JPS60160614A - レジスト塗布方法および装置 - Google Patents
レジスト塗布方法および装置Info
- Publication number
- JPS60160614A JPS60160614A JP59015934A JP1593484A JPS60160614A JP S60160614 A JPS60160614 A JP S60160614A JP 59015934 A JP59015934 A JP 59015934A JP 1593484 A JP1593484 A JP 1593484A JP S60160614 A JPS60160614 A JP S60160614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- wafer
- dropped
- cooling
- cooled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェーハにレジスト金塗布するレジスト
塗布方法および装置に関する。
塗布方法および装置に関する。
半導体装置の写真食刻工程では、半導体ウェーハにレジ
ストを塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜に
所要のパターンの画かれたマスクを載せ化学変化させる
紫外線を照射し、このレジスト膜を選択的に除去し、こ
のレジスト膜をマスクとして半導体ウェーハ表面をエツ
チングする。
ストを塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜に
所要のパターンの画かれたマスクを載せ化学変化させる
紫外線を照射し、このレジスト膜を選択的に除去し、こ
のレジスト膜をマスクとして半導体ウェーハ表面をエツ
チングする。
ここでレジストをいかに均一に塗布するかということは
、半導体ウェーハ表面に形成されるパターン精度に大き
く影響する重要な開明である。
、半導体ウェーハ表面に形成されるパターン精度に大き
く影響する重要な開明である。
半導体ウェーハにレジストを塗布するには、ウェーハ上
にレジストを滴下させその後ウェーハを高速回転させレ
ジスト嗅をウェーハ全面に塗布する。ところが従来はレ
ジスト中の有機溶剤の蒸発が早くレジスト膜の形成途中
でレジストが固まりはじめるため、レジスト膜の表面が
波状になりレジヌトａ厚が不均一となる問題があった。
にレジストを滴下させその後ウェーハを高速回転させレ
ジスト嗅をウェーハ全面に塗布する。ところが従来はレ
ジスト中の有機溶剤の蒸発が早くレジスト膜の形成途中
でレジストが固まりはじめるため、レジスト膜の表面が
波状になりレジヌトａ厚が不均一となる問題があった。
時に近年ウェーハサイズが大きくなってきており、ウェ
ーハサイズが大きくなればそれだけ均一に塗布すること
が困難であった。
ーハサイズが大きくなればそれだけ均一に塗布すること
が困難であった。
本発明は上記事情を考慮してなされたものでしシストを
均一に塗布することができるレジスト塗布方法および装
置を提供することを目的とする。
均一に塗布することができるレジスト塗布方法および装
置を提供することを目的とする。
この目的を達成するために本発明によるレジスト塗布方
法は、滴下するレジストを低温にして有機溶剤の蒸発を
抑えて均一なレジストｉを形成するようにしている。ま
た本発明によるレジスト塗布装置は、ウェーハに滴下さ
れるレジストを冷却する冷却手段と、レジストが滴下さ
れたウェー７・を回転させる回転手段とを備え塗布する
レジストの有機溶剤の蒸発を抑えて、均一なレジスト膜
を形成するようにしている。
法は、滴下するレジストを低温にして有機溶剤の蒸発を
抑えて均一なレジストｉを形成するようにしている。ま
た本発明によるレジスト塗布装置は、ウェーハに滴下さ
れるレジストを冷却する冷却手段と、レジストが滴下さ
れたウェー７・を回転させる回転手段とを備え塗布する
レジストの有機溶剤の蒸発を抑えて、均一なレジスト膜
を形成するようにしている。
以下図示の実施列に基づいて本発明を説明する。
コータカップ１内には真空チャック２が設けられている
。この真空チャック２にはモータ（図示せず）が接続さ
れ高速回転できるようになり３いる。
。この真空チャック２にはモータ（図示せず）が接続さ
れ高速回転できるようになり３いる。
レジストが塗布されるウェーハ３は真空チャック２に固
定される。このウェーハ３上にはレジストを滴下するレ
ジストノズル４が設けられている。
定される。このウェーハ３上にはレジストを滴下するレ
ジストノズル４が設けられている。
このレジストノズル４はレジストを冷却するレジスト冷
却部５によシ囲われている。レジスト冷却部５は断熱材
で形成され、レジストが大量に入ったレジスト供給ビン
６からレジストノズル４に至るレジスト供給パイグアま
でを囲っている。レジスト冷却部６には冷却空気流入口
８と排出口９とを設け、冷却空気を流し、レジスト供給
ビン６とレジスト供給パイグアとレジストノズル４の全
体を冷却している。なお、レジストおよびレジスト溶剤
として例えば「０ＦＰＲ８００Ｊ（商品名（主成分エチ
ルカロソルブアセテート６ｏ４））および「０ＦＰＲシ
ンナ」（商品名（主成分エチルセルソルブアセテ−）９
ｏｌ））がある。
却部５によシ囲われている。レジスト冷却部５は断熱材
で形成され、レジストが大量に入ったレジスト供給ビン
６からレジストノズル４に至るレジスト供給パイグアま
でを囲っている。レジスト冷却部６には冷却空気流入口
８と排出口９とを設け、冷却空気を流し、レジスト供給
ビン６とレジスト供給パイグアとレジストノズル４の全
体を冷却している。なお、レジストおよびレジスト溶剤
として例えば「０ＦＰＲ８００Ｊ（商品名（主成分エチ
ルカロソルブアセテート６ｏ４））および「０ＦＰＲシ
ンナ」（商品名（主成分エチルセルソルブアセテ−）９
ｏｌ））がある。
次にこのレジスト塗布装置によるレジストを塗布する方
法を説明する。まず臭突チャック２でウェーハ３を吸着
固定する。次にレジスト冷却部５により冷却されたレジ
ストを所定ｆだけウェーハ３上に滴下する。所定量のレ
ジスト滴下が終了するとモータ（図示せず）により真空
チャック２を高速回転し、ウェーハ３上に滴下されたレ
ジストをウェーハ３面上に塗布する。このレジストは冷
却されたものであるため、レジストの有機溶剤が蒸発し
にくく、レジストがウェーッ１３の周辺部にまで塗布さ
れるまでに固まるようなことはない。
法を説明する。まず臭突チャック２でウェーハ３を吸着
固定する。次にレジスト冷却部５により冷却されたレジ
ストを所定ｆだけウェーハ３上に滴下する。所定量のレ
ジスト滴下が終了するとモータ（図示せず）により真空
チャック２を高速回転し、ウェーハ３上に滴下されたレ
ジストをウェーハ３面上に塗布する。このレジストは冷
却されたものであるため、レジストの有機溶剤が蒸発し
にくく、レジストがウェーッ１３の周辺部にまで塗布さ
れるまでに固まるようなことはない。
余ったレジストはウェーハ３周辺部からコータカッグｌ
内にこぼれ、ダクト１０から排出される。レジストの冷
却温度としては５〜１５°程度が望ましい。この程度で
あればレジストが塗布される前に固まることがなく、か
つ、塗布されたレジスト膜の固化に時間がかかりすぎる
こともない。なお、本実施例ではレジスト塗布装置の一
部分を冷却すればよいので効塞がよい。
内にこぼれ、ダクト１０から排出される。レジストの冷
却温度としては５〜１５°程度が望ましい。この程度で
あればレジストが塗布される前に固まることがなく、か
つ、塗布されたレジスト膜の固化に時間がかかりすぎる
こともない。なお、本実施例ではレジスト塗布装置の一
部分を冷却すればよいので効塞がよい。
ト供給パイプ７、レジストノズル４のすべてを冷却して
いたが、レジスト供給ビン６だけを冷却しレジスト供給
パイプ７、レジストノズル４を断熱材等で保温するよう
にしてもよい。逆にレジスト供給ビン６を冷却せず、レ
ジスト供給パイグア、レジストノズル４を冷却するよう
にしてもよい。
いたが、レジスト供給ビン６だけを冷却しレジスト供給
パイプ７、レジストノズル４を断熱材等で保温するよう
にしてもよい。逆にレジスト供給ビン６を冷却せず、レ
ジスト供給パイグア、レジストノズル４を冷却するよう
にしてもよい。
また冷却方法としては実施列のような冷風によるものの
他冷媒によってもよい。さらに先の実施例では感光性の
フォトレジストであったが、他のレジスト、例えば電子
線レジスト、イオン線レジストでもよい。
他冷媒によってもよい。さらに先の実施例では感光性の
フォトレジストであったが、他のレジスト、例えば電子
線レジスト、イオン線レジストでもよい。
以上の通り本発明によれば、レジストの有機溶剤が蒸発
しにくいため、塗布中に固まりはじめることがなく、レ
ジストを均一に塗布することかできる。従来の常温での
レジスト塗布の場合、レジスト膜の表面の凹凸は３００
〜４００Ａ、ｉ％つたが本発明によればレジスト膜の表
面の凹凸は１００八以下に力る。また従来の常温で塗布
されたレジスト膜を用いてウェーハ上にパターンを形成
した場合、φ 厚さ不均一のためパターンのエッヂが所望の直線から０
．２５μｍ以上の凹凸を生ずるが、本発明によ九げ、こ
の凹凸を０．１μｍ以下に抑えることができ、微細パタ
ーンの形成が可能である。
しにくいため、塗布中に固まりはじめることがなく、レ
ジストを均一に塗布することかできる。従来の常温での
レジスト塗布の場合、レジスト膜の表面の凹凸は３００
〜４００Ａ、ｉ％つたが本発明によればレジスト膜の表
面の凹凸は１００八以下に力る。また従来の常温で塗布
されたレジスト膜を用いてウェーハ上にパターンを形成
した場合、φ 厚さ不均一のためパターンのエッヂが所望の直線から０
．２５μｍ以上の凹凸を生ずるが、本発明によ九げ、こ
の凹凸を０．１μｍ以下に抑えることができ、微細パタ
ーンの形成が可能である。
図は本発明の一実施例によるレジヌト塗布装置の断面図
である。 １・・・コータカッグ、２・・・真空チャック、３・・
・ウェーハ、４・・・レジストノズル、５川レジヌト冷
却装置、６・・・レジヌト供給ビン、７・・・レジスト
供給パイプ、８・・・流入口、９・・・排出口、ｔｏ、
ｔｌ・・・ダクト。 出願人代理人 猪 股 清
である。 １・・・コータカッグ、２・・・真空チャック、３・・
・ウェーハ、４・・・レジストノズル、５川レジヌト冷
却装置、６・・・レジヌト供給ビン、７・・・レジスト
供給パイプ、８・・・流入口、９・・・排出口、ｔｏ、
ｔｌ・・・ダクト。 出願人代理人 猪 股 清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェーハ上に低温のレジストを滴下し、このウェー
ハを回転してレジストを塗布するレジスト塗布方法。 ２、ウェーハ上に滴下されるレジストを低温に冷却する
冷却手段と、レジストが滴下されたウェーバを回転させ
る回転手段とを備え、このウェーハ上にレジストを塗布
するレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015934A JPS60160614A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | レジスト塗布方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015934A JPS60160614A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | レジスト塗布方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160614A true JPS60160614A (ja) | 1985-08-22 |
Family
ID=11902599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59015934A Pending JPS60160614A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | レジスト塗布方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160614A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647972A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | Spin coater |
| JPH01130758A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | スピン塗布装置 |
| JPH01220826A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハ処理装置 |
| JP2023178358A (ja) * | 2018-10-02 | 2023-12-14 | 株式会社ホロン | 電子ビーム測定装置および電子ビーム測定方法 |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP59015934A patent/JPS60160614A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647972A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | Spin coater |
| JPH01130758A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | スピン塗布装置 |
| JPH01220826A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハ処理装置 |
| JP2023178358A (ja) * | 2018-10-02 | 2023-12-14 | 株式会社ホロン | 電子ビーム測定装置および電子ビーム測定方法 |
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