JPS60154123A - 赤外線センサのシ−ルド装置 - Google Patents
赤外線センサのシ−ルド装置Info
- Publication number
- JPS60154123A JPS60154123A JP59010845A JP1084584A JPS60154123A JP S60154123 A JPS60154123 A JP S60154123A JP 59010845 A JP59010845 A JP 59010845A JP 1084584 A JP1084584 A JP 1084584A JP S60154123 A JPS60154123 A JP S60154123A
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- JP
- Japan
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- infrared sensor
- shielding
- shield
- shield case
- cylindrical socket
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は焦電素子と電界効果型トランジスタ（Ｆ ＩＥ
Ｔ）とが用いられている赤外線センサのシールド装置
に関する。
Ｔ）とが用いられている赤外線センサのシールド装置
に関する。
この種の赤外線センサの回路構成を第１図に示す。図に
おいて、１は焦電効果を有する焦電素子、２はＦＥＴで
、ドレイン電極Ｄ、ソース電極Ｓ及びゲート電極Ｇを夫
々有している。龍はゲート抵抗として用いられるダイオ
ード、Ｒｓはソ・−ス抵抗、３はドレイン電極りに十Ｂ
電源を供給する電源端子、４はソース電極Ｓから検出電
圧Ｖ０を取り出す出力端子、５はアース端子である。
おいて、１は焦電効果を有する焦電素子、２はＦＥＴで
、ドレイン電極Ｄ、ソース電極Ｓ及びゲート電極Ｇを夫
々有している。龍はゲート抵抗として用いられるダイオ
ード、Ｒｓはソ・−ス抵抗、３はドレイン電極りに十Ｂ
電源を供給する電源端子、４はソース電極Ｓから検出電
圧Ｖ０を取り出す出力端子、５はアース端子である。
上記構成によれば、焦電素子１で受光される赤外線の変
化に応じてゲート電位が微小に変化し、これによりＦＥ
Ｔ２のドレイン電流が変化してこの電流がソース抵抗Ｒ
ｓを流れることにより、端子４．５間に検出電圧■。を
得ることができる。
化に応じてゲート電位が微小に変化し、これによりＦＥ
Ｔ２のドレイン電流が変化してこの電流がソース抵抗Ｒ
ｓを流れることにより、端子４．５間に検出電圧■。を
得ることができる。
このような赤外線センサにおいて、第１図の回路はシー
ルドケース６内に１Ｊ１み込まれており、このシールド
ケース６から端子３．４．５を夫々リード線を用いて導
出している。しかしながら、これらのリード線は高周波
に対し°ζインダクタンスを持っており、このため周囲
にｕ ＋ｒ ＋ｒ 情の無線通信等による強力な高周波
電界が存在すると、これらのリード線に容易に起電力が
誘起される。このようにして誘起された電圧は、Ｆ Ｅ
Ｔ ２の検波作用や増幅作用によって端子４．５間に
ノイズとなっＣ現れ、誤検出の大きな原因となっていた
。
ルドケース６内に１Ｊ１み込まれており、このシールド
ケース６から端子３．４．５を夫々リード線を用いて導
出している。しかしながら、これらのリード線は高周波
に対し°ζインダクタンスを持っており、このため周囲
にｕ ＋ｒ ＋ｒ 情の無線通信等による強力な高周波
電界が存在すると、これらのリード線に容易に起電力が
誘起される。このようにして誘起された電圧は、Ｆ Ｅ
Ｔ ２の検波作用や増幅作用によって端子４．５間に
ノイズとなっＣ現れ、誤検出の大きな原因となっていた
。
本出願人は、このような問題点を解決するために、第１
図に示すように、ＦＥＴのドレイン電極りとアース端子
５及びソース電極Ｓとアース端子５との間に小容量コン
デンサＣ９及びＣ２を夫々設けた赤外線センサを既に提
案している。このような」ンデンザＣ１、Ｃ２を用いる
ことにより、Ｕ ＨＩ？帯の無線通信によって誘起され
た高周波電流はＦ Ｅ Ｔ２の手前でアース端子５に流
れてしまう。従って、焦電素子１による低周波の検出電
圧Ｖｏに対してノイズとなることが防止される。
図に示すように、ＦＥＴのドレイン電極りとアース端子
５及びソース電極Ｓとアース端子５との間に小容量コン
デンサＣ９及びＣ２を夫々設けた赤外線センサを既に提
案している。このような」ンデンザＣ１、Ｃ２を用いる
ことにより、Ｕ ＨＩ？帯の無線通信によって誘起され
た高周波電流はＦ Ｅ Ｔ２の手前でアース端子５に流
れてしまう。従って、焦電素子１による低周波の検出電
圧Ｖｏに対してノイズとなることが防止される。
しかしながら、上記のような構成では、ＵＨＦηｖｙの
無線通（３による影響を除去することはできるが、例え
ば３ＧＩｌｚ以上のマイクロ波による影響を除去するこ
とはできなかった。このようなマイクロ波は、ボールや
自動車等の速度検知器や自動ドアの開閉制御用ドアセン
サ等に使用されている。
無線通（３による影響を除去することはできるが、例え
ば３ＧＩｌｚ以上のマイクロ波による影響を除去するこ
とはできなかった。このようなマイクロ波は、ボールや
自動車等の速度検知器や自動ドアの開閉制御用ドアセン
サ等に使用されている。
特に、上記のような赤外線センサを浸入検知器として用
いる場合には、上記ドアセンサに近接して設置されるこ
とがあり、マイクロ波による影響を無視することはでき
ない。
いる場合には、上記ドアセンサに近接して設置されるこ
とがあり、マイクロ波による影響を無視することはでき
ない。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであっ
て、赤外線センサと検出用回路部とを収容するためのシ
ールド用外部ケーシングに設けられた開口部に上記赤外
線センサを配するとともに、この赤外線センサのシール
ドケースと上記シールド用外部ケーシングとの間を略完
全に閉塞する如くにアース手段を配し、かっこのアース
手段によって上記シールド用外部ケーシングと上記赤外
線センサの上記シールドケースとを互いに導通させ、こ
れにより、マイクロ波による影響を除去しようとするも
のである。
て、赤外線センサと検出用回路部とを収容するためのシ
ールド用外部ケーシングに設けられた開口部に上記赤外
線センサを配するとともに、この赤外線センサのシール
ドケースと上記シールド用外部ケーシングとの間を略完
全に閉塞する如くにアース手段を配し、かっこのアース
手段によって上記シールド用外部ケーシングと上記赤外
線センサの上記シールドケースとを互いに導通させ、こ
れにより、マイクロ波による影響を除去しようとするも
のである。
以下、本発明を実施例につき第２図〜第５図を参照して
説明する。
説明する。
まず第２図に本発明の第１の実施例を示す。
赤外線センサは円筒状のシールドケース６を具備してい
る。このシールドケース６内には焦電素子１と、Ｆ Ｅ
Ｔ ２及びチップコンデンサＣ＋ 、Ｃｚ等からなる
第１図と同様の回路構成を具備した回路部７とが夫々内
蔵されている。そしてシールドケース６の後端側から電
源９：ｉ；子３、出力端子４及びアース端子５が夫々導
出されている。一方シールドケース６の前面には、焦電
素子ｌと対向する位置に円形の検出用窓８が設けられて
おり、この検出用窓８にシリコン等からなる赤外線透過
用の光学フィルタ９か内側から取りイ］けられている。
る。このシールドケース６内には焦電素子１と、Ｆ Ｅ
Ｔ ２及びチップコンデンサＣ＋ 、Ｃｚ等からなる
第１図と同様の回路構成を具備した回路部７とが夫々内
蔵されている。そしてシールドケース６の後端側から電
源９：ｉ；子３、出力端子４及びアース端子５が夫々導
出されている。一方シールドケース６の前面には、焦電
素子ｌと対向する位置に円形の検出用窓８が設けられて
おり、この検出用窓８にシリコン等からなる赤外線透過
用の光学フィルタ９か内側から取りイ］けられている。
このような赤外線センサは、旧等からなるシールトンＪ
ボックス（シールド用外部ケーシング）１０の前部に一
体に設＆、ｌられた筒状ソケット部１１内に収容されて
使用される。シールドボックス１゜はその一部分しか図
示していないが、このシールドボックス１０内に、赤外
線センサの駆動用電源部やプリアンプ等の検出回路部が
収納されている。
ボックス（シールド用外部ケーシング）１０の前部に一
体に設＆、ｌられた筒状ソケット部１１内に収容されて
使用される。シールドボックス１゜はその一部分しか図
示していないが、このシールドボックス１０内に、赤外
線センサの駆動用電源部やプリアンプ等の検出回路部が
収納されている。
そし゛Ｃ赤外線セセンサ各端子４．５．６が、筒状ソゲ
ノド部１１内に設けられたコネクタ１２に夫人挿入され
て固定されるととも電気的に接続されている。
ノド部１１内に設けられたコネクタ１２に夫人挿入され
て固定されるととも電気的に接続されている。
筒状ソケット部１１の前端面には、銅若しくは真鍮等か
らなるアース板１３がビス止めされテ取り付けられてい
る。アース板１３は、赤外線センサのシールドケース６
の前面部と接触するように配されており、その略中央部
に、赤外線セン勺の検出用窓８に対応した検出用孔１４
が設けられている。
らなるアース板１３がビス止めされテ取り付けられてい
る。アース板１３は、赤外線センサのシールドケース６
の前面部と接触するように配されており、その略中央部
に、赤外線セン勺の検出用窓８に対応した検出用孔１４
が設けられている。
このような構成によって、赤外線センサのシールドケー
ス６がシールドボックス１０と同電位（アース電位）と
なり、シールドケース６内に配されたＦＥＴのシールド
効果が高められる。また、アース板１３によって、筒状
ソケット部１１とごの筒状ソゲソト部１１の開口内に３
配された赤外線センサのシールドケース６との間に形成
される間隙１５が完全に閉塞されるようになされている
。
ス６がシールドボックス１０と同電位（アース電位）と
なり、シールドケース６内に配されたＦＥＴのシールド
効果が高められる。また、アース板１３によって、筒状
ソケット部１１とごの筒状ソゲソト部１１の開口内に３
配された赤外線センサのシールドケース６との間に形成
される間隙１５が完全に閉塞されるようになされている
。
このため、この間隙１５から侵入してリート＃＋ｌｊ
４．５．６に起電力を誘起するマイクし１波が完全にシ
ールドされる。
４．５．６に起電力を誘起するマイクし１波が完全にシ
ールドされる。
即も、本例のようなアース板１３を設４ノるごとによっ
て、マイクロ波に対するシールド効果が大幅に改善され
る（例えば、約−３０ｄＢ程度）。
て、マイクロ波に対するシールド効果が大幅に改善され
る（例えば、約−３０ｄＢ程度）。
第３図及び第４図に本発明の第２及び第３の実施例を示
す。
す。
第３図の例では、第２図のアース板１３の代わりに、筒
状ソケット部１１と赤外線センサのシールドケース６と
の間に形成された間隙１５内にリング状のアース用スペ
ーサ１６が配されている。
状ソケット部１１と赤外線センサのシールドケース６と
の間に形成された間隙１５内にリング状のアース用スペ
ーサ１６が配されている。
このアース用スペーサ１６によって、間隙１５が完全に
閉塞されるとともに、シールドボックスｌＯと赤外線セ
ンサのシールドケース６とが互いに導通されて同電位（
アース電位）となっている。
閉塞されるとともに、シールドボックスｌＯと赤外線セ
ンサのシールドケース６とが互いに導通されて同電位（
アース電位）となっている。
また第４図の例では、赤外線センサのシールドケース６
の外周面に外方へ突出する環状のアース用突出部１７が
一体に設けられている。そしてこのアース用突出部１７
が筒状ソケット部１１の内周面に当接することによって
、間隙１５が略完全に閉塞されるとともに、シールドボ
ックスｌＯと赤外線センサのシールドケース６とが互い
に導通されている。
の外周面に外方へ突出する環状のアース用突出部１７が
一体に設けられている。そしてこのアース用突出部１７
が筒状ソケット部１１の内周面に当接することによって
、間隙１５が略完全に閉塞されるとともに、シールドボ
ックスｌＯと赤外線センサのシールドケース６とが互い
に導通されている。
第３図及び第４図に示したような構成によっても、第２
図に示した第１実施例と同様のマイクロ波シールド効果
が得られる。
図に示した第１実施例と同様のマイクロ波シールド効果
が得られる。
次に本発明を実験例につき説明する。
実験は第２図に示したようなシールドボックス１０の筒
状ソケット部ｌｌ内に赤外線センサを挿入して取り付け
、このセンサの手前１０ｃｍの距離からｆ ＝ １０．
５２５ Ｇ ｌｌｚのマイクロ波を発信して行った。
状ソケット部ｌｌ内に赤外線センサを挿入して取り付け
、このセンサの手前１０ｃｍの距離からｆ ＝ １０．
５２５ Ｇ ｌｌｚのマイクロ波を発信して行った。
結果を第５図のグラフに示す。このグラフにおいて、Ａ
は赤外線センサにアース手段を用いない従来の状態、Ｂ
は第２図に示したようなアース板１３を取り付けた状態
のデータである。焦電素子１としてはポリフン化ビニリ
デン樹脂を用い、又チップコンデンサＣ，、Ｃ２として
２７ＰＦのものを夫々使用した。グラフの縦軸は対数目
盛で表したセンサ出力（ｍＶ／Ｐ−Ｐ）である。
は赤外線センサにアース手段を用いない従来の状態、Ｂ
は第２図に示したようなアース板１３を取り付けた状態
のデータである。焦電素子１としてはポリフン化ビニリ
デン樹脂を用い、又チップコンデンサＣ，、Ｃ２として
２７ＰＦのものを夫々使用した。グラフの縦軸は対数目
盛で表したセンサ出力（ｍＶ／Ｐ−Ｐ）である。
この結果から分るように、アース手段を用いない従来の
状態（Ａ）ではマイクロ波によって約３０４ｍＶ／Ｐ−
Ｐの出力が現れるのに対し、本発明によるアース手段１
３を用いた状ａ （Ｂ）ではその出力が約９．１９８
ｍ Ｖ ／Ｉ’−Ｐ （約−３０，４ｄＢ）にまで数件
される。
状態（Ａ）ではマイクロ波によって約３０４ｍＶ／Ｐ−
Ｐの出力が現れるのに対し、本発明によるアース手段１
３を用いた状ａ （Ｂ）ではその出力が約９．１９８
ｍ Ｖ ／Ｉ’−Ｐ （約−３０，４ｄＢ）にまで数件
される。
以上説明したように、本発明においては、赤外線センサ
と検出用回路部とを収容するためのシールド用外部ケー
シングに設けられた開一部に上記赤外線センサを配する
とともに、この赤外線センサのシールｌケースと上記シ
ールド用外部ケーシングとの間を略完全に閉塞する如く
にアース手段を配し、このアース手段によって上記シー
ルド用外部ゲージングと上記赤外線センサの上記シール
ドケースとを互いに導通させるように構成している。槌
って、赤外線センサのシールドケース内に設りられたＦ
Ｅ’ｒのシールド効果が高められるとともに、赤外線
センサのシールドケースとシールド用外部ケーシングと
の間から侵入してＦＥＴのリ−１”８ｊｊに起電力を誘
起するマイクロ波を完全にシールドすることができる。
と検出用回路部とを収容するためのシールド用外部ケー
シングに設けられた開一部に上記赤外線センサを配する
とともに、この赤外線センサのシールｌケースと上記シ
ールド用外部ケーシングとの間を略完全に閉塞する如く
にアース手段を配し、このアース手段によって上記シー
ルド用外部ゲージングと上記赤外線センサの上記シール
ドケースとを互いに導通させるように構成している。槌
って、赤外線センサのシールドケース内に設りられたＦ
Ｅ’ｒのシールド効果が高められるとともに、赤外線
センサのシールドケースとシールド用外部ケーシングと
の間から侵入してＦＥＴのリ−１”８ｊｊに起電力を誘
起するマイクロ波を完全にシールドすることができる。
この結果、マイクロ波によるノイスや誤検出を防止する
ことができる。
ことができる。
また、赤外線センサのシールドケースとシールド用外部
ケーシングとの間に上記のようなアース手段を設けるこ
とにより、赤外線センサをシールド用外部ケーシングの
開口内の所定位置に確実に固定保持できるという利点も
ある。
ケーシングとの間に上記のようなアース手段を設けるこ
とにより、赤外線センサをシールド用外部ケーシングの
開口内の所定位置に確実に固定保持できるという利点も
ある。
第１図は従来の赤外線センサの回路図である。
第２図は本発明の第１の実施例によるシールド装置の縦
断面図、第３図は本発明の第２の実施例を示す第２図と
同様の縦断面図、第４図は本発明の第３の実施例を示す
第２図と同様の縦断面図、第５図は実験例を示すグラフ
である。 なお図面に用いられた符号において、 ｆ −一−−−−−−−・−・−焦電゛素子２ −−−
−−−−−・−・・・−Ｆ Ｅ Ｔ６ −−一・−−−
ｍ−・−−−−−、シールドケースＩＯ・−−−−−−
−−−−一−−−−−−−シールドボックス（シールド
用外部ケーシング） １１−−一−・−一−−−−−−−−・−筒状ソケソト
部（開口部）１３・−一−−−−−−−−−−−−−−
−−アース板（アース手段）１６・・−一−−−−−−
−−−−−−−・−アース用スペーサ（アース手段）１
７−−−−−−−−−−−−−−−−−−−アース用突
出部（アース手段）である。 代理人 土星 勝 常包芳男 第１図 第２図 第３図 ノど 第４ｖＡ
断面図、第３図は本発明の第２の実施例を示す第２図と
同様の縦断面図、第４図は本発明の第３の実施例を示す
第２図と同様の縦断面図、第５図は実験例を示すグラフ
である。 なお図面に用いられた符号において、 ｆ −一−−−−−−−・−・−焦電゛素子２ −−−
−−−−−・−・・・−Ｆ Ｅ Ｔ６ −−一・−−−
ｍ−・−−−−−、シールドケースＩＯ・−−−−−−
−−−−一−−−−−−−シールドボックス（シールド
用外部ケーシング） １１−−一−・−一−−−−−−−−・−筒状ソケソト
部（開口部）１３・−一−−−−−−−−−−−−−−
−−アース板（アース手段）１６・・−一−−−−−−
−−−−−−−・−アース用スペーサ（アース手段）１
７−−−−−−−−−−−−−−−−−−−アース用突
出部（アース手段）である。 代理人 土星 勝 常包芳男 第１図 第２図 第３図 ノど 第４ｖＡ
Claims (1)
- 焦電素子と電界効果型トランジスタとがシールドケース
内に組み込まれてなる赤外線センサの□シールド装置に
おいて、上記赤外線センサと検出回路部とを収容するた
めのシールド用外部ケーシングを具備し、このシールド
用外部ケーシングに設けられた開口部に上記赤外線セン
サを配するとともに、この赤外線センサの上記シールド
ケースと上記シールド用外部ケーシングとの間を略完全
に閉塞する如くにアース手段を配し、このアース手段に
よって上記シールド用外部ゲージングと上記赤外線セン
サの上記シールドケースとを互いに導通さ−Ｕるように
構成したことを特徴とする赤外線セン→ノのシールド装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010845A JPS60154123A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 赤外線センサのシ−ルド装置 |
| DE8484308489T DE3478496D1 (en) | 1983-12-09 | 1984-12-06 | An infrared sensor |
| EP84308489A EP0145457B1 (en) | 1983-12-09 | 1984-12-06 | An infrared sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010845A JPS60154123A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 赤外線センサのシ−ルド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154123A true JPS60154123A (ja) | 1985-08-13 |
Family
ID=11761685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59010845A Pending JPS60154123A (ja) | 1983-12-09 | 1984-01-24 | 赤外線センサのシ−ルド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154123A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111271743A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-12 | 广东美的厨房电器制造有限公司 | 红外传感器组件和微波炉 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5664236A (en) * | 1979-10-31 | 1981-06-01 | Toshiba Corp | Electronic oven |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP59010845A patent/JPS60154123A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5664236A (en) * | 1979-10-31 | 1981-06-01 | Toshiba Corp | Electronic oven |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111271743A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-12 | 广东美的厨房电器制造有限公司 | 红外传感器组件和微波炉 |
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