JPS6014006B2 - キシレンの異性化 - Google Patents

キシレンの異性化

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JPS6014006B2
JPS6014006B2 JP56199920A JP19992081A JPS6014006B2 JP S6014006 B2 JPS6014006 B2 JP S6014006B2 JP 56199920 A JP56199920 A JP 56199920A JP 19992081 A JP19992081 A JP 19992081A JP S6014006 B2 JPS6014006 B2 JP S6014006B2
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明はガロケィ酸塩またはホウケィ酸塩ゼオライト上
でのエチルベンゼンのこ渇した(dep1eted)フ
ィードのキシレン異性化に関する。 ゼオラィトは、炭化水素転化触媒として知られてきた。 天然産ゼオライトは共有酸素原子により橋かけされたS
i04およびN04四面体の三次元網目構造からなる特
徴的多孔構造を有する結晶性アルミノケィ酸塩である。
種々の構造およびアルミニウム含量を有する合成ゼオラ
ィトが製造されており、近年は特に高いシリカ含量を有
する、実質上アルミニウムを含まない程度のゼオラィト
が製造されている。さらに、四面体配列においてアルミ
ニウムの代りに他の元素を有するゼオラィト構造が合成
されてきた。ゼオラィトの触媒活性は、その酸性度に基
づく。 3価アルミニウム、ガリウム、またはホウ素のような、
四面体配列内の非4価原子は正荷電欠陥をつくり出し、
これはH+のような陽イオンにより理合わす(comp
ensaにd)ことができる。 さらに、特にチャンネルの寸法が大分子の拡散を制御で
きる範囲内にあるときは、ゼオラィトの結晶構造を通る
空腔(cavi船s)とチャンネルが当該物質を選択的
分子ふるいとして作用させる。そこで、酸性ゼオラィト
を選択的触媒として使用でき、このような触媒を記載し
た多数の刊行物が公知である。たとえば、米国特許第3
790471号は、成分酸化物のモル比とX線スペクト
ルを特徴とする「ZSM−5」として知られるアルミノ
ケィ酸塩ゼオラィトを使うポリアルキル置換芳香族の異
性化法を記載している。そこで明らかにされているZS
M−5の一般式はガリウムおよびゲルマニウムを含むゼ
オラィトを包含するが、この米国特許においては触媒の
調製にアルミノケィ酸塩だけしか例示されていない。米
国特許第3856871号、第3856872号、第斑
5筋73号はキシレンおよびエチルベンゼンを含むフィ
ードに対し触媒として「公M−5型、公M−12、また
はZSM−21のゼオラィト」を使うキシレン異性化法
に関する。 それらに記載の方法は、キシレン回収ループのエチルベ
ンゼン塔アップストリームを使ってフィードから若干の
エチルベンゼンをストリツピングするが、すべてのキシ
レンを保持し超分留(super−fractio皿a
tion)に頼らない。そこで、かなりの量のエチルベ
ンゼンが異性化へのフィード中に残り、典型的にはフイ
ードはエチルベンゼン1り重量%を含む。このエチルベ
ンゼンは不均化およびキシレンとの反応により分解され
るが、水素化脱アルキルおよび水素化分解を含む競争反
応があり、C,〜6パラフィンのようなかなりの量の水
素化分解生成物が形成される。
.ガロケィ酸塩またはホゥケィ酸塩ゼオラィトを使
うことにより、かつ異性化前に回収ループ内でエチルベ
ンゼンを回収することにより、エチルベンゼンのこ渇し
たフィードの異性化において望ましくない水素化分解量
が、著しく減少することが見出された。 したがって、一面においては本発明は混合C8フイード
からエチルベンゼンおよびp−キシレンおよび(または
)o−キシレンを得る方法を提供し、この方法において
は混合C8フィードからエチルベンゼンを回収して混合
キシレンと5重量%以下のエチルベンゼンを含むエチル
ベンゼンのこ渇したフィードを残し、その後エチルベン
ゼンのこ渇したフィードを異性化条件で、5より大きい
Si02対W203モル比を有し1〜12の拘束指数(
aco船traintindex:以下で定義する)を
有する四面体ゼオラィト構造内に、変性元素W(WはG
a、Bの少なくとも1種を表わす)を含むゼオラィトか
らなる触媒と接触させてp−キシレンおよびo−キシレ
ンに富んだ異性化生成物を得、異性化生成物からp−キ
シレンおよび(または)o−キシレンを回収して、その
後異性化生成物をエチルベンゼン回収工程に再循環する
。 当該ゼオラィトは、ガロケィ酸塩、ホウケィ酸塩、また
はガロ/ホウケィ酸塩であることができ、好ましくは実
質上四面体アルミニウムを含まない。 好ましくはガロおよび(または)ホウケィ酸塩の四面体
骨組中のケイ素対アルミニウムの比は5000より大き
い。当該ゼオラィトは12より大きいSi02対W20
3モル比をもつのが好ましい。「拘束指数」はゼオライ
トへの大きい分子の接近度合の尺度であって、以下の操
作に従いn−へキサンと3−メチルベンタンの等重量混
合物を触媒の少量試料、約1タまたはそれ以下に常圧で
連続的に送ることにより決定できる。まづべレットまた
は押出物形の触媒試料を、ほぼ粗い砂の粒度に破砕し、
ガラス管に入れる。 試験前に、触媒を10000Fで少なくとも1粉ご空気
流で処理する。ついで触媒をヘリウムでフラッシュし、
温度を550〜9500F(287〜510qo)の間
に調節し、10〜60%の総転化率にする。上記炭化水
素混合物を、ヘリウム対全炭化水素モル比4対1となる
ようにヘリウムで希釈して、触媒上に1液体時間空間速
度(すなわち時間当り触媒1容量当り液体炭化水素1容
量)で送る。オンストリーム2ぴ分後、流出物試料を採
取し、最も便利にはガスクロマトグラフィ一により分析
し、両炭化水素の各々に対し未変化で残っている蟹分を
決める。「拘束指数」は次のようにして計算される。 log,。(残存n−へキサン蟹分)拘束指数=ー。 封。咳実存3−メチルベンタン蟹分)好ましくは、当該
ゼオラィトは次のような式(酸化物のモル比で表わして
)を有する。M2/no:W2Q:ySi02:ZH2
0ただしMは原子価nの少なくとも1種の陽イオンであ
り、WはGaおよび(または)Bであり、yは少なくと
も5、好ましくは少なくとも12であり、最も好ましく
は20〜5000であり、Zは0〜40である。 当該ゼオラィトは米国特許第3702886号に定義さ
れているように、公M−5族に特徴的なX線回折図をも
つのが好ましい。 好ましいガロケィ酸塩ゼオラィトは、英国特許第202
3562号に記載されている。好ましいホウケィ酸塩は
ベルギー特許第859656号または第斑0858号に
記載のものである。シリカ源、Ga203またはB20
3源、所望により有機鋳型化合物からなる反応混合物か
ら結晶化によって、ガロケィ酸塩またはホゥケィ酸塩を
製造できる。当該ゼオラィトの製造は、当業者の行なう
ことのできる(competence)範囲内にあると
考えられ、かつたとえば好ましいゼオラィトを記載して
いる各種特許に記載されている。ほとんど酸性点をもた
ずしたがって自身限られた触媒性を有する結晶性シリか
けこガロおよび(または)ホウケィ酸塩ゼオラィトを適
用することによって、驚くほど有効な酸性ゼオラィト触
媒を得ることのできることを見出した。 さらに、得られる複合ゼオラィト触媒は、ガロおよび(
または)ホウケィ酸塩単独またはシリカ単独と比較する
とき、本発明の方法で利点を示すことがわかった。した
がって、当該触媒はシリかいこかぶせたガロおよび(ま
たは)ホウケィ酸塩ゼオライトからなる組成物が好まし
く、ただしシリか0と当該ゼオラィトとは実質上同一の
結晶構造をもつ。 当該シリか以ま、ゼオラィトに類似構造のシリカ多形体
または高ケイ素質ゼオラィトであることができ、各々の
場合シリカ骨組(framework)内に金属または
非金属置換を実質上含まない。シリか○の好ましい形は
、四面体骨組内のケイ素対変性元素比が500より大で
あって、さらに好ましくは5000より大であり、無限
大に近づく、多形体またはゼオラィトである。本発明で
使う組成物は実質上、同一結晶構造を有するシリか0と
かぶさった(overMng)変性シリカゼオラィトか
らなり、そこでシリかDと完全な複合触媒は、実質上同
一X線回折図を示すことが好ましい。たとえば、当該心
は600こ○で少なくとも1時間空費中でか暁後、平均
屈折率1.39±0.01、2yCの比重1.70±0
.05を有する結晶性シリカ多形体であることができる
。 一つの好ましい形では、この多形体は6個の最強d−値
が11.1±0.2A 10.0±0.2A 3.85±0.07△ 3.82±0.07A 3.76±0.05A 3.72±0.05△ であるX線粉末回折図をもつ。 「シリカライト」として知られているこのシリカ多形体
は、ユニオン・カーバィド・コポレーションに譲渡され
た米国特許第4061724号に記載されている。 シリカライトの紬孔径は約6Aで、細孔容積は吸着によ
り測定し典型的には0.18の‘/夕である。 米国特許第4061724号に記載の方法でシカラィト
を製造でき、この方法はpHIO〜14のシリカ源とア
ルコニウム化合物を含む水性反応混合物からの水熱結晶
化による含水前駆物質の形成、ついで前駆物質のか燐か
らなる。しかし、一般に類似の方法だが、アルコニウム
化合物の不在でシリカラィトを製造もできる。シリカラ
ィトに関連したシリカ多形体の第2の好ましい形は、上
記の屈折率と比重特性の他に、60000で少なくとも
1時間空気中でか焼後2守0で4.6肌Hgの水蒸気圧
で1重量%以下の水蒸気吸収容量を有し、3700〜3
10仇枕‐1領域に実質上吸収を示さない赤外スペクト
ルを有し、少なくとも次の*オー値11.1±0.2△ 10.0土0.2△ 9.75±0.1A 3.85±0.04A 3.82±0.04A 3.71±0.02A 3.62±0.02A を含むX線粉末回折図を有し、3.82±0.04Aお
よび3.71士0.02Aのd−面間隔に相当する反射
の中間に反射がない。 この第2の好ましいシリカ多形体は、ユニオン・カーバ
ィド・コポレーションに譲渡された米国特許第407巡
65号に記載され、特許請求されている。 米国特許第4073865号に記載のような方法により
この多形体を製造でき、この方法では11以下のpH、
好ましくは7〜11の範囲内、さらに好ましくは7.4
〜10のpHを有する反応混合物を使い、この反応混合
物は日20150〜1500モル、Si0213〜50
モル、フッ化物イオン2〜12モル、M20(ただし、
Mはアルカリ金属陽イオンを表わす)0〜20モル、好
ましくは0〜6モルを含んでおり、ただし上記試薬の各
々にQ201モルを存在させる。ここで、Qは式(R4
X)十を有する第4級陽イオンを表わし、各Rは水素ま
たは2〜6個の炭素原子を含むアルキルを表わし、Xは
リンまたは窒素を表わす。結晶性水和前駆物質が形成さ
れるまで、100〜250qoで反応混合物を加熱し、
ふつうは約50〜150時間後、結晶性前駆物質を単離
し、400〜1000qCでか競する。しかし、化合物
Q20の不在で当該シリカ多形体を製造できる。当該心
は次のような 0.9±0.2〔xR20十(1一文)M2/n0〕:
<0.00松1203:>ISj02酸化物モル比での
組成を無水状態で有する結晶金属有機ケイ酸塩の200
〜600q0で1〜4糊時間の熱処理により得られるケ
イ酸塩であることもできる。 ただし、上記式でMはナトリウムまたはスズ、カルシウ
ム、ニッケル、または亜鉛と絹合したナトリウムであり
、Rはテトラアルキルアンモニウムであり、xは0より
大であるが1を越えない数であり、当該有機ケイ酸塩は
めM−5ゼオラィトの特徴的X−線回折線を有している
。すなわち、5.56 ± 0.1 W
5.01 十 0.1 W4.60
土 0.08 W4.2 5 十 0.
0 8 w3.85 ± 0.07 V
S3.71 十 0.0 5 S3.04
± 0.03 W2.99 土 0
.02 W2.94 土 0.0 2
W(言主) s=鋭い、w=弱い、vs=著しく
鋭いこの型のシリカはモービル・オイル・コポレーショ
ンに譲渡された米国特許第3処1871号に記載され、
特許請求されている。 当該シリかWまゼオラィトZSM−11の特徴的X線回
折図を有する結晶性シリカであることもできる。 線3.07および3.00のかっこは、この線が分離し
た別々の線であるが、いよいよ重なることを示している
。 ZSM−11のX線回折図はZSM−5のそれに類似で
あるが、ただし10.1、3.73、3.00、2.0
1Aの面間隔の線が$M−5の場合のように二重線では
なくて÷重線である。筏M−11X線スペクトルを有す
るシリカ多形体はD.M.ビビーら、「ネーチャー」、
280巻、6M〜665号の論文に記載されている。 そこで「シリカライトー2」と呼ばれるこのシリカ多形
体は、シリカ源とテトラ−n−ブチルアンモニウムヒド
ロキシドと所望により水酸化アンモニウムまたはヒドラ
ジン水和物とを100〜20ぴ0で反応させて前駆物質
を形成し、ついで300℃で分解してつくられる。ごく
低いアルミニウム含量を有するZSM−11も(0〜1
0)M2′n0:<0.8り203:10庇iQ(ただ
しMは原子価nの陽イオンである)の組成物(酸化物の
モルで)として、モービル・オイル・コポレーション名
で公表されたヨーロッパ出願第14059号‘こ記載さ
れ、特許請求されている。 さらに可能なことは、当該触媒の結晶性シリカ成分がX
線図で次の主要な線をもつシリカ多形体であることであ
る。この型のシリかWま、たとえばユニオン・カーバィ
ド・コポレーションに譲渡された米国特許第41042
94号に記載し、特許請求されているような有機ケイ酸
塩のか競により得ることができる。 当該触媒の2成分、シリかDとガロケィ酸塩またはホウ
ケィ酸塩ゼオラィトの割合は、複合ゼオラィト中のケイ
素対ガリウムまたはホウ素の平均比(酸化物のモル比で
表わして)が7.5以上、好ましくは15〜20000
、最も好ましくは20〜500であるように選ぶのが好
ましい。形成した結晶性シリカ粒子を、シリカ源とガリ
ゥムまたはホウ素源と所望により有機鋳型分子とからな
るゼオラィト組成物用の結晶化ゲル中に入れ、結晶化ゲ
ルを適当な反応条件に保ってシリカ粒子上にガロおよび
(または)ホウケィ酸塩を形成させ、シリカと変性シリ
カゼオラィトが実質上同一結晶構造をもつようにさせる
方法によって、当該複合ゼオラィトを製造できる。 最終的に複合ゼオラィトの心を形成するシリカ粒子の製
造は当業者の行なうことのできる範囲内にあると考えら
れる。 たとえば、米国特許第4061724号、第40738
65号、第3941871号、第4104294号、ヨ
ーロッパ出願第1405少号、ビビーらの「ネーチャー
」、28の巻、664−665頁の論文に記載の方法を
使用できる。ガロケィ酸塩またはホウケィ酸塩ゼオラィ
ト殻(shell)は、好ましいゼオライトに関し、上
記した特許に記載の方式で形成できる。 殻に要求される結晶構造に適した結晶化条件の選択は、
当業者の能力範囲内にあると考えられる。たとえば、次
の技術を使いシリか○上にガロおよび(または)ホウケ
ィ酸塩を形成できる。シリカ源は水和シリカまたはコ。
ィド状酸化ケイ素溶液であることができ、これをァルコ
ニゥム化合物のような有機鋳型化合物溶液と混合する。
ガリウムまたはホウ素源を、好ましくは酸化物として、
および水酸化ナトリウムのようなアルカリをついで加え
る。この溶液にシリかDの予め形成した粒子を加え、全
体を適当な時間加熱してシリか○上にゼオラィトを結晶
化させる。結晶化は典型的には100〜200COで1
〜30日実施される。結晶化後、生成物を洗い、乾燥し
、加熱して有機化合物を分解する。 ついで触媒をアンモニウム化合物の溶媒と接触させ陽イ
オンをNH4十で交換させることができ、ついでか糠に
よりNH4十を分解し、酸点にプロトンを残して触媒の
ブレンステッド酸性度を与えることができる。か暁工程
は好ましくは400〜600qoで、最も好ましくは4
00〜450℃で実施される。当該ゼオラィトはシリか
○と同一の結晶構造をもつのが好ましい。 そこで、当該ゼオライトとシリかDはそのX線粉末回折
スペクトルで同一の特性線を示すのが好ましい。当該ゼ
オラィトとシリか○が米国特許第3702886号に記
載され特許請求されている公M−5ゼオラィトと同一の
特性X線図を示すのが高度に好ましい。本発明の触媒は
クリスタラィト(cr$tallite)寸法の範囲で
形成できるが、平均直径0.1仏以上のシリか○を使う
のが好ましい。 最も好ましくは、シリかWま0.5〜20仏の平均直径
をもつ。完全な触媒はシリか0の外面上に形成されたゼ
オラィトを有し、これは当該心上の部分層または完全層
を形成でき、または心表面上の分離した粒子形であるこ
とができる。走査電子顕微鏡写真で、この触媒は使った
シリかいこ類似の寸法の、複合クリスタラィトを形成す
ることがわかったが、変性シリカ層の形成の結果と考え
られる「粗い」表面を有する。驚くことには、シリかD
自身は実質上不活性にもかかわらず、ごく少量のゼオラ
ィトでさえ良好な活性の触媒を生じることが見出された
。好ましくはシリかD対かぶせるゼオライトの重量比は
(Si02対変性シリカ用反応混合物中のSi02の重
量比で表わして)0.5対1〜25対1、さらに好まし
くは1対1〜1の対1、最も好ましくは1対1〜4対1
である。 本発明の方法は、C8フィードからエチルベンゼンを回
収してエチルベンゼンのこ渇したフィードを得る。 C8フィードはエチルベンゼンと混合キシレン(すなわ
ちoーキシレン、m−キシレン、p−キシレン)を含む
。これらの種々の成分の割合は、C8フィード源に依存
して変る。しかし、典型的には石油ナフサから得られる
C8フィードは、エチルベンゼン10〜32重量%を含
み、残りはmーキシレン5の重量%、oーキシレン25
重量%、p−キシレン25重量%のおよその割合の混合
キシレンである。本発明に従えば、エチルベンゼン回収
後、得られるエチルベンゼンのこ渇したフィードは、5
重量%以下の、好ましくは4重量%以下のエチルベンゼ
ンを含む。完全なエチルベンゼンの除去は極度に困難で
あり、エチルペンゼン含量の実際的下限は、1重量%で
ある。好ましくは、超分留によりまたはたとえばモレキ
ュラーシーブを使い吸着法によって、エチルベンゼンを
除去してエチルベンゼンのこ渇したフィードをつくる。 一つし、で、エチルベンゼンのこ渇したフイードを触媒
と接触させてキシレンを異性化し、p−キシレンに富ん
だ異性化生成物を得る。 異性化反応は、ゼオラィト触媒キシレン異性化の通常の
条件で、液相または気相で、所望により水素の存在で実
施できる。 液相では、好ましい条件は次の通りである。温度(00
) 150〜270圧力(バール
) 1〜100WHSV
O.1〜10気相では、水素の存
在で次の条件で異性化を行なうのが好ましい。温度(0
0) 滋0〜400圧力(バー
ル) 1〜100WHSV
O.1〜100モル比、日2対炭
化水素 0.1〜10oーキシレンおよ
びp−キシレンに富んだ異性化生成物およびこれらキシ
レンの一つまたは両者をついで回収する。 o−キシレンは分留により分離できる。異性化生成物を
キシレンスプリツターに供給でき、ボトムス(oーキシ
レンおよびC8芳香族を含む)をついでoーキシレン塔
に送ることができ、この塔でo−キシレンをオーバヘツ
ドでとり出す。Pーキシレンは、ふつう分別結晶または
吸着により回収され、このような技術は当該技術分野で
よく知られている。 ふつうは、o−キシレンとp−キシレンの両者を異性化
生成物から回収するが、この南キシレンを回収する順序
は重要ではない。 上記回収についで、異性化生成物をエチルベンゼン回収
工程に再循環し、こうして閉じたキシレンループが形成
される。 新しいC8フィードをこのループに導入し、勿論エチル
ベンゼン含有フィードをエチルベンゼン回収と異性化装
置の間に導入しなければ、上記導入点は重要ではない。
本発明のある種の面を添付図面につきさらに詳しく記載
する。第3図に示すように、エチルベンゼンおよび混合
キシレンを含む℃8フイードは、ライン1によりキシレ
ンループに導入される。 このフィード‘まライン2を経て再循環される異性化生
成物と共にキシレンスプリッター塔3に送られ、−塔3
からo−キシレンとC8芳香族を含むボトムスは、oー
キシレン塔4へ送られ、ここでoーキシレンはオーバヘ
ツドとして回収される。塔3からのオーバヘツドは、ラ
イン5を通りpーキシレン回収装置6に送られ、この装
置は分別結晶化器または吸着装置であることができるが
、そこでp−キシレンが回収される。 エチルベンゼンに富んだ残留物はライン7を通りエチル
ベンゼン塔8に送られ、そこで超分留によりフィードの
エチルペンゼン含量を5重量%またはそれ以下に減らす
。一方、塔8の代りにモレキュラーシーブ吸着法を使用
できる。エチルベンゼンのこ渇したフィードはライン9
および加熱器(図示してない)を通り異性化装置10に
送られる。 水素を必要とするときは、これはライン11を経てフイ
ーNこ導入される。装置10ではフィード(および適当
なときは水素)を異性化条件でホウケイ酸塩および(ま
たは)ガロケィ酸塩触媒と接触させて、o−およびpー
キシレンに富んだ異性化生成物を形成し、これを熱交換
器12で冷す。異性化に水素を使うときは、これを分離
器13で分離し、ライン14を経て再循環する。異性化
生成物はライン15を通りストリッパー16に送られ、
ライトエンドを除去し、ストリッパーからのボトムスを
ライン2を通り再循環する。単に例としてではあるが、
本発明をさらに詳しく示すために、以下の実施例と試験
結果を示す。 実施例 1〜5複合触媒の調製凶 シリかDの製造 シリカ(ルドツクスHS−40として商業上入手できる
コロイド状シリカ)476夕を水100の
【で希釈した
。 生成溶液を、20%TRA−OH(重量で)、テトラプ
ロピルアンモニウム塩溶液130の‘と混合した。この
混合物に水l00の(中のNaOH33夕の溶液を加え
て合成ゲルを形成した。このゲルを冷却器を備えた2個
の250の‘ポリプロピレンびんに入れ、油格で100
℃で7日加熱して結晶化させた。結晶化時間後、結晶性
心物質を集め、洗い、乾燥した。上記操作により得られ
た心物質は著しく強いX線回折図を有し、そのd−値を
ユニオン・カーバイド・コポレーションのシリカラィト
の値と共に第1表に示す(X線分光器の縮小は米国特許
第4061724号に規定のすべての線を同定できない
)。 走査電子顕微鏡写真により、0.5ミクロンの粒度をも
った球形結晶凝集体であることがわかった。‘B’ 複
合触媒の製造 採用した一般操作は、次の通りであった。 水和シリカ(Si02・nH20)をテトラプロピルア
ンモニゥム塩の熱い2の重量%溶液と5分間混合した(
溶液m)。水酸化ナトリウムおよび変性元素W源を水に
溶かし(溶液■)、溶液‘1’と【2}を5分間混合し
た。 Wがガリウムである実施例2、4及び5の場合は、異な
る操作を使った。Ga203を水酸化ナトリウムに溶か
さずに、Ga203粉末と水酸化ナトリウム溶液を溶液
‘Mこ加えた。心物質〔工程■のようにしてつくったお
よび(または)ユニオン・カーバイド・コポレーション
から商業上入手できるシリカライト〕を水と共に加え、
全体を5分間混合してスラリを形成した。 pH測定後、スラリをテフロン被覆したオートクレープ
に入れ、自己発生下、炉に入れた。結晶化後、生成物を
数回洗い、120℃で乾燥し、予備か擁して有機化合物
を分解した。 ついで生成物をアンモニア交換してナトリウムをN比+
で置換し、再びか暁してN世+を分解し、プロトンを残
してブレンステツド酸性度を与えた。使用反応物量、反
応物の性質、ゼオラィト対不活性シリか○の割合、結晶
化条件の詳細を第2表に示す。 イオン交換およびか焼条件を第3表に示す。 比較のためアルミノケィ酸塩殻を有する複合触媒の結果
も示した。この触媒を比較触媒1と名づける。触媒の性
質を第4表に総括する。 X線図の例は実施例4の触媒につき第5表に示す。第1
表 第2表 (1)ュニオン・力−ノミィド・コボレーションから入
手できるシリヵ 久(2 工程凶のようにして製造した
シリヵ(3)重量比3対2のシリカラィトと工程Aから
のシリカの混合物第3表(1)実施例4と5の生成物を
3部分に分け、一つは未か暁(交換後)で残し、第2お
よび第3部分を夫々400℃、475℃でか暁した。 第4表(1)10分後300℃で触媒1夕当りルチジン
/ピリジン保持〃mol(2 実施例4/1は400℃
でか焼、実施例4/2は475℃でか焼(3)実施例5
/1は400℃でか暁、実施例5/2は475℃でか焼
第5表試験結果ガロケィ酸塩またはホゥケィ酸塩からな
る複合触媒の5試料の性能を、上記で規定した比較触媒
こ1、純粋なシリカラィト(ユニオン・カーバィド・コ
ポレーションから入手できる)および通常のアルミノケ
ィ酸塩公M−5(以後比較触媒ロと呼ぶ)と比較した。 比較触媒山ま上記工程(B’に記載の方法でつくったが
、心物質を添加しなかった。比較触媒ロの詳細を第4表
に示す。次に反応に対し触媒を試験した。 ‘a} キシレン異性化 一つのキシレン異性化反応は次の2式により示される。 MK二PX ‘1’MKこO
X ‘2}MX=mーキシレ
ン、PX=pーキシレン、OX=o−キシレン。キシレ
ン異性化に対する触媒の活性は平衡への接近として表わ
される。 平衡へのOX−接近に対しても、類似の定義を使う。 (b】エチルベンゼン減少 エチルベンゼン減少(EBR)は次の4反応により起る
。 ァルキル交換反応:EB十×二Me−EB+T {3
’ァルキル交換反応:EB+Xこdi−Me−EB十B
(4}不均化:2EB二di−EB十B
【5)水素化脱アルキル:EB+日2→B+C2‘
6}水素化分解:EB+日2→C,〜C6/ぐラフイン
{71EB=エチルベンゼ、ン、d;一E
B=ジエチルベンゼン、Me−EB=メチルエチルベン
ゼン、di一Me−EB=ジメチルエチルベンゼン、T
=トルエン、B=ベンゼン、X=キシレン。 EBRは次のようにして計算される。 EBR= E皮フィード中)−EBピ三成物中)XI。 〇%EB(フィード中)【c} キシレソ減少 キシレン減少は反応{3’および(4’および次の3反
応により起る。 不均化:公二T+TMB ■水素化
脱アルキル:×十日2→T十C, (9)水素化
分解:X+日2→C,〜CGバラフィン 胤TMB
ニトリメチルベンゼン。 キシレン減少(XR)は次のようにして計算される。 XR= 全X(フィード中)−全Xピモ成物中)XI。 〇%全X(フイード中)‘d)ガス生成 これは式■、(7}、■、tl■から生じる水素化分解
と水素化脱アルキルの量の尺度であり、生成物試料中の
ライトエンド(C,〜CG/ぐラフィン)の重量%の合
計として測定される。 方法 結合剤としてカオリン15重量%を含む破砕した触媒べ
レット(20〜40メッシュ)5〜10夕を含むU字管
微小反応器で、速度論的測定を行なった。 全触媒を次の条件で試験した。比/炭化水素モル比
4WHSV
5圧 力 3
0バール温度範囲 250〜45
000各試験に使ったフィードの詳細は以下に示す。 パーキン・ェルマAS−100自動試料採取系を備えた
ペントン34/フタル酸ジイソデシルカラムを使い、ガ
スク。マトグラフィーによってフイードおよび生成物の
試料を分析した。ガスパージにより失なわれるガスの量
と分析は、スクアラン毛細管カラムにより測定した。試
験{1’ mーキシレンフィードの異性化 本発明の触媒および通常の触媒の両者を使い、幾つかの
反応器温度で上記条件下で実質上純粋なmーキシレンフ
ィードを異性化した。 各々の場合、フィードはmーキシレン弊.8重量%を含
んでいた。結果 (a)触媒=比較1 反応器温度(℃) 250 275 300 325
350×R O.04 0.12 0.3
5 1.2 35平衡へのPX接近 40.5 8
2.1 97.3 98.3 97.3平衡へのP×接
近 7.0 28.8 61.8 888 95.1
(b)触媒=比較□反応器温度(℃) 275 300
325 350375×R O.2
02 03 09 2.8平衡へのPX接近 26
.6 57.3 83.9 96.4 95.3平衡へ
のOX接近 7.2 22.0 49.8 82.2
96.2(c)触媒=実施例2反応器温度(℃) 2
50275 300 325350XR
O.04 0.12 0.35 1.18 3.46平
衡へのPX接近 40.181.5 96.9 97.
8 97.2平衡へのOX接近 7.69 30.8
64.9 92.5 97.4これらの結果から、ガロ
ケィ酸塩外殻を有する複合触媒を使った本法は、異性化
効率においてアルミノケィ酸塩殻を有する複合触媒を使
った方法と類似であり、また通常のゼオラィトを使った
方法より一層有効なことがわかる。 試験{2} エチルベンゼンのこ渇したフィードの異性化試験(1}
と類似の試験を実験を実施したが、ただしエチルベンゼ
ン2重量%程度を含むエチルベンゼンのこ渇したフィー
ドを使い、実施例2および5の触媒と比較触媒1とシリ
カラィトを使った。 結果【a} 触媒=比較1、予備か焼、NHま交換、4
0000で1鞘時間か蛾。 実験 AB○ 第1実験: フィ−ド:非芳香族 0.01 0.01 0.02ベ
ン ゼ ン 0.01 0.01 −ト ル エ
ン 0,08 0,03 0,10エチルベンゼン 2
.12 2.12 2.10pーキシレン 9.56
9.56 9.63m−キシレン 78.1 78.
1 77.71oーキシレン 10.0 10.010
.38他の芳香族 0.06 0.06 0.01結果
実験A:反応器温度(℃)275 300 325 3
50 375平衡へのP×接近 77.792.198
.7 98.4平衡へのOX接近 35.7 65.6
93.8 1029BR 2.83 9.9
1 30.7 67.5XR O.32 0
.711.93 5.16ガス生成(重量協)0015
0.04 0.1200315実験B:反応器温度(℃
)275 300 325 350375平衡へのPX
接近 73.493.6 95.5 96.3 96.
4平衡へのOX接近 32.7 67.8 90.6
96.6 98.7EBR 5.19 12
.3 34.0 68.9 92.0XR
O.29 0.71 2.01 5.4 12.3ガ
ス生成(重量孫)0.0150.0500.1150.
3350.795実験Cこカス生成(重量略)0.04
50.0950.2400.4901.380‘b}
触媒=実施例2、NH4交換、400qoで1筋時間か
競。 フイード(重量%):非芳香族 0.01ノ
くンゼぐントルエン 0.08 エチルベンゼン 2.07 pーキシレン 9.58 m−キシレン 78.1 oーキシレン 10.1 他の芳香族 0.02 反応器温度(℃)275 300 325 350 3
75 400平衡へのPX接近53.2 86.6 9
6.7 96.8 96.9 97.1平衡へのPX接
近22.154.9 88.2 97.9 99.2
99.48BR I.45 4.35 14.0
38.6 71.0 88.9XR O.6
5 1.08 1.31 2.14 4.79 9.3
2ガス生成(重量※)0.0380.0450.125
0.26‘c’触媒=実施例5、475午0でか椀。 フィ−ド(重量%):非芳香族 0.02ノ
<・ンゼ{ントルエン 0.1 エチルベンゼン 2.03 pーキシレン 9.27 m−キシレン 786 oーキシレン 9.班 他の芳香族 0.02 反応器温度(℃)275 300 325 350 3
75平衡へのPX接近16.1 47.4 76.7
94.8 96.8平衡へのOX接近 9.64 29
.3 58.6 83.9 92.98BR
− 0.49 2.96 9.36 24.1XR
O.24 0.22 0.34 0.57
1.2ガス生成 − 0.02 0.025
0.04 0.06【d’触媒=シリカラィト。 フイード(重量%):非芳香族 0.01ノ
くンゼ・ントルエン 0.13 エチルベンゼン 2.06 pーキシレン 9.40 mーキシレン 78.33 oーキシレン 10.05 他の芳香族 0.02 震う雲亨30032535037540042545。 平衡への * 共 4.71o.416.6 28
.4 57.2PX接近平衡への * x 3.6
6.7 11.218.7 38.00×接近EBR
* 失 ぞ * 夫 * 82XR
渋 井 ぞ × * * Xガス生成 − − 0.
0250.0450.0350.0450.075活性
の満足な測定のためには、生成物の変化の変化%が小さ
すぎる。 平衡へのPXおよびOX接近の結果を第1図および第2
図に示す。 実施例2で製造した触媒は、アルミノケィ酸塩ゼオラィ
ト成分を使った比較触媒1と同一程度の異性化を達成す
るのに、わずかに高温を必要とする。しかし、比較触媒
1は実施例2の触媒よりも著しく高い金属対ケイ素比を
有し、そこで一層活性なことが予想されることを指摘し
ておく。実施例2の触媒と比較触媒1を類似の活性を示
す温度で比較するときでも、実施例2の触媒は芳香族種
の水素化分解により生じるC,〜C6パラフィンへの品
位低下が著しく少ないことが、上記結果の驚くべき面で
ある。実施例5で製造した触媒の結果から、ガリウム含
量を下げると触媒のキシレン異性化活性を下げるが、ま
たC,〜C6パラフィンへの品位低下の極度に著しい減
少となることがわかり、そこで本触媒を一層高温で使っ
て一層大きいキシレン異性化度を得、しかもなおアルミ
ノケィ酸塩ゼオラィト触媒よりも少ない品位低下を受け
ることが可能である。 シリカ多形体「シリカラィト」の結果は、この物質単独
は本発明で使うのが好ましい複合触媒の利点を有さない
ことを、明らかに示している。 450qoではキシレン異性化度は低く、実施例5の触
媒を使い325午0で得られるもの、または実施例2の
触媒を使い300℃で得られるものよりはるかに低く、
またシリカライトは夫々325qo、および300『C
での複合触媒よりも、45ぴ0で高度の品位低下を与え
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、実施例2および5の触媒、および比較触媒1
およびシリカラィトに対する種々の反応器温度での、エ
チルベンゼンのこ渇した混合キシレンフィードの異性化
における平衡へのPX接近を示すグラフである。 第2図は、第1図と同一2触媒に対し、反応器温度に対
しブロットした平衡へのOX接近を示すグラフである。
第3図は本発明の方法の流れ図である。FIG.1. FIG.2. FIG.3.

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 混合C_8フイードからエチルベンゼンを回収して
    混合キシレンと5重量%以下のエチルベンゼンを含むエ
    チルベンゼンのこ渇したフイードを残し、その後エチル
    ベンゼンのこ渇したフイードを異性化条件下に5より大
    きいSiO_2対W_2O_3モル比(ただしWはGa
    およびBの少なくとも1種を表わす)を有しまた1〜1
    2の拘束指数を有するガロケイ酸塩、ホウケイ酸塩、ガ
    ロ/ホウケイ酸塩から選ばれるゼオライトからなる触媒
    と接触させてp−キシレンとo−キシレンに富んだ異性
    化生成物を得、この異性化生成物からp−キシレンおよ
    び(または)o−キシレンを回収し、その後異性化生成
    物をエチルベンゼン回収工程に再循環することを特徴と
    する混合C_8フイードからエチルベンゼンおよびp−
    キシレンおよび(または)o−キシレンを得る方法。 2 当該エチルベンゼンのこ渇したフイードが1〜5重
    量%のエチルベンゼンを含む特許請求の範囲1記載の方
    法。 3 エチルベンゼンのこ渇したフイードを気相で、水素
    の存在で、次の条件 220〜400℃、1〜100バ
    ールの圧力、0.1〜100のWHSV、0.1〜10
    のH_2対炭化水素モル比で当該触媒と接触させる特許
    請求の範囲1または2記載の方法。 4 当該触媒が12より大きいSiO_2対W_2O_
    3モル比を有する特許請求の範囲1〜3のいずれか一項
    に記載の方法。 5 当該ゼオライトがZSM−5のd面間隔に特徴的な
    以下に示すX線回折図を有する特許請求の範囲1〜4の
    いずれか一項に記載の方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (註) s=鋭い、W=弱い、VS= 著しく鋭い。 6 当該触媒がシリカ心にかぶさっているゼオライトか
    らなり、当該シリカ心とゼオライトが実質上同一の結晶
    構造を有する特許請求の範囲1〜5のいずれか一項に記
    載の方法。 7 シリカ対ガリウムおよび(または)ホウ素の平均比
    が、(その酸化物のモル比で表わして)20〜500で
    ある特許請求の範囲6記載の方法。 8 当該シリカ心が、平均直径0.1μより大きいクリ
    スタライト寸法を有する特許請求の範囲6または7記載
    の方法。 9 シリカ心対かぶさっているホウケイ酸塩またはガロ
    ケイ酸塩ゼオライトの重量比が、(SiO_2心対変性
    シリカの反応混合物中のSiO_2の重量比で表わして
    )1対1〜10対1である特許請求の範囲6〜8のいず
    れか一項に記載の方法。 10 シリカ心対かぶさっているゼオライトの重量比が
    1対1〜4対1である特許請求の範囲9記載の方法。
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