JPS60140814A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS60140814A JPS60140814A JP58250049A JP25004983A JPS60140814A JP S60140814 A JPS60140814 A JP S60140814A JP 58250049 A JP58250049 A JP 58250049A JP 25004983 A JP25004983 A JP 25004983A JP S60140814 A JPS60140814 A JP S60140814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- furnace
- wafers
- vertical
- shaft
- vertical type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
- H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H10P72/7618—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating carrousel
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
- H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H10P72/7621—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting two or more semiconductor substrates
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は、紙判を熱処理する縦型炉を有する半導体製造
装置に関する。
装置に関する。
（２）技術の背景
第１図に示すようにウェハ１を例えば石英からなるウェ
ハボート２に載置し３例えば石英からなる横型炉３の中
に収納し、ガス４を横型炉３内に導入しながらヒータ５
によって加熱し、ＣＶＤ。
ハボート２に載置し３例えば石英からなる横型炉３の中
に収納し、ガス４を横型炉３内に導入しながらヒータ５
によって加熱し、ＣＶＤ。
熱酸化、あるいは熱拡散や界面準位の安定化のために熱
処理が行なわれる。しかし、この横型炉３においてはウ
ェハボート２が横型炉３の内面に沿って摺動する際に発
塵を生じて、ウェハに悪影響を及ぼす。
処理が行なわれる。しかし、この横型炉３においてはウ
ェハボート２が横型炉３の内面に沿って摺動する際に発
塵を生じて、ウェハに悪影響を及ぼす。
また、ウェハの大口径化に伴い、ウェハハンドリングは
自動化されており、さらにウェハの重量が重くなってき
ているので、所謂ソフトローディングやノンコンタクト
ローディングが開発されている。ソフトローディングは
、ウェハをウェハボー １−にのせて炉から浮かした状
態で炉内に運＋１Ｌ。
自動化されており、さらにウェハの重量が重くなってき
ているので、所謂ソフトローディングやノンコンタクト
ローディングが開発されている。ソフトローディングは
、ウェハをウェハボー １−にのせて炉から浮かした状
態で炉内に運＋１Ｌ。
炉内の所望の位置にウェハを置いてくるものである。ノ
ンコンタクトローディングはウェハをウェハボートで炉
内に運びウェハを炉壁から浮かした状態のまま熱処理を
行なうものである。
ンコンタクトローディングはウェハをウェハボートで炉
内に運びウェハを炉壁から浮かした状態のまま熱処理を
行なうものである。
（３）従来技術の問題点
横型炉の上記問題点を解消し、ソフトローディング又は
ノンコンタクＩ・ローローディングを効率良く行なうた
めに、第２図に示すような縦型炉が注目を集めている。
ノンコンタクＩ・ローローディングを効率良く行なうた
めに、第２図に示すような縦型炉が注目を集めている。
ウェハ１をウェハボートに載置し、縦型炉６の内壁に接
触しないようにして。
触しないようにして。
炉内に運搬する。この方法では、縦型炉６内での発塵は
防止できるが、多数のウェハを炉内に運び込むためには
、縦型炉６の高さが高くなってしまい、かかる縦型炉６
を室内に設置することは困難でかつ熱処理作業を行なう
ときにも実用的ではなかった。しかも、縦型炉６の長さ
が長いのでガス４の流入口と他の部分との温度が一様で
はなく。
防止できるが、多数のウェハを炉内に運び込むためには
、縦型炉６の高さが高くなってしまい、かかる縦型炉６
を室内に設置することは困難でかつ熱処理作業を行なう
ときにも実用的ではなかった。しかも、縦型炉６の長さ
が長いのでガス４の流入口と他の部分との温度が一様で
はなく。
均一な熱処理を行なうことができなかった。
（４）発明の目的
本発明は、高さが低く、炉内の温度分布が一様で、多数
のウェハに短時間で熱処理を行なえる半導体製造装置に
関する。
のウェハに短時間で熱処理を行なえる半導体製造装置に
関する。
（５）発明の構成
そして上記目的は本発明によれば、中空の縦型炉と、該
縦型炉の内部において、複数枚の被処理基板を各々寝か
せて縦方向に配列してなる列を複数並列に配設する手段
とを有することを特徴とする半導体製造装置を提供する
ことによって達成される。
縦型炉の内部において、複数枚の被処理基板を各々寝か
せて縦方向に配列してなる列を複数並列に配設する手段
とを有することを特徴とする半導体製造装置を提供する
ことによって達成される。
（６）発明の実施例
第３図は本発明の縦型炉の一実施例を示すもので、内径
が大なる縦型炉１０を用意し、炉１０内の中央部に軸１
１を配設し、軸１１と水平方向に複数個のステージを構
成する。例えば１つの平面内において、第３図（ｂ）に
示すように４個のステージ１２を等角度で円状に配設し
、各ステージ」二にウェハ１を配設する。ステージ１２
と軸１１はアーム１３で連結される。
が大なる縦型炉１０を用意し、炉１０内の中央部に軸１
１を配設し、軸１１と水平方向に複数個のステージを構
成する。例えば１つの平面内において、第３図（ｂ）に
示すように４個のステージ１２を等角度で円状に配設し
、各ステージ」二にウェハ１を配設する。ステージ１２
と軸１１はアーム１３で連結される。
そして、ガス４を縦型炉１０内に導入するとともにヒー
タ５によって加熱する。約８００°Ｃに縦型炉を加熱す
るごとによって、ＣＶＤを行なう。
タ５によって加熱する。約８００°Ｃに縦型炉を加熱す
るごとによって、ＣＶＤを行なう。
また８００°Ｃ〜１２００°Ｃでは酸化し、熱拡散は８
００°Ｃ９界面準位の安定化は４００℃くらいで行なう
。これらの熱処理は加熱温度と反応ガスを変えるだけで
同一の縦型炉内で行なえる。
００°Ｃ９界面準位の安定化は４００℃くらいで行なう
。これらの熱処理は加熱温度と反応ガスを変えるだけで
同一の縦型炉内で行なえる。
また、ヒータ５は抵抗加熱だけでなく赤外線加熱でも良
い。さらに軸１１は回転するようにしてウェハの温度分
布とガス濃度分布を一様にすることができる。また、軸
１１をガス導入用のシャワーノズルとして用いることも
できる。
い。さらに軸１１は回転するようにしてウェハの温度分
布とガス濃度分布を一様にすることができる。また、軸
１１をガス導入用のシャワーノズルとして用いることも
できる。
」−記構酸において炉の高さを同じとすれば、従来の４
倍のウェハ１を縦型炉内に収納することができるので、
縦型炉１０の高さを低く抑えることができる。またウェ
ハ１はガス４の入口近くに集中して存在するので、ウェ
ハ１間で炉内温度の分布が一様になる。
倍のウェハ１を縦型炉内に収納することができるので、
縦型炉１０の高さを低く抑えることができる。またウェ
ハ１はガス４の入口近くに集中して存在するので、ウェ
ハ１間で炉内温度の分布が一様になる。
（７）発明の効果
上述したよ・うに１本発明はウェハボートと炉の内壁が
こすり合わないので発塵が避けられるとともに縦型炉の
高さを低くできる上にウェハの温度が一様にしてかつ多
数のウェハを効率良く熱処理できる半導体製造装置を提
供できる。
こすり合わないので発塵が避けられるとともに縦型炉の
高さを低くできる上にウェハの温度が一様にしてかつ多
数のウェハを効率良く熱処理できる半導体製造装置を提
供できる。
第１図は従来の横型炉の断面図、第２図は従来の縦型炉
の断面図、第３図ｆａ）は本発明の一実施例の断面図、
第３図（ｂｌは上記実施例の平面図である。 １・・・ウェハ ４・・・ガス ５・・・ヒータ １０・・・縦型 炉 １１ ・ ・ ・軸 １２・・・ステージ ５− 第２図 第３１，４ （α） （ｂ） ７１−
の断面図、第３図ｆａ）は本発明の一実施例の断面図、
第３図（ｂｌは上記実施例の平面図である。 １・・・ウェハ ４・・・ガス ５・・・ヒータ １０・・・縦型 炉 １１ ・ ・ ・軸 １２・・・ステージ ５− 第２図 第３１，４ （α） （ｂ） ７１−
Claims (1)
- 中空の縦型炉と、該縦型炉の内部において、複数枚の被
処理基板を各々寝かせて縦方向に配列してなる列を複数
並列に配設する手段とを有することを特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250049A JPS60140814A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250049A JPS60140814A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140814A true JPS60140814A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17202045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58250049A Pending JPS60140814A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140814A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6389239U (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-10 | ||
| JPS6390828U (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | ||
| JPS63150913A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄膜生成装置 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58250049A patent/JPS60140814A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6389239U (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-10 | ||
| JPS6390828U (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | ||
| JPS63150913A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄膜生成装置 |
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