JPS6147010B2 - - Google Patents
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- JPS6147010B2 JPS6147010B2 JP55177159A JP17715980A JPS6147010B2 JP S6147010 B2 JPS6147010 B2 JP S6147010B2 JP 55177159 A JP55177159 A JP 55177159A JP 17715980 A JP17715980 A JP 17715980A JP S6147010 B2 JPS6147010 B2 JP S6147010B2
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- JP
- Japan
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- surface acoustic
- acoustic wave
- reflector
- present
- resonator
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02685—Grating lines having particular arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
- H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はグレーテイング反射器を有する弾性表
面波共振子に関する。
面波共振子に関する。
近年、発振器やフイルタ等に使用するための弾
性表面波共振子の開発が盛んに行われている。弾
性表面波共振子の基本構成は例えば特開昭51−
244号に記載されているように既に知られてい
る。すなわち圧電性基板上に弾性表面波を励振す
るためのインターデイジタル電極を形成するとと
もに、その両側にストリツプ幅λ／４（λ：弾性
表面波波長）の多数本の金属ストリツプをλ／２
ピツチで周期的に配列してなるグレーテイング反
射器を形成して構成される。インターデイジタル
電極で励振された弾性表面波は圧電性基板上を伝
搬するが、両側に設けられたグレーテイング反射
器により中央方向に反射される。この反射量はス
トリツプ１本当りではわずかであるが、多数本の
ストリツプにより反射がそれぞれ1/2波長の周期
長で生じるため、これらの反射は相加されること
になり、合成された反射量はほぼ１に近いものに
なる。このとき圧電性基板上には弾性表面波の強
い定在波が立つことになる。この現象は丁度水晶
振動子の共振に対応する。このようにしてグレー
テイング反射器の位置を適当に設定することによ
り、水晶振動子と同様の共振子が弾性表面波のモ
ードで実現することができる。
性表面波共振子の開発が盛んに行われている。弾
性表面波共振子の基本構成は例えば特開昭51−
244号に記載されているように既に知られてい
る。すなわち圧電性基板上に弾性表面波を励振す
るためのインターデイジタル電極を形成するとと
もに、その両側にストリツプ幅λ／４（λ：弾性
表面波波長）の多数本の金属ストリツプをλ／２
ピツチで周期的に配列してなるグレーテイング反
射器を形成して構成される。インターデイジタル
電極で励振された弾性表面波は圧電性基板上を伝
搬するが、両側に設けられたグレーテイング反射
器により中央方向に反射される。この反射量はス
トリツプ１本当りではわずかであるが、多数本の
ストリツプにより反射がそれぞれ1/2波長の周期
長で生じるため、これらの反射は相加されること
になり、合成された反射量はほぼ１に近いものに
なる。このとき圧電性基板上には弾性表面波の強
い定在波が立つことになる。この現象は丁度水晶
振動子の共振に対応する。このようにしてグレー
テイング反射器の位置を適当に設定することによ
り、水晶振動子と同様の共振子が弾性表面波のモ
ードで実現することができる。
ところで、このような弾性表面波共振子におい
てグレーテイング反射器の金属ストリツプは加工
性が良い等の利点からアルミニウムが用いられる
のが普通であるが、このようなアルミニウム膜で
グレーテイング反射器を構成し動作させたとこ
ろ、時間とともに共振周波数が大幅に低下し、そ
れと同時に共振抵抗が上昇し、Ｑが低下するとい
う現象が認められた。またこのとき電子顕微鏡で
グレーテイング反射器を観測したところ（倍率
2000倍）使用前においては第１図ａの顕微鏡写真
でわかるように何ら破損されていないアルミニウ
ム膜が長時間使用後においては第１図ｂの顕微鏡
写真で明らかのように中央部が破損し、ひび割れ
た状態になつており、これが上記共振周波数およ
びＱの低下をもたらしていることがわかつた。
てグレーテイング反射器の金属ストリツプは加工
性が良い等の利点からアルミニウムが用いられる
のが普通であるが、このようなアルミニウム膜で
グレーテイング反射器を構成し動作させたとこ
ろ、時間とともに共振周波数が大幅に低下し、そ
れと同時に共振抵抗が上昇し、Ｑが低下するとい
う現象が認められた。またこのとき電子顕微鏡で
グレーテイング反射器を観測したところ（倍率
2000倍）使用前においては第１図ａの顕微鏡写真
でわかるように何ら破損されていないアルミニウ
ム膜が長時間使用後においては第１図ｂの顕微鏡
写真で明らかのように中央部が破損し、ひび割れ
た状態になつており、これが上記共振周波数およ
びＱの低下をもたらしていることがわかつた。
このような現象は従来観測された報告はない
が、種々検討したところ、次のような弾性表面波
共振子特有の現象によるものであることが明らか
となつた。すなわち弾性表面波共振子では前述の
ように圧電性基板上に弾性表面波の大きな定在波
が立つ。このためグレーテイング反射器のアルミ
ニウム膜にこの弾性表面波エネルギーによる応力
が加わる。しかもこの応力は弾性表面波の周波数
に対応した極めて繰り返しの激しい応力である。
そこでこの定在波とアルミニウム膜の劣化部分の
関係を調べたところ第２図のような関係があるこ
とがわかつた。すなわち第２図ａの斜視部２１が
アルミニウム膜の劣化部分であつてインターデイ
ジタル電極部分２２とグレーテイング反射器２３
の周辺部を除いた図中斜線部分２４に劣化が見ら
れた。またこれを第２図ｂの定在波の応力と対応
させてみるとインターデイジタル電極２２の中央
部及び反射ストリツプの外側端部２５が応力の
節、反射ストリツプの内側端部２６が応力の腹に
対応しており、定在波応力の腹の部分即ち応力の
大きい部分に対応した部分が劣化している事がわ
かつた。このことから前述のアルミニウム膜の劣
化の原因は定在波応力によるものであることが確
められた。
が、種々検討したところ、次のような弾性表面波
共振子特有の現象によるものであることが明らか
となつた。すなわち弾性表面波共振子では前述の
ように圧電性基板上に弾性表面波の大きな定在波
が立つ。このためグレーテイング反射器のアルミ
ニウム膜にこの弾性表面波エネルギーによる応力
が加わる。しかもこの応力は弾性表面波の周波数
に対応した極めて繰り返しの激しい応力である。
そこでこの定在波とアルミニウム膜の劣化部分の
関係を調べたところ第２図のような関係があるこ
とがわかつた。すなわち第２図ａの斜視部２１が
アルミニウム膜の劣化部分であつてインターデイ
ジタル電極部分２２とグレーテイング反射器２３
の周辺部を除いた図中斜線部分２４に劣化が見ら
れた。またこれを第２図ｂの定在波の応力と対応
させてみるとインターデイジタル電極２２の中央
部及び反射ストリツプの外側端部２５が応力の
節、反射ストリツプの内側端部２６が応力の腹に
対応しており、定在波応力の腹の部分即ち応力の
大きい部分に対応した部分が劣化している事がわ
かつた。このことから前述のアルミニウム膜の劣
化の原因は定在波応力によるものであることが確
められた。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもの
で、長時間の使用においてもグレーテイング反射
器の金属ストリツプの劣化がなく共振周波数が低
下しない安定な弾性表面波共振子を提供すること
を目的とするものである。
で、長時間の使用においてもグレーテイング反射
器の金属ストリツプの劣化がなく共振周波数が低
下しない安定な弾性表面波共振子を提供すること
を目的とするものである。
また、本発明の他の目的はＱが大きく、また長
時間の使用においてＱが低下しない弾性表面波共
振子を提供することにある。
時間の使用においてＱが低下しない弾性表面波共
振子を提供することにある。
本発明は弾性表面波共振子の共振周波数の低下
およびＱの低下が応力によるグレーテイング反射
器の劣化に起因することから、グレーテイング反
射器の金属ストリツプ材料について検討し、その
結果に基いてなされたもので、上記金属ストリツ
プを銅を不純物として含有したアルミニウムで形
成するようにしたものである。しかしてこのよう
な金属材料にてグレーテイング反射器を形成した
本発明の弾性表面波共振子によると、長時間の使
用においても、共振周波数の低下およびＱの低下
のない安定な特性を得ることができる。
およびＱの低下が応力によるグレーテイング反射
器の劣化に起因することから、グレーテイング反
射器の金属ストリツプ材料について検討し、その
結果に基いてなされたもので、上記金属ストリツ
プを銅を不純物として含有したアルミニウムで形
成するようにしたものである。しかしてこのよう
な金属材料にてグレーテイング反射器を形成した
本発明の弾性表面波共振子によると、長時間の使
用においても、共振周波数の低下およびＱの低下
のない安定な特性を得ることができる。
以下本発明を図面を参照して詳細に説明する。
第３図は本発明の一実施例による弾性表面波共
振子を示すものである。この弾性表面波共振子は
例えばタンタル酸リチウム（LiTaO3）ニオブ酸リ
チウム（LiNbO3）などの圧電性基板３１上に入力
電気信号を上記圧電性基板３１上を伝搬する弾性
表面波に変換するためのトランスジユーサ、例え
ば一対の櫛歯状電極３２ａ，３２ｂを互いにかみ
合わせてなるインターデイジタル電極３２が形成
されている。このインターデイジタル電極３２は
入力端子INに供給される入力電気信号を圧電性
基板３１の表面を伝搬する弾性表面波に変換す
る。またこのインターデイジタル電極３２の両側
の圧電性基板３１上にはそれぞれ前記インターデ
イジタル電極２で励振された弾性表面波を反射す
るためのグレーテイング反射器３３，３４が形成
されている。このグレーテイング反射器３３，３
４はストリツプ幅λ／４の多数の金属ストリツプ
をλ／２ピツチの周期で配列したもので、各金属
ストリツプで反射した反射波がすべて同相で相加
されるようになつている。またこれら金属ストリ
ツプは端部が互いに電気的に短絡されている。
振子を示すものである。この弾性表面波共振子は
例えばタンタル酸リチウム（LiTaO3）ニオブ酸リ
チウム（LiNbO3）などの圧電性基板３１上に入力
電気信号を上記圧電性基板３１上を伝搬する弾性
表面波に変換するためのトランスジユーサ、例え
ば一対の櫛歯状電極３２ａ，３２ｂを互いにかみ
合わせてなるインターデイジタル電極３２が形成
されている。このインターデイジタル電極３２は
入力端子INに供給される入力電気信号を圧電性
基板３１の表面を伝搬する弾性表面波に変換す
る。またこのインターデイジタル電極３２の両側
の圧電性基板３１上にはそれぞれ前記インターデ
イジタル電極２で励振された弾性表面波を反射す
るためのグレーテイング反射器３３，３４が形成
されている。このグレーテイング反射器３３，３
４はストリツプ幅λ／４の多数の金属ストリツプ
をλ／２ピツチの周期で配列したもので、各金属
ストリツプで反射した反射波がすべて同相で相加
されるようになつている。またこれら金属ストリ
ツプは端部が互いに電気的に短絡されている。
このような構成の弾性表面波共振子において、
本発明では前記グレーテイング反射器３２の金属
ストリツプは銅を不純物として含有したアルミニ
ウムで構成されている。銅の含有量は特に制限は
ないが、純粋なアルミニウムといえども0.01％程
度銅やシリコンが含まれていることを考えるとそ
れ以上であり、また50％以上になるとこれらはも
はや不純物とは言えなくなる。実用上は全体の10
％以下程度の共振子の性能上並びに加工上望まし
いものと思われる。
本発明では前記グレーテイング反射器３２の金属
ストリツプは銅を不純物として含有したアルミニ
ウムで構成されている。銅の含有量は特に制限は
ないが、純粋なアルミニウムといえども0.01％程
度銅やシリコンが含まれていることを考えるとそ
れ以上であり、また50％以上になるとこれらはも
はや不純物とは言えなくなる。実用上は全体の10
％以下程度の共振子の性能上並びに加工上望まし
いものと思われる。
このようにして銅を不純物として含有したアル
ミニウムで構成したグレーテイング反射器を有す
る本発明の弾性表面波共振子によると次のような
顕著な効果が認められた。
ミニウムで構成したグレーテイング反射器を有す
る本発明の弾性表面波共振子によると次のような
顕著な効果が認められた。
第４図は上記本発明の弾性表面波共振子を下記
のような条件で設計し、温度が65℃の雰囲気中で
２ｍＷの励振電力で動作させたときの、時間経過
に対する共振子の共振周波数変化率を示したもの
である。すなわち弾性表面波共振子の設計条件は
圧電性基板としてＸカツトLiTaO3を用い、弾性
表面波の伝搬方向をＹ軸より112゜傾いた方向に
設定した。インターデイジタル電極２は11対の電
極指から構成し、またグレーテイング反射器３
３，３４はそれぞれ200本のストリツプから構成
した。またインターデイジタル電極３２およびグ
レーテイング反射器３３，３４のストリツプ線幅
はいずれも9.0μｍとし、同様にストリツプ相互
の間隔も9.0μｍとした。さらにインターデイジ
タル電極２とグレーテイング反射器３３，３４の
端部間隔は22.5μｍとし、またれられの開口長は
それぞれ0.7mmとした。グレーテイング反射器３
３，３４はアルミニウムに銅を４％混入して厚さ
1.3μｍでLiTaO3基板上に蒸着し製作した。また
本発明の弾性表面波共振子と比較するためにグレ
ーテイング反射器３３，３４を純粋なアルミニウ
ム膜で形成したものを同様に製作した。
のような条件で設計し、温度が65℃の雰囲気中で
２ｍＷの励振電力で動作させたときの、時間経過
に対する共振子の共振周波数変化率を示したもの
である。すなわち弾性表面波共振子の設計条件は
圧電性基板としてＸカツトLiTaO3を用い、弾性
表面波の伝搬方向をＹ軸より112゜傾いた方向に
設定した。インターデイジタル電極２は11対の電
極指から構成し、またグレーテイング反射器３
３，３４はそれぞれ200本のストリツプから構成
した。またインターデイジタル電極３２およびグ
レーテイング反射器３３，３４のストリツプ線幅
はいずれも9.0μｍとし、同様にストリツプ相互
の間隔も9.0μｍとした。さらにインターデイジ
タル電極２とグレーテイング反射器３３，３４の
端部間隔は22.5μｍとし、またれられの開口長は
それぞれ0.7mmとした。グレーテイング反射器３
３，３４はアルミニウムに銅を４％混入して厚さ
1.3μｍでLiTaO3基板上に蒸着し製作した。また
本発明の弾性表面波共振子と比較するためにグレ
ーテイング反射器３３，３４を純粋なアルミニウ
ム膜で形成したものを同様に製作した。
第４図において曲線４１はグレーテイング反射
器を上記純粋なアルミニウム膜で形成した場合の
共振子の特性を示し、また曲線４２はグレーテイ
ング反射器をアルミニウムに銅を４％混入した上
記本発明の共振子の特性を示している。この図か
ら明らかのようにグレーテイング反射器を純粋な
アルミニウム膜で形成したものは時間とともに大
幅に共振周波数の低下が認められるのに対し、本
発明の弾性表面波共振子によると、共振周波数の
低下が大幅に減少されていることがわかる。すな
わち1000時間経過後では純粋なアルミニウムを使
用した場合共振周波数の変化率は−0.045％であ
るのに対し、不純物として銅を混入した本発明で
は−0.017％であり、共振周波数の低下は約1/3に
抑えることができる。なお、アルミニウムに銅を
混入した上記本発明の弾性表面波共振子において
も上記のように共振周波数の若干の低下が見られ
たが、その原因が弾性表面波の定在波応力による
反射器ストリツプの劣化によるものであるかどう
か検討するために純粋なアルミニウムと銅を混入
したアルミニウムとの２種の共振子を非動作状態
で放置し、各時間経過後における共振周波数の変
化をとつたところ、いずれも第４図の曲線４２と
ほぼ等しい特性が得られた。
器を上記純粋なアルミニウム膜で形成した場合の
共振子の特性を示し、また曲線４２はグレーテイ
ング反射器をアルミニウムに銅を４％混入した上
記本発明の共振子の特性を示している。この図か
ら明らかのようにグレーテイング反射器を純粋な
アルミニウム膜で形成したものは時間とともに大
幅に共振周波数の低下が認められるのに対し、本
発明の弾性表面波共振子によると、共振周波数の
低下が大幅に減少されていることがわかる。すな
わち1000時間経過後では純粋なアルミニウムを使
用した場合共振周波数の変化率は−0.045％であ
るのに対し、不純物として銅を混入した本発明で
は−0.017％であり、共振周波数の低下は約1/3に
抑えることができる。なお、アルミニウムに銅を
混入した上記本発明の弾性表面波共振子において
も上記のように共振周波数の若干の低下が見られ
たが、その原因が弾性表面波の定在波応力による
反射器ストリツプの劣化によるものであるかどう
か検討するために純粋なアルミニウムと銅を混入
したアルミニウムとの２種の共振子を非動作状態
で放置し、各時間経過後における共振周波数の変
化をとつたところ、いずれも第４図の曲線４２と
ほぼ等しい特性が得られた。
このことから本発明の共振子における上記共振
周波数の低下は定在波応力によるグレーテイング
反射器の劣化によるものではなく、他の原因によ
るものであることがわかつた。つまり本発明の弾
性表面波共振子においては弾性表面波の定在波応
力によつてはグレーテイング反射器の劣化はほと
んど起こらないということが明らかになつた。
周波数の低下は定在波応力によるグレーテイング
反射器の劣化によるものではなく、他の原因によ
るものであることがわかつた。つまり本発明の弾
性表面波共振子においては弾性表面波の定在波応
力によつてはグレーテイング反射器の劣化はほと
んど起こらないということが明らかになつた。
事実、本発明による弾性表面波共振子のグレー
テイング反射器を顕微鏡で観察したところ、第５
図に示すように長時間動作させた後でもストリツ
プ膜にはほとんど劣化していないことが認められ
た。但し同図ａは使用前、同図ｂは2000時間動作
後の状態を示している。
テイング反射器を顕微鏡で観察したところ、第５
図に示すように長時間動作させた後でもストリツ
プ膜にはほとんど劣化していないことが認められ
た。但し同図ａは使用前、同図ｂは2000時間動作
後の状態を示している。
また第６図は表面波励振レベルを変化させたと
きの共振周波数変化率を表わすもので、曲線６１
〜６４に示すように純粋なアルミニウムで反射器
を構成したものにおいては励振レベルを上げると
共振周波数が大きく変化するのに対し、本発明に
よると曲線６５に示すように励振レベルの変化に
対しても共振周波数はほとんど変化しないことが
わかる。特に純粋なアルミニウムの反射器ストリ
ツプでは励振レベルが大きいほど劣化が大きく共
振周波数の変化が大きくなるのに対し、本発明で
は励振レベルが大きくても共振周波数が変化しな
いことから、本発明の共振子は励振レベルが高い
状態で使用されるほど、その効果が顕著にあらわ
れる。
きの共振周波数変化率を表わすもので、曲線６１
〜６４に示すように純粋なアルミニウムで反射器
を構成したものにおいては励振レベルを上げると
共振周波数が大きく変化するのに対し、本発明に
よると曲線６５に示すように励振レベルの変化に
対しても共振周波数はほとんど変化しないことが
わかる。特に純粋なアルミニウムの反射器ストリ
ツプでは励振レベルが大きいほど劣化が大きく共
振周波数の変化が大きくなるのに対し、本発明で
は励振レベルが大きくても共振周波数が変化しな
いことから、本発明の共振子は励振レベルが高い
状態で使用されるほど、その効果が顕著にあらわ
れる。
このように純粋なアルミニウムの反射器ストリ
ツプの劣化は励磁レベルの大きさによつて変化す
るが、一般に励振レベルが何ｍＷ以上のときにそ
の劣化が問題になり、それに対して本発明が有効
であるか明確に述べることは難しい。何故なら本
実験例では励振レベルが0.5ｍＷ程度以下でアル
ミニウム反射器ストリツプに劣化が観測された
が、基板材料、共振周波数、電極形状などが変化
すると必ずしもこの励振レベルが対応しなくな
る。しかしながら、反射器ストリツプの劣化の原
因が表面波応力によるものであることから、共振
子表面の応力の大きさが105（Newton/m2）程度
以上のとき反射器ストリツプの劣化が問題となる
と考えられ、本発明ではこのような応力が加わつ
ても反射器ストリツプの劣化がなく有効である。
このように不純物を混入したアルミニウム膜にお
いて、その劣化が純粋なアルミニウムよりも少な
い理由は正確には解明されていないが、アルミニ
ウムの結晶粒界に不純物が析出し、これが核とな
つてバウンダリーが出来、これが金属疲労にる劣
化を防いでいるものと考えられる。
ツプの劣化は励磁レベルの大きさによつて変化す
るが、一般に励振レベルが何ｍＷ以上のときにそ
の劣化が問題になり、それに対して本発明が有効
であるか明確に述べることは難しい。何故なら本
実験例では励振レベルが0.5ｍＷ程度以下でアル
ミニウム反射器ストリツプに劣化が観測された
が、基板材料、共振周波数、電極形状などが変化
すると必ずしもこの励振レベルが対応しなくな
る。しかしながら、反射器ストリツプの劣化の原
因が表面波応力によるものであることから、共振
子表面の応力の大きさが105（Newton/m2）程度
以上のとき反射器ストリツプの劣化が問題となる
と考えられ、本発明ではこのような応力が加わつ
ても反射器ストリツプの劣化がなく有効である。
このように不純物を混入したアルミニウム膜にお
いて、その劣化が純粋なアルミニウムよりも少な
い理由は正確には解明されていないが、アルミニ
ウムの結晶粒界に不純物が析出し、これが核とな
つてバウンダリーが出来、これが金属疲労にる劣
化を防いでいるものと考えられる。
このように本発明によると、長時間の使用にお
いても共振周波数の変化の少ない弾性表面波共振
子を得ることができる。
いても共振周波数の変化の少ない弾性表面波共振
子を得ることができる。
一方本発明の弾性表面波共振子によるとさらに
次のような新しい有効な効果が得られることがわ
かつた。すなわちグレーテイング反射器を純粋な
アルミニウム膜で構成した弾性表面波共振子では
共振抵抗が24オームでＱは約12000であるのに対
し、アルミニウムに銅４％を混入したものでは共
振抵抗１４オームでＱは約20000のものが得られ
た。これは多数試作したサンプルの平均値であ
り、いずれも約20％程度のバラツキはあるが、純
粋なアルミニウムでグレーテイング反射器を構成
した場合に比べて顕著なＱの増大が認められる。
前述のように弾性表面波共振子は発振器やフイル
タに適用されるが、Ｑの大きい共振子ほど安定な
発振器を構成することができ、またＱの大きい共
振子ほど挿入損失の少いフイルタを構成すること
ができるので、本発明の弾性表面波共振子はかか
る点からも極めて有効である。
次のような新しい有効な効果が得られることがわ
かつた。すなわちグレーテイング反射器を純粋な
アルミニウム膜で構成した弾性表面波共振子では
共振抵抗が24オームでＱは約12000であるのに対
し、アルミニウムに銅４％を混入したものでは共
振抵抗１４オームでＱは約20000のものが得られ
た。これは多数試作したサンプルの平均値であ
り、いずれも約20％程度のバラツキはあるが、純
粋なアルミニウムでグレーテイング反射器を構成
した場合に比べて顕著なＱの増大が認められる。
前述のように弾性表面波共振子は発振器やフイル
タに適用されるが、Ｑの大きい共振子ほど安定な
発振器を構成することができ、またＱの大きい共
振子ほど挿入損失の少いフイルタを構成すること
ができるので、本発明の弾性表面波共振子はかか
る点からも極めて有効である。
以上のように本発明によると安定かつ特性の良
好なる弾性表面波共振子を得ることができる。
好なる弾性表面波共振子を得ることができる。
なお、前記実施例では圧電性基板としてＸカツ
トLiTaO3を用いた場合について説明したが、水
晶LiNbO3等の圧電性基板に対しても同様に適用
でき有効である。また本発明はグレーテイング反
射器を有する弾性表面波共振子すべてに適用で
き、前記実施例のパターンに限定されるものでは
ない。さらにまたアルミニウムに混入する不純物
は銅だけでなく、シリコン、Ni、Cr、Mg等を一
緒に混入することも有効であると思われる。
トLiTaO3を用いた場合について説明したが、水
晶LiNbO3等の圧電性基板に対しても同様に適用
でき有効である。また本発明はグレーテイング反
射器を有する弾性表面波共振子すべてに適用で
き、前記実施例のパターンに限定されるものでは
ない。さらにまたアルミニウムに混入する不純物
は銅だけでなく、シリコン、Ni、Cr、Mg等を一
緒に混入することも有効であると思われる。
またこれら不純物の混入したアルミニウム膜膜
を形成するのに予め不純物を適当な重量混入させ
たアルミニウム膜をターゲツトにし、スパツタ蒸
着、ヒータ加熱あるいは電子ビームにる蒸着を行
なえば純粋アルミニウム膜での弾性表面波共振子
の製造プロセスと全く同一の工程で行うことでき
る。
を形成するのに予め不純物を適当な重量混入させ
たアルミニウム膜をターゲツトにし、スパツタ蒸
着、ヒータ加熱あるいは電子ビームにる蒸着を行
なえば純粋アルミニウム膜での弾性表面波共振子
の製造プロセスと全く同一の工程で行うことでき
る。
さらにまた本発明は弾性表面波共振子に適用し
た場合について説明したが、弾性表面波フイルタ
などすべての弾性表面波装置に適用することがで
きる。
た場合について説明したが、弾性表面波フイルタ
などすべての弾性表面波装置に適用することがで
きる。
第１図ａおよびｂは純粋なアルミニウム反射器
ストリツプの使用前および長時間動作後の表面の
状態を示す顕微鏡写真、第２図ａおよびｂはグレ
ーテイング反射器ストリツプの劣化部分および弾
性表面波の定在波の応力分布を示す図、第３図は
本発明の弾性表面波共振子の一実施例を示す図、
第４図は本発明の実施例に依る共振子の動作時間
に対する共振周波数の変化を示す図、第５図は本
発明による反射器ストリツプの顕微鏡写真、第６
図は表面波励振レベルの変化に対する共振周波数
の変化を示す図である。 ３１……圧電性基板、３２……インターデイジ
タル電極、３３，３５……グレーテイング反射
器。
ストリツプの使用前および長時間動作後の表面の
状態を示す顕微鏡写真、第２図ａおよびｂはグレ
ーテイング反射器ストリツプの劣化部分および弾
性表面波の定在波の応力分布を示す図、第３図は
本発明の弾性表面波共振子の一実施例を示す図、
第４図は本発明の実施例に依る共振子の動作時間
に対する共振周波数の変化を示す図、第５図は本
発明による反射器ストリツプの顕微鏡写真、第６
図は表面波励振レベルの変化に対する共振周波数
の変化を示す図である。 ３１……圧電性基板、３２……インターデイジ
タル電極、３３，３５……グレーテイング反射
器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 圧電性基板と、この圧電性基板上に設けられ
た入力電気信号を前記圧電性基板上を伝搬する弾
性表面波に変換するための弾性表面波用変換器
と、この変換器に対向して前記圧電性基板上に設
けられた前記弾性表面波を反射するための多数の
金属ストリツプを周期的に配列してなる反射器と
を有し、前記反射器を構成する金属ストリツプ
を、銅を不純物として含有したアルミニウムで構
成したことを特徴とする弾性表面波共振子。 ２ 表面波用変換器は反射器の金属ストリツプと
同一材料で形成されたインターデイジタル電極で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の弾性表面波共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17715980A JPS57101413A (en) | 1980-12-17 | 1980-12-17 | Surface acoustic wave resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17715980A JPS57101413A (en) | 1980-12-17 | 1980-12-17 | Surface acoustic wave resonator |
Related Child Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24815484A Division JPS60143016A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 弾性表面波共振子 |
| JP7009189A Division JPH02153613A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 弾性表面波共振子の製造方法 |
| JP7008989A Division JPH02203609A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 弾性表面波共振子 |
| JP1070090A Division JPH02153612A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 弾性表面波発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57101413A JPS57101413A (en) | 1982-06-24 |
| JPS6147010B2 true JPS6147010B2 (ja) | 1986-10-17 |
Family
ID=16026204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17715980A Granted JPS57101413A (en) | 1980-12-17 | 1980-12-17 | Surface acoustic wave resonator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57101413A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7554428B2 (en) | 2006-02-23 | 2009-06-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device comprising Ni diffused in Au and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6480113A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Hitachi Ltd | Surface acoustic wave device |
| JPH02153613A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-06-13 | Toshiba Corp | 弾性表面波共振子の製造方法 |
| JPH02203609A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-08-13 | Toshiba Corp | 弾性表面波共振子 |
| US6965190B2 (en) | 2001-09-12 | 2005-11-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US10333487B2 (en) | 2014-07-30 | 2019-06-25 | Kyocera Corporation | Acoustic wave element, filter element, and communication device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3886504A (en) * | 1974-05-20 | 1975-05-27 | Texas Instruments Inc | Acoustic surface wave resonator devices |
-
1980
- 1980-12-17 JP JP17715980A patent/JPS57101413A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7554428B2 (en) | 2006-02-23 | 2009-06-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device comprising Ni diffused in Au and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57101413A (en) | 1982-06-24 |
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