JPS6016409A - 垂直磁化膜 - Google Patents
垂直磁化膜Info
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- JPS6016409A JPS6016409A JP58125113A JP12511383A JPS6016409A JP S6016409 A JPS6016409 A JP S6016409A JP 58125113 A JP58125113 A JP 58125113A JP 12511383 A JP12511383 A JP 12511383A JP S6016409 A JPS6016409 A JP S6016409A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、厚み方ｒｔＪの磁化を信号として記憶して酷
い妃録紹反を達成することができる半Ｉ１ｉ磁化膜に開
する。
い妃録紹反を達成することができる半Ｉ１ｉ磁化膜に開
する。
従来η・らのこのような垂直嫉化映龜コバルトｃ。
とクロムＣｒ とから成る合金である。クロムは人体に
伺書であり、好°ましくない。
伺書であり、好°ましくない。
本発明の目的は、人体に無害である祠刺から成る垂直磁
化膜を提供することである。
化膜を提供することである。
本発明は、サマリツムＳｍ とコバルトＣＯとから成る
合金であってサマリツムは２０〜３０％でアリ、残余ｍ
１．かコバルトである。この東部磁化膜はスパッタリン
グ法によって製造され、その垂直（７１；、化膜かｊし
１戊される基板の温度は約５０〜１８０゜Ｃに煎ばれる
。このようなす直硫化映は、その厚み方向の磁化を信号
として＋ｄｒ度で８己録することかでき、しかもその組
成であるサマリツムとコバルトとは人体に無害であって
好ましい。
合金であってサマリツムは２０〜３０％でアリ、残余ｍ
１．かコバルトである。この東部磁化膜はスパッタリン
グ法によって製造され、その垂直（７１；、化膜かｊし
１戊される基板の温度は約５０〜１８０゜Ｃに煎ばれる
。このようなす直硫化映は、その厚み方向の磁化を信号
として＋ｄｒ度で８己録することかでき、しかもその組
成であるサマリツムとコバルトとは人体に無害であって
好ましい。
第１区１ｅよ本づれ明の一実施例の垂直磁化膜を）し成
するためのマグネトロンスパッタリング装動の断面図で
ある。谷ｇ、ｓ ｌ内にはサマリツムＳｍのターゲット
２と、コバルトのターゲット３とがｉ＆ｌ−Ｊられる。
するためのマグネトロンスパッタリング装動の断面図で
ある。谷ｇ、ｓ ｌ内にはサマリツムＳｍのターゲット
２と、コバルトのターゲット３とがｉ＆ｌ−Ｊられる。
鉛Ｉ目−回１隘輛保を慣するホルダ４はターゲット２．
３と、６０ｍｍの間隔をあけて配揃さｎてｋす、５０〜
１２０ｒｐｍ で回転部製される。クーグツト２には、
交流源５Ｖこよって実効値１ｔｌＯ■の父ｖｉう電圧か
印加される。堤だターゲット３には交流廊６によって実
効値３００Ｖの父ぴし電圧が印加される。これらの交ｉ
ｆｉ＋、妃５，６の固波牧は、たとえは１３゜６ＭＨｚ
である。ホルダ４には、直ＢＦ、 ？ｌＬ妃７によっ
て直流バイアス電圧か重畳される。
３と、６０ｍｍの間隔をあけて配揃さｎてｋす、５０〜
１２０ｒｐｍ で回転部製される。クーグツト２には、
交流源５Ｖこよって実効値１ｔｌＯ■の父ｖｉう電圧か
印加される。堤だターゲット３には交流廊６によって実
効値３００Ｖの父ぴし電圧が印加される。これらの交ｉ
ｆｉ＋、妃５，６の固波牧は、たとえは１３゜６ＭＨｚ
である。ホルダ４には、直ＢＦ、 ？ｌＬ妃７によっ
て直流バイアス電圧か重畳される。
ホルダ４には、基板８か画定されており、この基板８Ｖ
こはホルダ４に画定された水久螺ろ９によってその基板
８の厚み方向（第１図の上下刃向）にＩＩユＬ流（欧界
か与えられる。各器１内は、・ｈｌｒ ＶＣダマリクツ
ム酸化を防ぐために６〜８ＸＩＵ Ｔｏｒｒに十分に仙
気し、その後、アルゴンカスを）が入して、たとえは７
．６ Ｘ Ｉ Ｕ ′ｌ’ｏｒｒ とする。ターゲット
２，３に供給される父（ｆｉＬω、ξ５，６の１］」、
力Ｑよ、た々えｉ、ｉ Ｚ ７／ｉＬ ＩＪ＋’、 ５
にｂＪ して３０〜２ （ｌ Ｕ Ｗテ、Ｉ、ｊす、Ｘ
ＩｊＩＬ （１’；４（６に閃して１４０〜６００
ＶｖでＢ ／ｌ 。ターゲット２，３とホルダ４との間
には、ＩＬＪＩ方向に向隔全ありてｊしｊ戊された妙ｉ
孔奮１Ｊするシャンク１８か設けられゐ。このシャッタ
１８はスパッタリング製胎初明１’（、基板８にサマリ
ツムおよびコバルトが飛敵することを防き、また基板８
への垂直磁化膜の形成時には、その膜厚か均一となるよ
うに回転駆動される。
こはホルダ４に画定された水久螺ろ９によってその基板
８の厚み方向（第１図の上下刃向）にＩＩユＬ流（欧界
か与えられる。各器１内は、・ｈｌｒ ＶＣダマリクツ
ム酸化を防ぐために６〜８ＸＩＵ Ｔｏｒｒに十分に仙
気し、その後、アルゴンカスを）が入して、たとえは７
．６ Ｘ Ｉ Ｕ ′ｌ’ｏｒｒ とする。ターゲット
２，３に供給される父（ｆｉＬω、ξ５，６の１］」、
力Ｑよ、た々えｉ、ｉ Ｚ ７／ｉＬ ＩＪ＋’、 ５
にｂＪ して３０〜２ （ｌ Ｕ Ｗテ、Ｉ、ｊす、Ｘ
ＩｊＩＬ （１’；４（６に閃して１４０〜６００
ＶｖでＢ ／ｌ 。ターゲット２，３とホルダ４との間
には、ＩＬＪＩ方向に向隔全ありてｊしｊ戊された妙ｉ
孔奮１Ｊするシャンク１８か設けられゐ。このシャッタ
１８はスパッタリング製胎初明１’（、基板８にサマリ
ツムおよびコバルトが飛敵することを防き、また基板８
への垂直磁化膜の形成時には、その膜厚か均一となるよ
うに回転駆動される。
第２図は基板８のターゲット２，３側から見た斜視図で
あり、第３図はその分解斜視図である。
あり、第３図はその分解斜視図である。
基板８１−Ｊ：、平坦な表向を有するポリイミド樹脂、
エホキシ相脂やガラスの板ｌＯ上に、基板のｒｌｎｌ
展を検出するためにサーモカップル１１か１１．＝成さ
れて構成きれる。このサーモカッグル１ｌｉｄクロメル
１２とアルメル１３とから成り、このサーモカップル１
１の電圧は電圧計１４によって′６１ｊ定される。こう
して基板８上の止曲轍化膜か形成される人聞ＩＭ度かＩ
Ｊ＋１１定される。こうして第４図に２Ｊ＜されるよう
に基’Ａｌｘ Ｂ上には、たとえは膜厚３０００Ａ程度
の沖：１破化膜１５が形成される。アルゴンイオンは、
ターゲット５．６に鈎芙し、サマリツムとコバルトとを
たたき出し、このたたき出されたサマリツムとコバルト
とは基板８上Ｖ（衝突して垂直（み化膜１５か１＋＞廓
１される。
エホキシ相脂やガラスの板ｌＯ上に、基板のｒｌｎｌ
展を検出するためにサーモカップル１１か１１．＝成さ
れて構成きれる。このサーモカッグル１ｌｉｄクロメル
１２とアルメル１３とから成り、このサーモカップル１
１の電圧は電圧計１４によって′６１ｊ定される。こう
して基板８上の止曲轍化膜か形成される人聞ＩＭ度かＩ
Ｊ＋１１定される。こうして第４図に２Ｊ＜されるよう
に基’Ａｌｘ Ｂ上には、たとえは膜厚３０００Ａ程度
の沖：１破化膜１５が形成される。アルゴンイオンは、
ターゲット５．６に鈎芙し、サマリツムとコバルトとを
たたき出し、このたたき出されたサマリツムとコバルト
とは基板８上Ｖ（衝突して垂直（み化膜１５か１＋＞廓
１される。
交び１嶋５，６の電比などを制御することによって、％
１１−１４ｂン、化１１２！ １５のサマリツムとコ
パルｌ・トの組成比を磁化することかでき心。木釦明に
従えＶ、へザマリクムｉ；ｉ ２０〜３０つ２台唸れ、
残余↓１１はコバルトである。ツーマリツムは好１Ｌ、
＜は２４〜２７％青、−まれ、ｊ−も好ましくはサマリ
ツムは２５ｔＡ２含まｔＬでいる。サマリツムが２０％
未７両および３０％を超えるときには、圭１０イ（、化
物１ｑの灰用上必多゛な飽和値化や保持力か召Ｊられな
い。甘たサマリツムｔ１２４〜２”１ｔＡｏ含まれてい
るときには大川上十分なＪｉ！：＋Ｍｉ、 ６戸・化生
り性かイＦ＋・られ、その動性はサマリツムか２５％介
まれているときに最も艮好てを）つた。
１１−１４ｂン、化１１２！ １５のサマリツムとコ
パルｌ・トの組成比を磁化することかでき心。木釦明に
従えＶ、へザマリクムｉ；ｉ ２０〜３０つ２台唸れ、
残余↓１１はコバルトである。ツーマリツムは好１Ｌ、
＜は２４〜２７％青、−まれ、ｊ−も好ましくはサマリ
ツムは２５ｔＡ２含まｔＬでいる。サマリツムが２０％
未７両および３０％を超えるときには、圭１０イ（、化
物１ｑの灰用上必多゛な飽和値化や保持力か召Ｊられな
い。甘たサマリツムｔ１２４〜２”１ｔＡｏ含まれてい
るときには大川上十分なＪｉ！：＋Ｍｉ、 ６戸・化生
り性かイＦ＋・られ、その動性はサマリツムか２５％介
まれているときに最も艮好てを）つた。
−ｒ−モカソゾル１１によって゛］更出されるスパッタ
リング１ｌＨ７）青１１．：１における基４１〈８のＦ
ｉｎ！ ｌ’ｊＪ （□ＡＪＪ ５０°Ｃ〜１８０°Ｃ
でΔタリ、好１シ＜ｅま１００°Ｃである。
リング１ｌＨ７）青１１．：１における基４１〈８のＦ
ｉｎ！ ｌ’ｊＪ （□ＡＪＪ ５０°Ｃ〜１８０°Ｃ
でΔタリ、好１シ＜ｅま１００°Ｃである。
この＋１１，１度か、約５０°Ｃ木１１：１σおよび１
８０°Ｃを、ｌイ１えるときにｒよ、丼Ｌ１自働、化膜
Ｑｉｊし１次、されない０俣４し８の６・＋ｉ’１度か
１００°Ｃであるときｖｃｔよ、ｊ２も恒れた（σ？化
特性か得られた。サーモカップルｌｌＩ′ｉ、省略し得
る。
８０°Ｃを、ｌイ１えるときにｒよ、丼Ｌ１自働、化膜
Ｑｉｊし１次、されない０俣４し８の６・＋ｉ’１度か
１００°Ｃであるときｖｃｔよ、ｊ２も恒れた（σ？化
特性か得られた。サーモカップルｌｌＩ′ｉ、省略し得
る。
水久伍め９によって、基相８Ｖこ与えられる１ｊ４１丸
１１欠〆界１−ｊｌ、サマリツムかたとえは２５％τ、
１１；えて含−丁れているとき、そのシに４及８に几（
１ト１に距Ｊ １，０００ＬＪｅである。ザマリクムが
２５％木７１ｉｌｎ ７こけ含まれている叩１ｕ ｌｉ
＆化＋１’４１５をｊし展するとさには、この水久磁ろ
９Ｑよ１４′＝、去され、直びＬ碩、界は加えられない
。
１１欠〆界１−ｊｌ、サマリツムかたとえは２５％τ、
１１；えて含−丁れているとき、そのシに４及８に几（
１ト１に距Ｊ １，０００ＬＪｅである。ザマリクムが
２５％木７１ｉｌｎ ７こけ含まれている叩１ｕ ｌｉ
＆化＋１’４１５をｊし展するとさには、この水久磁ろ
９Ｑよ１４′＝、去され、直びＬ碩、界は加えられない
。
この１自ｊｆｉＬ （１蒜界は、サマリクムの組ｌ戊比
が少なくなるＱ′仁つれて小さくするように磁化される
。
が少なくなるＱ′仁つれて小さくするように磁化される
。
１自ｌ〕ＩＬ電源７による＋＋′１７７ｉ＋、バイアス
ミ０フ圧しよ、３０〜１００Ｖであり、好ましくＣよ６
０Ｖである。ｌＪ’ｌ流ノくイアス屯圧か、３０■未７
１ｉ’ｉｊおよび１００Ｖを超えるときには、歩１ｊｊ
化ケ化Ｖよ１し１１元されず、ぞの【白ｖ１シバイアス
電圧が６０Ｖであるときにｒよ、沖−旧（Ｉｉ化Ｉｎ、
： １５の硫化斗漬性か最も良好であった。
ミ０フ圧しよ、３０〜１００Ｖであり、好ましくＣよ６
０Ｖである。ｌＪ’ｌ流ノくイアス屯圧か、３０■未７
１ｉ’ｉｊおよび１００Ｖを超えるときには、歩１ｊｊ
化ケ化Ｖよ１し１１元されず、ぞの【白ｖ１シバイアス
電圧が６０Ｖであるときにｒよ、沖−旧（Ｉｉ化Ｉｎ、
： １５の硫化斗漬性か最も良好であった。
本発明に従う最良の半ｌｌ：ｌ磁化膜の（（・化稿性は
、弗５ト１に示されている。物性ｌｌは実損ｉｉ （Ｉ
Ｉであり、特性１２９ま反磁界袖・正を行なったときの
特性を示ず。飽相砿束ｈｉｓけ４００ガウス以上あり、
また、保持力Ｈｃは約５００〜７０ （ＬＯｅであり、
従って、夫１躬上充分な（１ｂ化ら性か拘られる。
、弗５ト１に示されている。物性ｌｌは実損ｉｉ （Ｉ
Ｉであり、特性１２９ま反磁界袖・正を行なったときの
特性を示ず。飽相砿束ｈｉｓけ４００ガウス以上あり、
また、保持力Ｈｃは約５００〜７０ （ＬＯｅであり、
従って、夫１躬上充分な（１ｂ化ら性か拘られる。
こうして得られた圭直破化膜１５が乗置磁化を形成する
ことができることを悔謁するために、第４］６１に／］
＝されるように看！−１−１缶、ｌ化饅゛１５の１１ν
１曲（′こ甲１１１力同に、たとえば、第４凶の」―力
から十同き（′こｌｌひしくＱ、昇任ｊじ成し、ヤこで
その［−１，１，７ｉ［、イ１．′；島゛−レＣ朴１１
Ｌ１、な［ｉす１１森１７１わりに、巣Ｉｆ、Ｊ、伽化
１ｊン、１５をｙ、＋友イ＋７．するときに、その境１
１．１． ｍ化膜１５か几の９鴨に仄ろうとするトルり
Ｑま、第６し１にン」〈されている。’！Ｐ ｌｌｌｌ
、 ＋Ｍｙ化１反１５を台む平曲に狙直な１１ζ：Ｉｌ
りｓ５かｌｌ：、 ７ｊ１１． Ｉｌ＊・界の同きとな
す）１」度を参ｌ（、！勾−〇で小してい／、）。第６
図を姿ＩＭすると、角度θか９０反および２７０反イ・
」近においてトルクの同さの大きなズ化か生じる。１．
［つて１Ａ！：＋ｌ；ｊ磁化映１化膜歩１トＩ−イ１に
り化かハ〉１戊されることか１４」る。
ことができることを悔謁するために、第４］６１に／］
＝されるように看！−１−１缶、ｌ化饅゛１５の１１ν
１曲（′こ甲１１１力同に、たとえば、第４凶の」―力
から十同き（′こｌｌひしくＱ、昇任ｊじ成し、ヤこで
その［−１，１，７ｉ［、イ１．′；島゛−レＣ朴１１
Ｌ１、な［ｉす１１森１７１わりに、巣Ｉｆ、Ｊ、伽化
１ｊン、１５をｙ、＋友イ＋７．するときに、その境１
１．１． ｍ化膜１５か几の９鴨に仄ろうとするトルり
Ｑま、第６し１にン」〈されている。’！Ｐ ｌｌｌｌ
、 ＋Ｍｙ化１反１５を台む平曲に狙直な１１ζ：Ｉｌ
りｓ５かｌｌ：、 ７ｊ１１． Ｉｌ＊・界の同きとな
す）１」度を参ｌ（、！勾−〇で小してい／、）。第６
図を姿ＩＭすると、角度θか９０反および２７０反イ・
」近においてトルクの同さの大きなズ化か生じる。１．
［つて１Ａ！：＋ｌ；ｊ磁化映１化膜歩１トＩ−イ１に
り化かハ〉１戊されることか１４」る。
以上のようｅこ本発明によれは、人体に９１、（害なツ
マリクムとコバルトとを用いて、沖−＋＋’、：、 ＜
ｉ、ｙ、 （ｔＺ ’ｘハ〉成する１模を製造すること
か０Ｊ ｆＬＶｔＬ １．ｃつ７こ。
マリクムとコバルトとを用いて、沖−＋＋’、：、 ＜
ｉ、ｙ、 （ｔＺ ’ｘハ〉成する１模を製造すること
か０Ｊ ｆＬＶｔＬ １．ｃつ７こ。
４、図山ｊの１ｒｉｊ、ｔｌ：＋−なｎ５（＋明第１図
は本ざ【；明の一実施例の年商（１，ｌ化膜を１し１祝
するためのマグネトロンスパッタリング”Ａ Ｉ？ｆの
１ｇ１曲図、第２図は基板８のターケラ）２，１１１１
１１から見た斜視図、第３囚Ｑよその基板８の幻ｉｇイ
釧祝ト１．９．４凶はｈ（Ａ入８上に年Ｉ口、砒化１１
ｊ＋ １５カ・ｊヒ１戊された状憑を下す斜視図、兇５
凶は本丸明の一人す中、例の峻化特性を４ぐずグラフ、
ＸＡ′３６区１ｅよその抵ＩＬ価化＋１１．３１５力・
車直磁化全Ｊし１戊することケ不ずトルク曲線を小ナグ
ラフでりる。
は本ざ【；明の一実施例の年商（１，ｌ化膜を１し１祝
するためのマグネトロンスパッタリング”Ａ Ｉ？ｆの
１ｇ１曲図、第２図は基板８のターケラ）２，１１１１
１１から見た斜視図、第３囚Ｑよその基板８の幻ｉｇイ
釧祝ト１．９．４凶はｈ（Ａ入８上に年Ｉ口、砒化１１
ｊ＋ １５カ・ｊヒ１戊された状憑を下す斜視図、兇５
凶は本丸明の一人す中、例の峻化特性を４ぐずグラフ、
ＸＡ′３６区１ｅよその抵ＩＬ価化＋１１．３１５力・
車直磁化全Ｊし１戊することケ不ずトルク曲線を小ナグ
ラフでりる。
ｌ・・・容器、２・・・サマリウムクーフット、３・・
・コバルトターゲット、４・・・ホルタ、５，６父（Ａ
ｔ ＱＪ１７ ・・’ ｌｌニーｊ−ＵＩＬ ′ＣＬｆ
、 １ＩＩ３Ｌ、８・・・基板、９・・・水六侮、右、
Ｉ Ｏ・・・カラスａｔｔ、ｌ １・・・サーモカッグ
ル、１５′・・・４挟１目イ１；ン化膜 代坤人 弁坤士 四叔圭−即 第１図 ｓ２図 第４図 第３図
・コバルトターゲット、４・・・ホルタ、５，６父（Ａ
ｔ ＱＪ１７ ・・’ ｌｌニーｊ−ＵＩＬ ′ＣＬｆ
、 １ＩＩ３Ｌ、８・・・基板、９・・・水六侮、右、
Ｉ Ｏ・・・カラスａｔｔ、ｌ １・・・サーモカッグ
ル、１５′・・・４挟１目イ１；ン化膜 代坤人 弁坤士 四叔圭−即 第１図 ｓ２図 第４図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１２０〜３０％のサマリウムＳｍと残余量のコバル
トｃｏとの合金であって、スパッタリンク製造時の生部
磁化膜が形成される基板の温度が約５０〜１８０°Ｃと
したことを特徴とする供直磁化映。 １２＋サマリクムＳｍＶｉ２４〜２７％含まれているこ
とを特徴とする特♂に請求の範１７４１負Ｓ１項記載の
坐「１磁化膜。 （３）サマリウムＳｍは２５％含まれていることを楠欲
とする稲ｉｉ’ｉ’ 請求の組曲第１項配板の仲直的、
化ｌ俟。 （４）ｉｉ＋記スパッタリング製造時における基板の温
度は１００°Ｃであることを特徴とする特許ｄ１゛１水
の暢１７４１律・１榎記載の坐曲憔化膜。 （５１スパッタリング製造時に基板伺近にその基板Ｉｃ
１，０００ （Ｊｅ木７＋１ｌｉｉの曲流磁界を形成
することを特徴とする請求 の一りＫｌｉ己載された率直有蚊化候。 ｉｌｌ ＋］＋＋記直流娠界はサマリウムＳｍのえれ酸
比が少なくなるにつれ１小さくすることケも）徴と１−
る輪針ｒｌｆＪ氷の馳ｖ」１弟５櫨記載の歩直憾化腺。 （７１ スパッタリンク製造時にサマリウムｓｍとコバ
ルトｃｏとのターゲットと、暴状との１１”１ｊに、父
流′ル１圧に直流バイアス電圧を１竹：して印加するこ
とを６徴とする特許ＫＮ水の犯し』輸１項〜弟６桐のう
ちの一つに記］叔された哄１白イの・化トさ。 （１１ノｆｉｌ島己１山ひしバイアス電圧は３０〜ＩＵ
ＯＶでろることを特徴とする持ｇｔ−請求の屹１１ｊ＋
’３５７相記恥５の阜直Ｉめ化ｊ侯。 ｉ９） ｝ＪＩＪ記向流バイアス電圧は６０Ｖでるるこ
とを特徴とする特許ｄ４氷の鞄１１１ｆ倉シ７項記販の
沖『ｌ砂化映。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125113A JPS6016409A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 垂直磁化膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125113A JPS6016409A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 垂直磁化膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016409A true JPS6016409A (ja) | 1985-01-28 |
Family
ID=14902164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58125113A Pending JPS6016409A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 垂直磁化膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016409A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187022A (en) * | 1989-03-08 | 1993-02-16 | Yamaha Corporation | Magnetic recording medium for encoders |
| JP2012216735A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Showa Denko Kk | 半導体素子の製造方法 |
| JP2012216734A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Showa Denko Kk | 半導体素子の製造方法 |
| JP2012216736A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Showa Denko Kk | 半導体素子の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518097A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-07 | Xerox Corp | Magnetic recording medium and method of manufacturing same |
| JPS5717114A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-28 | Seiko Epson Corp | Magnetic medium for vertical magnetic recording |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP58125113A patent/JPS6016409A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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| JP2012216735A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Showa Denko Kk | 半導体素子の製造方法 |
| JP2012216734A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Showa Denko Kk | 半導体素子の製造方法 |
| JP2012216736A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Showa Denko Kk | 半導体素子の製造方法 |
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