JPS6014439A - ウエハ回転式半導体製造装置 - Google Patents
ウエハ回転式半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6014439A JPS6014439A JP12035483A JP12035483A JPS6014439A JP S6014439 A JPS6014439 A JP S6014439A JP 12035483 A JP12035483 A JP 12035483A JP 12035483 A JP12035483 A JP 12035483A JP S6014439 A JPS6014439 A JP S6014439A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cooling water
- rotary table
- water passage
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、コンピュータ、マイクロコンピュータ等に使
用するしＳＩのチ・ノブのノ（ターン回路をプラズマエ
ツチングする装置に係り、特に精度の高い均一なエツチ
ングに好適なウェハ回転式半導体製造装置に関するもの
である。
用するしＳＩのチ・ノブのノ（ターン回路をプラズマエ
ツチングする装置に係り、特に精度の高い均一なエツチ
ングに好適なウェハ回転式半導体製造装置に関するもの
である。
従来技術による半導体製造装置の一例を第１図により説
明する。ｌはエツチング室、３は回転テーブルよりなる
高周波電極で、対向電極２側より送入される処理ガス５
にプラズマを発生させ、このプラズマにより高周波電極
３の円周上に複数個設けられた石英リング１３に載置さ
れたウェハ１４をエツチングするものである。高周波電
極３は回転軸４に支持され、ウオーム歯車１２、ウオー
ム１１を介して駆動装置（図示省略）により回転される
。
明する。ｌはエツチング室、３は回転テーブルよりなる
高周波電極で、対向電極２側より送入される処理ガス５
にプラズマを発生させ、このプラズマにより高周波電極
３の円周上に複数個設けられた石英リング１３に載置さ
れたウェハ１４をエツチングするものである。高周波電
極３は回転軸４に支持され、ウオーム歯車１２、ウオー
ム１１を介して駆動装置（図示省略）により回転される
。
ウェハ１４は予備室６内のカセット７からコンベア８を
通り、ウェハ搬送装置（図示省略）により仕切部１０を
開いて、エツチング室１に送入され、エツチングを終っ
たウェハは、同様にエツチング室１から予備室６へ送出
される。しかしながら、このような半導体製造装置では
、高周波電極上にセットされたウェハの内周側と外周側
で、電極の印加によるプラズマを均一に接触させること
が困難であり、ウェハのエツチングが不均一になるとい
う問題がある、 〔発明の目的〕 本発明の目的は、従来技術における問題点を解決して、
ウェハの均一なエツチングを行なうことができる半導体
製造装置を提供することにある。
通り、ウェハ搬送装置（図示省略）により仕切部１０を
開いて、エツチング室１に送入され、エツチングを終っ
たウェハは、同様にエツチング室１から予備室６へ送出
される。しかしながら、このような半導体製造装置では
、高周波電極上にセットされたウェハの内周側と外周側
で、電極の印加によるプラズマを均一に接触させること
が困難であり、ウェハのエツチングが不均一になるとい
う問題がある、 〔発明の目的〕 本発明の目的は、従来技術における問題点を解決して、
ウェハの均一なエツチングを行なうことができる半導体
製造装置を提供することにある。
ウェハの均一なエツチングは、プラズマを電磁波により
完全にコントロールできれば、精度の高いエツチングを
行なうことができる。しかしながら、そのためには高容
量の電磁波が必要であり、現状では技術的、価格的に非
常に困難である。
完全にコントロールできれば、精度の高いエツチングを
行なうことができる。しかしながら、そのためには高容
量の電磁波が必要であり、現状では技術的、価格的に非
常に困難である。
本発明は、高周波電極を冷却する冷却水を利用して、公
転するウェハな自転させることにより、ウェハの均一な
エツチングを行なうことができ、描造簡単にして安価な
半導体製造装置を得るようにしたものである。
転するウェハな自転させることにより、ウェハの均一な
エツチングを行なうことができ、描造簡単にして安価な
半導体製造装置を得るようにしたものである。
以下、本発明の一実施例を第２図、第３図により説明す
る。第２図、第３図において、第１図と同部分は同符号
で示し説明を省略する。３ａは冷却水通路９を設け、中
空回転軸５に支持されて回転する回転テーブル、１５は
軸受２０，２１を介して回転テーブル３ａに取付けられ
たウェハ受、１６は冷却水通路９内でスナップリングη
およびキー乙によりウェハ受１５に固定された回転翼、
囚はシールリング、１７は中空回転軸５内の冷却水通路
１９を経て回転テーブル３ａ内の冷却水通路９内にウェ
ハ受１５に対応して複数個放射状に配置された注水配管
で、その先端にはウェハ受１５の回転Ｒ１６に対向して
噴出口１８が開口されている。
る。第２図、第３図において、第１図と同部分は同符号
で示し説明を省略する。３ａは冷却水通路９を設け、中
空回転軸５に支持されて回転する回転テーブル、１５は
軸受２０，２１を介して回転テーブル３ａに取付けられ
たウェハ受、１６は冷却水通路９内でスナップリングη
およびキー乙によりウェハ受１５に固定された回転翼、
囚はシールリング、１７は中空回転軸５内の冷却水通路
１９を経て回転テーブル３ａ内の冷却水通路９内にウェ
ハ受１５に対応して複数個放射状に配置された注水配管
で、その先端にはウェハ受１５の回転Ｒ１６に対向して
噴出口１８が開口されている。
上述の構成において、駆動装置により中空回転軸５を介
して回転テーブル３ａを回転させながら、注水配管１７
より冷却水を注水すると、冷却水は噴出口１８より噴出
して回転翼１６を回転させ、ウェハ受１５ならびにウェ
ハ１４を回転させる。しかして、回転テーブル３ａ内に
注水された冷却水は、回転ｊ’ｌ１６の回転により攪拌
され、渦巻流となって冷却水通路９を通り、回転テーブ
ル３ａを冷却した後。
して回転テーブル３ａを回転させながら、注水配管１７
より冷却水を注水すると、冷却水は噴出口１８より噴出
して回転翼１６を回転させ、ウェハ受１５ならびにウェ
ハ１４を回転させる。しかして、回転テーブル３ａ内に
注水された冷却水は、回転ｊ’ｌ１６の回転により攪拌
され、渦巻流となって冷却水通路９を通り、回転テーブ
ル３ａを冷却した後。
冷却水通路１９より排出される。
したがって、ウェハ１４は回転テーブル３ａの回転によ
る公転と、ウェハ受１５の回転による自転とを同時に行
なわせることができ、ウェハ１４全面にプラズマを均一
に接触させて均一なエツチングを行なうことができる。
る公転と、ウェハ受１５の回転による自転とを同時に行
なわせることができ、ウェハ１４全面にプラズマを均一
に接触させて均一なエツチングを行なうことができる。
本発明は以上述べたように、エツチング室内に回転軸を
介して回転する回転テーブルよりなる高周波電極と対向
電極を備え、両電極間にプラズマを発生させて回転テー
ブル上円周方向に複数個配置されたウェハをエツチング
する半導体製造装置において、前記回転軸および回転テ
ーブル内に冷却水通路を形成し、回転テーブルにウェハ
を支持するウェハ受を冷却水通路を通して自動自在に取
付け、該冷却水通路内のウェハ受に回転翼を固定し、Ｒ
Ｔｆ記冷却水通路内にウェハ受に対応して放射状に注水
配管を配置し、該注水配管先端に回転翼に対向して開口
した噴出口を設け１回転テーブルの冷却水を利用してウ
ェハを自転させるようにしたものであるから、つぎのよ
うな効果がある。
介して回転する回転テーブルよりなる高周波電極と対向
電極を備え、両電極間にプラズマを発生させて回転テー
ブル上円周方向に複数個配置されたウェハをエツチング
する半導体製造装置において、前記回転軸および回転テ
ーブル内に冷却水通路を形成し、回転テーブルにウェハ
を支持するウェハ受を冷却水通路を通して自動自在に取
付け、該冷却水通路内のウェハ受に回転翼を固定し、Ｒ
Ｔｆ記冷却水通路内にウェハ受に対応して放射状に注水
配管を配置し、該注水配管先端に回転翼に対向して開口
した噴出口を設け１回転テーブルの冷却水を利用してウ
ェハを自転させるようにしたものであるから、つぎのよ
うな効果がある。
（１）冷却水に回転テーブルの冷却とウェハの自転を行
なわせることができるため、別にウェハを自転させるた
めの駆動源を必要としない。
なわせることができるため、別にウェハを自転させるた
めの駆動源を必要としない。
（２）冷却水は回転翼により攪拌され、渦巻流となって
回転テーブル内を流れるため、回転テーブルの冷却効果
が増大する。
回転テーブル内を流れるため、回転テーブルの冷却効果
が増大する。
（３） ウェハを公転と同時に自転させることができる
ため、ウェハの全面にプラズマを均一に接触させること
ができ、ウェハの均一なエツチングを行なうことができ
る。
ため、ウェハの全面にプラズマを均一に接触させること
ができ、ウェハの均一なエツチングを行なうことができ
る。
（４）回転テーブルに取付けたウェハ受を回転翼を介し
て冷却水により回転させることにより、措造簡単で安価
に製作することができる。
て冷却水により回転させることにより、措造簡単で安価
に製作することができる。
第１図は従来の半導体製造装置の略図、第２図は本発明
による半導体製造装Ｕｑの一実施例を示す回転テーブル
の平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ断面図である。 １ ・・・・・・エツチング室、２・・・・対向電極、
３・・・・・高周波電極、３ａ・・・・・回転テーブル
、４・・・・・回転軸、５・・・・ 処理ガス、６ ・
・・予備室、７・・・・・・カセット、８・・・・ コ
ンベア、９．１９・・・・・・冷却水通路、１０・・・
・仕切部、１１・・・・ウオーム、１２・・ウオーム歯
車、１３・・・・石英リング、１４・・ ウェハ、１５
・・・・・ウェハ受、１６・・・・・回転翼、１７・・
・−注水配琶、１８・・・噴出口、加、２１・・・ 軸
受、惹・・・・スナップリング、オ０．．キー、例・・
・・ シールリング・′１−１図
による半導体製造装Ｕｑの一実施例を示す回転テーブル
の平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ断面図である。 １ ・・・・・・エツチング室、２・・・・対向電極、
３・・・・・高周波電極、３ａ・・・・・回転テーブル
、４・・・・・回転軸、５・・・・ 処理ガス、６ ・
・・予備室、７・・・・・・カセット、８・・・・ コ
ンベア、９．１９・・・・・・冷却水通路、１０・・・
・仕切部、１１・・・・ウオーム、１２・・ウオーム歯
車、１３・・・・石英リング、１４・・ ウェハ、１５
・・・・・ウェハ受、１６・・・・・回転翼、１７・・
・−注水配琶、１８・・・噴出口、加、２１・・・ 軸
受、惹・・・・スナップリング、オ０．．キー、例・・
・・ シールリング・′１−１図
Claims (1)
- １ エツチング室内に回転軸を介して回転する回転テー
ブルよりなる高周波電極と対向電極を備え、両電極間に
プラズマを発生させて回転テーブル上円周方向に複数個
配置されたウエノ）をエツチングする半導体製造装置に
おいて、「配回転軸および回転テーブル内に冷却水通路
を形成し、回転テーブルにウエノ）を支持するウニノー
受を冷却水通路を通して回動自在に取付け、かつ、隣冷
却水通路内のウエノ＼受に回転翼を固定し、前記冷却水
通路内にウニ／１受に対応して放射状に注水配管を配置
し、該注水配管先端に回転翼に対向して開口した噴出口
を設けたことを特徴とするウェハ回転式半導体製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12035483A JPS6014439A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | ウエハ回転式半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12035483A JPS6014439A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | ウエハ回転式半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6014439A true JPS6014439A (ja) | 1985-01-25 |
Family
ID=14784140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12035483A Pending JPS6014439A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | ウエハ回転式半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6014439A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62166626U (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-22 | ||
| CN110739250A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 刻蚀反应设备及刻蚀方法 |
-
1983
- 1983-07-04 JP JP12035483A patent/JPS6014439A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62166626U (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-22 | ||
| CN110739250A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 刻蚀反应设备及刻蚀方法 |
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