JPS60152677A - 立方晶窒化硼素被覆硬質体の製造方法 - Google Patents
立方晶窒化硼素被覆硬質体の製造方法Info
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- JPS60152677A JPS60152677A JP704384A JP704384A JPS60152677A JP S60152677 A JPS60152677 A JP S60152677A JP 704384 A JP704384 A JP 704384A JP 704384 A JP704384 A JP 704384A JP S60152677 A JPS60152677 A JP S60152677A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/342—Boron nitride
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23B—TURNING; BORING
- B23B27/00—Tools for turning or boring machines; Tools of a similar kind in general; Accessories therefor
- B23B27/14—Cutting tools of which the bits or tips or cutting inserts are of special material
- B23B27/148—Composition of the cutting inserts
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔本発明の技術分野〕
本発明は切削工具として使用するのに適する耐摩耗性に
優れた立方晶窒化硼素（Ｃｕｂｉｃ ＢｏｒｏｎＮｉｔ
ｒｉｄｅ以下ＣＢＮと略す。）の表面層で被覆さ些た硬
質体およびその製造方法に関するものである。
優れた立方晶窒化硼素（Ｃｕｂｉｃ ＢｏｒｏｎＮｉｔ
ｒｉｄｅ以下ＣＢＮと略す。）の表面層で被覆さ些た硬
質体およびその製造方法に関するものである。
現在、主として結合金属と共に少なくとも１種の膨化物
を含有する焼結された硬質基体の表面に、 Ｔｉ（ｊ、
ＴｉＮ又はＡ／２０３等を被覆した工具が使用されてい
る。この現状の被覆工具は、靭性の高い基体にこれより
も高硬度で耐摩耗性忙優れた前記被覆層をつけることに
より、靭性と耐摩耗性の双方に優れたものである。
を含有する焼結された硬質基体の表面に、 Ｔｉ（ｊ、
ＴｉＮ又はＡ／２０３等を被覆した工具が使用されてい
る。この現状の被覆工具は、靭性の高い基体にこれより
も高硬度で耐摩耗性忙優れた前記被覆層をつけることに
より、靭性と耐摩耗性の双方に優れたものである。
しかし、切削速度の高速化に伴い刃先温度が上昇するが
、前記被覆層では１）化学的安定性による被剛材との反
応を少なくする２）高熱伝導率による刃先温度を下げる
ことができない。その結果、前記被覆層からなる切削工
具では、その寿命を伸ばすことが不可能であった。
、前記被覆層では１）化学的安定性による被剛材との反
応を少なくする２）高熱伝導率による刃先温度を下げる
ことができない。その結果、前記被覆層からなる切削工
具では、その寿命を伸ばすことが不可能であった。
本発明者らは前記の１）、２）Ｋついて被覆層のｓ類を
検討することＫよって、高速切削で優れた性能を発揮す
る工具材質を開発すべく研究を重ねた結果、本発明を完
成したものである。
検討することＫよって、高速切削で優れた性能を発揮す
る工具材質を開発すべく研究を重ねた結果、本発明を完
成したものである。
すなわち、本発明の目的は、高速で切削した場合であっ
ても、刃先温度が大きく上昇せず、また、被剛材との反
応による摩耗も少ない被覆硬質体及びその製造方法を提
供するにある。
ても、刃先温度が大きく上昇せず、また、被剛材との反
応による摩耗も少ない被覆硬質体及びその製造方法を提
供するにある。
そして、本発明は上記目的を達成する手段として、被覆
層としてＣＢＮを選定したものであり、また、この被覆
層を硬質基体表面、または、予柘中間被覆層を施こした
硬質基体表面に形成させる手段として、まず、アモルフ
ァス状の留化硼素を被覆させ、次いで、これをＣＢ ｌ
（Ｋ変換させる点にある。すなわち、本発明は、（１）
結合剤金属と共に少なくとも１種の炭化物を含有する焼
結された硬質基体に、直接または中間層を介して厚さｏ
、５〜２０μの立方晶窒化釦素の被覆層を有することを
特徴とする立方晶窒化硼素被覆硬質体、および （２）結合剤金属と共に少なくとも１釉の炭化物を含有
する焼結された硬質基体または予め周期律表の第４ａ、
５ａ族金属の炭化物、窒化物、酸化物及び硼化物の１種
又はそれ以上の被覆が施された上記硬質基体表面に、厚
さ０．５〜２０μのアモルファス状の窒化硼素を気相法
により被覆し、この被覆された硬質体をＡ／および／又
はＡＩ！化合物と接した状態で立方晶窒化鉤素の熱力学
的安定領域に保持することＫよって、アモルファス状の
窒化硼素の全てを立方晶窒化硼素忙変換することを特徴
とする立方晶窒化硼素被覆硬質体の製造方法 である。
層としてＣＢＮを選定したものであり、また、この被覆
層を硬質基体表面、または、予柘中間被覆層を施こした
硬質基体表面に形成させる手段として、まず、アモルフ
ァス状の留化硼素を被覆させ、次いで、これをＣＢ ｌ
（Ｋ変換させる点にある。すなわち、本発明は、（１）
結合剤金属と共に少なくとも１種の炭化物を含有する焼
結された硬質基体に、直接または中間層を介して厚さｏ
、５〜２０μの立方晶窒化釦素の被覆層を有することを
特徴とする立方晶窒化硼素被覆硬質体、および （２）結合剤金属と共に少なくとも１釉の炭化物を含有
する焼結された硬質基体または予め周期律表の第４ａ、
５ａ族金属の炭化物、窒化物、酸化物及び硼化物の１種
又はそれ以上の被覆が施された上記硬質基体表面に、厚
さ０．５〜２０μのアモルファス状の窒化硼素を気相法
により被覆し、この被覆された硬質体をＡ／および／又
はＡＩ！化合物と接した状態で立方晶窒化鉤素の熱力学
的安定領域に保持することＫよって、アモルファス状の
窒化硼素の全てを立方晶窒化硼素忙変換することを特徴
とする立方晶窒化硼素被覆硬質体の製造方法 である。
以下、本発明の詳細な説明すると、本発明者らは、ＯＢ
Ｎが、ダイヤモンドに次ぐ高硬度の物質であり、また、
熱伝導性に優れ、高温における鉄族金属との反応性が少
ない物質であることを知り、そして、ＯＢＮが、結合金
属と共に少なくとも１種の炭化物を含有する焼結された
硬質基体に直接に又は周期律表の第４ａ、５ａ族金属の
炭化物、窒化物、酸化物、硼化物の１種又はそれ以上の
被覆の１層又はそれ以上の中間層を介して厚さ０．５〜
２０μに被覆された硬質体が従来にない性能を有してい
ることを見い出した。
Ｎが、ダイヤモンドに次ぐ高硬度の物質であり、また、
熱伝導性に優れ、高温における鉄族金属との反応性が少
ない物質であることを知り、そして、ＯＢＮが、結合金
属と共に少なくとも１種の炭化物を含有する焼結された
硬質基体に直接に又は周期律表の第４ａ、５ａ族金属の
炭化物、窒化物、酸化物、硼化物の１種又はそれ以上の
被覆の１層又はそれ以上の中間層を介して厚さ０．５〜
２０μに被覆された硬質体が従来にない性能を有してい
ることを見い出した。
ところで、ＣＢＮを気相合成する研究は広く行われてい
るが、未だ雫実な方法が見い出きれていない。ただ、ア
モルファス状の窃化硼率は、プラズマｃｖｎ、イオンブ
レーティング、イオンビーム蒸着などの手段により均一
な膜を作ることは比較的容易である。本発明者らはこの
点に着目したものであって、一旦アモルファス状の窒化
硼素薄膜（勿論部分的にＯＢＮを含んだものであっても
良いが）を被覆し、これをＡ７及び／またはＡＩ！ 化
合物と接触した状態で、ＯＢＮの安定領域である高圧、
高温にさらすことにより、（３８Ｎの膜に転換せしめる
ものである。この手段によれば、容易にＣＢＮのみから
なる強固な被覆層が得られ、かつ、硬質基体との密着強
度も高いものである。
るが、未だ雫実な方法が見い出きれていない。ただ、ア
モルファス状の窃化硼率は、プラズマｃｖｎ、イオンブ
レーティング、イオンビーム蒸着などの手段により均一
な膜を作ることは比較的容易である。本発明者らはこの
点に着目したものであって、一旦アモルファス状の窒化
硼素薄膜（勿論部分的にＯＢＮを含んだものであっても
良いが）を被覆し、これをＡ７及び／またはＡＩ！ 化
合物と接触した状態で、ＯＢＮの安定領域である高圧、
高温にさらすことにより、（３８Ｎの膜に転換せしめる
ものである。この手段によれば、容易にＣＢＮのみから
なる強固な被覆層が得られ、かつ、硬質基体との密着強
度も高いものである。
前述した如＜ＯＢＮは、硬度、熱伝導性及び高温におけ
る化学的安定性の各性質が非常に優れているため、ＯＢ
Ｎを表面に被覆した硬質体は高速で切削した場合におい
ても、刃先温度が大きく上昇せず又被剛材との反応によ
る摩耗も少ないものである。
る化学的安定性の各性質が非常に優れているため、ＯＢ
Ｎを表面に被覆した硬質体は高速で切削した場合におい
ても、刃先温度が大きく上昇せず又被剛材との反応によ
る摩耗も少ないものである。
本発明において、基体としては、結合剤金属と共に少な
くともｉａｉの炭化物を含有する焼結された硬質基体を
用いるものであり、例えば、ｗａ基とか（Ｍｏ、Ｗ）
Ｇ超超硬合金、Ｔｉｅを主体とするサーメット等公知の
ものから任意に選ぶことができる。
くともｉａｉの炭化物を含有する焼結された硬質基体を
用いるものであり、例えば、ｗａ基とか（Ｍｏ、Ｗ）
Ｇ超超硬合金、Ｔｉｅを主体とするサーメット等公知の
ものから任意に選ぶことができる。
本発明において、表面のＯＢＮ被覆層の厚みハ０．５〜
２０μの範囲とするが、その埋山は０．５μ未満では、
硬度、熱伝導性、被剛材に対する化学的安定性等の特性
が充分でなく製品間のバラツキも大きくなるからであり
、また２０μを超えると、被覆層内での歪が発生し易く
層自体の強度が低くなり、切削時に被覆層に微小欠損が
生じ工具性能が低下してしまうからである。
２０μの範囲とするが、その埋山は０．５μ未満では、
硬度、熱伝導性、被剛材に対する化学的安定性等の特性
が充分でなく製品間のバラツキも大きくなるからであり
、また２０μを超えると、被覆層内での歪が発生し易く
層自体の強度が低くなり、切削時に被覆層に微小欠損が
生じ工具性能が低下してしまうからである。
また、本発明において、ＣＢＮ層をＮｏ基超超硬合金被
覆する場合、アモルファス状窒化硼素を直接に被覆する
と密着度の弱いものしか得られず、下地として予め周期
律表の第４ ａ、Ｓａ族金属の炭化物、審化物、酸化物
、硼化物の１種又はそれ以上の被覆の１層又はそれ以上
の中間層の被覆を行い、その上にアモルファス状窒化硼
素の被覆を行えばよい。しかし例えば硬質基体がＴｉＯ
、ＴｉＮを含有する場合には、直接にアモルファス状情
化硼素を密着度よく被覆することが可能である。
覆する場合、アモルファス状窒化硼素を直接に被覆する
と密着度の弱いものしか得られず、下地として予め周期
律表の第４ ａ、Ｓａ族金属の炭化物、審化物、酸化物
、硼化物の１種又はそれ以上の被覆の１層又はそれ以上
の中間層の被覆を行い、その上にアモルファス状窒化硼
素の被覆を行えばよい。しかし例えば硬質基体がＴｉＯ
、ＴｉＮを含有する場合には、直接にアモルファス状情
化硼素を密着度よく被覆することが可能である。
この中間層の厚みは、その有利な性質を保持する一定限
界内で変えることができる。本発明により好適な中間層
を得るためＫは、厚みは少なくとも０．５μである。最
良の結果は１〜１０μで見出された。この中間層は、良
く知られているＰＶＤ、ＣＶＤ等の方法で被覆を行う。
界内で変えることができる。本発明により好適な中間層
を得るためＫは、厚みは少なくとも０．５μである。最
良の結果は１〜１０μで見出された。この中間層は、良
く知られているＰＶＤ、ＣＶＤ等の方法で被覆を行う。
ＣＢＮ層の被覆においては、本発明によれば例えば硬質
基体をＢＣ／４ およびＮＨ３含有ガス流れ内に置いて
温度６ｏｏ〜１０００ｔｌｌ’、圧力Ｏｊ 〜１０ ｗ
Ｈｇ 条件下のプラズマＣＶＤ法でアモルファス状の
９化硼素を被覆し、この被覆された硬質基体とＡＩ！お
よび／又はＡ７７層物とをか接するようにして金属容器
、例えばＭｏ、 Ｗ等の中に充填し、その容器を高温高
圧発生室内に配し、第１図に示したＣＢＮの熱力学的安
定な領域すなわちＡ域で数分間以上曝す。（なお、第１
図において、１は立方晶−六方晶型密化硼素平衡線であ
り、Ａは高正相型窒化硼素安定域であり、Ｂは六方晶型
密化硼素安定域である。）この間にアモルファス状窒化
硼素は、ＡＩ！ および／又はＡ／ 化合物の触媒作用
により０ＢＮＫ変換し、硬質基体の表面にＣｌＢＮ層が
形成される。保持終了後圧力を保持した状態で加熱のみ
を停止し、高温高圧発生室内が室温付近まで冷却された
後に、保持圧力を除々に解除して常圧に戻す。回収され
た試料は金属反応容器を酸処理することによりＣＢＮ被
覆硬質体が得られる。
基体をＢＣ／４ およびＮＨ３含有ガス流れ内に置いて
温度６ｏｏ〜１０００ｔｌｌ’、圧力Ｏｊ 〜１０ ｗ
Ｈｇ 条件下のプラズマＣＶＤ法でアモルファス状の
９化硼素を被覆し、この被覆された硬質基体とＡＩ！お
よび／又はＡ７７層物とをか接するようにして金属容器
、例えばＭｏ、 Ｗ等の中に充填し、その容器を高温高
圧発生室内に配し、第１図に示したＣＢＮの熱力学的安
定な領域すなわちＡ域で数分間以上曝す。（なお、第１
図において、１は立方晶−六方晶型密化硼素平衡線であ
り、Ａは高正相型窒化硼素安定域であり、Ｂは六方晶型
密化硼素安定域である。）この間にアモルファス状窒化
硼素は、ＡＩ！ および／又はＡ／ 化合物の触媒作用
により０ＢＮＫ変換し、硬質基体の表面にＣｌＢＮ層が
形成される。保持終了後圧力を保持した状態で加熱のみ
を停止し、高温高圧発生室内が室温付近まで冷却された
後に、保持圧力を除々に解除して常圧に戻す。回収され
た試料は金属反応容器を酸処理することによりＣＢＮ被
覆硬質体が得られる。
アモルファス状窒化硼素の硬質基体への被覆は、上記し
たプラズマＣＶＤ法以外に、イオンビーム蒸着、または
イオンブレーティングなどの方法も本発明で適用できる
ものである。
たプラズマＣＶＤ法以外に、イオンビーム蒸着、または
イオンブレーティングなどの方法も本発明で適用できる
ものである。
以下本発明の実施例をあげて、本発明をより詳細に説明
する。
する。
〔実施例１〕
ｗｅ基超超硬合金重量基準で９．５％Ｃｏ、 １２％Ｔ
ｉ０ 、６％ＴａＯおよび残余ｗｅ）の基体な用いて５
ＮＧ４５２の切削チップを作成した。これに予めＣＶＤ
法でＴｉ（３を１μ被後したものと無被覆のものとをＢ
Ｃ／’ 、 ＮＨ３，Ｈ２を各々重量で１５％、４０％
、４５％含有する混合ガス流れ内に置いて温度ａｏｏｃ
、圧力０．５１ＩＩＩＨｇ）条件下で１５．５６Ｍｈ
２００１ｆ）高周波を用いたプラズマＣＶＤ法よりアモ
ルファス状窒化硼素の被覆処理を行った。処理時間は２
時間であった。この処理の結果、厚さ約４μのアモルフ
ァス状窒化硼素を得た。これらを被覆層とＡ／粉が接す
るようＫしてＭｏ 容器に充填し、容器を温度１２００
Ｃ，圧力４０ ｋｂ に１層分間保持した。その結果ア
モルファス状窒化硼素は全て０ＢＮＫ変換していた。こ
れらのチップを表１に示す条件で切削テストを行った。
ｉ０ 、６％ＴａＯおよび残余ｗｅ）の基体な用いて５
ＮＧ４５２の切削チップを作成した。これに予めＣＶＤ
法でＴｉ（３を１μ被後したものと無被覆のものとをＢ
Ｃ／’ 、 ＮＨ３，Ｈ２を各々重量で１５％、４０％
、４５％含有する混合ガス流れ内に置いて温度ａｏｏｃ
、圧力０．５１ＩＩＩＨｇ）条件下で１５．５６Ｍｈ
２００１ｆ）高周波を用いたプラズマＣＶＤ法よりアモ
ルファス状窒化硼素の被覆処理を行った。処理時間は２
時間であった。この処理の結果、厚さ約４μのアモルフ
ァス状窒化硼素を得た。これらを被覆層とＡ／粉が接す
るようＫしてＭｏ 容器に充填し、容器を温度１２００
Ｃ，圧力４０ ｋｂ に１層分間保持した。その結果ア
モルファス状窒化硼素は全て０ＢＮＫ変換していた。こ
れらのチップを表１に示す条件で切削テストを行った。
尚、比較として前記基体にＣＶＤ法で直接ＡＩ！２ｏ３
を被覆したチップを用いた。結果を表２に示す。
を被覆したチップを用いた。結果を表２に示す。
表 １
表 ２
〔実施例２〕
硬質基体として表５に示す６種を用いた。
表 ５
表５の硬質基体を用いて、５ＮＧ４５２のチップを作成
し実施例１と同条件のプラズマＯＶＤ法にて被覆処理を
行った。処理時間は３時間であった。この処理の結果、
厚さ５．４μのアモルファス状窒化磯素を得た。これら
を被援層とＡＩ！Ｎ粉が接するよ５ＫしてＭｏ 容器に
充填し、容器を温度１２５０ｔＺ’４５ｋｂ ［１０分
間保持した。その結果アモルファス状窒化硼素は全てＣ
ＢＮに変換していたこれらのチップを実施例１の条件１
と同条件で切削テストを行った。比較として表６に示す
ｉｇ、ｃの基体にＯＶＤ法にて直接Ａｌ２Ｏ３を被１し
たチップを用いた。
し実施例１と同条件のプラズマＯＶＤ法にて被覆処理を
行った。処理時間は３時間であった。この処理の結果、
厚さ５．４μのアモルファス状窒化磯素を得た。これら
を被援層とＡＩ！Ｎ粉が接するよ５ＫしてＭｏ 容器に
充填し、容器を温度１２５０ｔＺ’４５ｋｂ ［１０分
間保持した。その結果アモルファス状窒化硼素は全てＣ
ＢＮに変換していたこれらのチップを実施例１の条件１
と同条件で切削テストを行った。比較として表６に示す
ｉｇ、ｃの基体にＯＶＤ法にて直接Ａｌ２Ｏ３を被１し
たチップを用いた。
（各々比較材−１，−２とする）結果を表４に示す。
表 ４
〔実施例５〕
実施例２の硬質基体ｍＡを用いて実施例１と同様にして
ＣＢＮ被覆されたチップ（ＳＮＧ ４５２）を作成した
。これらのＣＢＮ層の厚みと処理時間を表５に示す。こ
れらを実施例１の条件２゜３によって切削テストを行っ
た結果を表５に示す。尚比軟材として基体Ａ Ｋ ＡＩ
！２０３を５μ被情したチップを用いた。
ＣＢＮ被覆されたチップ（ＳＮＧ ４５２）を作成した
。これらのＣＢＮ層の厚みと処理時間を表５に示す。こ
れらを実施例１の条件２゜３によって切削テストを行っ
た結果を表５に示す。尚比軟材として基体Ａ Ｋ ＡＩ
！２０３を５μ被情したチップを用いた。
表 ５
〔本発明の効果〕
本発明は、以上詳記したよ５に、切削工具として使用す
るのに優れた性能、すなわち、高速切削時においても、
刃先温度が大きく上昇せず、また、被剛材との反応によ
る摩耗も少ないものが得られる効果が生するものである
。
るのに優れた性能、すなわち、高速切削時においても、
刃先温度が大きく上昇せず、また、被剛材との反応によ
る摩耗も少ないものが得られる効果が生するものである
。
第１図は高圧相型窒化硼素の圧力一温度相図上における
熱力学的な安定領域を示したものである。・ １：立も晶−六方晶型窒化硼素平衡線 Ａ：高圧相型窒化硼素安定域 Ｂ：六方晶型密化硼素安定域 代理人 内 １） 明 代理人 萩原亮− 第１図 湿 度 （０Ｃ）
熱力学的な安定領域を示したものである。・ １：立も晶−六方晶型窒化硼素平衡線 Ａ：高圧相型窒化硼素安定域 Ｂ：六方晶型密化硼素安定域 代理人 内 １） 明 代理人 萩原亮− 第１図 湿 度 （０Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ０） 結合剤金属と共に少なくとも１種の炭化物を含有
する焼結された硬質基体に１直接または中間層を介して
厚さ０．５〜２０μの立方晶窒化硼素の被覆層を有する
ことを特徴とする立方晶窒化硼素被覆硬質体。 （２） 中間層が周期律表の第４ａ、５ａ族金属の炭化
物、窒化物、酸化物及び硼化物の１種またはそれ以上の
被覆の１層またはそれ以上の層である特許請求の範囲第
１項記載の立方晶窒化硼素被覆硬質体。 （３）結合剤金属と共に少なくとも１ｗｉの炭化物を含
有する焼結された硬質基体または予め周期律表の第４ａ
、５ａ族金属の炭化物、窒化物、酸化物及び硼化物の１
種又はそれ以上の被覆が施された上記硬質基体表面に、
厚さ０．５〜２０μのアモルファス状の窒化硼素を気相
法により被覆し、この被覆された硬質体をＡ／および／
又はｊＬ／化合物と接した状態で立方晶窒化硼素の熱力
学的安定領域に保持することによって、アモルファス状
の９化硼素の全てを立方晶賭化側１素に変換することを
特徴とする立方晶窒化硼素被覆硬質体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP704384A JPS60152677A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 立方晶窒化硼素被覆硬質体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP704384A JPS60152677A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 立方晶窒化硼素被覆硬質体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60152677A true JPS60152677A (ja) | 1985-08-10 |
| JPH0542509B2 JPH0542509B2 (ja) | 1993-06-28 |
Family
ID=11655019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP704384A Granted JPS60152677A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 立方晶窒化硼素被覆硬質体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60152677A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0297677A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-04-10 | Sandvik Ab | 被覆工程で脱炭可能な基体の被覆体 |
| US4971851A (en) * | 1984-02-13 | 1990-11-20 | Hewlett-Packard Company | Silicon carbide film for X-ray masks and vacuum windows |
| US5137772A (en) * | 1987-03-27 | 1992-08-11 | Nihon Sinku Gijutsu Kabusiki Kaisha | Body coated with cubic boron nitride and method for manufacturing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5775744A (en) * | 1980-10-31 | 1982-05-12 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | Tool containing and coated with dispersed material |
| JPS6063372A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 高硬度窒化ホウ素薄膜の製造方法 |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP704384A patent/JPS60152677A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5775744A (en) * | 1980-10-31 | 1982-05-12 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | Tool containing and coated with dispersed material |
| JPS6063372A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 高硬度窒化ホウ素薄膜の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4971851A (en) * | 1984-02-13 | 1990-11-20 | Hewlett-Packard Company | Silicon carbide film for X-ray masks and vacuum windows |
| US5137772A (en) * | 1987-03-27 | 1992-08-11 | Nihon Sinku Gijutsu Kabusiki Kaisha | Body coated with cubic boron nitride and method for manufacturing the same |
| JPH0297677A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-04-10 | Sandvik Ab | 被覆工程で脱炭可能な基体の被覆体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0542509B2 (ja) | 1993-06-28 |
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