JPS60167334U - 半導体基板の製造装置 - Google Patents
半導体基板の製造装置Info
- Publication number
- JPS60167334U JPS60167334U JP5440384U JP5440384U JPS60167334U JP S60167334 U JPS60167334 U JP S60167334U JP 5440384 U JP5440384 U JP 5440384U JP 5440384 U JP5440384 U JP 5440384U JP S60167334 U JPS60167334 U JP S60167334U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- substrate manufacturing
- manufacturing equipment
- substrate
- abstract
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図イは半導体基板の正面図、同図口は前記多結晶膜
成膜後の基板A−A線切断になる断面図、第2図は第1
図のエツジクラウン除去をなすエツジ研削の側面図、第
3図は本考案の研削砥石実施例とする側断面図である。 図中、1はn型半導体基板、2は多結晶シリコン膜、3
はエツジクラウン、4は従来の研削砥石、7は基板エツ
ジ、5と11は回転軸、10は本考案の研削砥石(研削
刃)、及び13は10のテーパ形成のベベル刃面である
。
成膜後の基板A−A線切断になる断面図、第2図は第1
図のエツジクラウン除去をなすエツジ研削の側面図、第
3図は本考案の研削砥石実施例とする側断面図である。 図中、1はn型半導体基板、2は多結晶シリコン膜、3
はエツジクラウン、4は従来の研削砥石、7は基板エツ
ジ、5と11は回転軸、10は本考案の研削砥石(研削
刃)、及び13は10のテーパ形成のベベル刃面である
。
Claims (1)
- 半導体形成基板のエツジ研削装置に於いて、基板厚さ方
向に駆動されるベベル形状砥石により研削することを特
徴とする半導体基板の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5440384U JPS60167334U (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 半導体基板の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5440384U JPS60167334U (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 半導体基板の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167334U true JPS60167334U (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=30576129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5440384U Pending JPS60167334U (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 半導体基板の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60167334U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52117059A (en) * | 1976-03-27 | 1977-10-01 | Toshiba Corp | Preparation of semiconductor wafer |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP5440384U patent/JPS60167334U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52117059A (en) * | 1976-03-27 | 1977-10-01 | Toshiba Corp | Preparation of semiconductor wafer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2658135B2 (ja) | 半導体基板 | |
| JPS60167334U (ja) | 半導体基板の製造装置 | |
| JP2644069B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63134174A (ja) | 研削ホイ−ル | |
| JPS5831951U (ja) | 回転切断具 | |
| JPS6278829A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59152734U (ja) | 多結晶シリコンウエハ用製造皿 | |
| JPS5831952U (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS5878644U (ja) | ダイシング装置 | |
| JPS62154648U (ja) | ||
| JPS58120655U (ja) | ウエハ−ダイシング用接着シ−ト | |
| JPS6137242U (ja) | ジヨ−クラツシヤ− | |
| JPS5892737U (ja) | 半導体外囲器キヤンカツタ− | |
| JPS6247128U (ja) | ||
| JPS6056467U (ja) | 半導体ウェハダイシングブレ−ド | |
| JPS60109327U (ja) | 半導体用イオン注入装置の半導体ウエ−ハ支持機構 | |
| JPS6115740U (ja) | 半導体ウエハダイシングブレ−ド | |
| JPS6313642U (ja) | ||
| JPS5934961U (ja) | 型磨き用工具 | |
| JPS6056472U (ja) | 万能タイプの刃物研削工具 | |
| JPS6440505U (ja) | ||
| JPS6018558U (ja) | 薄膜トランジスタ素子 | |
| JPS61184846A (ja) | 化合物半導体基板分割方法 | |
| JPS6066051U (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH01129058U (ja) |