JPS6016437A - 半導体装置のボンデイング方法 - Google Patents

半導体装置のボンデイング方法

Info

Publication number
JPS6016437A
JPS6016437A JP59127757A JP12775784A JPS6016437A JP S6016437 A JPS6016437 A JP S6016437A JP 59127757 A JP59127757 A JP 59127757A JP 12775784 A JP12775784 A JP 12775784A JP S6016437 A JPS6016437 A JP S6016437A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
capillary
tip
metal wire
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59127757A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6042614B2 (ja
Inventor
Joji Kosho
古庄　譲二
Yoshiaki Fukui
福井　好明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP59127757A priority Critical patent/JPS6042614B2/ja
Publication of JPS6016437A publication Critical patent/JPS6016437A/ja
Publication of JPS6042614B2 publication Critical patent/JPS6042614B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明拡セラミック容器と半導体ベレットとを金属細線
で接続する半導体装置のボンディング方法に関する。
従来の半導体装置の内部配線にキャピラリーを用いる方
法がある。これは、金属線をボンディングツール孔に通
してベレットまたは容器のボンディング面に於て、加圧
を行なった状態で振動あるいは熱をかけながらボンディ
ングするものである。
第１図は従来の半導体装置の金属線ボンディング法の１
例を説明する断面図である。
セ２さツクで作られた容器１に半導体ベレット４を搭載
し、該半導体ベレット４の電極部と容器のボンディング
部２とを金属線５でボンデグ部端面７から金属線通り孔
方向へ０．９Ｍ伸びた新造のキャピラリーの最大外径が
０．６１１１’ｌ・以上でありた。このためボンディン
グ部近辺に側壁３がある半導体装置容器には適用が困難
で従来のボンディングキャピラリーでボンディング可能
な広いボンディング面積をもうけるという問題があった
。このため容器は大きなものとなってしまう。又、ボン
ディングする際、がンデイング位置を照明スポット８に
てペレット上面に対し斜め上方より照射している為ボン
ディングキャピラリーと照明スポット８を合わせすらい
という問題を生じさせていた。
本発明は上記欠点を除き、ビンディング面積を狭くする
ことができもって容器の小型化を可能とする半導体装置
のボンディング方法を提供することである。
て側壁が設けられているセラミック容器の該半導体ペン
ツＮ９Ｆ載面に半導体ベレットを搭載し。
該半導体ベレットの所定部と該ボンディング面の所定部
とを金属細線でポンデインダ接続するに際し、先端面よ
り所定の長さまでの最大外径が一定でかつ他の部分より
も細くな２ているキャピラリーを用いて上記金属細線の
ボンディングを行う半導体装置のボンディング方法にあ
る。
上記方法によれば容器の小型化が可能となる。
又、ボンディング部への照明スポットも合せやすい。
さらに本発明に使用されるキャピラリーは前記先端面か
ら少くとも０．９紘までの最大外径が０．６語以下であ
ることが実用上好ましい。
次に本発明を実施例により説明する。
第２図は本発明の１実施例のポンディ／クキボンディン
グ部先端１７から金属線通り穴方向へ０．９　ｉｍ伸び
た新造の最大外径ｔ−０，６９以下とした。このボンデ
ィングキャピラリー１６は、先端が細い為、半導体装置
容器のポンディフグ部１２近辺の壁１３に当たることな
くボンディングが可能となる、従って不要なボイディン
グ面積をなくすことができ、半導体装置を小塵化できる
。さらにボンディングする際、ボンディング位置を照明
スポット１８にて半導体ベレット１４及び容器のボンデ
ィング面１２に対し斜め上方より照らしているが、従来
のボンディングキャピラリーよりも先端部を細くしてい
るのでボンディングキャピラリーと照明スポットを合わ
せやすい。
以上説明した様に、本発明のキャビ２リーを用いると、
半導体装置の小型化及び製品の品質を向上させることが
できると―う利点をもたらす。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の方法による半導体装置の金属線ポンディ
ング法の１例を説明する断面図、第２図は本発明の方法
の１実施例のボンディングキャピラリーと該キャピラリ
ーを用いて金属線ボンディングを行う方法を説明する断
面図である。 １．１１・・・・・・半導体装置容器、２％　１２・・
・・・・容器のボンディング面、３．１３・・・・・・
容＠斥の壁。 ４．１４・・・・・・半導体ペレツ）、５，１５・・・
・・・金属線、６．１６・・・・・・ボンディングキャ
ビ２リー。 ７．１７・・・・・・ボンディング部端面、８．１Ｂ・
・・・・・照明スポット。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　半導体ベレット搭載面より高い位置にボンディ
    ング面を有し該ボンディング面の外周に該ボンディング
    面より上方に向って側壁が設けられているセラミック容
    器の該半導体ベレット搭載面に半導体ベレットを搭載し
    、該半導体ベレットの所定部と該ボンディング面の所定
    部とを金属細線でボンディング接続するに際し、先端面
    より所定の長さまでの最大外径が一定でかつ他の部分よ
    りも細くなっているキャピラリーを用いて上記金属細線
    のボンディングを行うことを特徴とする半導体装置のボ
    ンディング方法。 Ｑ）　前記キャピラリー社前記先端面から少くと装置の
    ボンディング方法。
JP59127757A 1984-06-21 1984-06-21 半導体装置のボンデイング方法 Expired JPS6042614B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59127757A JPS6042614B2 (ja) 1984-06-21 1984-06-21 半導体装置のボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59127757A JPS6042614B2 (ja) 1984-06-21 1984-06-21 半導体装置のボンデイング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6016437A true JPS6016437A (ja) 1985-01-28
JPS6042614B2 JPS6042614B2 (ja) 1985-09-24

Family

ID=14967930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59127757A Expired JPS6042614B2 (ja) 1984-06-21 1984-06-21 半導体装置のボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6042614B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62254477A (ja) * 1986-04-26 1987-11-06 Mitsubishi Metal Corp 発光半導体素子封止金型に装填されるピンの凹球面の形成方法
JPH01255514A (ja) * 1988-04-05 1989-10-12 Pioneer Electron Corp トランスファーモールド金型
JPH07125021A (ja) * 1993-10-29 1995-05-16 Nec Corp 射出成形用金型

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6042614B2 (ja) 1985-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5842628A (en) Wire bonding method, semiconductor device, capillary for wire bonding and ball bump forming method
US5659200A (en) Semiconductor device having radiator structure
JPH11121543A (ja) チップスケールパッケージ
JPS6016437A (ja) 半導体装置のボンデイング方法
JP3347598B2 (ja) ワイヤボンディング装置用キャピラリ
JP3455126B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
US5524811A (en) Wire bonding method
JPH09134982A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3322642B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61159746A (ja) Ｉｃモジユ−ルのワイヤボンデイング方法
JP3422937B2 (ja) ワイヤボンディングにおけるボール形成方法
JP2912128B2 (ja) キャピラリおよびリードフレームならびにそれらを用いたワイヤボンディング方法
JP2646694B2 (ja) リードフレーム
JP2789395B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS60106370U (ja) 外部リ−ド端子の取付構造
JPS5923419Y2 (ja) ワイヤボンデイング用キヤピラリ−
JP2846095B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0142349Y2 (ja)
US20030143899A1 (en) High density wire bondable connector assembly
JPS61125029A (ja) ワイヤボンダのキヤピラリ
JPH09223767A (ja) リードフレーム
JPH11168119A (ja) ワイヤボンディング方法とそれに用いる押圧ツール
JPS61148849A (ja) 半導体装置
JPS62256447A (ja) ワイヤボンデイング用キヤピラリチツプ
JPH0384941A (ja) 半導体装置の製造方法