JPS60162767A - 真空成膜用ペ−スト状マスキング材 - Google Patents
真空成膜用ペ−スト状マスキング材Info
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- JPS60162767A JPS60162767A JP1926484A JP1926484A JPS60162767A JP S60162767 A JPS60162767 A JP S60162767A JP 1926484 A JP1926484 A JP 1926484A JP 1926484 A JP1926484 A JP 1926484A JP S60162767 A JPS60162767 A JP S60162767A
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- JP
- Japan
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- masking material
- film formation
- vacuum
- masking
- paste
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は陶磁器、はうろう、ガラス等の上に、装飾等の
ために窒化チタン（Ｔ ｉ Ｎ）薄膜等を真空成膜法で
形成する際、パターン形成のために用いるペースト状マ
スキング材に関する。
ために窒化チタン（Ｔ ｉ Ｎ）薄膜等を真空成膜法で
形成する際、パターン形成のために用いるペースト状マ
スキング材に関する。
陶磁器、はうろう、ガラス等の新しい装飾法の一つとし
て、金色を呈する窒化チタン薄膜を、イオンブレーティ
ング、スパッタリング等の真空成膜法で形成する方法が
ある。
て、金色を呈する窒化チタン薄膜を、イオンブレーティ
ング、スパッタリング等の真空成膜法で形成する方法が
ある。
この方法は、特開昭５７−１６６３９０号（特願昭５６
−５０５５１号）公報に開示されているように、ガラス
等の被着物体にパターンを形成し、窒化チタン薄膜を選
択的に形成させるものである。
−５０５５１号）公報に開示されているように、ガラス
等の被着物体にパターンを形成し、窒化チタン薄膜を選
択的に形成させるものである。
この従来方法においては、パターンは、２〜３０重量％
のガラスフリットと７０〜９８重量％の高融点金属酸化
物を有機物（ビヒクル）と混合し、ペースト状としたも
のをマスキング材に用い、このマスキング材を転写法ま
たはスクリーン印刷法により付着させてマスキングパタ
ーンを形成し、次いで焼成することにより形成される。
のガラスフリットと７０〜９８重量％の高融点金属酸化
物を有機物（ビヒクル）と混合し、ペースト状としたも
のをマスキング材に用い、このマスキング材を転写法ま
たはスクリーン印刷法により付着させてマスキングパタ
ーンを形成し、次いで焼成することにより形成される。
その後、マスキング材によりマスクされた被着物体に、
イオンブレーティングにより窒化チタン薄膜を形成し、
マスキング材と被着物体の物理的性質、例えば転移温度
、軟化温度等の差を利用して、ブラッシング、希薄酸水
溶液への浸漬等により、マスキング材を除去し、所定の
パターンの窒化チタン薄膜を形成する。
イオンブレーティングにより窒化チタン薄膜を形成し、
マスキング材と被着物体の物理的性質、例えば転移温度
、軟化温度等の差を利用して、ブラッシング、希薄酸水
溶液への浸漬等により、マスキング材を除去し、所定の
パターンの窒化チタン薄膜を形成する。
しかしながら、上記従来方法では、パターン形成に、低
融点ガラスフリットの焼付けによる密着性を利用するた
め、密着が強くなり過ぎ、窒化チタン薄膜形成後のマス
キング材の除去が容易でなく、ブラッシング、希薄酸水
溶液への浸漬等が必要となり、作業性が悪く時間が掛か
るという問題がある。
融点ガラスフリットの焼付けによる密着性を利用するた
め、密着が強くなり過ぎ、窒化チタン薄膜形成後のマス
キング材の除去が容易でなく、ブラッシング、希薄酸水
溶液への浸漬等が必要となり、作業性が悪く時間が掛か
るという問題がある。
また、マスキング材の除去のために行うブラッシングや
希薄酸水溶液への浸漬は、被着物体の面を荒らさせ、マ
スキング材除去後に表面に微細な凹凸が生じる。このた
め、特に透光性のあるガラスを被着物体として用いる場
合には、見栄えが悪くなるという問題がある。
希薄酸水溶液への浸漬は、被着物体の面を荒らさせ、マ
スキング材除去後に表面に微細な凹凸が生じる。このた
め、特に透光性のあるガラスを被着物体として用いる場
合には、見栄えが悪くなるという問題がある。
本発明は、上記従来技術の問題を解決するためになされ
たもので、マスキング材の除去が容易で、かつマスキン
グ材除去後に被着物体の面を荒らすことのない真空成膜
用ペースト状マスキング材を提供することを目的とする
。
たもので、マスキング材の除去が容易で、かつマスキン
グ材除去後に被着物体の面を荒らすことのない真空成膜
用ペースト状マスキング材を提供することを目的とする
。
（発明の構成〕
かかる目的は、本発明によれば、重量比で３０〜９０％
のテルピネオール等の溶剤と、０．５〜ｌＯ％のエチル
セルローズ等の増粘剤と、０．５〜７０％の吸着成分を
含まないセラミック微粉末とからなる真空成膜用ペース
ト状マスキング材によって達成される。・・・・−・第
１の発明また、かかる目的は、本発明によれば、重量比
で３０〜９０％のテルピネオール等の溶剤と、０゜５〜
１０％のエチルセルローズ等の増粘剤と、１〜１０％の
クマロン−インデン樹脂と、０．５〜７０％の吸着成分
を含まないセラミック微粉末とからなる真空成膜用ペー
スト状マスキング材によって達成される。・・−一一一
第２の発明ここで、第１の発明と第２の発明は、特許法
第３８条但書第１号の関係にある。
のテルピネオール等の溶剤と、０．５〜ｌＯ％のエチル
セルローズ等の増粘剤と、０．５〜７０％の吸着成分を
含まないセラミック微粉末とからなる真空成膜用ペース
ト状マスキング材によって達成される。・・・・−・第
１の発明また、かかる目的は、本発明によれば、重量比
で３０〜９０％のテルピネオール等の溶剤と、０゜５〜
１０％のエチルセルローズ等の増粘剤と、１〜１０％の
クマロン−インデン樹脂と、０．５〜７０％の吸着成分
を含まないセラミック微粉末とからなる真空成膜用ペー
スト状マスキング材によって達成される。・・−一一一
第２の発明ここで、第１の発明と第２の発明は、特許法
第３８条但書第１号の関係にある。
本発明において、溶剤はマスキング材のペースト化を図
るために加えられるもので、通當使用されζいるテルピ
ネオール等を用いることができる。
るために加えられるもので、通當使用されζいるテルピ
ネオール等を用いることができる。
この中で、テルピネオール（沸点：１７０℃）が蒸発速
度の点から最も望ましい。この溶剤は重量、比（以下、
％はずべで重量％）で３０〜９０％加える。添加割合を
３０〜９０％としたのは、３０％未満では粉末化してペ
ースト状とならず、９０％を越えると液状となるからで
ある。
度の点から最も望ましい。この溶剤は重量、比（以下、
％はずべで重量％）で３０〜９０％加える。添加割合を
３０〜９０％としたのは、３０％未満では粉末化してペ
ースト状とならず、９０％を越えると液状となるからで
ある。
増粘剤はマスキング材の粘度を上げるために加えられる
もので、通常使用されているエチルセルローズ、ニトロ
セルローズ等を用いることができる。この中で、エチル
セルローズが最も望ましい。
もので、通常使用されているエチルセルローズ、ニトロ
セルローズ等を用いることができる。この中で、エチル
セルローズが最も望ましい。
この増粘剤は０．５〜１５％加える。添加割合を０゜５
〜１５％としたのは、０．５％未満では十分な粘度が得
られず、１５％を越えると粘くなり過ぎるからである。
〜１５％としたのは、０．５％未満では十分な粘度が得
られず、１５％を越えると粘くなり過ぎるからである。
吸着成分を含まないセラミック微粉末は、耐熱性の向上
および成膜後のマスキング祠除去の容易化のために加え
られるもので、本発明の特徴の一つである。この吸着成
分を含まないセラミック微粉末としては、酸化アルミニ
ウム、二酸化珪素、ムライト、珪酸カルシウム等を用い
ることができる。この中で、酸化アルミニウムがより望
ましい。
および成膜後のマスキング祠除去の容易化のために加え
られるもので、本発明の特徴の一つである。この吸着成
分を含まないセラミック微粉末としては、酸化アルミニ
ウム、二酸化珪素、ムライト、珪酸カルシウム等を用い
ることができる。この中で、酸化アルミニウムがより望
ましい。
この吸着成分を含まないセラミック微粉末は、０゜５〜
７０％加える。添加割合を０．５〜７０％としたのは、
０．５％未満では耐熱性の向上またはマスキング材除去
の容易化が図れず、７０％を越えると溶剤に分散しなく
なるからである。
７０％加える。添加割合を０．５〜７０％としたのは、
０．５％未満では耐熱性の向上またはマスキング材除去
の容易化が図れず、７０％を越えると溶剤に分散しなく
なるからである。
第２の発明においては、上記成分にマスキング材の接着
力を上げるためにクマロン−インデン樹脂を加える。こ
のクマロン−インデン樹脂は、例えば数平均分子量６５
０〜７５０、軟化点１００〜１２０℃のものが望ましい
。このクマロン−インデン樹脂は１−１０％加える。添
加割合を１〜１０％としたのは、１％未満では接着力が
不足し、１０％を越えると溶剤に熔けなくなるからであ
る。
力を上げるためにクマロン−インデン樹脂を加える。こ
のクマロン−インデン樹脂は、例えば数平均分子量６５
０〜７５０、軟化点１００〜１２０℃のものが望ましい
。このクマロン−インデン樹脂は１−１０％加える。添
加割合を１〜１０％としたのは、１％未満では接着力が
不足し、１０％を越えると溶剤に熔けなくなるからであ
る。
なお、上記成分に酸化アルミニウムの分散を促進するた
めに、分散剤を加えてもよい。この分散剤としては、０
．０１〜１％のトリオレイン等を用いることができる。
めに、分散剤を加えてもよい。この分散剤としては、０
．０１〜１％のトリオレイン等を用いることができる。
本発明の真空成膜用ペースト状マスキング材は、陶磁器
、はうろう、ガラスの他、本発明に使用している有機物
質と相溶性のない有機部材にも適用することができる。
、はうろう、ガラスの他、本発明に使用している有機物
質と相溶性のない有機部材にも適用することができる。
本発明の真空成膜用ペースト状マスキング材は以上の如
く構成されるため、次のような効果を奏する。
く構成されるため、次のような効果を奏する。
（イ）真空成膜用ペースト状マスキング材の成分として
、酸化アルミニウム等の吸着成分を含まないセラミック
微粉末を用い、相対的に有機物質の量を減らしたことに
より、マスキング材の除去が有機溶剤で拭き取るだけで
簡単に行なえる。従って、従来のように、ブラッシング
、希薄酸水溶液への浸漬を行う必要はなく、極め°ζ容
易にマスキング材の除去ができ、作業性が格段に向上す
る。
、酸化アルミニウム等の吸着成分を含まないセラミック
微粉末を用い、相対的に有機物質の量を減らしたことに
より、マスキング材の除去が有機溶剤で拭き取るだけで
簡単に行なえる。従って、従来のように、ブラッシング
、希薄酸水溶液への浸漬を行う必要はなく、極め°ζ容
易にマスキング材の除去ができ、作業性が格段に向上す
る。
（ロ）従来の如く、ブラッシングや希薄酸水溶液への浸
漬を行う必要が無いため、ブラッシング、希薄酸水溶液
への浸漬により、被着物体の表面がｉＴｖらされ°（凹
凸が生じることがない。従って、被イ゛ト物体は良好な
見栄えを確保できる。この効果は、扱才ｉ物体がガラス
のとき、特シこ大きい。
漬を行う必要が無いため、ブラッシング、希薄酸水溶液
への浸漬により、被着物体の表面がｉＴｖらされ°（凹
凸が生じることがない。従って、被イ゛ト物体は良好な
見栄えを確保できる。この効果は、扱才ｉ物体がガラス
のとき、特シこ大きい。
（ハ）更に、第２の発明においては、被着物体との密着
性を良くするためにクマロン−インデン樹脂を用いたこ
とにより、転写またはスクリーン印刷ｉ、（のマスキン
グ材の密着性を適度に保持することができ、取扱いが極
めて容易となる。
性を良くするためにクマロン−インデン樹脂を用いたこ
とにより、転写またはスクリーン印刷ｉ、（のマスキン
グ材の密着性を適度に保持することができ、取扱いが極
めて容易となる。
次に、本発明の実施例を図面を参考にして説明する。
（第１実施例）
図は本発明の真空成膜用ペースト状マスキング材を用い
てスパッタリングにより被着物体に装飾を施す工程を示
す断面図である。図中、ｌはガラス板、２は真空成膜用
ペースト状マスキング材からなるネガマスク、３は窒化
チタン叫央である。
てスパッタリングにより被着物体に装飾を施す工程を示
す断面図である。図中、ｌはガラス板、２は真空成膜用
ペースト状マスキング材からなるネガマスク、３は窒化
チタン叫央である。
まず、ガラス板ｌ上に、スクリーン印刷により第一１表
に示すマスキング材を塗布し、ネガマスク２を形成した
。このとき、印刷したペースト状マスキング材を凹凸を
無くずために、室温で１０分間水平に放置してレヘリン
グ処理を行った。ごのレヘリング処理により、印刷直後
のペースト状マスキング材の凹凸がなくなり、平滑さが
増す。その後、１２０℃の乾燥器中で１５分間乾燥させ
、厚さ５μの密着したネガマスクを得た。この状態を図
（ａ）に示す。上記印刷処理を第１表に示す各種マスキ
ング材について行い、真空成膜に供しノこ。
に示すマスキング材を塗布し、ネガマスク２を形成した
。このとき、印刷したペースト状マスキング材を凹凸を
無くずために、室温で１０分間水平に放置してレヘリン
グ処理を行った。ごのレヘリング処理により、印刷直後
のペースト状マスキング材の凹凸がなくなり、平滑さが
増す。その後、１２０℃の乾燥器中で１５分間乾燥させ
、厚さ５μの密着したネガマスクを得た。この状態を図
（ａ）に示す。上記印刷処理を第１表に示す各種マスキ
ング材について行い、真空成膜に供しノこ。
第１表
このネガマスクを形成したガラス板を真空槽内に設置し
、チタンと畜素の反応性スパッタリングにより、窒化チ
タン薄膜による金色装飾を施した。
、チタンと畜素の反応性スパッタリングにより、窒化チ
タン薄膜による金色装飾を施した。
ガラス板を設置後、真空槽を２ Ｘ １０−５ｔ ｏ
ｒ ｒに減圧し、反応ガスである窒素を導入して２×１
０−’ ｔ ｏ ｒ ｒとした。更に、スパッタガスと
してアルゴンを導入し、３Ｘ１０−’ｔｏｒｒとした。
ｒ ｒに減圧し、反応ガスである窒素を導入して２×１
０−’ ｔ ｏ ｒ ｒとした。更に、スパッタガスと
してアルゴンを導入し、３Ｘ１０−’ｔｏｒｒとした。
続いて、高周波電源より２ｋｗを投入し、３０分間反応
性スパッタリングを行った。スパッタリング終了時のガ
ラスの表面温度は１３５℃であった。
性スパッタリングを行った。スパッタリング終了時のガ
ラスの表面温度は１３５℃であった。
このときの成膜状態は、図（ｂ）に示す如くであり、ネ
ガマスクの上およびネガマスクが形成されていないガラ
ス板上に、窒化チタン薄膜が一定厚ざ゛に形成されてい
る。
ガマスクの上およびネガマスクが形成されていないガラ
ス板上に、窒化チタン薄膜が一定厚ざ゛に形成されてい
る。
次に、成膜後、のガラス表面を、エチルアルコールをし
み込ませたガーゼでふき、マスキング材を除去した。こ
のときの状態を図（Ｃ）に示す。
み込ませたガーゼでふき、マスキング材を除去した。こ
のときの状態を図（Ｃ）に示す。
上記反応性スパッタリングによる窒化チタン落脱の形成
を、第１表に示すマスキング材のすべてについて行い、
マスキングＪｆＡ除去の容易性および密着性を調べた。
を、第１表に示すマスキング材のすべてについて行い、
マスキングＪｆＡ除去の容易性および密着性を調べた。
この結果、第１表のマスキング材はすべて、エチルアル
コールにより簡単に除去でき、清浄な窒化チタン薄膜が
ポジパターンとなった金色装飾が得られた。
コールにより簡単に除去でき、清浄な窒化チタン薄膜が
ポジパターンとなった金色装飾が得られた。
なお、第１表の迎１．１ｌｈ２、陽３は軽く触れるのみ
で容易にマスキング材が除去できたのに対し、１１ｈ４
とｌ１ｋＬ５は上記魚１〜隘３に比べると力を要した。
で容易にマスキング材が除去できたのに対し、１１ｈ４
とｌ１ｋＬ５は上記魚１〜隘３に比べると力を要した。
これにより、酸化アルミニウム微粉がマスキング材除去
を容易にしているのが判る。
を容易にしているのが判る。
また、隘３と阻５のマスキング材は、スクリーン印刷し
、乾燥した後、指先で触れる程度では何等傷は付かなか
った。このことにより、クマロン−インデン樹脂により
密着性が向上しているのが確認された。
、乾燥した後、指先で触れる程度では何等傷は付かなか
った。このことにより、クマロン−インデン樹脂により
密着性が向上しているのが確認された。
（第２実施例）
第１実施例と同様に、第１表のマスキング材を使って、
ガラス板上にネガマスクを形成し、これを用いてチタン
の反応性イオンブレーティングを行い、窒化チタンｖＩ
＃膜からなる金色装飾品を作製した。
ガラス板上にネガマスクを形成し、これを用いてチタン
の反応性イオンブレーティングを行い、窒化チタンｖＩ
＃膜からなる金色装飾品を作製した。
まず、ネガマスクを形成したガラス板を真空槽内に設置
し、ｌＸｌ０−’ｔｏｒｒまで真空引きした。次いで、
基板加熱装着により、ガラス板を所定の温度に加熱した
８次に、窒素を導入して２×１０−４の窒素雰囲気とし
、一定の電力でチタンを蒸発させた。このとき、イオン
化電極に正の高電圧をかけアーク放電を起こさせると共
に、ガラス板の保持具にバイアスを一５０Ｖかけた。こ
の結果、ガラス板上に厚さ約０．５μの窒化チタン薄膜
が形成された。このときの蒸着時間は、約８分であった
。
し、ｌＸｌ０−’ｔｏｒｒまで真空引きした。次いで、
基板加熱装着により、ガラス板を所定の温度に加熱した
８次に、窒素を導入して２×１０−４の窒素雰囲気とし
、一定の電力でチタンを蒸発させた。このとき、イオン
化電極に正の高電圧をかけアーク放電を起こさせると共
に、ガラス板の保持具にバイアスを一５０Ｖかけた。こ
の結果、ガラス板上に厚さ約０．５μの窒化チタン薄膜
が形成された。このときの蒸着時間は、約８分であった
。
次に、成膜後のガラス表面をエチルアルコールをしみ込
ませたガーゼでふき、マスキング材を除去した。
ませたガーゼでふき、マスキング材を除去した。
上記成膜を第１表に示すマスキング材のすべてについて
、ガラス板の加熱温度を１２５℃、１８６℃、２５５℃
、３５０℃の４段階に分けて行っノこ。
、ガラス板の加熱温度を１２５℃、１８６℃、２５５℃
、３５０℃の４段階に分けて行っノこ。
このときの、マスキング材除去が容易にできる最高温度
と、除去後の窒化チタン薄膜の剥離の有無を第２表に示
す。
と、除去後の窒化チタン薄膜の剥離の有無を第２表に示
す。
第２表において、マスク除去が容易な最高温度とは、被
着物体であるガラス板の加熱温度が、第２表に記載され
た当該温度までは、イオンブレーティング後マスキング
材が容易に除去されることを示している。例えば、第２
表において、ペースト隘１の場合、被着物体の加熱温度
が１２５℃、１８６℃、２５５℃の場合は、マスキング
材が容易に除去できるが、３５０℃の場合は、マスキン
グ材除去がエチルアルコールによるふき取りだけでは除
去できなくなったことを意味する。
着物体であるガラス板の加熱温度が、第２表に記載され
た当該温度までは、イオンブレーティング後マスキング
材が容易に除去されることを示している。例えば、第２
表において、ペースト隘１の場合、被着物体の加熱温度
が１２５℃、１８６℃、２５５℃の場合は、マスキング
材が容易に除去できるが、３５０℃の場合は、マスキン
グ材除去がエチルアルコールによるふき取りだけでは除
去できなくなったことを意味する。
第２表から明らかなように、本発明の真空成膜用ペース
ト状マスキング材は、比較的晶温でも使用可能であり、
これは比較例との比較により、酸化アルミニウム微粉を
添加したためと解される。
ト状マスキング材は、比較的晶温でも使用可能であり、
これは比較例との比較により、酸化アルミニウム微粉を
添加したためと解される。
また、比較例の陽４とぬ５のペーストは、ＴｉＮ薄膜の
剥離が見られるが、これはエチルセルローズからの脱ガ
スの影響と解される。これに対し、本発明のＮａｌ〜Ｎ
１３のペーストは、いずれもＴ ｉＮ薄１１１の剥離は
全く見られない。なお、本発明の中でも、酸化アルミニ
ウム微粉とクマロン−インデン樹脂の両方を添加したも
のが、最も高温まで使用することができることが判る。
剥離が見られるが、これはエチルセルローズからの脱ガ
スの影響と解される。これに対し、本発明のＮａｌ〜Ｎ
１３のペーストは、いずれもＴ ｉＮ薄１１１の剥離は
全く見られない。なお、本発明の中でも、酸化アルミニ
ウム微粉とクマロン−インデン樹脂の両方を添加したも
のが、最も高温まで使用することができることが判る。
図は本発明の真空成膜用ペースト状マスキング材を用い
てスパッタリングにより被着物体に装飾を施す工程を示
す断面図である。 ｌ・・・・・・ガラス板 ２−・−・−ネガマスク（マスキング材）３−一一一・
・窒化チタンＹ＃膜
てスパッタリングにより被着物体に装飾を施す工程を示
す断面図である。 ｌ・・・・・・ガラス板 ２−・−・−ネガマスク（マスキング材）３−一一一・
・窒化チタンＹ＃膜
Claims (2)
- （１）ｆ量比で３０〜９０％のテルピネオール等の溶剤
と、０．５〜１０％のエチルセルローズ等の増粘剤と、
０．５〜７０％の吸着成分を含まないセラミック微粉末
とからなる真空成膜用ペースト状マスキング材。 - （２）重量比で３０〜９０％のテルピネオール等の溶剤
と、０．５〜ｌＯ％のエチルセルローズ等の増粘剤と、
１〜ｌＯ％のクマロン−インデン樹脂と、０．５〜７０
％の吸着成分を含まないセラミック微粉末とからなる真
空成膜用ペースト状マスキング材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1926484A JPS60162767A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 真空成膜用ペ−スト状マスキング材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1926484A JPS60162767A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 真空成膜用ペ−スト状マスキング材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60162767A true JPS60162767A (ja) | 1985-08-24 |
| JPS6339664B2 JPS6339664B2 (ja) | 1988-08-05 |
Family
ID=11994577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1926484A Granted JPS60162767A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 真空成膜用ペ−スト状マスキング材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60162767A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002340181A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-27 | Kayaba Ind Co Ltd | 流体圧伝動装置 |
-
1984
- 1984-02-03 JP JP1926484A patent/JPS60162767A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002340181A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-27 | Kayaba Ind Co Ltd | 流体圧伝動装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6339664B2 (ja) | 1988-08-05 |
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