JPS60152003A - 酸化亜鉛非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
酸化亜鉛非直線抵抗体の製造方法Info
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- JPS60152003A JPS60152003A JP59007756A JP775684A JPS60152003A JP S60152003 A JPS60152003 A JP S60152003A JP 59007756 A JP59007756 A JP 59007756A JP 775684 A JP775684 A JP 775684A JP S60152003 A JPS60152003 A JP S60152003A
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- zinc oxide
- nonlinear resistor
- mol
- oxide nonlinear
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は酸化亜鉛非+FX Mf抵抗体の製造方法に
関する。
関する。
一般に酸化亜鉛非直線抵抗体(以下ZnO素子と称す)
としては主祭加物としてのBi、0.及びその他数種の
金属酸化物を含んだ配合の素子が使用される。この素子
は耐久性の向上を図るためと、素子外周部の絶縁コーテ
ィングのために400″C〜900Cの熱処理工程を楕
すが、この熱処理を行うと水子の1d圧電流非直線特性
が大きく低下してしまう欠点がある。この特性1氏下を
起す原因はB1゜0、結晶摺dが熱処理により変化して
しまうからである。また、上記素子はある電流領域(普
通100μA〜IAIでの非直線特性はその非直線指数
(α)が20以上であるが、それ以下あるいはそれ以上
では極端に特性が低下する欠点がある。さらに、主添加
物であるBi、03はB1元素のクラーク数が2XIO
−Ilと骨部的に乏しい。
としては主祭加物としてのBi、0.及びその他数種の
金属酸化物を含んだ配合の素子が使用される。この素子
は耐久性の向上を図るためと、素子外周部の絶縁コーテ
ィングのために400″C〜900Cの熱処理工程を楕
すが、この熱処理を行うと水子の1d圧電流非直線特性
が大きく低下してしまう欠点がある。この特性1氏下を
起す原因はB1゜0、結晶摺dが熱処理により変化して
しまうからである。また、上記素子はある電流領域(普
通100μA〜IAIでの非直線特性はその非直線指数
(α)が20以上であるが、それ以下あるいはそれ以上
では極端に特性が低下する欠点がある。さらに、主添加
物であるBi、03はB1元素のクラーク数が2XIO
−Ilと骨部的に乏しい。
この発明は上記の欠点を除去し、熱処理により非直線特
性を低下させないようにするとともに課電時にも漏れ市
原の少なるようにした酸化亜鉛非直線抵抗体の製造方法
を提供することを目的とする。
性を低下させないようにするとともに課電時にも漏れ市
原の少なるようにした酸化亜鉛非直線抵抗体の製造方法
を提供することを目的とする。
この発明は上記の目的を達成するために、予めpbO、
sb、 o、を80θ〜1100°Cで熱処理した粉体
を、ZnO、MnO,、81,203、Cr20B 、
NiOの粉体とともに混合させて加圧成形し、その成
形体をt^処理して形成した構成にある。
sb、 o、を80θ〜1100°Cで熱処理した粉体
を、ZnO、MnO,、81,203、Cr20B 、
NiOの粉体とともに混合させて加圧成形し、その成
形体をt^処理して形成した構成にある。
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
まず、PbO、5btOsをモル比で2=1の割合で所
定量秤量し、遠心ボールミルで良く混合した後、アルミ
ナルツボ中で1000 ℃の熱で4時間仮焼を行なった
。このようにして仮焼した仮焼物を前記ボールミルで粉
砕して反応物を得る。その後、ZnO: 98.Omo
14b Mn0t:0.5mo1%、5l)tOs :
0.5mo1%、er、o、: 0.5 mo14及び
NiO: 0.5 mob %を所定量秤量し、これら
に前記反応物を重量比で2チ加え、これらの粉体を良く
混合し、円板状に加圧成形する。その後、成形体を空気
中で1100”C。
定量秤量し、遠心ボールミルで良く混合した後、アルミ
ナルツボ中で1000 ℃の熱で4時間仮焼を行なった
。このようにして仮焼した仮焼物を前記ボールミルで粉
砕して反応物を得る。その後、ZnO: 98.Omo
14b Mn0t:0.5mo1%、5l)tOs :
0.5mo1%、er、o、: 0.5 mo14及び
NiO: 0.5 mob %を所定量秤量し、これら
に前記反応物を重量比で2チ加え、これらの粉体を良く
混合し、円板状に加圧成形する。その後、成形体を空気
中で1100”C。
6時間焼成した後、成形体の両端面を研磨し、Ag電極
を塗布し、590′″C11時間の熱処理を行う。
を塗布し、590′″C11時間の熱処理を行う。
第1図は上記実施例によって製造されたZnO素子の電
圧4流特性と、NiOを添加しないZnO素子の電圧゛
這流特性を示す特性図で、図中、曲線Aが本芙MIi例
のもの、曲線Bが前記後者の素子のものである。この第
1図から明らかのように、電流領域での非直線特性は本
実施例のものは極端に悪化しない。しかし、前記後者の
ものは従来技術として述べたと同じように非直線特性が
極端に悪くなる。
圧4流特性と、NiOを添加しないZnO素子の電圧゛
這流特性を示す特性図で、図中、曲線Aが本芙MIi例
のもの、曲線Bが前記後者の素子のものである。この第
1図から明らかのように、電流領域での非直線特性は本
実施例のものは極端に悪化しない。しかし、前記後者の
ものは従来技術として述べたと同じように非直線特性が
極端に悪くなる。
第2図はNiOiを変えて添加した場合の0.1α1.
0値(電流が0.1 mAとl 、QmA間の非直線指
数)を示す曲線AとIQKAの8×20μsパルス印加
後のΔV 電圧変化率 1°0/v□、。を示す曲線Bの特性図で
ある。
0値(電流が0.1 mAとl 、QmA間の非直線指
数)を示す曲線AとIQKAの8×20μsパルス印加
後のΔV 電圧変化率 1°0/v□、。を示す曲線Bの特性図で
ある。
第3図はパルス′α流値に対する■、工の変化率を示す
特性図で、曲線Aは本実施例のもの、曲線BはNiOを
添加しない素子のものである。
特性図で、曲線Aは本実施例のもの、曲線BはNiOを
添加しない素子のものである。
上記第1図から第3図で明らかのように本実施例により
調造された抵抗体はNiOを添加しないものに比較して
パルス印加後の電圧変化率が非常に小さい特徴がある。
調造された抵抗体はNiOを添加しないものに比較して
パルス印加後の電圧変化率が非常に小さい特徴がある。
また焼結体の熱処理幅度は500“℃〜850”Cが良
く、それ以下では寿命時性が良くならず850C以上で
は非1r■線特性/バ低下する。
く、それ以下では寿命時性が良くならず850C以上で
は非1r■線特性/バ低下する。
さらに、熱処理時間は水子の太ささにより異なるが、1
時間以上が好ましく、昇温、降温速度は素子に急熱、急
冷等により歪が入らない程度の200℃/時以下が好ま
しい。なお、焼成温度は1000〜] 300”Cが良
くそれ以下であると緻密な焼結体とはならず、1300
’C以上ではPbOの揮散を招き非直線性が悪くなる。
時間以上が好ましく、昇温、降温速度は素子に急熱、急
冷等により歪が入らない程度の200℃/時以下が好ま
しい。なお、焼成温度は1000〜] 300”Cが良
くそれ以下であると緻密な焼結体とはならず、1300
’C以上ではPbOの揮散を招き非直線性が悪くなる。
焼成時間は1〜20時間が良く1時間以内では均一な焼
結体が得られない。そして20時間以上では表面付近の
Pl、0 、 Sbt o3揮発が無視できなくなる。
結体が得られない。そして20時間以上では表面付近の
Pl、0 、 Sbt o3揮発が無視できなくなる。
上記の結果からZnO素子製造方法における添加成分の
範囲はPbO、F3b20B反応物は0.2〜20Wt
@%MnO,はO,l −5mol ’Iy、5btO
sは0.1−5mol 4y、0r203はQ、 l
−5mol %、NiOは0.1〜5mo1 %が好ま
しく、この範′囲より少いと効果が現われず、多いと非
直線性が低下する。また、NiOがO,] mo1 %
より少いと効果が現われず、5mol 4より多いとイ
ンパルス印加後心圧率が大きくなる。
範囲はPbO、F3b20B反応物は0.2〜20Wt
@%MnO,はO,l −5mol ’Iy、5btO
sは0.1−5mol 4y、0r203はQ、 l
−5mol %、NiOは0.1〜5mo1 %が好ま
しく、この範′囲より少いと効果が現われず、多いと非
直線性が低下する。また、NiOがO,] mo1 %
より少いと効果が現われず、5mol 4より多いとイ
ンパルス印加後心圧率が大きくなる。
なお、上記実施例では遠ノしボールミル、アルミナルツ
ボ等を使用したが、これらは別の種類のものでもよい。
ボ等を使用したが、これらは別の種類のものでもよい。
以上述べたように、この発明によれば、熱処理によって
も結晶構造の変化を起さないので、非1ば線特性を低下
させず、かつ電流り月()μAと少ない領域から非直線
特性値が高く、課電時にも漏れ電流の少なく、また、課
電時間による漏れ電流の増加も少ないため耐久性が著し
く増加し、しかもBi。
も結晶構造の変化を起さないので、非1ば線特性を低下
させず、かつ電流り月()μAと少ない領域から非直線
特性値が高く、課電時にも漏れ電流の少なく、また、課
電時間による漏れ電流の増加も少ないため耐久性が著し
く増加し、しかもBi。
03系素子の(Bi のクラーク数2 X Hl−″)
に比較してPbO(Pbのクラーク数1.5 x 1O
−3)を使用するので資源として豊にである等の利点を
もっている。
に比較してPbO(Pbのクラーク数1.5 x 1O
−3)を使用するので資源として豊にである等の利点を
もっている。
・直1図はこの発明の一実施例によって製造されたZn
O素子のべ正電流特性とNiOを添加しない素子の電圧
電流特性図、第2図はNiO量を変えて添加した場合の
非直線指数とパルス印加後の電圧変化率を示す特性図、
第3図はパルス電流に対するVエエの変化率を示す特性
図である。 第1図 第2図 Nip 添カot(mop 0ム)
O素子のべ正電流特性とNiOを添加しない素子の電圧
電流特性図、第2図はNiO量を変えて添加した場合の
非直線指数とパルス印加後の電圧変化率を示す特性図、
第3図はパルス電流に対するVエエの変化率を示す特性
図である。 第1図 第2図 Nip 添カot(mop 0ム)
Claims (2)
- (1)予めPl)0 、81)203を所定の温度で反
応させた後、その反応物をZnO、Mn01 、5b2
03 、0r203 。 NiOに冷加し混合して加圧成形し、その成形体を熱処
理成形したことを特徴とする酸化亜鉛非直線抵抗体の製
造方法。 - (2) 前記PbO,5b203反応物を0.2から2
0 wt係。 MnO2を0.1から5mol 4 、8byon を
01から5mol % 、 0r103を01から5
mol % 、 NiOを01から5. mol係をZ
nOに添加したことを特徴とする特許請求の軸間第1項
に記載の酸化亜鉛非直線抵抗体の製造方法。 f3)iiiJ記PbO,Sb、O5の割合がモル比で
2:1から2=15である反応物とした特許請求の、1
il)間第1項に記載の酸化亜鉛非直線抵抗体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59007756A JPS60152003A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | 酸化亜鉛非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59007756A JPS60152003A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | 酸化亜鉛非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60152003A true JPS60152003A (ja) | 1985-08-10 |
Family
ID=11674535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59007756A Pending JPS60152003A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | 酸化亜鉛非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60152003A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027004A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-02-12 | カ−ネイ・アンド・トレツカ−・コ−ポレ−シヨン | 位置誤差を自動的かつ動的に調整する方法および装置 |
-
1984
- 1984-01-19 JP JP59007756A patent/JPS60152003A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027004A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-02-12 | カ−ネイ・アンド・トレツカ−・コ−ポレ−シヨン | 位置誤差を自動的かつ動的に調整する方法および装置 |
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