JPS6069826A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁性薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体に関
し、特に防蝕性、電磁変換特性、走行性、耐摩耗性にす
ぐれた金属薄膜型磁気記録媒体に関する。

〔従来技術〕

磁気記録媒体としては、非磁性支持体上に磁性粉末を結
合剤中に分散せしめ、塗布乾燥させる塗布型のものが広
く使用されてきている。しかし、近年高密度記録への要
求が高まるにつれ、真空蒸着、スパッタリング、イオン
プレーテインク等ノ真空槽内で膜を形成する方法あるい
は電気メッキ、無電解メッキ等のメッキ法により形成さ
れる強磁性金属薄膜を磁気記録層とする金属薄膜型磁気
記録媒体が注目を浴びており実用化に至っている。

金属薄膜型磁気記録媒体は、飽和磁化の大きな強磁性金
属をバインダーの如き非磁性物質を介在させない状態で
、極めて薄い層として形成できるので、電磁変換特性上
非常に有利で、高密度記録にも適している。

しかしながら、金属薄膜型磁気記録線体についての大き
な問題点は、製造後経時しておくと金属表面が腐蝕し電
磁変換特性が低下してし７まうことである。この欠点を
防止する方法として、熱可塑性ポリマー、熱硬化性ポリ
マーを金属表面に塗設し、保護層を付与することによっ
て解決することが提案されている。この方法では、ヘッ
ドと磁性層間のスペーシング損失のために保護層の厚み
を大きくできないという制約があるため、充分な防蝕性
を付与することはできなかった。また、磁性層表面を窒
化させる方法（特開昭５０−３３８０６　号公報）ある
いは酸化させる方法（０公昭４２−２００２５号公報）
などによって防蝕性が向上することが知られているが、
これらの方法では１０分〜２時間もの長時間処理が必要
であったり、処理時間を短かくすると充分な防蝕効果が
得られなかった。

また、金属薄膜型磁気記録線体についてのもうひとつの
大きな問題点は、走行性及び耐久性が悪く、デツキ走行
中に走行経路に貼りついて走行停止したり、あるいは、
スチル耐久性が悪かったりすることである。この欠点を
防止するため、熱可塑性、熱硬化性ポリマーあるいは脂
肪酸、脂肪酸エステル等の潤滑剤を強磁性金属薄膜上に
塗設する方法が考えられるが、これらの方法を用いたと
き走行性が不充分であったり、あるいは耐久性が不充分
であったりする。また充分な走行性、耐久性を確保しよ
うとすると、塗設層が厚くなりスは一シンダ損失によっ
て電磁変換特性が悪化するのである。防蝕性を充分満足
のあるものを得るためにも塗設層を厚くする必要があり
電磁変換特性上好ましくなかった。

本発明者らは上記欠点を克服するため鋭意研究を重ねた
結果本発明に到達した。

本発明の目的は、ヘッドと磁性層間のスペーシング損失
を極力小さくするため超薄層でしかも防蝕性、走行性、
耐久性に於て良好な保護層を有する金属薄膜型磁気記録
媒体を得ることにある。

本発明の上記の目的は強磁性金属薄膜を有する高分子支
持体の該金属薄膜上に下記一般式で表わゝ−亀＼ される一種以上の化合物のモノマーガスまたは該モノマ
ーガスを含むガス中で形成されたプラズマ重合層を設け
たことを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。

こＮでＡはＨ原子、−Ｒ，−ＯＲ，−Ｇ−民−ＯＣＲ。

１１１ ０ または−〇〇Ｒ（ここでＲは炭素数４以下のアルキ１ ル基またはアルキレン基）である。

本発明によるプラズマ重合層は金属薄膜上に均一な厚み
の層として形成されているものと考えられる。このため
に、腐蝕の原因となる酸素、水分等を金属薄膜から遮断
しかつ酸素、水分等を透過ｔ７ないことによって防蝕性
に優れ、しかも椿めて薄い層として形成できるのでヘッ
ド・磁性層間のスペーシング損失が小さくなることによ
って電磁変換特性の良好な磁気記録媒体を得ることがで
きる。

本発明に使用される支持体としては、酢酸セルロース、
＋　硝９セルロース；エチルセルロース；メチルセルロ
ース；ポリアミド；ポリメチルメタクリレート；ポリテ
トラフルオルエチレン；ポリトリフルオルエチレン；エ
チレン、フロピレンノヨりなα−オレフィンの重合体あ
るいは共重合体；塩化ビニルの重合体あるいは共重合体
；ポリ塩化ビニリデン：ポリカーボネート；ポリイミド
；ポリアミドイミド；ポリエチレンテレフタレートのよ
うなポリエステル類等である。

本発明における強磁性金属薄膜は、ペーパーデポジショ
ンあるいはメッキ法により形成される。

ペーパーデポジション法と＋＞、不活性ガスあるいは酸
素等の気体あるいは真空空間中において、膜として形成
せしめようという物質又はその化合物を蒸気あるいはイ
オン化した蒸気として発生もしくは導入させて所望の支
持体上に膜として析出させる方法で、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーテング法、イオンビームデ
ポジション法、化学気相メッキ法等がこれに相当する。

またメッキ法とは電気メッキあるいは無電解メッキ法等
の液相より支持体上に物質を膜として形成させる方法を
言う。強磁性金属薄膜の材料としては、Ｆｅ、　ｃｏ、
　Ｎｉその他の強磁性金属あるいはこれらの合金、さら
にＦｅ−３ｉ、　Ｆｅ−Ｒｈ、　Ｆｅ−Ｖ、Ｆｅ−’ｒ
ｉ、Ｇｏ−Ｐ、　Ｃｏ−Ｂ、　Ｇｏ−８ｉ、　Ｃｏ−Ｖ
、Ｇｏ−Ｙ、　Ｇｏ−３ｍ、Ｇｏ−Ｍｎ、　Ｇｏ−Ｎｉ
−Ｐ、　Ｃｏ−Ｎｉ、−Ｂ、　Ｇｏ−Ｃｒ、、　Ｇｏ−
Ｎｉ−Ｏｒ、　Ｃｏ−Ｎｉ　−Ａｇ、　Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ
ｄ、　Ｃ（＋−Ｎｉ−Ｚｎ、　Ｇｏ−Ｃｕ、　Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｕ、Ｇｏ−Ｗ、Ｇｏ−Ｎｉ−Ｗ、　Ｇｏ−ＩＡｎ
−Ｐ。

Ｇｏ−８ｍ−Ｃｕ、　Ｇｏ−Ｎｉ−Ｚｎ−Ｐ、　Ｇｏ−
Ｖ−Ｃｒ、等が用いられる。特に好ましくは、強磁性薄
膜はＣＯを５０　ｗｔ％以上含有する。

本発明による磁気記録媒体の強磁性薄膜の膜厚は一般に
は０．０２μｍ〜５μｍ、好ましくは０．０５μｍ〜２
μｍである。支持体の厚さは４μｍ〜５０μｍが好まし
い。強磁性薄膜の密着向」二、磁気特性の改良のために
支持体上に下地層を設けてもいい。支持体の磁性層と反
対側にバンクコート層を設けてもよい。

磁気記録媒体の形状はテープ、シート、カード、デスク
等いずれでも良いが、特に好ましいのはテープ形状であ
る。

本発明におけるプラズマ重合膜形成のためのモノマーガ
スとしては こでＲは炭素数４以下のアルキル基あるいはアルキレン
基である。）で表わされる化合物である。

これらの具体例としては、エチレン、プロピレン、ブテ
ン、ペンテン、ヘキセン、フタジエン、ヘキサジエン、
メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、フチル
ビニルエーテル、メチルビニルケトン、エチルビニルケ
トン、ジビニルケトン、ビニルフォーメート、ビニルア
セテート、ビニルブチレート、メチルアクリレート、エ
チルアクリレート、プロピルアクリレート、ブチルアク
リレートなどを挙げることができる好ましくはエチレン
、ブタジェン、プロピレンなどである。

本発明に用いられる磁性金属薄膜上に設けるプラズマ重
合膜は以下のようにして形成される。すなわち、モノマ
ーガスを用い、後で述べるような方法によってプラズマ
を発生させこのプラズマを磁性金属薄膜上に作用させる
ことによりプラズマ乗合膜を形成する。

また、モノマーガス以外にアルゴン、ヘリウム、ネオン
、クリプトン等の不活性ガスを加えてもよい。

このようにして得られたプラズマ重合膜上に、高級脂肪
酸、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、フッソ系化合物、
シリコーン系化合物などの潤滑剤を塗設することもでき
る。また重合膜の反対の面にバックコート層を設けても
よい。

電子温度（Ｔｅ）は、好ましくは５千℃〜７万℃、さら
に好ましくは５千℃〜４万℃である。ここでＴｅはたと
えば特開昭５４−１３５５７４号公報に示されている、
加熱された探針を用いた２探針法によって測定すること
ができる。ここで、Ｔｅが７万℃以上の場合は、ピンホ
ールのない均一なプラズマ重合層を設けることが困難で
あり、５千℃以下の場合は、重合速度が遅いため実用的
でない。Ｔｅが５千℃〜４万℃の場合は、磁性薄膜との
密着性が特に優れており、きわめて優秀なコーティング
を施すことができる。

本発明における重合膜の厚みは２／’ｍ〜１００μｍが
好ましく、さらに好ましくは２μｍ〜４０μｍである。

厚みが４０μｍ以上の場合は蒸着テープの電磁変換特性
が４０μｍ　以下の場合に比較して、劣ってくる。２μ
ｍ　以下の場合は微小なピンホールが発生ずる場合があ
り、そのために、局所的に鎧が発生する場合がある。

プラズマ重合時の系の圧力は１０−３ｔｏｒｒ〜Ｌ　ｔ
ｏｒｒ範囲が好ましく、さらに好ましくは１ｏ−３ｔｏ
ｒｒ　〜１Ｏ−２ｔｏｒｒである〇〔実施例〕 以下本発明について具体的に説明する。

第１図は本発明方法の実施に好適に用いられる装置を示
す。この装置は、真空ポンプ１が接続された真空容器２
内に、互に対向する一対の板状電極３．３を設けて例え
ば交流電源４を接続し、一方前記真空容器２内にモノマ
ーガスを供給する単数若しくは複数のモノマーガス供給
管５を接続して構成され、例えば磁気記録層が形成され
た長尺なベースフィルムＦ（支持体上に磁性層を設けた
もの）が、供給ロール６Ａ及び巻取りロール６Ｂにより
、前記電極３．３間を通過するよう走行せしめられ、次
のようにして保護膜が形成されて磁気記録媒体を製造す
る。

即ち、真空ポンプ１により真空容器２内を排気しながら
、モノマーガス供給管５を介して、既述のモノマーガス
（不活性ガスを含む場合もある）を真空容器２内へ導入
する。

真空容器２内の雰囲気を、上述のようにして一定に保っ
た状聾において、電極３．３に交流電源４により電力を
供給し、これにより電極３．３間に放電によるプラズマ
を生起せしめ、更に当該プラズマをベースフィルムＦが
通過する位置において電子温度が５０００度〜７０００
０度の状態とし、このプラズマを供給ロール６Ａより引
き出されて走行するベースフィルムＦに作用させてその
′表面に前記七ツマーガスによるプラズマ重合により形
成される保護膜を連続的に形成し、斯（して得られる磁
気記録媒体を巻取りロール６Ｂに巻取る。

なお、真空容器２内の到達真空度は好ましくは１０””
’ｔｏｒｒ以下であり、プラズマ発白時の真空度は通常
１０−３〜ｌ　ｔｏｒｒ程匿とされ、好ましくは１０　
〜１０　ｔｏｒｒとされる。

本発明は以上のような方法によるものであり、ベースフ
ィルム上にはプラズマ重合により保護膜が形成されるた
め、当該保静膜は通常の方法によって得られる重合体被
膜に比して、非常に小さい厚みのものでありながら硬度
が高くてガス透過率が低く、高密度であって強朋が太き
（、しかも摩擦係数が小さいものとなる。

以下実施例について説明する。

１２μｍ　厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの
表面に、斜め蒸着によってＧｏ−Ｎｉ（Ｎｉ２０ｗｔ％
）磁性膜（膜厚１００μｍ）を設けたものを以下の実験
に使用した。第１表に示す条件で第１図の装置を用いて
上記磁性金属薄膜上にプラズマ重合膜を形成した。

また比較例として下記に示す潤滑剤塗布液Ｉ、■を夫々
乾燥厚が１０μｍになるように上記磁性層上に塗布乾燥
し、比較例４．５のサンプル１０．１１を作成した。

潤滑剤塗布液 カプリン酸　２部 ヘキサン　５００部 潤滑剤塗布液 １．１−ジクロロエチレン−アクリロニトリル共重合体
　２部メチルエチルケトン　５００部 上記のサンプル１６１〜應１１について以下の評価方法
に従ってテストを行なった。結果を第二衣にまとめた。

■　防蝕性 ６０℃、８０％ＲＨの雰囲気で７日間唱したのち目視で
錆の発生を調べた。

■　走行性 サンプルな捧インチ巾にスリットし家庭用ビデオテープ
レコーダー（松下電器産業（株）製ＮＶ８３１０　）を
用いて回転シリンダーの入口側のテンションＴ１と出口
側のテンションＴ２を測定した。

Ｔ２／Ｔ１＝ｅｘｐ　（μπ）の関係式より塵擦係数μ
を算出した。Ｔ１、Ｔ２の測定は２３℃６５％ＲＨで行
った。

■　耐久性 家庭用ビデオテープレコーダー（ビクター製３６００）
　を用いてスチル耐久時間（分）を調べた。測定条件は
２３℃６５％ＲＨ０ ■重合膜の厚み測定 水晶発振子を用いて測定した。厚みの小さいものは、ウ
ェブスピードを遅くして１００μｍ以上のものを作成し
電極的滞在時間を算出した。

第２表 〔発明の効果〕 第２表から明かなように、本発明のプラズマ重合層を設
けた金属薄膜型磁気記録媒体が従来の潤滑剤や樹脂によ
る保設層を設けたものと比較して特に防蝕性、走行性、
及び耐久性において優れた性能を有することがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のプラズマ重合膜を形成するために好適
に用いることのできる装置の招成の一例を示す説明図で
ある。 １・・・真空ポンプ　２・・・真空容器　３・・・電極
　４・・・交流電源　訃・・モノマーガス供給管　６Ａ
・・・供給ロール　６Ｂ・・・巻取リロール　Ｆ・・・
ベースフイルム 手続訂１１正書 昭和５８年１０月７２日 特許庁長官　若杉和夫　殿 １、　事件の表示　Ｃδ−ｙ７８（’、’昭和昭和５８
局９ ２、　発明の名称 磁気記録媒体 ３、Ｍ正をする者 事イ′ｒとの関係：特ｆ′を出願人 ４、　代理人 （２）賢明の計刑１１な表明の旧Ｗｌｌ，ｊルのよっ％
　ｆｌｉｔ止９４）。 １）明細書第１０頁、７行目の２μｍ〜１００μｍを２
ｎｍ〜１１００ｎと補正する。 ２）同　第１０頁、８行目の２μｍ〜４０μｍを２ｎｍ
〜４ＱＨｍと補正する。 ６）同　鵠１０頁、９行及び１０行目の４０μｍを碑 ４０ｎｍと補正する。 ４）同　第１０頁、１１行目の２μｍを２ｎｍと補正す
る。 ５）同　第１６頁、１行目の１００１１ｍを１１００ｎ
と補正するー。 ６）同　第１６頁、２行目の１０μｍを１０ｎｍ　とネ
１１１圧する。 ７）同　第１７頁、１２行目の１００μｍを１　００ｎ
ｍと補正する６。 ８）同　第１８頁、第２表の厚み（μｍ）を厚み（ｎｍ
）と補正する。 特許請求の範囲 （１１支持体上にＣｏを５０ｗｔ％以上含む磁性金属薄
膜を設けてなる磁気記録媒体において、該磁性金属薄膜
上に下記の一般式で示される化合物の一秒以上のモノマ
ーガスまたは該モノマーガスヲ含ムガス中で形成された
プラズマ重合層を設けたことを特徴とする磁気記録媒体
。 〔Ａは水素原子、−Ｒ１−０−Ｒ，−Ｃ−Ｒ１−ＯＣＲ
１１１１ ０ または−〇ＯＲ（ここでＲは炭素数４以下のアル１ キル基またはアルキレン基）テアル。〕（２）　モノマ
ーガスがＣＨ２＝ＣＨ２、ＣＨ＝ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２
及びＣＨ２＝ＣＨ−Ｃｌ−１，の−腫以上の化合物であ
る特許請求の範囲第（１）項記載のイし気記（Ｉ媒体。 手続補正書 昭和５９年　１　月７７１」 昭和５８年特許願第１７６６８９　号 ２　発明の名称 磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名称　（５２０）’２＋±写真フィルム株式会社　（ほ
か１名）霞が関ビル内郵便局　私書箱第４９月 栄光特許事務所　電話（５８１）−９６０１（代表）７
　補正の対象 １）明細シシ第５頁９行、「アルキレン基」を「アルケ
ニル基」と補正する。 ２）明細舎第８貞８〜９行、「アルキレン基」を「アル
ケニル基」と補正する。 特許請求の範囲 （１）　支持体上＋ｃ磁性並ン’、　７ｊｌｆ膜を設け
てなる磁気記録媒体において、該磁性金属薄膜上に下記
の一般式で示される化合物の一種以上のモノマーガスま
たは該モノマーガスを含むガス中で形成されたプラズマ
重合層を設けたことを特徴とする磁気記録媒体。 １ はアルケニル基）である。〕 （２）モノマーガスがＣｌ−Ｉ２　＝ＣＨ２、ｃＨ２＝
ｃ）ｉ　−ｃ）■−＝ＣＩ−１２及びＣｌ−Ｉ２　＝Ｃ
ｌ−ｌ−ＣＨ３の一棟以上の化合物である特ｇ’ｆｉｌ
ｌ□ｇ求の範囲第（１）項記載の磁気記録媒体。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に磁性金属薄膜を設けてなる磁気記録媒
   体において、該磁性金属薄膜上に下記の一般式で示され
   る化合物の一種以上のモノマーガスまたは該モノマーガ
   スを含むガス中で形成されたプラズマ重合層を設けたこ
   とを特徴とする磁気記録媒体。 またはアルキレン基）である。７
2. （２）　モ／−ｖ−−ｔｆｙ、がＯＨ２＝ｃＨ２、ＯＨ
   ２＝ＣＨ−ｃＨ−ＯＨ２及びＣＨ２−Ｃ；Ｈ−ＯＨ３の
   一種以上の化合物である特許請求の範囲第（１１項記載
   の磁気記録媒体。