JPS60152020A - アニ−ル方法 - Google Patents
アニ−ル方法Info
- Publication number
- JPS60152020A JPS60152020A JP59007456A JP745684A JPS60152020A JP S60152020 A JPS60152020 A JP S60152020A JP 59007456 A JP59007456 A JP 59007456A JP 745684 A JP745684 A JP 745684A JP S60152020 A JPS60152020 A JP S60152020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sweep
- silicon layer
- polycrystalline silicon
- irradiation
- regions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
- H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H10P14/382—Scanning of a beam
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3451—Structure
- H10P14/3452—Microstructure
- H10P14/3458—Monocrystalline
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
- H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H10P14/3808—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃａｌ 発明の技術分野
本発明は、Ｓ ０１ （Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎ５
ｕｌａｔｏｒ）技術におＬ３る非単結晶シリコン層の単
結晶化に係り、特に、エネルギー線ビームを掃引照射し
て単結晶化するアニールの方法に関す。
ｕｌａｔｏｒ）技術におＬ３る非単結晶シリコン層の単
結晶化に係り、特に、エネルギー線ビームを掃引照射し
て単結晶化するアニールの方法に関す。
ｌｂｌ 技術の背景
ＳＯＩ技術は、基体表面の絶縁物上にシリコン単結晶を
形成し、該単結晶に素子を形成する技術で、半導体装置
において例えば三次元回路の形成による高度の集積化な
どを可能にするものとして期待されている。本発明に係
る単結晶化技術は、上記ＳＯＩ技術において最も重要な
ものであり、この単結晶形成の成否が半導体装置の特性
に大きく影響する。
形成し、該単結晶に素子を形成する技術で、半導体装置
において例えば三次元回路の形成による高度の集積化な
どを可能にするものとして期待されている。本発明に係
る単結晶化技術は、上記ＳＯＩ技術において最も重要な
ものであり、この単結晶形成の成否が半導体装置の特性
に大きく影響する。
前記単結晶形成には、一般に加熱方法が用いられ、例え
ば、化学気相成長法（ＣＶＤ法）により前記絶縁物上に
形成された多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコ
ンを、例えばレーザービームなどのエネルギー線ビーム
により照射加熱（アニール）し単結晶化する方法によっ
て行われているが、現在の単結晶化技術は未だ未熟な状
態にある。
ば、化学気相成長法（ＣＶＤ法）により前記絶縁物上に
形成された多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコ
ンを、例えばレーザービームなどのエネルギー線ビーム
により照射加熱（アニール）し単結晶化する方法によっ
て行われているが、現在の単結晶化技術は未だ未熟な状
態にある。
ｆｃｌ 従来技術と問題点
第１図はレーザービームの掃引照射により多結晶シリコ
ン層を単結晶化するアニールの方法を脱型する側面図、
第２図はその従来のアニール方法における掃引照射部分
の平面図、第３図、第４図、第５図はレーザービームの
照射が単一掃引の場合における多結晶シリコン層の単結
晶化状況を示す平面図ｆａｌ側断面図ｆｂｌ、第６図は
従来のアニール方法の第二掃引におりる剥離を示す平面
図（ａｌ側断面図ｆｂｌ、第７図は従来のアニール方法
においてたまたま発生した剥離の拡大を示す平面図（ａ
）（尋で、ｌば基体、２は多結晶シリコン層、３は単結
晶化シリコン層、４は小さな結晶粒の集合体からなるシ
リコン層、５は剥離、Ｌはレーザービームをそれぞれ示
す。
ン層を単結晶化するアニールの方法を脱型する側面図、
第２図はその従来のアニール方法における掃引照射部分
の平面図、第３図、第４図、第５図はレーザービームの
照射が単一掃引の場合における多結晶シリコン層の単結
晶化状況を示す平面図ｆａｌ側断面図ｆｂｌ、第６図は
従来のアニール方法の第二掃引におりる剥離を示す平面
図（ａｌ側断面図ｆｂｌ、第７図は従来のアニール方法
においてたまたま発生した剥離の拡大を示す平面図（ａ
）（尋で、ｌば基体、２は多結晶シリコン層、３は単結
晶化シリコン層、４は小さな結晶粒の集合体からなるシ
リコン層、５は剥離、Ｌはレーザービームをそれぞれ示
す。
レーデ−ビームの掃引照射により多結晶シリコン層を単
結晶化するアニールを行う場合、第１図図示のように、
一般に、少なくとも表面が絶縁物である基体１上に本ア
ニールにより単結晶化する多結晶シリコン層２を例えば
ＣＶＤ法により形成し、多結晶シリコンＭ２にレーザー
ビームＬを矢印方向く図上右方向）に繰り返し掃引しな
がら照射して、多結晶シリコン層２の該照射局部を加熱
溶融、再結晶化させて行っている。
結晶化するアニールを行う場合、第１図図示のように、
一般に、少なくとも表面が絶縁物である基体１上に本ア
ニールにより単結晶化する多結晶シリコン層２を例えば
ＣＶＤ法により形成し、多結晶シリコンＭ２にレーザー
ビームＬを矢印方向く図上右方向）に繰り返し掃引しな
がら照射して、多結晶シリコン層２の該照射局部を加熱
溶融、再結晶化させて行っている。
前記繰り返し掃引は、レーザービームＬのビームスポッ
トで多結晶シリコンＮ２の面を覆う必要から行うもので
、この場合の従来の掃引照射方法においては、第２図に
示すように、掃引の順序を・・・、Ｎ−２、Ｎ−１、Ｎ
と進め、各掃引の照射領域がオーバラップするようにし
て、多結晶シリコン層２をその端部から順次単結晶化シ
リコン層３にしている。
トで多結晶シリコンＮ２の面を覆う必要から行うもので
、この場合の従来の掃引照射方法においては、第２図に
示すように、掃引の順序を・・・、Ｎ−２、Ｎ−１、Ｎ
と進め、各掃引の照射領域がオーバラップするようにし
て、多結晶シリコン層２をその端部から順次単結晶化シ
リコン層３にしている。
このアニール方法においては、以下に説明する事情から
、レーザービームＬのパワーが制限されて照射条件幅が
狭（なっている。
、レーザービームＬのパワーが制限されて照射条件幅が
狭（なっている。
第３図〜第５図に掃引が単一の場合におけるレーザービ
ーム上パワーの大小による単結晶化状況を示している。
ーム上パワーの大小による単結晶化状況を示している。
該パワーが適正な場合には第３図図示のように掃引の跡
は照射領域幅の略全域に渡って所望の単結晶化シリコン
Ｎ３になっているが、該パワーが過小の場合は第４図図
示のように掃引の跡は小さな結晶粒の集合体からなるシ
リコン層４となって半導体素子の形成には不適なものに
なる。一方、該パワーが過大の場合は掃引の跡ではシリ
コン層が消失して基体１の表面が露出し所謂“剥離”と
称する図示５の領域が発生し、半導体素子の形成が不可
能になる。この剥離５は、多結晶シリコンＭ２の溶融状
態が正常の場合と異なることに起因して溶融シリコンが
照射領域幅の両側に即ち溶融していないシリコン側に引
き寄せられて生ずるものと考えられる。
は照射領域幅の略全域に渡って所望の単結晶化シリコン
Ｎ３になっているが、該パワーが過小の場合は第４図図
示のように掃引の跡は小さな結晶粒の集合体からなるシ
リコン層４となって半導体素子の形成には不適なものに
なる。一方、該パワーが過大の場合は掃引の跡ではシリ
コン層が消失して基体１の表面が露出し所謂“剥離”と
称する図示５の領域が発生し、半導体素子の形成が不可
能になる。この剥離５は、多結晶シリコンＭ２の溶融状
態が正常の場合と異なることに起因して溶融シリコンが
照射領域幅の両側に即ち溶融していないシリコン側に引
き寄せられて生ずるものと考えられる。
このようにして、レーザービームＬのパワーには下限と
上限の制限が与えられるが、本アニール方法の場合、第
２図図示のように繰り返しの掃引が必要であり、該パワ
ーを該制限の範囲内に設定しても上限に近い場合には、
第６図図示のように、第一の掃引■において正常な単結
晶シリコン層３が形成されても第二の掃引■において剥
離５が発生することがある。このため前記上限を下方修
ｊＥすることが必要になり、レーザービームＬのパワー
が更に制限されて照射条件幅が狭くなっている。
上限の制限が与えられるが、本アニール方法の場合、第
２図図示のように繰り返しの掃引が必要であり、該パワ
ーを該制限の範囲内に設定しても上限に近い場合には、
第６図図示のように、第一の掃引■において正常な単結
晶シリコン層３が形成されても第二の掃引■において剥
離５が発生することがある。このため前記上限を下方修
ｊＥすることが必要になり、レーザービームＬのパワー
が更に制限されて照射条件幅が狭くなっている。
第二の掃引■におｋＪるａｌｌ離５の発生には、■の掃
引の余熱が影響しているものと考えられる。
引の余熱が影響しているものと考えられる。
また、以上のようにして限定されたレーザービームＬの
パワーのもとに本アニール方法によってアニールを行っ
ても、第７図ｔａ＋図示のように、剥離５が発生する場
合がある。これはたまたま掃引Ｎ領域上に異物などが存
在したことによるが、この剥離５の存在のため、第７図
（ｂ１図示のように、問題になる異物の存在がない次の
掃引Ｎ＋１、更にＮ＋２、・・・においても剥離が誘発
され、掃引繰り返しの最後まで剥［５が拡大される。
パワーのもとに本アニール方法によってアニールを行っ
ても、第７図ｔａ＋図示のように、剥離５が発生する場
合がある。これはたまたま掃引Ｎ領域上に異物などが存
在したことによるが、この剥離５の存在のため、第７図
（ｂ１図示のように、問題になる異物の存在がない次の
掃引Ｎ＋１、更にＮ＋２、・・・においても剥離が誘発
され、掃引繰り返しの最後まで剥［５が拡大される。
上述の事情は、エネルギー線ビームがレーザービームに
、また、非単結晶の半導体層が多結晶シリコン層に限定
されないことＣよ容易に類推出来る。
、また、非単結晶の半導体層が多結晶シリコン層に限定
されないことＣよ容易に類推出来る。
一方、エネルギー線ビームの掃引照射による多結晶シリ
コン層の単結晶化においては、該エネルギー線ビームの
パワーを増大するととにより、より優れた単結晶化をな
し得ることが多くの経験から知られている。
コン層の単結晶化においては、該エネルギー線ビームの
パワーを増大するととにより、より優れた単結晶化をな
し得ることが多くの経験から知られている。
従って、本アニール方法においては、前記エネルギー線
ビームの照射条件幅が狭いこともさることながら、パワ
ー増大が制限されて単結晶化半導体層の改善が阻まれ、
然も、一旦剥離が発生ずると掃引繰り返しの最後まで該
剥離が拡大する欠点を有する。
ビームの照射条件幅が狭いこともさることながら、パワ
ー増大が制限されて単結晶化半導体層の改善が阻まれ、
然も、一旦剥離が発生ずると掃引繰り返しの最後まで該
剥離が拡大する欠点を有する。
（ｄ＋ 発明の目的
本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、絶縁物上にある
非単結晶の半導体層にエネルギー線ビームを掃引照射し
て該半導体層を単結晶化するアニールを行うに際して、
前記エネルギー線ビームのパワーを増大することが可能
で、且つたまたま発生した剥離の拡大を抑制するアニー
ルの方法を提供するにある。− （ｅｌ 発明の構成 上記目的は、絶縁物上にある非単結晶半導体層にエネル
ギー線ビームを掃引照射し゛ζ該半導体層を単結晶化す
るアニールを行うに際して、前記掃引照射におりる一掃
引とこれに続く次の掃引とのそれぞれの照射領域の間に
間隔を設ＬＪることを特徴とするアニール方法によ、て
達成される。
非単結晶の半導体層にエネルギー線ビームを掃引照射し
て該半導体層を単結晶化するアニールを行うに際して、
前記エネルギー線ビームのパワーを増大することが可能
で、且つたまたま発生した剥離の拡大を抑制するアニー
ルの方法を提供するにある。− （ｅｌ 発明の構成 上記目的は、絶縁物上にある非単結晶半導体層にエネル
ギー線ビームを掃引照射し゛ζ該半導体層を単結晶化す
るアニールを行うに際して、前記掃引照射におりる一掃
引とこれに続く次の掃引とのそれぞれの照射領域の間に
間隔を設ＬＪることを特徴とするアニール方法によ、て
達成される。
前述したように従来の経験によれば、前記照射領域がオ
ーバラップすることにより、前記エネルギー線ビームの
パワー増大が制限され、また、たまたま発生した！１１
ｉＳ１１が大きく拡大するので、該照射領域の間に間隔
を設り酸オーバラップを除去することにより、該パワー
を上げることが可能になり、該剥Ｍｌｔ拡大の抑制が可
能になる。
ーバラップすることにより、前記エネルギー線ビームの
パワー増大が制限され、また、たまたま発生した！１１
ｉＳ１１が大きく拡大するので、該照射領域の間に間隔
を設り酸オーバラップを除去することにより、該パワー
を上げることが可能になり、該剥Ｍｌｔ拡大の抑制が可
能になる。
（ｆｌ 発明の実施例
以下本発明の実施例を図により説明する。全図を通じ同
一符号は同一対象物を示す。
一符号は同一対象物を示す。
第８図はレーザービームの掃引照射により多結晶シリコ
ン層を単結晶化する本発明のアニール方法を説明する掃
引照射部分の平面図１８１ ｆｂ）、第９図はそのアニ
ール方法においてたまたま発生した剥離の拡大を示す平
面図である。
ン層を単結晶化する本発明のアニール方法を説明する掃
引照射部分の平面図１８１ ｆｂ）、第９図はそのアニ
ール方法においてたまたま発生した剥離の拡大を示す平
面図である。
第８図は従来の方法の第２図に対応する図である。従来
の掃引照射方法は、繰り返し掃引−組で多結晶シリコン
Ｍ２の全てを覆っていたが、本発明による掃引照射方法
は、繰り返し掃引を複数組に分割し該複数組で多結晶シ
リコン層２の全てを覆うでいる。
の掃引照射方法は、繰り返し掃引−組で多結晶シリコン
Ｍ２の全てを覆っていたが、本発明による掃引照射方法
は、繰り返し掃引を複数組に分割し該複数組で多結晶シ
リコン層２の全てを覆うでいる。
ここの実施例では、前記複数組を二組にしていて、最初
に図（ａ１図示のように、掃引の順序を・・・、Ｎ１−
１、Ｎｌと進める。この際のＮ１−１とＮ１とは例えば
第２図におけるＮ−２とＮとに対応し、その照射領域の
間隔はＮ−２とＮとの照射領域の間隔に合わせである。
に図（ａ１図示のように、掃引の順序を・・・、Ｎ１−
１、Ｎｌと進める。この際のＮ１−１とＮ１とは例えば
第２図におけるＮ−２とＮとに対応し、その照射領域の
間隔はＮ−２とＮとの照射領域の間隔に合わせである。
この第一組の掃引により多結晶シリコン屓２の表面を−
渡り照射した後、図（ｂ）図示のように・・・、Ｎ２−
１． Ｎ２の順序で第二組の掃引を行う。この際のＮ２
−１は例えば第２図におりるＮ−１に対応し、第二組の
掃引を終了すると、第２図図示の掃引を終了した状態と
同様になる。
渡り照射した後、図（ｂ）図示のように・・・、Ｎ２−
１． Ｎ２の順序で第二組の掃引を行う。この際のＮ２
−１は例えば第２図におりるＮ−１に対応し、第二組の
掃引を終了すると、第２図図示の掃引を終了した状態と
同様になる。
しかしながら、例えばＮ１−１とＮ１との間またＮ２−
１とＮ２との間には照射領域にオーバラップがなく間隔
が設けられていること、および、例えばＮ１の掃引が済
んでからＮ２−１の掃引に至るまでにＮ１の冷却が進み
余熱が殆ど消失していることのために、各掃引は第３図
の状態と略同様になり、レーザービームＬのパワーを従
来の方法より増大することが可能になる。
１とＮ２との間には照射領域にオーバラップがなく間隔
が設けられていること、および、例えばＮ１の掃引が済
んでからＮ２−１の掃引に至るまでにＮ１の冷却が進み
余熱が殆ど消失していることのために、各掃引は第３図
の状態と略同様になり、レーザービームＬのパワーを従
来の方法より増大することが可能になる。
更に、第９図図示のように、Ｎ１−１の掃引で第７図＋
ａ１図示のような剥離が発生したとしても、該剥離に誘
発されて拡大するのはＮ２−１の掃引に限定されて図示
５の範囲に留まり、従来のような拡大には至らない。
ａ１図示のような剥離が発生したとしても、該剥離に誘
発されて拡大するのはＮ２−１の掃引に限定されて図示
５の範囲に留まり、従来のような拡大には至らない。
本願の発明者は、絶縁物である二酸化シリコン層の上に
約４０００人の厚さの多結晶シリコン層をＣＶＤ法で形
成し、該多結晶シリコン層にアルゴンレーザービームを
掃引照射して、従来の方法と本発明の方法とを比較した
。レーザービームの条件は、ビーム径約５０μ川φ、掃
引速度約１０ｃＩｎ／秒、従来の方法の場合の掃引ピッ
チ約４０μｍ、本発明の方法の場合の掃引ピッチ約８０
μｍである。この結果、レーザービームのパワーに関し
ては、従来の方法で約１０．５Ｗが、また本発明の方法
で約１３Ｗが路上限であり、本発明の方法では従来の方
法に比較してパワーを約２５％増加することが可能にな
り、形成された単結晶化シリコン層も従来の方法によっ
たものより優れていた。また、たまたま発生した剥離の
拡大に関しても、上述のようになることが確認された。
約４０００人の厚さの多結晶シリコン層をＣＶＤ法で形
成し、該多結晶シリコン層にアルゴンレーザービームを
掃引照射して、従来の方法と本発明の方法とを比較した
。レーザービームの条件は、ビーム径約５０μ川φ、掃
引速度約１０ｃＩｎ／秒、従来の方法の場合の掃引ピッ
チ約４０μｍ、本発明の方法の場合の掃引ピッチ約８０
μｍである。この結果、レーザービームのパワーに関し
ては、従来の方法で約１０．５Ｗが、また本発明の方法
で約１３Ｗが路上限であり、本発明の方法では従来の方
法に比較してパワーを約２５％増加することが可能にな
り、形成された単結晶化シリコン層も従来の方法によっ
たものより優れていた。また、たまたま発生した剥離の
拡大に関しても、上述のようになることが確認された。
ここに述べた事情は、エネルギー線ビームがレーザービ
ーム°に、また、非単結晶の半導体層が多結晶シリコン
層に限定されないことは容易に類推出来る。
ーム°に、また、非単結晶の半導体層が多結晶シリコン
層に限定されないことは容易に類推出来る。
（ａ 発明の効果
以上に説明したように、本発明による構成によれば、絶
縁物上にある非単結晶の半導体層にエネルギー線ビーム
を掃引照射して該半導体層を単結晶化するアニールを行
うに際して、前記エネルギー線ビームのパワーを増大す
ることが可能で、且つたまたま発生した剥離の拡大を抑
制するアニールの方法を提供することが出来て、従来よ
り優れた単結晶化半導体層の形成を可能にさ−ヒる効果
がある。
縁物上にある非単結晶の半導体層にエネルギー線ビーム
を掃引照射して該半導体層を単結晶化するアニールを行
うに際して、前記エネルギー線ビームのパワーを増大す
ることが可能で、且つたまたま発生した剥離の拡大を抑
制するアニールの方法を提供することが出来て、従来よ
り優れた単結晶化半導体層の形成を可能にさ−ヒる効果
がある。
第１図はレーザービームの掃引照射により多結晶シリコ
ン層を単結晶化するアニールの方法を説明する側面図、
第２図はその従来のアニール方法における掃引照射部分
の平面図、第３図、第４図、第５図はレーザービームの
照射が単一掃引の場合におｉＪる多結晶シリコン層の単
結晶化状況を示す平面図＋８１側断面図（ｂｌ、第６図
は従来のアニール方法の第二掃引における剥Ａｌｔを示
す平面図ｔａｔ側断■図（ｂｌ、第７図は従来のアニー
ル方法においてたＪたま発生した剥離の拡大を示ず平面
図（ａｌ （ｂｌ、第８図はレーザービームの掃引照射
により多結晶シリコン層を単結晶化する本発明のアニー
ル方法を説明する掃引照射部分の平面図＋８１ （ｂｌ
、第９図はそのアニール方法においてたまたま発生した
剥離の拡大を示す平面図である。 図面において、１ば基体、２は多結晶シリコン層、３は
単結晶化シリコン層、４は小さな結晶粒の集合体からな
るシリコン層、５は剥離、Ｌはレーザービームをそれぞ
れ示す。 察８耳 Ｊ ／
ン層を単結晶化するアニールの方法を説明する側面図、
第２図はその従来のアニール方法における掃引照射部分
の平面図、第３図、第４図、第５図はレーザービームの
照射が単一掃引の場合におｉＪる多結晶シリコン層の単
結晶化状況を示す平面図＋８１側断面図（ｂｌ、第６図
は従来のアニール方法の第二掃引における剥Ａｌｔを示
す平面図ｔａｔ側断■図（ｂｌ、第７図は従来のアニー
ル方法においてたＪたま発生した剥離の拡大を示ず平面
図（ａｌ （ｂｌ、第８図はレーザービームの掃引照射
により多結晶シリコン層を単結晶化する本発明のアニー
ル方法を説明する掃引照射部分の平面図＋８１ （ｂｌ
、第９図はそのアニール方法においてたまたま発生した
剥離の拡大を示す平面図である。 図面において、１ば基体、２は多結晶シリコン層、３は
単結晶化シリコン層、４は小さな結晶粒の集合体からな
るシリコン層、５は剥離、Ｌはレーザービームをそれぞ
れ示す。 察８耳 Ｊ ／
Claims (1)
- 絶縁物上にある非単結晶半導体層にエネルギー線ビーム
を掃引照射して該半導体層を単結晶化するアニールを行
うに際して、前記掃引照射におりる一掃引とこれに続く
次の掃引とのそれぞれの照射領域の間に間隔を設けるこ
とを特徴とするアニール方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59007456A JPS60152020A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | アニ−ル方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59007456A JPS60152020A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | アニ−ル方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60152020A true JPS60152020A (ja) | 1985-08-10 |
Family
ID=11666323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59007456A Pending JPS60152020A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | アニ−ル方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60152020A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63265421A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体単結晶層の製造方法 |
-
1984
- 1984-01-19 JP JP59007456A patent/JPS60152020A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63265421A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体単結晶層の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6089953A (ja) | 積層型半導体装置の製造方法 | |
| JPH084067B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0732124B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58169940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6115319A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60152020A (ja) | アニ−ル方法 | |
| JPH0799335A (ja) | 半導体膜の除去加工方法及び光起電力素子の製造方法 | |
| JP2000111950A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
| JPS60143624A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6159820A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6347256B2 (ja) | ||
| JPS59224114A (ja) | 単結晶半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0136972B2 (ja) | ||
| JPS60249312A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003309068A (ja) | 半導体膜の形成方法および半導体膜、並びに半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JPS58116720A (ja) | 非単結晶半導体層の単結晶化方法 | |
| JPH03286520A (ja) | 結晶性半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0410212B2 (ja) | ||
| JPS62130510A (ja) | 半導体基体の製造方法 | |
| JPH03250620A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0797555B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPH0744149B2 (ja) | シリコン膜の単結晶化方法 | |
| JPH0722119B2 (ja) | ビ−ムアニ−ル方法 | |
| JPH0713940B2 (ja) | アニ−ル方法 | |
| JPH0797556B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 |