JPS60143642A - ストロボ電子ビ−ム装置 - Google Patents

ストロボ電子ビ−ム装置

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Publication number
JPS60143642A
JPS60143642A JP58248438A JP24843883A JPS60143642A JP S60143642 A JPS60143642 A JP S60143642A JP 58248438 A JP58248438 A JP 58248438A JP 24843883 A JP24843883 A JP 24843883A JP S60143642 A JPS60143642 A JP S60143642A
Authority
JP
Japan
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delay
pulse
signal
circuit
precision
Prior art date
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Pending
Application number
JP58248438A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyuki Ozaki
一幸 尾崎
Toshihiro Ishizuka
俊弘 石塚
Akio Ito
昭夫 伊藤
Yoshiaki Goto
後藤 善朗
Kazuo Okubo
大窪 和生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP58248438A priority Critical patent/JPS60143642A/ja
Publication of JPS60143642A publication Critical patent/JPS60143642A/ja
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の技術分野 本発明はIC又はLSIなどのグイナミソクな動作を解
析するための電子ビーム装置に係り、特に電子ビームパ
ルスの発生タイミングを精度良く制御するようにしたス
トロボ電子ビーム装置に関する。
(2)技術の背景 近年、IC又はLSI(以下試料と呼ぶ。)などのグイ
ナミソクな動作を解析するための手段としてストロボ電
子ビーム装置が注目を集めている。
動作中の試料の表面の特定箇所に電子ビームを照射した
場合、そこから空間中に2次電子が放出されるが、検出
される2次電子の量は電子ビームの該照射箇所における
試料の電位によって変化する。
この原理に基すいて試料表面の電位の変化を観測するた
めにストロボ観察手段を備えた走査型電子顕微鏡が用い
られている。試料は一定の周期で同じ動作を繰り返すた
め、その周期に同期した特定のタイミングで短いパルス
状の電子ビーム(以下EBパルスと呼ぶ。)を走査しな
がら試料全体に2次元的に照射し2次電子信号を検出す
れば、ある瞬間における試料の動作の電圧分布を観察す
ることができる(像モード)。また試料の特定箇所に上
記タイミングを少しずつずらしなからBBパルスを照射
し、2次電子信号を検出することによって、−周期中で
の動作が少しずつずれて観察されるため、該特定箇所に
おける電圧の時間的変化を観察することができる(波形
モード)。
上記観察において、高い時間分解能を実現するためには
短いパルス幅のEBパルスを正確な発生タイミングで照
射できるような精度の高い制御装置が必要となる。
(3)従来技術と問題点 従来のストロボ電子ビーム装置においては上記EBパル
スの発生タイミングを効率良く測定する技術が無かった
ため、その制御には精度的な限界があり、EBパルスの
発生タイミングの誤差によって上記検出2次電子信号(
以下ストロボ観察電圧波形と呼ぶ、)に誤差が生じてし
まうという問題点があった。
(4)発明の目的 本発明は上記問題点を除くために、EBパルス発生タイ
ミング補正用の高精度遅延回路を備え。
予め既知の電圧波形とストロボ観察電圧波形とを比較し
、前述の遅延回路の補正量を決定することによって、E
Bパルスの発生タイミングを高精度制御できるようなス
トロボ電子ビーム装置を提供することを目的とする。
(5)発明の構成 そしてその目的は本発明によれば試料印加電圧値と2次
電子信号量の関係を測定する手段と、この測定結果に基
すいて試料印加所定電圧波形に対する2次電子信号量を
算出する手段と、この算出結果と試料に前記所定電圧波
形を印加した場合のストロボ観察2次電子波形とを比較
して補正量をめる手段と、該補正量に基すいて電子ビー
ムパルスの発生タイミングを補正する手段とからなるこ
とを特徴とするストロボ電子ビーム装置を提供すること
によって達成される。
(6)発明の実施例 以下本発明の実施例について詳細に説明を行なう。
第1図は本発明によるストロボ電子ビーム装置の全体的
な構成図である。1はストロボ電子ビーム光学系鏡筒で
あり、その内部にBBパルスを発生させるためのパルス
ゲート2.電子ビームパルス発生タイミングの補正デー
タをめるための適当な試料3.及び2次電子検出器5が
配置される。
試料3は制御面1i!&12からのファンクションジェ
ネレータ用電圧値指定信号31によって制御されるファ
ンクションジェネレータ4又は同じく制御回路12から
の直流電源用電圧値指定信号32によって制御される直
流電源13によって切換スイッチ14を介して選択的に
駆動される。またパルスゲート2は遅延回路9及び高精
度遅延回路10がカスケードに接続されたパルスゲート
ドライバ11において発生される偏向電圧信号24によ
って駆動される。遅延回路9は制御回路12からの遅延
量指定信号27によって遅延設定値が決定され、ファン
クションジェネレータ4からのクロック21を制御回路
12からの分周率指定信号23によって制御される分周
回路8において分周した分周クロック22に対して遅延
動作が行われる。
また高精度遅延回路10は制御回路12からの高精度遅
延量指定信号28によって高精度遅延設定値が決定され
、遅延回路9の出力信号に対して高5− 精度遅延動作を行なう。またパルスゲートドライバ11
は制御回路12からのドライバ制御信号30によって制
御される。一方増幅器6で増幅された2次電子検出器5
からの2次電子信号25は高精度遅延回路10からのス
トローブ信号29によって制御されるサンプリング回路
7によってサンプリングされデジタル2次電子信号26
として制御回路12に与えられる。
第2図は遅延回路9.高精度遅延回路10.及びサンプ
リング回路7に関する制御回路12の内部の構成図であ
る。遅延回路9の遅延設定値を指定する遅延量指定信号
27は遅延量設定回路33によって発生され、また遅延
量設定回路33からは補正用2次電子信号量をデジタル
値として記憶している補正用2次電子信号量テーブル3
4に対して、上記指定遅延設定値に対応するアドレス信
号39が与えられる。
一方、サンプリング回路7の出力であるデジタル2次電
子信号26は比較回路35に入力し、比較回路35にお
いては該デジタル2次電子信号6− 26と補正用2次電子信号量テーブル34からの補正用
2次電子信号40との比較が行われる。比較回路25の
出力は高精度置設定遅延回路36に与えられ、高精度遅
延量設定回路36の出力はスイッチ38を介して高精度
遅延回路10の入力に接続されるとともに遅延補正量テ
ーブル37の入力に接続される。また遅延補正量テーブ
ルの出力は同じくスイッチ38を介して高精度遅延回路
10の入力に接続される。遅延補正量テーブル37の各
補正値のアトルス指定は前記アドレス指定信号39によ
って行なわれる。
次に以上のような構成のストロボ電子ビーム装置におけ
る遅延量補正動作について説明する。
まず切換スイッチ14を端子T2側に接続し。
制御回路12からの直流電源用電圧値指定信号32によ
って直流電源13から試料3に一定直流電圧を与える。
そして2次電子信号を2次電子検出器5から増幅器6及
びサンプリング回路7を介して適当なサンプリング間隔
で検出する。この場合の直流電圧■と検出される2次電
子信号量Sとの関係は第3図のようになる。この図から
直流電圧V対2次電子信号量Sとが線形に変化する電圧
区間(Vl、V2)を抽出する。なお一般にVlと■2
の電位差は数ボルト程度である。次に切換スイッチ14
を端子TI側に接続し、また制御回路12からファンク
ションジェネレータ用電圧値指定信号31を介して上記
電圧V!及びV2をファンクションジェネレータ4に与
え、ファンクションジェネレータ4において上記電圧レ
ベル間(Vl、V2)で変化する第4図に示すような一
定周期T〔秒〕の鋸歯状電圧波形を発生させ、試料3に
印加する。なお、この周期T〔秒〕は適当に設定するこ
とができるが、以下では例としてTを被補正遅延時間幅
に一致させた場合について説明する。まず上記鋸歯状電
圧波形の一周期T〔秒〕をn等分した各時間(以下遅延
設定値d〔秒〕と呼ぶ。)と2次電子信号量Sとの関係
は、第3図を用いることによって第5図に示す破線上の
各点(d+、5ad)(d2,5a2)(d3,5a3
) ・・・ (dn、5an)として計算することがで
きるので、この計算値Sa+〜Sanを補正用2次電子
信号量テーブル34のアドレスA1〜Anに記憶させる
。一方、ファンクションジェネレータ4で発生される第
4図に示すような鋸歯状電圧波形に対して1分周回路8
で分周率を1に指定して時刻t+、t2.t3. ・・
・毎(第4図)に発生する分周クロック22を作る。次
に遅延量設定回路33において一定の遅延設定値d〔秒
〕 (第4図)を設定して、遅延回路9においてこの設
定値に従って上記クロック22を遅延させパルスゲート
2によってEBパルスを発生させ試料3に照射する。こ
れによって2次電子検出器5から検出される2次電子信
号をサンプリング回路7においてストローブ信号29を
用いて同期させて号ンブリングすることによって、各点
 A+。
A2.A3. ・・・ (第4図)におけるデジタル2
次電子信号26が得られる。そしてこれらの信号値は遅
延設定値d〔秒〕が一定である限り同一である。さらに
遅延設定値d〔秒〕と2次電子信号量Sとの関係は理想
的には第5図の破線上の相9− 当する点に一致するはずである。即ち第5図において例
えば遅延設定値をd3 〔秒〕とすれば2次電子検出器
5から増幅器63号ンプリング回路7を介して得られる
2次電子信号量、即ちストロボ観察波形値はSa3とな
るはずである。ところが実際には遅延回路9において遅
延誤差があるため。
遅延設定値をd3 (秒〕としてもストロボ観察波形値
は第5図の破線上の点とならずに実線上の値となってし
まう。そこでまず遅延設定値を遅延設定量回路33にお
いて例えばd3に固定し、アドレス信号39によって補
正用2次電子信号量テーブル34のアドレス A3を指
定し、そこに記憶されている理想的な2次電子信号波形
値Sa3とストロボ観察波形とを比較回路35において
比較し、その差に比例する補正用高精度遅延設定値を高
精度遅延量設定回路36で設定し、高精度遅延量指定信
号28として高精度遅延回路10に与える(この時切換
スイッチ38は端子T3側に接続する)。これにより遅
延回路9における遅延に高精度遅延回路10による補正
用の遅延が加わっ10− て、補正された発生タイミングでBBパルスが発射され
ることになる。上記動作をSa3とストロボ観察波形が
一致するまで繰り返し、その時の高精度遅延量設定回路
36で設定された高精度遅延設定値を、遅延設定値d3
 (秒)に対する遅延補正量Δd3 〔秒〕 (第5図
)としてアドレス信号39によって指定される遅延補正
量テーブル37のアドレスA3に記憶させる。そして以
上の動作を遅延量設定回路33で設定される各遅延設定
値d1〜dn(秒)毎に行なうことによって、di〜d
n(秒)に対する遅延補正量へd1〜Δdn〔秒〕をめ
ることができ、それらが遅延補正量テーブル37のアド
レスA1〜Anに記憶される。
これによって第5図の実線上の各ストロボ観察波形値S
b+、Sb2.Sb3. ・・・Sbnは破線上の理想
値Sad、Sa2.Sa3. ・−−8anに補正され
、そのための各遅延補正量はΔd1、Δd2. Δd3
.・・・Δdn(秒〕となる。
以上の動作によって任意の遅延設定値d1〜dn(秒〕
における補正値Δd1〜Δdn(秒〕がまったので1次
に実際に動作解析するための試料に対してストロボ観察
を行なう。そのためにはまず切換スイッチ14を端子T
I側に接続し。
ファンクションジエネレーク4によってクロックパルス
を試料3に与える。そして観察したい発生タイミングに
対応する遅延設定値を遅延量設定回路33においてd1
〜dn[秒〕の中から選択することによって遅延回路9
に該遅延量指定信号27が与えられ、又遅延量設定回路
33からその遅延設定値に対応するアドレス信号39が
遅延補正量テーブル37に与えられることによって対応
する遅延補正量が高精度遅延量指定信号28として高精
度遅延回路10に与えられる(この時は切換スイッチ3
8は端子T4側に接続する)。これによって該遅延設定
値に対応する正確な発生タイミングでEBパルスが試料
3に照射されるので。
遅延量を1動作周期分変化させて得られるデジタル2次
電子信号26を遅延時間に対してプロットすれば、正確
なストロボ波形が得られる。
なお本実施例においては補正用電圧波形とじて鋸歯状電
圧波形を用いたが、遅延設定値d〔秒〕と2次電子信号
量Sとの関係が対応づけられるような波形であれば他の
ものでも良く、それらはファンクシ日ンジェネレータ4
 (第1図)によって発生させることが可能である。
(7)発明の効果 本発明によれば試料をストロボ観察するためのEBパル
スの発生タイミングの誤差を効率良く補正することがで
き、試料動作解析を高精度に行なうことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるストロボ電子ビーム装置の全体的
な構成図、第2図は本発明によるEBパルス発生タイミ
ング補正部の具体的な構成図、第3図は試料印加直流電
圧V対2次電子信号量Sの関係図、第4図は試料に印加
される鋸歯状電圧波形の説明図、第5図はEBパルス発
生タイミング補正の説明のための遅延設定値d対2次電
子信号量Sの関係図である。 1・・・ストロボ電子ビーム光学系鏡筒13− 3・・・試料 4・・・ファン クションジェネレーク 5・・・2 次電子検出器 7・・・サンプ リング回路 8・・・分周回 路 9・・・遅延回路 10・ ・・高精度遅延回路 11・ ・・パルスゲートドライバ 12・ ・・制御回路 13・・・直流電源 14.38・・・切換スイッチ 20・・・試料入力電圧 21・ ・・クロック 27・・・遅延量指定信号28・・・高
精度遅延量指定信号 29・・・ストローブ信号 33 ・・・遅延量指定回路 34・ ・・補正用2次電子信号量テーブル 35・・・比較回路 37 ・・・遅延補正量テーブル =14− 第3図 S 第4図 ■ 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 試料印加電圧値と2次電子信号量の関係を測定する手段
    と、この測定結果に基ずいて試料印加所定電圧波形に対
    する2次電子信号量を算出する手段と、この算出結果と
    試料に前記所定電圧波形を印加した場合のストロボ観察
    2次電子波形とを比較して補正量をめる手段と、該補正
    量に基すいて電子ビームパルスの発生タイミングを補正
    する手段とからなることを特徴とするストロボ電子ビー
    ム装置。
JP58248438A 1983-12-29 1983-12-29 ストロボ電子ビ−ム装置 Pending JPS60143642A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58248438A JPS60143642A (ja) 1983-12-29 1983-12-29 ストロボ電子ビ−ム装置

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JP58248438A JPS60143642A (ja) 1983-12-29 1983-12-29 ストロボ電子ビ−ム装置

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JPS60143642A true JPS60143642A (ja) 1985-07-29

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JP58248438A Pending JPS60143642A (ja) 1983-12-29 1983-12-29 ストロボ電子ビ−ム装置

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