JPS60143016A - 弾性表面波共振子 - Google Patents
弾性表面波共振子Info
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- JPS60143016A JPS60143016A JP24815484A JP24815484A JPS60143016A JP S60143016 A JPS60143016 A JP S60143016A JP 24815484 A JP24815484 A JP 24815484A JP 24815484 A JP24815484 A JP 24815484A JP S60143016 A JPS60143016 A JP S60143016A
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- Japan
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- surface acoustic
- acoustic wave
- wave resonator
- resonator
- reflector
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はグレーティング反射器を有する弾性表面波共振
子に関する。
子に関する。
近年、発振器やフィルタ等に使用するだめの弾性表面波
共振子の開発が盛んに行われている。弾性表面波共振子
の基本構成は例えば特開昭５１−２４４号に記載されて
いるように既に知られている。すなわち圧電性基板上に
弾性表面波を励振するだめのインターディジタル電極を
形成するとともに、その両側にス） ＩＪツブ幅λ／４
（λ：弾性表面波波長）の多数本の金属ストリップをλ
／２ピッチで周期的に配列してなるグレーティング反射
器を形成して構成される。インターディジタル電極で励
振された弾性表面波は圧電性基板上を伝搬するが、両側
に設けられたグレーティング反射器により中央方向に反
射される。この反射量はス） ＩＪツブ１本当りではわ
ずかであるが、多数本のストリップにより反射がそれぞ
れ１／２波長の周期長で生じるため、これらの反射は相
加されることになり、合成された反射量はほぼ１に近い
ものになる。このとき圧電性基板上には弾性表面波の強
い定在波が立つことになる。この現象は丁度水晶振動子
の共振に対応する。このようにしてグレーティング反射
器の位置を適当に設定することにより、水晶振動子と同
様の共振子が弾性表面波のモードで実現することができ
る。
共振子の開発が盛んに行われている。弾性表面波共振子
の基本構成は例えば特開昭５１−２４４号に記載されて
いるように既に知られている。すなわち圧電性基板上に
弾性表面波を励振するだめのインターディジタル電極を
形成するとともに、その両側にス） ＩＪツブ幅λ／４
（λ：弾性表面波波長）の多数本の金属ストリップをλ
／２ピッチで周期的に配列してなるグレーティング反射
器を形成して構成される。インターディジタル電極で励
振された弾性表面波は圧電性基板上を伝搬するが、両側
に設けられたグレーティング反射器により中央方向に反
射される。この反射量はス） ＩＪツブ１本当りではわ
ずかであるが、多数本のストリップにより反射がそれぞ
れ１／２波長の周期長で生じるため、これらの反射は相
加されることになり、合成された反射量はほぼ１に近い
ものになる。このとき圧電性基板上には弾性表面波の強
い定在波が立つことになる。この現象は丁度水晶振動子
の共振に対応する。このようにしてグレーティング反射
器の位置を適当に設定することにより、水晶振動子と同
様の共振子が弾性表面波のモードで実現することができ
る。
ところで、このような弾性表面波共振子においてグレー
ティング反射器の金属ストリップは加工性が良い等の利
点からアルミニウムが用いられるのが普通であるが、こ
のようなアルミニウム膜でグレーティング反射器を構成
し動作させたところ、時間とともに共振周波数が大幅に
低下し、それと同時に共振抵抗が上昇し、Ｑが低下する
という現象が認められた。またこのとき電子顕微鏡でグ
レーティング反射器を観測したところ（倍率２０００倍
）使用前においては第１図（、）の顕微鏡写真でわかる
ように何ら破損されていないアルミニウム膜が長時間使
用後においては第１図（ｂ）の顕微鏡写真で明らかのよ
うに中央部が破損し、ひび割れた状態になっており、こ
れが上記共振周波数およびＱの低下をもたらしているこ
とがわかった。
ティング反射器の金属ストリップは加工性が良い等の利
点からアルミニウムが用いられるのが普通であるが、こ
のようなアルミニウム膜でグレーティング反射器を構成
し動作させたところ、時間とともに共振周波数が大幅に
低下し、それと同時に共振抵抗が上昇し、Ｑが低下する
という現象が認められた。またこのとき電子顕微鏡でグ
レーティング反射器を観測したところ（倍率２０００倍
）使用前においては第１図（、）の顕微鏡写真でわかる
ように何ら破損されていないアルミニウム膜が長時間使
用後においては第１図（ｂ）の顕微鏡写真で明らかのよ
うに中央部が破損し、ひび割れた状態になっており、こ
れが上記共振周波数およびＱの低下をもたらしているこ
とがわかった。
このような現象は従来観測された報告はないが、種々検
討したところ、次のような弾性表面波共振子特有の現象
によるものであることが明らかとなった。すなわち弾性
表面波共振子では前述のように圧電性基板上に弾性表面
波の大きな定在波が立つ。このためグレーティング反射
器のアルミニウム膜にこの弾性表面波エネルギーによる
応力が加わる。しかもこの応力は弾性表面波の周波数に
対応した極めて繰り返しの激しい応力である。そこでこ
の定在波とアルミニウム膜の劣化部分の関係を調べたと
ころ第２図のような関係があることがわかった。すなわ
ち第２図（、）の斜線部２１がアルミニウム膜の劣化部
分であってインターディジタル電極部分２２とグレーテ
ィング反射器２３０周辺部を除いた図中斜線部分２４に
劣化が見られた。またこれを第２図（ｂ）の定在波の応
力と対応させてみるとインターディジタル電極２２の中
央部及び反射ストリップの外側端部２５が応力の節、反
射ストリップの内側端部２６が応力の腹に対応しており
、定在波応力の腹の部分即ち応力の大きい部分に対応し
た部分が劣化している事がわかった。このことから前述
のアルミニウム膜の劣化の原因は定在波応力によるもの
であることが確められた。
討したところ、次のような弾性表面波共振子特有の現象
によるものであることが明らかとなった。すなわち弾性
表面波共振子では前述のように圧電性基板上に弾性表面
波の大きな定在波が立つ。このためグレーティング反射
器のアルミニウム膜にこの弾性表面波エネルギーによる
応力が加わる。しかもこの応力は弾性表面波の周波数に
対応した極めて繰り返しの激しい応力である。そこでこ
の定在波とアルミニウム膜の劣化部分の関係を調べたと
ころ第２図のような関係があることがわかった。すなわ
ち第２図（、）の斜線部２１がアルミニウム膜の劣化部
分であってインターディジタル電極部分２２とグレーテ
ィング反射器２３０周辺部を除いた図中斜線部分２４に
劣化が見られた。またこれを第２図（ｂ）の定在波の応
力と対応させてみるとインターディジタル電極２２の中
央部及び反射ストリップの外側端部２５が応力の節、反
射ストリップの内側端部２６が応力の腹に対応しており
、定在波応力の腹の部分即ち応力の大きい部分に対応し
た部分が劣化している事がわかった。このことから前述
のアルミニウム膜の劣化の原因は定在波応力によるもの
であることが確められた。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、長時間
の使用においてもグレーティング反射器の金属ストリッ
プの劣化がなく共振周波数が低下しない安定な弾性表面
波共振子を提供することを目的とするものである。
の使用においてもグレーティング反射器の金属ストリッ
プの劣化がなく共振周波数が低下しない安定な弾性表面
波共振子を提供することを目的とするものである。
また、本発明の他の目的はＱが犬、きく、また長時間の
使用においてＱが低下しない弾性表面波共振子を提供す
ることにある。
使用においてＱが低下しない弾性表面波共振子を提供す
ることにある。
本発明は弾性表面波共振子の共振周波数の低下およびＱ
の低下が応力によるグレーティング反射器の劣化に起因
することから、グレーティング反射器の金属ス） ＩＪ
ツブ材料について検討し、その結果に基いてなされたも
ので、上記金属ストリップをシリコンを不純物として含
有したアルミニウムで形成するようにしたものである。
の低下が応力によるグレーティング反射器の劣化に起因
することから、グレーティング反射器の金属ス） ＩＪ
ツブ材料について検討し、その結果に基いてなされたも
ので、上記金属ストリップをシリコンを不純物として含
有したアルミニウムで形成するようにしたものである。
しかしてこのような金属材料にてグレーティング反射器
を形成した本発明の弾性表面波共振子によると、長時間
の使用においても、共振周波数の低下およびＱの低下の
ない安定な特性を得ることができる。
を形成した本発明の弾性表面波共振子によると、長時間
の使用においても、共振周波数の低下およびＱの低下の
ない安定な特性を得ることができる。
以下本発明を図面を参照して詳細に説明する。
第３図は本発明の一実施例による弾性表面波共振子を示
すものである。この弾性表面波共振子は例えばタンタル
酸リチウム（Ｌ ｉ Ｔａ０Ｂ ）ニオブ酸リチウム（
Ｌ １Ｎｂ０３ ）などの圧電性基板３１上に入力電気
信号を上記圧電性基板３１上を伝搬する弾性表面波に変
換するだめのトランスジューサ、例えば一対の櫛歯状電
極３２ａ、 ３２ｂを互いにかみ合わせてなるインター
ディジタル電極３２が形成されている。
すものである。この弾性表面波共振子は例えばタンタル
酸リチウム（Ｌ ｉ Ｔａ０Ｂ ）ニオブ酸リチウム（
Ｌ １Ｎｂ０３ ）などの圧電性基板３１上に入力電気
信号を上記圧電性基板３１上を伝搬する弾性表面波に変
換するだめのトランスジューサ、例えば一対の櫛歯状電
極３２ａ、 ３２ｂを互いにかみ合わせてなるインター
ディジタル電極３２が形成されている。
このインターディジタル電極３２は入力端子ＩＮに供給
される入力電気信号を圧電性基板３１の表面を伝搬する
弾性表面波に変換する。またこのインターディジタル電
極３２の両側の圧電性基板３１上にはそれぞれ前記イン
ターディジタル電極２で励振された弾性表面波を反射す
るためのグレーティング反射器３３．３４が形成されて
いる。このグレーティング反射器３３ 、３４はストリ
ップ幅λ／４の多数の金属ストリップをλ／２ピッチの
周期で配列したもので、各金属ストリップで反射した反
射波がすべて同相で相加されるようになっている。また
これら金属ストリップは端部が互いに電気的に短絡され
ている。
される入力電気信号を圧電性基板３１の表面を伝搬する
弾性表面波に変換する。またこのインターディジタル電
極３２の両側の圧電性基板３１上にはそれぞれ前記イン
ターディジタル電極２で励振された弾性表面波を反射す
るためのグレーティング反射器３３．３４が形成されて
いる。このグレーティング反射器３３ 、３４はストリ
ップ幅λ／４の多数の金属ストリップをλ／２ピッチの
周期で配列したもので、各金属ストリップで反射した反
射波がすべて同相で相加されるようになっている。また
これら金属ストリップは端部が互いに電気的に短絡され
ている。
このような構成の弾性表面波共振子において、本発明で
は前記グレーティング反射器３２の金属ストリップはシ
リコンを不純物として含有したアルミニウムで構成され
ている。シリコンの含有量は特に制限はないが、純粋な
アルミニウムといえども０．０１％程度シリコンが含ま
れていることを考えるとそれ以上であり、また５０％以
上になるとこれらはもはや不純物とは言えなくなる。実
用上は全体の１０％以下程度が共振子の性能上並びに加
工上望ましいものと思われる。
は前記グレーティング反射器３２の金属ストリップはシ
リコンを不純物として含有したアルミニウムで構成され
ている。シリコンの含有量は特に制限はないが、純粋な
アルミニウムといえども０．０１％程度シリコンが含ま
れていることを考えるとそれ以上であり、また５０％以
上になるとこれらはもはや不純物とは言えなくなる。実
用上は全体の１０％以下程度が共振子の性能上並びに加
工上望ましいものと思われる。
このようにしてシリコンを不純物として含有したアルミ
ニウムで構成したグレーティング反射器を有する本発明
の弾性表面波共振子によると次のような顕著な効果が認
められた。
ニウムで構成したグレーティング反射器を有する本発明
の弾性表面波共振子によると次のような顕著な効果が認
められた。
第４図は上記本発明の弾性表面波共振子を下記のような
条件で設計し、温度が６５℃の雰囲気中で２ｍＷの励振
電力で動作させたときの、時間経過に対する共振子の共
振周波数変化率を示したものである。すなわち弾性表面
波共振子の設計条件は圧電性基板としてＸカッ） Ｌｉ
ＴａＯ３を用い、弾性表面波の伝搬方向をＹ軸より１１
２°傾いた方向に設定した。インターディジタル電極２
は１１対の電極指から構成（−１またグレーティング反
射器３３．３４はそれぞれ２００本のストリップから構
成した。まし、同様にストリップ相互の間隔も９．０μ
ｍとした。
条件で設計し、温度が６５℃の雰囲気中で２ｍＷの励振
電力で動作させたときの、時間経過に対する共振子の共
振周波数変化率を示したものである。すなわち弾性表面
波共振子の設計条件は圧電性基板としてＸカッ） Ｌｉ
ＴａＯ３を用い、弾性表面波の伝搬方向をＹ軸より１１
２°傾いた方向に設定した。インターディジタル電極２
は１１対の電極指から構成（−１またグレーティング反
射器３３．３４はそれぞれ２００本のストリップから構
成した。まし、同様にストリップ相互の間隔も９．０μ
ｍとした。
さらにインターディジタル電極２とグレーティンれらの
開口長はそれぞれ０．７ｒｍｎとした。グレーティング
反射器３３．３４はアルミニウムにシリコンを２％混入
して厚さ１．３μｍでＬｉＴａＯ３基板上に蒸着し製作
した。また本発明の弾性表面波共振子と比較するために
グレーティング反射器３３．３４を純粋なアルミニウム
膜で形成したものを同様に製作した。
開口長はそれぞれ０．７ｒｍｎとした。グレーティング
反射器３３．３４はアルミニウムにシリコンを２％混入
して厚さ１．３μｍでＬｉＴａＯ３基板上に蒸着し製作
した。また本発明の弾性表面波共振子と比較するために
グレーティング反射器３３．３４を純粋なアルミニウム
膜で形成したものを同様に製作した。
第４図において曲線４１はグレーティング反射器を上記
純粋なアルミニウム膜で形成した場合の共振子の特性を
示し、また曲線４３はグレーティング反射器をアルミニ
ウムにシリコンを２％混入した上記本発明の共振子の特
性を示している。この図から明らかのようにグレーティ
ング反射器を純粋なアルミニウム膜で形成したものは時
間とともに大幅に共振周波数の低下が認められるのに対
し、本発明の弾性表面波共振子によると、共振周波数の
低下が大幅に減少されていることがわかる。すなわち１
０００時間経過後では純粋なアルミニウムを使用した場
合共振周波数の変化率は−０，０４５％であるのに対し
、不純物としてシリコンを混入した本発明では−０，０
１７％であり、共振周波数の低下は約１／３に抑えるこ
とができる。なお、アルミニウムにシリコンを混入した
上記本発明の弾性表面波共振子においても上記のように
共振周波数の若干の低下が見られたが、その原因が弾性
表面波の定在波応力による反射器ストリップの劣化によ
るものであるかどうか検討するために純粋なアルミニウ
ムとシリコンを混入したアルミニウムの２種の共振子を
非動作状態で放置し、各時間経過後における共振周波数
の変化をとったところ、いずれも第４図の曲線４３とほ
ぼ等しい特性が得られた。
純粋なアルミニウム膜で形成した場合の共振子の特性を
示し、また曲線４３はグレーティング反射器をアルミニ
ウムにシリコンを２％混入した上記本発明の共振子の特
性を示している。この図から明らかのようにグレーティ
ング反射器を純粋なアルミニウム膜で形成したものは時
間とともに大幅に共振周波数の低下が認められるのに対
し、本発明の弾性表面波共振子によると、共振周波数の
低下が大幅に減少されていることがわかる。すなわち１
０００時間経過後では純粋なアルミニウムを使用した場
合共振周波数の変化率は−０，０４５％であるのに対し
、不純物としてシリコンを混入した本発明では−０，０
１７％であり、共振周波数の低下は約１／３に抑えるこ
とができる。なお、アルミニウムにシリコンを混入した
上記本発明の弾性表面波共振子においても上記のように
共振周波数の若干の低下が見られたが、その原因が弾性
表面波の定在波応力による反射器ストリップの劣化によ
るものであるかどうか検討するために純粋なアルミニウ
ムとシリコンを混入したアルミニウムの２種の共振子を
非動作状態で放置し、各時間経過後における共振周波数
の変化をとったところ、いずれも第４図の曲線４３とほ
ぼ等しい特性が得られた。
このことから本発明の共振子における上記共振周波数の
低下は定在波応力によるグレーティング反射器の劣化に
よるものではなく、他の原因によるものであることがわ
かった。つまり本発明の弾性表面波共振子においては弾
性表面波の定在波応力によってはグレーティング反射器
の劣化はほとんど起こらないということが明らかになっ
た。
低下は定在波応力によるグレーティング反射器の劣化に
よるものではなく、他の原因によるものであることがわ
かった。つまり本発明の弾性表面波共振子においては弾
性表面波の定在波応力によってはグレーティング反射器
の劣化はほとんど起こらないということが明らかになっ
た。
事実、本発明による弾性表面波共振子のグレーティング
反射器を顕微鏡で観察したところ、長時間動作させた後
でもストリップ膜にはほとんど劣化していないことが認
められた。
反射器を顕微鏡で観察したところ、長時間動作させた後
でもストリップ膜にはほとんど劣化していないことが認
められた。
第５図はアルミニウムに不純物としてシリコンを混入し
、１力を印加しないで１０００時間放１筺したときの写
真であるが、電力全印加した場合もほとんど変化はなか
った。なお、図中のストリップ膜の下辺部に横方向の白
線状部がみられるがこれはシリコンの残渣であって、α
極破損部ではない。
、１力を印加しないで１０００時間放１筺したときの写
真であるが、電力全印加した場合もほとんど変化はなか
った。なお、図中のストリップ膜の下辺部に横方向の白
線状部がみられるがこれはシリコンの残渣であって、α
極破損部ではない。
このシリコンの残渣は必要に応じエツチング等で除去す
ることができる。
ることができる。
また第６図は表面波励振レベルを変化させたときの共振
周波数変化率を表わすもので、曲線６１〜６４に示すよ
うに純粋なアルミニウムで反射器を構成したものにおい
ては励振レベルを上げると共振周波数が大きく変化する
のに対し、本発明によると曲線６５に示すように励振レ
ベルの変化に対しても共振周波数はほとんど変化しない
ことがわかる。
周波数変化率を表わすもので、曲線６１〜６４に示すよ
うに純粋なアルミニウムで反射器を構成したものにおい
ては励振レベルを上げると共振周波数が大きく変化する
のに対し、本発明によると曲線６５に示すように励振レ
ベルの変化に対しても共振周波数はほとんど変化しない
ことがわかる。
特に純粋なアルミニウムの反射器ストリップでは励振レ
ベルが大きいほど劣化が大きく共振周波数の変化が大き
くなるのに対し、本発明では励振レベルが大きくても共
振周波数が変化しないことから、本発明の共振子は励振
レベルが高い状態で使用されるほど、その効果が顕著に
あられれる。
ベルが大きいほど劣化が大きく共振周波数の変化が大き
くなるのに対し、本発明では励振レベルが大きくても共
振周波数が変化しないことから、本発明の共振子は励振
レベルが高い状態で使用されるほど、その効果が顕著に
あられれる。
このように純粋なアルミニウムの反射器ストリップの劣
化は励振レベルの大きさによって変化するが、一般に励
振レベルが何ｍＷ以上のときにその劣化が問題になり、
それに対して本発明が有効であるか明確に述べることは
難しい。何故なら本実験例では励振レベルが０．５ｍＷ
程度以下でγルミニクム反射器ス） ＩＪツブ、に劣化
が観測されたが、基板材料、共振周波数、電極形状など
が変化すると必ずしもこの励振レベルが対応しなくなる
。しかしながら、反射器ストリップの劣化の原因が表面
波応力によるものであることから、共振子表面の応力の
大−きさが１０５ （ＮａＷｔｍ／ｍ’ １程度以上の
とき反射器ストリップの劣化が問題となると考えられ、
本発明ではこのような応力が加わっても反射器ストリッ
プの劣化がなく有効である。このように不純物を混入し
たアルミニウム膜において、その劣化が純粋なアルミニ
ウムよりも少ない理由は正確には解明されていないが、
アルミニウムの結晶粒界に不純物が析出し、これが核と
なってバウンダリーが出来、これが金属疲労による劣化
を防いでいるものと考えられる。
化は励振レベルの大きさによって変化するが、一般に励
振レベルが何ｍＷ以上のときにその劣化が問題になり、
それに対して本発明が有効であるか明確に述べることは
難しい。何故なら本実験例では励振レベルが０．５ｍＷ
程度以下でγルミニクム反射器ス） ＩＪツブ、に劣化
が観測されたが、基板材料、共振周波数、電極形状など
が変化すると必ずしもこの励振レベルが対応しなくなる
。しかしながら、反射器ストリップの劣化の原因が表面
波応力によるものであることから、共振子表面の応力の
大−きさが１０５ （ＮａＷｔｍ／ｍ’ １程度以上の
とき反射器ストリップの劣化が問題となると考えられ、
本発明ではこのような応力が加わっても反射器ストリッ
プの劣化がなく有効である。このように不純物を混入し
たアルミニウム膜において、その劣化が純粋なアルミニ
ウムよりも少ない理由は正確には解明されていないが、
アルミニウムの結晶粒界に不純物が析出し、これが核と
なってバウンダリーが出来、これが金属疲労による劣化
を防いでいるものと考えられる。
このように本発明によると、長時間の使用においても共
振周波数の変化の少ない弾性表面波共振子を得ることが
できる。
振周波数の変化の少ない弾性表面波共振子を得ることが
できる。
一方本発明の弾性表面波共振子によるとさらに次のよう
な新しい有効な効果が得られることがわかった。すなわ
ちグレーティング反射器を純粋なアルミニウム膜で構成
した弾性表面波共振子では共振抵抗が２４オームでＱは
約１２０００で委るのに対し、アルミニウムにシリコン
２％を混入したものでは共振抵抗１７オニムでＱは約１
７０００のものが得られた。これは多数試作したサンプ
ルの平均値であり、いずれも約２０％程度のバラツキは
あるが、純粋なアルミニウムでグレーティング反射器を
構成した場合に比べて顕著なＱの増大が認められる。
な新しい有効な効果が得られることがわかった。すなわ
ちグレーティング反射器を純粋なアルミニウム膜で構成
した弾性表面波共振子では共振抵抗が２４オームでＱは
約１２０００で委るのに対し、アルミニウムにシリコン
２％を混入したものでは共振抵抗１７オニムでＱは約１
７０００のものが得られた。これは多数試作したサンプ
ルの平均値であり、いずれも約２０％程度のバラツキは
あるが、純粋なアルミニウムでグレーティング反射器を
構成した場合に比べて顕著なＱの増大が認められる。
前述のように弾性表面波共振子は発振器やフィルタに適
用されるが、Ｑの大きい共振子はど安定な発振器を構成
することができ、またＱの大きい共振子はど挿入損失の
少いフィルタを構成することができるので、本発明の弾
性表面波共振子はかかる点からも極めて有効である。
用されるが、Ｑの大きい共振子はど安定な発振器を構成
することができ、またＱの大きい共振子はど挿入損失の
少いフィルタを構成することができるので、本発明の弾
性表面波共振子はかかる点からも極めて有効である。
以上のように本発明によると安定かつ特性の良好なる弾
性表面波共振子を得ることができる。
性表面波共振子を得ることができる。
なお、前記実施例では圧電性基板としてＸカッ） Ｌ
ｉ Ｔ ＊ Ｏｓを用いた場合について説明したが、水
晶、Ｌ ｉ Ｎｂ Ｏｓ等の圧電性基板に対しても同様
に適用でき有効である。また本発明はグレーティング反
射器を有する弾性表面波共振子すべてに適用でき、前記
実施例のパターンに限定されるものではない。
ｉ Ｔ ＊ Ｏｓを用いた場合について説明したが、水
晶、Ｌ ｉ Ｎｂ Ｏｓ等の圧電性基板に対しても同様
に適用でき有効である。また本発明はグレーティング反
射器を有する弾性表面波共振子すべてに適用でき、前記
実施例のパターンに限定されるものではない。
さらにまたアルミニウムに混入する不純物はシリコンだ
けでなく、銅、歯、Ｃｒ、Ｍｇ等を一諸に混入すること
も有効であると思われる。
けでなく、銅、歯、Ｃｒ、Ｍｇ等を一諸に混入すること
も有効であると思われる。
またこれら不純物の混入したアルミニウム膜を形成する
のに予め不純物を適当な重量混入させたアルミニウムを
ターゲットにし、スパッタ蒸着、ヒータ加熱あるいは電
子ビームによる蒸着を行なえば純粋アルミニウム膜での
弾性表面波共振子の製造プロセスと全く同一の工程で行
うことができる。
のに予め不純物を適当な重量混入させたアルミニウムを
ターゲットにし、スパッタ蒸着、ヒータ加熱あるいは電
子ビームによる蒸着を行なえば純粋アルミニウム膜での
弾性表面波共振子の製造プロセスと全く同一の工程で行
うことができる。
さらにまた本発明は弾性表面波共振子に適用した場合に
ついて説明したが、弾性表面波フィルタなどすべての弾
性表面波装置に適用することができる。
ついて説明したが、弾性表面波フィルタなどすべての弾
性表面波装置に適用することができる。
第１図は純粋なアルミニウム反射器ストリップの使用前
および長時間動作後の表面の状態を示す顕微鏡写真、第
２図はグレーティング反射器ストリップの劣化部分およ
び弾性表面波の定在波の応力分布を示す図、第３図は本
発明の弾性表面波共振子の一実施例を示す図、第４図は
本発明の実施例に依る共振子の動作時間に対する共振周
波数の変化を示す図、第５図は本発明による反射器スト
リップの顕微鏡写真、第６図は表面波励振レベルの変化
に対する共振波数の変化を示す図である。 ３１・・・圧電性基板、３２・・・インターディジタル
電極、３３、３４・・・グレーティング反射器。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （他１名） 第１図 （α） （ら） 第２図 第３図 ＡＩ 第４図 ３θ ／ρρ ３ρρ ｌρθρ 蛸−向Ｄ％向〕 第５図
および長時間動作後の表面の状態を示す顕微鏡写真、第
２図はグレーティング反射器ストリップの劣化部分およ
び弾性表面波の定在波の応力分布を示す図、第３図は本
発明の弾性表面波共振子の一実施例を示す図、第４図は
本発明の実施例に依る共振子の動作時間に対する共振周
波数の変化を示す図、第５図は本発明による反射器スト
リップの顕微鏡写真、第６図は表面波励振レベルの変化
に対する共振波数の変化を示す図である。 ３１・・・圧電性基板、３２・・・インターディジタル
電極、３３、３４・・・グレーティング反射器。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （他１名） 第１図 （α） （ら） 第２図 第３図 ＡＩ 第４図 ３θ ／ρρ ３ρρ ｌρθρ 蛸−向Ｄ％向〕 第５図
Claims (2)
- （１）圧電性基板と、この圧電性基板上に設けられた入
力電気信号を前記圧′電性基板上を伝搬する弾性表面波
に変換するための弾性表面波用変換器と、この変換器に
対向して前記圧電性基板上に設けられた前記弾性表面波
を反射するための多数の金属ストリップを周期的に配列
してなる反射器とを有し、前記反射器を構成する金属ス
トリップをシリコンを不純物として含有したアルミニウ
ムで構成したことを特徴とする弾性表面波共振子。 - （２）表面波用変換器は反射器の金属ス） ＩＪッグと
同一材料で形成されたインターディジタル電極であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波
共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24815484A JPS60143016A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 弾性表面波共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24815484A JPS60143016A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 弾性表面波共振子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17715980A Division JPS57101413A (en) | 1980-12-17 | 1980-12-17 | Surface acoustic wave resonator |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7008689A Division JPH02131608A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 弾性表面波共振子 |
| JP7008789A Division JPH02131609A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 弾性表面波発振器 |
| JP7008889A Division JPH02131607A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 弾性表面波共振子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143016A true JPS60143016A (ja) | 1985-07-29 |
| JPS6147011B2 JPS6147011B2 (ja) | 1986-10-17 |
Family
ID=17174020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24815484A Granted JPS60143016A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 弾性表面波共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60143016A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02131607A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-05-21 | Toshiba Corp | 弾性表面波共振子の製造方法 |
-
1984
- 1984-11-26 JP JP24815484A patent/JPS60143016A/ja active Granted
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| PROCEEDIGS OF THE 30TH ANUAL SYMPOSIUM ON FREQUENCY CONTROL=1976 * |
| THIN SOLID FILMS=1979 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02131607A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-05-21 | Toshiba Corp | 弾性表面波共振子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6147011B2 (ja) | 1986-10-17 |
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