JPS60157725A - 磁気記憶媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記憶媒体、符に面湿度朱件下に暴露された
恢でも耐摩耗性のすぐれた録１ｉ！ＩＩ川、録廿用ある
いは゛畦算磯に用いられるテーク０状、ドラム状あるい
はディスク状の磁気記憶媒体に関する。

近年、記録密度の向上の目的のもとに、鉄、コバルト、
ニッケルまたはこれらの合金からなる強磁性金塊薄膜を
真空蒸着、スパッタリングまたはメッキ法で基体上に付
した磁気記憶媒体が提案さガている。こ４らの金塊磁気
記憶媒体は誦密度記録性に優れているが、記録再生装置
に使用すると磁気ヘッド寺と物理的に接触しながら高速
度走行をするので、耐摩耗性が優れていなげれば実用的
でない。

耐摩耗性を向上させるために、強個性体金属の表面に液
体または固体のパラフィンなどの炭化水素類からなる＠
滑剤を塗布するか、又は真空蒸涜法により薄膜を形成す
ることが提案されている。

これらの塗布方法あるいは真空煮層法で形成された炭化
水素９ｆ：峡膜は架橋されて赴らず浴剤に可溶であるの
で、常態での耐摩耗性はを九でいるが、尚湿度条件下に
暴露した後ではその１ｌｔｌ’ｌ岸耗訃が者しく劣化す
るという欠点かある。

本兄明者らは、これら欠点乞改筈するために檎棟の研究
を行なった精米、磁気記憶媒体の保護扱換として高置に
架橋した炭化水素族か尚湿度条件下に暴胤しても耐摩耗
性が劣化しないという知見に基づいて本発明に到達した
ものであする。

すなわち、本発明は基体の上に強磁性釡属薄族を設けた
磁気記憶媒体の表面に架橋した炭化水素保護膜を形成さ
せてなる８Ｂ気記憶媒体である。

以下さらに本発明の詳細な説明する。

本発明において、架橋した炭化水素保Ｈ１模（以下保護
膜という）とは飽和炭化水素ガスのイメーン化プラズマ
分解重合、あるいは炭化水素ガスを含む雰囲気中でカー
ボンターゲットを／マイアススノ七ツタリングする寺の
方法で形成することかできる。

本発明に係る保護膜は浴剤に不浴であり、その赤外分光
分析によるとＣ−Ｈ結会の吸収ビークカタ存在し、その
元素分析ではＯ／　［（のモル比で５０１５０以下の水
系が言有さハて℃・るもＱ）である。

水系の含有量が少なくなると、膜の硬度は増加すると共
にその円部応力および動摩際保数も増加する。従って、
磁気記憶媒体の保護族として（よ、Ｃ／Ｈのモル比で５
０１５０から９８／２の範囲０．）ものが好ましく、特
に好ましい範囲としては６０／４Ｌｌから９１Ｊ／１０
である。

保護膜は高湿度条件下に暴露した後でも非常に硬く、な
おかつ非常に小さな摩擦係数をもって℃するので、磁気
記憶媒体上に積層された場合、保護族として特に優れた
ものである。本発明品以外θつものは高湿度条件下使用
する場合実用Ｉｌｌ′シでＱまなＸ、１゜保＠膜の厚み
としては、好ましくは２０口Ｏ又以下、特に好ましくは
１０口ＯＸｇ下であり、それ以上の厚みになるとスペー
シングロスが太きくなる。

本発明品を装造する方法について説明する。

本発明に係る保護族の作成する装置としては具捧的には
イオン化プラズマ分屏厘合装置やバイヤススパッタリン
グ装置があけしれる。

第１図はイオン化プラズマ分解厘合装置の説明図である
。反応容器４は反応容器台の上に気槽か保持され心よう
に構成されたもので、反応容器台５には炭化水素ガス供
給口６及び排気ポンプに接続された排気−１ｆ７が設け
られている。また、反応容器４内には電極２，３によっ
てプラズマ乞発生させ、前記電極２上に設置した保護膜
の板層さ７Ｌる磁気記憶媒体には電極２と同じ電位が印
加されており、この磁気記憶媒体上でイオン化フ０ラズ
マ分解重合により保護膜な形成させるように構、＝され
たものである。

第２図はバイアススパッタリング装置の説明Ｑである。

反応容器１４は気密が保持されるように構成されたもの
で、反応容器１４には炭化水素ガス供給口１５及び排気
ポンプに接続された排気管１６が設けられている。また
反応容器１４円にはバイアス′亀＃ｔ１２に接続された
磁気ディスク８及びディスクホルダー９が配置され、更
に上記磁気ディスク８と適当な間隔を介してスパッタリ
ング屯Ｗに接続されたカーボンターゲット１ｕ及びター
ゲットホルダー１１が配置されている。この装置Ｋより
、スパッタリングされたカーボン粒子か炭化水系を含む
プラズマ中で反応し、磁気ディスク表面に保護膜が形成
される。

このような装置に原料ガスとしてＣ２Ｈ２ｒ　Ｃ２Ｈ４
＋０２Ｈ６，Ｏ［（４，Ｃ！、Ｈｌｏなどの飽和あろい
ば不飽第１の炭化水素、Ｃ６Ｈ６，Ｃ６Ｈ工、などの常
温・電圧で液体の炭化水素乞ガス化したもの、又はこれ
らのガス状炭化水系とＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｈ２などの炭
化水素以外のガスとの混合ガスを供箔し、装置内に設け
た磁性層を具えた磁気記憶媒体の表向に保護膜を形成さ
せることができる。

なお、本発明において、保護膜は磁性層の上に直接形成
しても良いが、Ａｕ　、Ｐｔ　、ＮニーＰ　、Ｏｒ　。

Ｎｉ、５ｉ０２．　Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｃ，Ｅｌｉ３Ｎ
４等の非磁性下地層を介して形成させることもできる。

イオン化プラズマ分解重合装置の操作条件としては反応
器ビタの圧力’ｖ　ｏ、ｏ　ｏ　ｉ〜Ｉ　ＣＩ　Ｔｏｒ
ｒとし、電極間に２００〜２０００　’Ｖの直びＬある
いは交流の電圧を印加するか又は２００〜２ＵｔｌｌＬ
ＩＶの１００　ＫＨ２〜２９　ＭＨ２の尚周Ｖ屯圧乞印
加することが好ましい。

又、バイヤススパッタリング装置の操作条件の要因とし
てはガス圧力、スパッタリング電源、デバイス電圧及び
反応時間などあるか、これらの条件は装置の形状、犬ぎ
さなどによって変るので、特定は困難であるか通常用い
られている条件で行えばよい。

以上説明したように本発明は磁気６己憬媒俸のべ而に炭
素／水素の割合がモル比で５０１５０〜９８／２である
架橋した炭化水素買保護族を形成させてなる磁気記憶媒
体であって、本発明によれば高湿度条件下に暴露しても
ｌ１１１ｔ摩耗性が劣化しないというすぐれた効果を有
するものである。

以下実施例をあげてさらに評しく説明する。

実施例１ 直゛径９ｃｎｌＸ　厚み２　ｒｒｕπの鏡面研摩したア
ルミ板上に非磁性Ｎ１−ｐを５０μｍ厚に無′亀屏メッ
キした後、６０μｍ厚まで説面仙摩し、史にその上に１
記のようなメッキ液、メッキ条件でｃｏ−ｎｌ−ｐ　（
ａｏ　：　８０％。

Ｎｉ　：　１５％、Ｐ：５％）の磁性ＮＡｋ　０．１　
μｍ犀となるように無電解メッキした。無電解メッキの
前処理としては日本カニゼン（株）の１シユーマセンシ
タイず−」及び［シューマアクチベータ−」を使用した
。

〔メッキ条件〕ｐＨニア、５、液温：　７５　’Ｃ該メ
ッキディスクをメッキディスクＡとして試料に供した。

磁気記憶媒体の製造 第１図に示す構造のイオン化プラズマ分屏厘合装置を用
いて、各檎炭化水素ガスを原料とし、第２衣に示す条件
でメッキディスクＡ上に８００Ｘ厚の尚度に架倫した炭
化水素＃馨形成した。

比較のために、融虞５０〜７０″Ｃのバラフィンヲシク
ロヘキサンヲ浴妹としてスビ７コ　ｈ（Ｈでメンキディ
スクＡ上に８０ｏ　Ｘ厚で施したものを作成したく実験
Ａ６７）。

第２　表 （注）Ｄｏ・・・直流、ＡＣ・・交流の略第６表 また＼央験／１６１ゝ加０と原料ガス、ガスの圧力、印
加電圧を同乗性にし長比１時＋ｊｌｉＪたけン艮くして
厚膜を作成し、ｃ、ｇ元系分夕「馨した精米ゼ第４次に
示す。

第４表 実施例２ 第２図に示すバイアススパッタリング装置〔（休）徳田
製作Ｐ９Ｉ製マグ坏トロン型スパッタＩＪ　７グ装置（
商品名「０ＦＳ−８ＥＳＪ）　〕を用い、またターケ゛
ソトとしては高純度カーボン（日立化成（休）商品名［
カーボンＨＯＢ−１８Ｊ）を用い、第５表に示す条件下
でスパッタリングを竹ない、メッキディスクＡ上に炭化
氷菓保護膜を８００！厚に形成した。

また比較例としてＡｒガス単独でスパッタリングを行な
いメッキディスクＡ上に８００久の炭系膜を得た（実験
４１４） 以下にその形成条件およびその評価結果ケそれぞれ第５
表及び第６表に示す。

第５表 （注）　ＲＦ−・Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙの陥
第６表 また、実験／１６８〜Ａ１４と雰囲気ガス、ガス圧力、
スパッタリング電蝕、バイアス電圧は同条件にし、反応
時間だけを長くして厚膜乞作晟し、ＯＨ元元方分析行な
った結果をＭ７表に示す。

第７表 第６表及び第６表に示す物性者の測定は次のようにして
行なった。

１）動摩擦係数測定 装置は第６図に示す構造の摺動物性測定装置を用い、ヘ
ッドは２　ｍｍφサファイア球、ヘッド荷重５Ｉとし、
相対速に５ＩＩＩ／／ｓｅｃの条件下で動摩擦係数を測
定した。

２）摺動回数測定 第６図に示す摺動物性測定装置を用い、ヘッドは２朋φ
サファイア球、ヘッド荷重１０Ｊとし、相対速度１０ｗ
″ＳｅＣの条件下で保護膜が破壊するまでの回数な摺動
回数とした。

３）ａｓｓ（コンタクト・スタート・ストップ）テスト
ヘッドはよりｙｈ−５３５０タイプ、ヘッド荷重９．８
夕とし、回転速度３６００　ｒ、ｐ、ｍ、、ｏＮ−ｏＦ
Ｆ３０秒サイクルの条件下でヘッドクラッシュが発生す
るまでのサイクル数Ｙ　Ｏ８Ｓテスト回数とした。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図はイ
オン化プラズ′マ分解、！！会装置の説明図、第２図は
バイアススパッタリング装置の説明図、第６図は盾動物
性両足装置の説明図である。 何カ １：磁気ディスク ２：電極 ３：電極 ４：反応容器 ５：反応容器台 ６：ガス供給口 ア：排気管 ８二磁気デイスク ９：ディスクホルダー １０：カーボンターゲット １１：ターグントホルダー １２：バイアス電源 １３ニスバツタリング電源 １４：反応容器 １５：ガス供給口 １６：排気官 １７：磁気ディスク １８：ホルダー １９：サファイア球 ２０：板バネ ２１：歪ケ゛−ジ ２２：ＸＹステージ ２３：ディヌク回転用モーター ２４：架台 特許出願人　電気化学工業株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体の上にｇｉ磁性金属博族を設けた磁気記憶媒体の表
   面に炭素／水素の割合がモル比で５０１５０から９８／
   ２の範囲である架橋した炭化水素Ｘ保護族を形成させて
   なる磁気記憶媒体。