JPH0369119A - バッチ式ドライエッチング装置 - Google Patents

バッチ式ドライエッチング装置

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Publication number
JPH0369119A
JPH0369119A JP20621389A JP20621389A JPH0369119A JP H0369119 A JPH0369119 A JP H0369119A JP 20621389 A JP20621389 A JP 20621389A JP 20621389 A JP20621389 A JP 20621389A JP H0369119 A JPH0369119 A JP H0369119A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafers
dry etching
part electrode
stages
turned
Prior art date
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Pending
Application number
JP20621389A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuki Nakao
中尾 泰樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamaguchi Ltd
Original Assignee
NEC Yamaguchi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Yamaguchi Ltd filed Critical NEC Yamaguchi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造装置のドライエツチング装置に関し
、特にバッチ式ドライエツチング装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のドライエツチング装置には、第3図(a
)、(b)の上面図及びその断面図に示すように、平行
平板電極の下部電極1上に、その中心から等角度に複数
のステージ2を設け、ウェハースを何枚か並べて同時に
エツチングを行なうバッチ方式のものがある。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のバッチ式ドライエツチング装置では、半
導体の高集積度化によるエツチングパターンの微細化、
及びウェハースの大口径化に伴い、ウェハース間及びウ
ェハース内のエツチング速度の均一性が悪くなるという
欠点がある。
上述した従来のバッチ式ドライエツチング装置に対し、
本発明は、下部電極を回転させ、さらにウェハースを載
せたステージを回転させることにより、ウェハース間及
びウェハース内のエツチング速度の均一性を向上させる
ようにしたものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のバッチ式ドライエツチング装置は、ウェハース
間のエツチング速度の均一性を向上させるための下部電
極回転機構と、ウェハース内のエツチング速度の均一性
を向上させるためのステージ回転機構とを有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。第1図
は本発明の第1の実施例の縦断面図である。下部電極1
がモーター5によって回転する。固定ギア3とステージ
回転用ギア4がかみ合っており、下部電極1の回転に伴
いステージ2が回転する。このプラネタリ−ギア機構に
より、ウェハースは自転及び公転を行なう。
第2図は本発明の第2の実施例の縦断面図である。下部
電極1がモーター5によって回転する。
ステージ回転用ギア4が処理室外壁6の内側に設けられ
たインターナルギアとかみ有っており、下部型8i!1
の回転に伴いステージ2が回転する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ウェハースの乗った下部
電極をエツチング中に回転させることにより、各ウェハ
ース間のエツチング速度を均一にし、さらに、下部電極
の回転と連動してステージを回転させ、ウェハース自身
も回転させることにより、ウェハース内の各点のエツチ
ング速度も均一にできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の構成図、第2図は本発
明の第2の実施例の構成図、第3図(a)、(b)は従
来のバッチ式ドライエツチング装置の上面図と断面図を
示したものである。 1・・・下部電極、2・・・ステージ、3・・・固定ギ
ア、4・・・ステージ回転用ギア、5・・・モーター 
6・・・処理室外壁。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 下部電極上にその中心から等角度に設置されたステージ
    にウェハースを並べ、同時にエッチングを行なうバッチ
    式ドライエッチング装置において、前記下部電極を前記
    中心軸まわりに回転させて前記ステージを自転及び公転
    させることを特徴とするバッチ式ドライエッチング装置
JP20621389A 1989-08-08 1989-08-08 バッチ式ドライエッチング装置 Pending JPH0369119A (ja)

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JPH0369119A true JPH0369119A (ja) 1991-03-25

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6837940B2 (en) * 2000-12-07 2005-01-04 E.E. Technologies Inc. Film-forming device with a substrate rotating mechanism
JP2009151116A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 Asuko:Kk 内照式表示灯のバックライト及び内照式表示灯
WO2011156371A1 (en) * 2010-06-07 2011-12-15 Veeco Instruments, Inc. Multi-wafer rotating disc reactor with inertial planetary drive

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6837940B2 (en) * 2000-12-07 2005-01-04 E.E. Technologies Inc. Film-forming device with a substrate rotating mechanism
JP2009151116A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 Asuko:Kk 内照式表示灯のバックライト及び内照式表示灯
WO2011156371A1 (en) * 2010-06-07 2011-12-15 Veeco Instruments, Inc. Multi-wafer rotating disc reactor with inertial planetary drive
US9230846B2 (en) 2010-06-07 2016-01-05 Veeco Instruments, Inc. Multi-wafer rotating disc reactor with inertial planetary drive

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