JPS60144947A - 半導体ウエフア−のプロ−ビング装置 - Google Patents
半導体ウエフア−のプロ−ビング装置Info
- Publication number
- JPS60144947A JPS60144947A JP59001088A JP108884A JPS60144947A JP S60144947 A JPS60144947 A JP S60144947A JP 59001088 A JP59001088 A JP 59001088A JP 108884 A JP108884 A JP 108884A JP S60144947 A JPS60144947 A JP S60144947A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- probing
- semiconductor wafer
- module
- measurement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体ウェファ−のブロービング装置に係わ
り、特にブロービング装置の一部分が分離して使用でき
るブロービング装置に関するものである。
り、特にブロービング装置の一部分が分離して使用でき
るブロービング装置に関するものである。
半導体ウェファ−のブロービング装置とじては第１図に
示す構成の装置が一般的に知られている。
示す構成の装置が一般的に知られている。
すなわち、半導体ウェファ−５を試料ステージ４上に載
せ真空吸着等の方法により固定する。そして、Ｘ−Ｙ方
向微動装置２を用いて前記半導体ウェファ−５上に形成
されたブロービング用パッドをブロービング用針７の直
下に持ってくる。次いでＺ方向微動装置３を用いて前記
ブロービング用針７をブロービング用パッドに接触させ
て特性測定する。通常ブロービング用針７はプローブカ
ード６に固定され、被測定回路又は素子に応じ℃容易に
変更できるようになっている。
せ真空吸着等の方法により固定する。そして、Ｘ−Ｙ方
向微動装置２を用いて前記半導体ウェファ−５上に形成
されたブロービング用パッドをブロービング用針７の直
下に持ってくる。次いでＺ方向微動装置３を用いて前記
ブロービング用針７をブロービング用パッドに接触させ
て特性測定する。通常ブロービング用針７はプローブカ
ード６に固定され、被測定回路又は素子に応じ℃容易に
変更できるようになっている。
しかし、上記半導体ウェファ−のブロービング装置では
移動精度に対応して微動装置２，３０寸法が大きくなり
、かつ拡大光学系９の性能に対応し゛て支持台１も堅ろ
う、かつ巨大なものが一般である。そこでこのような半
導体ウェファ−のブロービング装置を特殊環境下におい
て使用しようとすると、大容量の環境チェンバー、大型
励磁装置等が必要になってくる。従って半導体ウェファ
−のままでの環境試験としては試料ステージ４に取付け
た加熱ヒーター及び冷却装置による温度特性試験が行え
る位であった。又、微動装置、拡大光学系等を特殊環境
下におく事は該装置の性能維持の面からも望ましくない
。
移動精度に対応して微動装置２，３０寸法が大きくなり
、かつ拡大光学系９の性能に対応し゛て支持台１も堅ろ
う、かつ巨大なものが一般である。そこでこのような半
導体ウェファ−のブロービング装置を特殊環境下におい
て使用しようとすると、大容量の環境チェンバー、大型
励磁装置等が必要になってくる。従って半導体ウェファ
−のままでの環境試験としては試料ステージ４に取付け
た加熱ヒーター及び冷却装置による温度特性試験が行え
る位であった。又、微動装置、拡大光学系等を特殊環境
下におく事は該装置の性能維持の面からも望ましくない
。
特殊環境下における測定の一例としてホール測定を取り
上げてみる。
上げてみる。
Ｖａｎ、−ｄｅｒ Ｐａｕｗ 法のホール測定において
は、半導体ウェファ−上の四カ所にオーミック電極を作
り付け、該半導体ウェファ−表面と垂直方向に磁場をか
けた状態で任意の２端子に電流を流したときの他の２端
子間の電位差を測定する。磁場を水平方向に印加するの
は、広い面積にわたって均一な磁場を得るためで゛、こ
の場合コイル寸法が大きくなるので、マグネットの構造
上の制約から水平磁場が選ばれる。
は、半導体ウェファ−上の四カ所にオーミック電極を作
り付け、該半導体ウェファ−表面と垂直方向に磁場をか
けた状態で任意の２端子に電流を流したときの他の２端
子間の電位差を測定する。磁場を水平方向に印加するの
は、広い面積にわたって均一な磁場を得るためで゛、こ
の場合コイル寸法が大きくなるので、マグネットの構造
上の制約から水平磁場が選ばれる。
通常、この測定では半導体ウェファ−を数ミリ角の大き
さに切り出し、この四隅にオーミック電極を取り付け、
リード線のハンダ付又は適切な治具へ装着する事により
被測定試料としている。
さに切り出し、この四隅にオーミック電極を取り付け、
リード線のハンダ付又は適切な治具へ装着する事により
被測定試料としている。
しかし、試料の準備に手間がかかる事、人が取り扱える
寸法及び切りしるにエリ測定間隔が限定されること、試
料取扱い方法によっては元の半導体ウェファ−上での位
置が不明確になる事等の欠点があった。
寸法及び切りしるにエリ測定間隔が限定されること、試
料取扱い方法によっては元の半導体ウェファ−上での位
置が不明確になる事等の欠点があった。
一方、半導体ウェファ−のまま測定しようとすると第１
図に示した構成のブロービング装置では半導体ウェファ
−表面を垂直方向に支持できる形式のものはウェハ面内
での微動装置の精度が垂直方向と水平方向で著しく異な
る事、ステージ及び微動装置が磁場をさえぎる事、微動
装置に磁気を帯びる拐質のものは使用できぬ事、といっ
た問題点が存在する。
図に示した構成のブロービング装置では半導体ウェファ
−表面を垂直方向に支持できる形式のものはウェハ面内
での微動装置の精度が垂直方向と水平方向で著しく異な
る事、ステージ及び微動装置が磁場をさえぎる事、微動
装置に磁気を帯びる拐質のものは使用できぬ事、といっ
た問題点が存在する。
本発明は、以上の難点を解消すべくなされたもので、ブ
ロービング装置の一部分が分離して使用できる半導体ウ
ェファ−のブロービング装置を提供することを目的とす
る。
ロービング装置の一部分が分離して使用できる半導体ウ
ェファ−のブロービング装置を提供することを目的とす
る。
以下、図面に基づき本発明の一実施例を詳細に述べる。
第２図に本発明の一実施例である半導体ウェファ−のブ
ロービング装置の構成を示す。半導体ウェファ−５は試
料ステージ４に真空吸着等の方法により固定され、Ｘ−
Ｙ方向微動装置２によりブロービング用針７の直下にブ
ロービング用パッドを持ってくる。ここでブロービング
用針７と半導体ウェファ−の間隔がＺ 方向微動装！
３’（７１）ス）ｏ−り分になる様微動装置３″により
半導体ウェファ−の高さを調整する。この後２方向微動
装置３′を動作してブロービング用゛針７を接触させる
。そしてウェファ−・プロービング・モジュール蓋・底
部吸着用真空系１４・を働かせウェファ−・ブロービン
グ・モジュールの蓋１２と底１１を吸着させる。
ロービング装置の構成を示す。半導体ウェファ−５は試
料ステージ４に真空吸着等の方法により固定され、Ｘ−
Ｙ方向微動装置２によりブロービング用針７の直下にブ
ロービング用パッドを持ってくる。ここでブロービング
用針７と半導体ウェファ−の間隔がＺ 方向微動装！
３’（７１）ス）ｏ−り分になる様微動装置３″により
半導体ウェファ−の高さを調整する。この後２方向微動
装置３′を動作してブロービング用゛針７を接触させる
。そしてウェファ−・プロービング・モジュール蓋・底
部吸着用真空系１４・を働かせウェファ−・ブロービン
グ・モジュールの蓋１２と底１１を吸着させる。
しかる後、ウェファ−・ブロービング・モジュール蓋吸
着用真空系１３を切り、２方向微動装置３′を再動作さ
せると、プローブ・カード６が支持板６′から離れる。
着用真空系１３を切り、２方向微動装置３′を再動作さ
せると、プローブ・カード６が支持板６′から離れる。
そこでウェファ−・ブロービングモジュール底部吸着用
真空系１５を切ればウェファ−・プロービング・モジュ
ールラフロービング装置本体から分離する事ができる。
真空系１５を切ればウェファ−・プロービング・モジュ
ールラフロービング装置本体から分離する事ができる。
分離後環境試験を終了した半導体ウェファ−及びウェフ
ァ−・プロービング・モジュールは以下の操作により再
装着され、次の測定位置が定められる。
ァ−・プロービング・モジュールは以下の操作により再
装着され、次の測定位置が定められる。
まス、ウェファ−・プロービング・モジュールを２方向
微動装置３′上に載せ、ウェファ−・ブロービング・モ
ジュール底部吸着用真空系１５を働かせれば、該モジュ
ールはブロービング装置内に再装着された事になる。
微動装置３′上に載せ、ウェファ−・ブロービング・モ
ジュール底部吸着用真空系１５を働かせれば、該モジュ
ールはブロービング装置内に再装着された事になる。
次にＺ方向微動装置３′を働かせてからウェファ−プロ
ービング・モジュール蓋吸着用真空系１８を働かせ、プ
ローブ・カード６を支持板６′に取り伺ける。さらに、
ウェファ−・ブロービング・モジュール蓋・底部吸着用
真空系１４を切り、Ｚ方向微動装置８′を再動作すれば
半導体ウェファ−５はＸ−Ｙ方向微動装置２により動か
せるようになる。
ービング・モジュール蓋吸着用真空系１８を働かせ、プ
ローブ・カード６を支持板６′に取り伺ける。さらに、
ウェファ−・ブロービング・モジュール蓋・底部吸着用
真空系１４を切り、Ｚ方向微動装置８′を再動作すれば
半導体ウェファ−５はＸ−Ｙ方向微動装置２により動か
せるようになる。
ここで、プローブ・カード６及び支持板６′、ウェファ
−・ブロービング・モジュール底部１１及び２方向微動
装置３′の間にかみ合わせ部分を設置しておけば、前記
再装着は容易にできる。又プローブ・カード６とウェフ
ァ−・プロービング・モジュール蓋の固定方法を工夫す
れば従来のソケット型のプローブ・カードをそのまま使
用できる。
−・ブロービング・モジュール底部１１及び２方向微動
装置３′の間にかみ合わせ部分を設置しておけば、前記
再装着は容易にできる。又プローブ・カード６とウェフ
ァ−・プロービング・モジュール蓋の固定方法を工夫す
れば従来のソケット型のプローブ・カードをそのまま使
用できる。
第３図は、ウェファ−・プロービング・モジュールの特
殊環境下にふ・ける使用例として前記のホール測定に適
用した例を示したものである。
殊環境下にふ・ける使用例として前記のホール測定に適
用した例を示したものである。
本実施例では、被測定試料として半絶縁層上に形成され
たイオン注入層を取り上げる。測定領域間分離のためイ
オン注入層は島状に形成されている。又半導体ウェファ
−上には四つの島を連結する形のオーミック電極が格子
状に形成され、任意の互いに隣接する４点が選ばれブロ
ービング用針７と接触している。又、ウェファ−・プロ
ービング・モジュールの構成部品の多くは磁気を帯びに
くい利質で構成されているものとする。ウェファ−・プ
ロービング・モジュールはプロービング・モジュール吸
着用真空系１３′により支持具１６に固定され、半導体
ウェファ−表面が印加磁界と直交する工う磁極間に設置
される。しかる後に磁場を印加し、プロービング用針７
を用いて任意の２端子に電流を流したとき他の２電極の
電位を測定する。（第８図ではプローブ・カードからの
配線は省略されている。）測定後吸着用真空系１３′を
切れば支持具１６から取りはずす事ができる。島状領域
の間隔は通常のホトリソ技術で数μｍに迄縮少できるの
で有効エリアを拡大できる。又、エツチングにより分離
した半絶縁基板上のエビ層、絶縁体上で物理的分離した
半絶縁基板の測定も可能である。
たイオン注入層を取り上げる。測定領域間分離のためイ
オン注入層は島状に形成されている。又半導体ウェファ
−上には四つの島を連結する形のオーミック電極が格子
状に形成され、任意の互いに隣接する４点が選ばれブロ
ービング用針７と接触している。又、ウェファ−・プロ
ービング・モジュールの構成部品の多くは磁気を帯びに
くい利質で構成されているものとする。ウェファ−・プ
ロービング・モジュールはプロービング・モジュール吸
着用真空系１３′により支持具１６に固定され、半導体
ウェファ−表面が印加磁界と直交する工う磁極間に設置
される。しかる後に磁場を印加し、プロービング用針７
を用いて任意の２端子に電流を流したとき他の２電極の
電位を測定する。（第８図ではプローブ・カードからの
配線は省略されている。）測定後吸着用真空系１３′を
切れば支持具１６から取りはずす事ができる。島状領域
の間隔は通常のホトリソ技術で数μｍに迄縮少できるの
で有効エリアを拡大できる。又、エツチングにより分離
した半絶縁基板上のエビ層、絶縁体上で物理的分離した
半絶縁基板の測定も可能である。
以上述べた実施例からも明らかなように、本発明してよ
れば特殊環境下における測定をウェハーの７ままの形で
実施することができる。
れば特殊環境下における測定をウェハーの７ままの形で
実施することができる。
本実節回シχおいては特殊環境として磁界における測定
を挙げたが液体Ｎ２ふん囲気中といった低温条件、恒温
佃、湿条件下の測定光励起用測定系等においても使用可
能である。
を挙げたが液体Ｎ２ふん囲気中といった低温条件、恒温
佃、湿条件下の測定光励起用測定系等においても使用可
能である。
第１図は従来のウェファ−・プロービング装置の構成を
示すブロック図、第２図は本発明の一実施例であるウェ
ファ−・プロービング装置の構成を示すブロック図、第
３図は、本発明の一実施例であるウェファ−・プロービ
ング・モジュールを磁極間に設置した状態を示す図であ
る。 ・ 図において、１は支持台、２はＸ−Ｙ方向移動用微
動装置、３．３’、３”は２方向移動用微動装置、４は
試料ステージ、５は半導体ウェファ−（被測定試料）、
６はプローブ・カード、７はブロービング用針、８はプ
ローブ・カード支持具、９は拡大光学系、１０はくり抜
き孔、１１はウェファ−プロービング・モジュール底部
、１２はウェファ−・プロービング・モジュール蓋、１
３．１３’ はウェファ−・プロービング・モジュール
蓋吸着孔及び真空系、■４はウェファ−・プロービング
・モジュール蓋・底部吸着孔及び真空系、１５はウニ７
７−・プロービング・モジュール底部吸着孔及び真空系
、６′は支持板、８′は支持板取付治具、１６はウェフ
ァ−・プロービング・モジュール支持具、１７は磁極を
示す。
示すブロック図、第２図は本発明の一実施例であるウェ
ファ−・プロービング装置の構成を示すブロック図、第
３図は、本発明の一実施例であるウェファ−・プロービ
ング・モジュールを磁極間に設置した状態を示す図であ
る。 ・ 図において、１は支持台、２はＸ−Ｙ方向移動用微
動装置、３．３’、３”は２方向移動用微動装置、４は
試料ステージ、５は半導体ウェファ−（被測定試料）、
６はプローブ・カード、７はブロービング用針、８はプ
ローブ・カード支持具、９は拡大光学系、１０はくり抜
き孔、１１はウェファ−プロービング・モジュール底部
、１２はウェファ−・プロービング・モジュール蓋、１
３．１３’ はウェファ−・プロービング・モジュール
蓋吸着孔及び真空系、■４はウェファ−・プロービング
・モジュール蓋・底部吸着孔及び真空系、１５はウニ７
７−・プロービング・モジュール底部吸着孔及び真空系
、６′は支持板、８′は支持板取付治具、１６はウェフ
ァ−・プロービング・モジュール支持具、１７は磁極を
示す。
Claims (1)
- （１）半導体ウェファ−を固定する試料ステージとブロ
ービング用針及び該ブロービング用針支治部分と、半導
体ウェファ−とブロービング用針を接触させる為の微動
装置部分とが、ブロービング用針と前記半導体ウェファ
−との水平面内での接触位置を変更する為の微動装置部
分、支持台、拡大光学系と分離して使用できることを特
徴とする半導体ウェファ−のブロービング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001088A JPS60144947A (ja) | 1984-01-07 | 1984-01-07 | 半導体ウエフア−のプロ−ビング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001088A JPS60144947A (ja) | 1984-01-07 | 1984-01-07 | 半導体ウエフア−のプロ−ビング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60144947A true JPS60144947A (ja) | 1985-07-31 |
Family
ID=11491740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59001088A Pending JPS60144947A (ja) | 1984-01-07 | 1984-01-07 | 半導体ウエフア−のプロ−ビング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60144947A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4966520A (en) * | 1988-11-02 | 1990-10-30 | Tokyo Electron Limited | Method of positioning objects to be measured |
| JP2011003575A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Fujikura Ltd | 磁界プローバ及び磁界印加方法 |
-
1984
- 1984-01-07 JP JP59001088A patent/JPS60144947A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4966520A (en) * | 1988-11-02 | 1990-10-30 | Tokyo Electron Limited | Method of positioning objects to be measured |
| JP2011003575A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Fujikura Ltd | 磁界プローバ及び磁界印加方法 |
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