JPS6362323A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6362323A JPS6362323A JP61208176A JP20817686A JPS6362323A JP S6362323 A JPS6362323 A JP S6362323A JP 61208176 A JP61208176 A JP 61208176A JP 20817686 A JP20817686 A JP 20817686A JP S6362323 A JPS6362323 A JP S6362323A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- baking
- semiconductor device
- immediately
- room temperature
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に感光性樹脂
を用いるパターン形成プロセスに関する。
を用いるパターン形成プロセスに関する。
半導体装置の製造工程においては、半導体基板（以後、
ウェハーと呼ぶ）に感光性樹脂（以後、フォトレジスト
と呼ぶ）を塗布して、パターン形成を行なう工程がある
。この工程は、数種類の単一工程の組合せにより完結さ
れる。例えば、酸化珪素被膜（以後、酸化膜と呼ぶ）の
パターニングを行なう場合、あらかじめ熱酸化等で、ウ
ェハー上に酸化膜を形成し、次にスピンナー（塗布機）
により、ウェハー上に適量だけ流出したフォトレジスト
を４０００ＲＰＭ ８度の回転速度で一定の厚さにす
る。次に約９００で約１０分間ベークする。次にパター
ン形成しであるガラスマスクを用いて紫外線を部分感光
させる。次に現像液を用いて現像する。次に約１５０７
：’で約３０分間ベークする。このウェハーを７ツ酸系
の溶液に適正時間だけ浸漬する（エツチング〕と、酸化
膜のバターニングがされる。以上のプロセスが従来の感
光性樹脂を用いるバターニング方法である。
ウェハーと呼ぶ）に感光性樹脂（以後、フォトレジスト
と呼ぶ）を塗布して、パターン形成を行なう工程がある
。この工程は、数種類の単一工程の組合せにより完結さ
れる。例えば、酸化珪素被膜（以後、酸化膜と呼ぶ）の
パターニングを行なう場合、あらかじめ熱酸化等で、ウ
ェハー上に酸化膜を形成し、次にスピンナー（塗布機）
により、ウェハー上に適量だけ流出したフォトレジスト
を４０００ＲＰＭ ８度の回転速度で一定の厚さにす
る。次に約９００で約１０分間ベークする。次にパター
ン形成しであるガラスマスクを用いて紫外線を部分感光
させる。次に現像液を用いて現像する。次に約１５０７
：’で約３０分間ベークする。このウェハーを７ツ酸系
の溶液に適正時間だけ浸漬する（エツチング〕と、酸化
膜のバターニングがされる。以上のプロセスが従来の感
光性樹脂を用いるバターニング方法である。
上述した従来の７オトレジストを用いるパターニングプ
ロセスで現像後約１５０Ｃで３０分べ一り後の放置時間
（適正放置時間は２時間以内）が長ずざると、空気中の
水分を吸収して、フォトレジストが膨潤してしまい、次
のエツチングで精確なパターン形成が得られない。従来
では、この欠点を防ぐために、放置時間が長くなってし
まった場合は、再びオーブン（約１５０ｔｌ：’）
に入れて再ベークしていた。この再ベーク作業は作業を
繁雑とし、又パターン形成精度も再ベークを行なわず、
正常放置時間以内に行なった場合に較べて若干劣るとい
う問題がある。
ロセスで現像後約１５０Ｃで３０分べ一り後の放置時間
（適正放置時間は２時間以内）が長ずざると、空気中の
水分を吸収して、フォトレジストが膨潤してしまい、次
のエツチングで精確なパターン形成が得られない。従来
では、この欠点を防ぐために、放置時間が長くなってし
まった場合は、再びオーブン（約１５０ｔｌ：’）
に入れて再ベークしていた。この再ベーク作業は作業を
繁雑とし、又パターン形成精度も再ベークを行なわず、
正常放置時間以内に行なった場合に較べて若干劣るとい
う問題がある。
本発明の目的は、前記問題点を改善し、放置時間が長く
なっても精確なパターンの形成が得られるようにした半
導体装置の製造方法を提供することにある。
なっても精確なパターンの形成が得られるようにした半
導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の構成は、半導体基板に感光性樹脂を塗布し、パ
ターンを形成する半導体装置の製造方法において、前記
感光性樹脂をベークする工程で、前記半導体基板をベー
ク直後に、温度が室温から１５０Ｃの間に定められた保
管容器に入れることを特徴とする。
ターンを形成する半導体装置の製造方法において、前記
感光性樹脂をベークする工程で、前記半導体基板をベー
ク直後に、温度が室温から１５０Ｃの間に定められた保
管容器に入れることを特徴とする。
次に本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第１図、第２図は本発明の一実施例の半導体装置の製造
方法で使用するベーク用オープン、保管用オープンを示
す模式図でおる。第１図において、ベーク用オーブン１
は、ウェハー３を入れたウェハーホルダ２を有し、電源
５から供給された電力により発熱するヒーター４を備え
ている。この内部１１Ｃ，Ｎｓ ガスが送られる。第２
図における保管用オープン１′は、第１図と構造＃ｉ同
様であるが設定された内部温度等が異なる。
方法で使用するベーク用オープン、保管用オープンを示
す模式図でおる。第１図において、ベーク用オーブン１
は、ウェハー３を入れたウェハーホルダ２を有し、電源
５から供給された電力により発熱するヒーター４を備え
ている。この内部１１Ｃ，Ｎｓ ガスが送られる。第２
図における保管用オープン１′は、第１図と構造＃ｉ同
様であるが設定された内部温度等が異なる。
マス、ウェハー上の酸化膜のパターン形成プロセスから
説明する。あらかじめ熱酸化等でウェハー上に酸化膜を
形成しておく。次にスピンナー（塗布機）Ｋより、ウェ
ハー上に適量の７オトレジストを流出し、４０００ＲＰ
Ｍ の回転速度で１５秒間回転し、一定の厚さにする
。次に約９Ｏｒで１０分間ベークする。次に、パターン
形成しであるガラスをマスクとし、回合露光装置で紫外
線を部分露光させる。次に現像液を用いて現像する。
説明する。あらかじめ熱酸化等でウェハー上に酸化膜を
形成しておく。次にスピンナー（塗布機）Ｋより、ウェ
ハー上に適量の７オトレジストを流出し、４０００ＲＰ
Ｍ の回転速度で１５秒間回転し、一定の厚さにする
。次に約９Ｏｒで１０分間ベークする。次に、パターン
形成しであるガラスをマスクとし、回合露光装置で紫外
線を部分露光させる。次に現像液を用いて現像する。
次に第１図に示したベーク用オーブン（１５０Ｃ。
Ｎｚ１０４／分）Ｋ３０分入れる。終了後、すぐに第２
図に示した保管用オープン（５０Ｃ，Ｎ２１０）７分）
Ｋ保管しておくと、次の作業のエツチングまでの放置許
容時間が、従来の保管用オープンを用いていなかった方
法に較べて、数倍に伸びた。
図に示した保管用オープン（５０Ｃ，Ｎ２１０）７分）
Ｋ保管しておくと、次の作業のエツチングまでの放置許
容時間が、従来の保管用オープンを用いていなかった方
法に較べて、数倍に伸びた。
これによって、再ベーク（１５０Ｃ，Ｎｚ １０−６／
分）を行なう頻度が非常に少なくなって、作業能率が向
上した。
分）を行なう頻度が非常に少なくなって、作業能率が向
上した。
即ち、本実施例の７オトレジストの現像後のベーク（約
１５０ｔｌｌ’、３０分）後の放置許容時間の拡大 −
方法は、ベーク後、乾燥ガスが流れており、温Ｋが室温
から１５０Ｃの間の一定に設定されている保管容器を利
用するものである。
１５０ｔｌｌ’、３０分）後の放置許容時間の拡大 −
方法は、ベーク後、乾燥ガスが流れており、温Ｋが室温
から１５０Ｃの間の一定に設定されている保管容器を利
用するものである。
次に本発明の他の実施例の半導体装置の製造方法を説明
する。まず、フォトレジストを用いるバターニング・プ
ロセスで、フォトレジスト塗布後、９０Ｃで１０分間ベ
ークした後、目金露光を行なうが、９０Ｃ，１０分間ベ
ーク後、目金露光までの間の放置許容時間を長くするた
めＩｃ、９０ｃ、１０分間ベーク後に１第２図の保管用
オープンを用いて、３０Ｃ，Ｎｚ ＩＯＡ／分の条件で
保管することにより、放置許容時間が大幅に伸びる。
する。まず、フォトレジストを用いるバターニング・プ
ロセスで、フォトレジスト塗布後、９０Ｃで１０分間ベ
ークした後、目金露光を行なうが、９０Ｃ，１０分間ベ
ーク後、目金露光までの間の放置許容時間を長くするた
めＩｃ、９０ｃ、１０分間ベーク後に１第２図の保管用
オープンを用いて、３０Ｃ，Ｎｚ ＩＯＡ／分の条件で
保管することにより、放置許容時間が大幅に伸びる。
以上説明したように、本発明によれば、フォトレジスト
のベーク後の放置許容時間が大幅に長くなり、精度が高
く、バラツキの少ない半導体装置が得られ、再ベークを
行なう頻度も非常に少なくなり、作業能率が向上すると
いう効果が得られる。
のベーク後の放置許容時間が大幅に長くなり、精度が高
く、バラツキの少ない半導体装置が得られ、再ベークを
行なう頻度も非常に少なくなり、作業能率が向上すると
いう効果が得られる。
第１図、第２図は本発明の一実施例の半導体装置の製造
方法で用いるそれぞれベーク用オープン、保管用オープ
ンを示す模式図である。 １・・・・・・オープン、２・・・・・・ウェハーホル
ダ、３・・・・・・ウェハー、４・・・・・・ヒータ、
５・・・・・・電源。 第１図 第２図
方法で用いるそれぞれベーク用オープン、保管用オープ
ンを示す模式図である。 １・・・・・・オープン、２・・・・・・ウェハーホル
ダ、３・・・・・・ウェハー、４・・・・・・ヒータ、
５・・・・・・電源。 第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体基板に感光性樹脂を塗布し、パターンを形成する
半導体装置の製造方法において、前記感光性樹脂をベー
クする工程で、前記半導体基板をベーク直後に、温度が
室温から１５０℃の間に定められた保管容器に入れるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61208176A JPS6362323A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61208176A JPS6362323A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6362323A true JPS6362323A (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=16551918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61208176A Pending JPS6362323A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6362323A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04111714A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-13 | Izumo Sangyo Kk | タップ |
| US5516626A (en) * | 1990-04-23 | 1996-05-14 | Tadahiro Ohmi | Resist processing method |
| EP2100683A1 (en) | 2008-03-13 | 2009-09-16 | Mitsubishi Materials Corporation | End mill |
| JP2012206197A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Mitsubishi Materials Corp | ニック付きエンドミル |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61208176A patent/JPS6362323A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5516626A (en) * | 1990-04-23 | 1996-05-14 | Tadahiro Ohmi | Resist processing method |
| JPH04111714A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-13 | Izumo Sangyo Kk | タップ |
| EP2100683A1 (en) | 2008-03-13 | 2009-09-16 | Mitsubishi Materials Corporation | End mill |
| JP2012206197A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Mitsubishi Materials Corp | ニック付きエンドミル |
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