時
のドレイン電極及びサイリスタ動作時のアノード電極と
したことを特徴とする静電誘導型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12507983U JPS6033460U (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 静電誘導型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12507983U JPS6033460U (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 静電誘導型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033460U true JPS6033460U (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=30284909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12507983U Pending JPS6033460U (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 静電誘導型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033460U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52147985A (en) * | 1976-06-02 | 1977-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | Electrostatic induction type thyristor |
| JPS5422179A (en) * | 1977-07-20 | 1979-02-19 | Hitachi Ltd | Semiconductor switching element |
-
1983
- 1983-08-11 JP JP12507983U patent/JPS6033460U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52147985A (en) * | 1976-06-02 | 1977-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | Electrostatic induction type thyristor |
| JPS5422179A (en) * | 1977-07-20 | 1979-02-19 | Hitachi Ltd | Semiconductor switching element |
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