JPS60167416A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPS60167416A JPS60167416A JP59021629A JP2162984A JPS60167416A JP S60167416 A JPS60167416 A JP S60167416A JP 59021629 A JP59021629 A JP 59021629A JP 2162984 A JP2162984 A JP 2162984A JP S60167416 A JPS60167416 A JP S60167416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- small holes
- reaction gas
- furnace
- jig
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、処理技術、特にＣＶＤ反応を利用して被処理
物を処理する技術に関し、たとえば、半導体装置の製造
ｌ？：、おいて、ウェハに薄膜を形成するのに使用して
有効な技術に関する。
物を処理する技術に関し、たとえば、半導体装置の製造
ｌ？：、おいて、ウェハに薄膜を形成するのに使用して
有効な技術に関する。
半導体装置の製造において、ウエハ−ヒにポリシリコン
膜やナイトライド膜を形成するＣＶＤ装置として、反応
炉内で回転するサセプタ上にウェハを載せて均一な膜を
形成するようｌこ構成されたものや、複数枚のウェハを
治具上に立てて並べ、治具を長い筒状の反応炉に収容し
てバッチ処理するように構成されたもの、が考えられる
。
膜やナイトライド膜を形成するＣＶＤ装置として、反応
炉内で回転するサセプタ上にウェハを載せて均一な膜を
形成するようｌこ構成されたものや、複数枚のウェハを
治具上に立てて並べ、治具を長い筒状の反応炉に収容し
てバッチ処理するように構成されたもの、が考えられる
。
しかし、かかるＣＶＤ装置においては、ウェハ処理部分
が反応炉の大きさに比べて少なく、装置床面積が大きく
なるという問題点があることが、本発明者によって明ら
かにされた。
が反応炉の大きさに比べて少なく、装置床面積が大きく
なるという問題点があることが、本発明者によって明ら
かにされた。
本発明の目的は、有効処理部分の割合を大きくすること
ができる処理技術を提供することにある。
ができる処理技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、反応ガスが流される反応ボックスを反応炉に
収容することｌこより、反応ボックス内で反応処理が効
果的に行われるようにしたものである。
収容することｌこより、反応ボックス内で反応処理が効
果的に行われるようにしたものである。
第１図は本発明の一実施例である（４Ｄ装置を示す縦断
面図、第２図は第１図■−■線に沿う断面図、第３図は
反応ボックスの斜視図である。
面図、第２図は第１図■−■線に沿う断面図、第３図は
反応ボックスの斜視図である。
本実施例において、このＣＶＤ装置は反応炉１を備えて
おり、反応炉１は石英ガラスによりほぼ円筒形状に形成
されている。反応炉１の一端面は後記の反応ボックスを
出し入れし得るように開閉自在に構成されており、反応
炉１の外部にはヒータ２が外周に近接されて設備されて
いる。反応炉ｌ内に収容される反応ボックス３はいずれ
も石英ガラスで形成された本体４と蓋体５とから構成さ
れている。本体４は上面が開放されたほぼ直方体の箱形
状に形成されており、本体４の底部には底板６が適当な
間隔を置いて敷設され、底板６には吸込口としての多数
の小孔７が穿設されている。
おり、反応炉１は石英ガラスによりほぼ円筒形状に形成
されている。反応炉１の一端面は後記の反応ボックスを
出し入れし得るように開閉自在に構成されており、反応
炉１の外部にはヒータ２が外周に近接されて設備されて
いる。反応炉ｌ内に収容される反応ボックス３はいずれ
も石英ガラスで形成された本体４と蓋体５とから構成さ
れている。本体４は上面が開放されたほぼ直方体の箱形
状に形成されており、本体４の底部には底板６が適当な
間隔を置いて敷設され、底板６には吸込口としての多数
の小孔７が穿設されている。
本体４の底壁の中央部には排出口８が開設されており、
排出口８には排出路９が接続されている。
排出口８には排出路９が接続されている。
蓋体５は本体４の上面開口を閉塞し得る中空のほぼ平盤
形状に形成されており、蓋体５の下部壁１０には吹出口
としての多数の小孔１１が穿設されている。蓋体５の上
部壁の中央部には供給口１２が開設されており、吹出口
１２には供給路１３が接続されている。
形状に形成されており、蓋体５の下部壁１０には吹出口
としての多数の小孔１１が穿設されている。蓋体５の上
部壁の中央部には供給口１２が開設されており、吹出口
１２には供給路１３が接続されている。
反応ボックス３はその内部に石英ガラスで形成された治
具１４を収容し得るように構成されており、治具１４は
複数枚のウェハ１５を平行に立てて並べ保持し得るよう
に構成されている。
具１４を収容し得るように構成されており、治具１４は
複数枚のウェハ１５を平行に立てて並べ保持し得るよう
に構成されている。
次に使用方法および作用を説明する。
被処理物としてのウェハ１５は治具１４に立てて並べら
れた状態で保持される。この治具１４は、反応ボックス
３の本体４の内部に蓋体５が開けられた上面開口から収
容される。治具１４を収容した反応ボックス３は蓋体５
を閉じた後、反応炉１の内部に挿入され位置決めされる
。
れた状態で保持される。この治具１４は、反応ボックス
３の本体４の内部に蓋体５が開けられた上面開口から収
容される。治具１４を収容した反応ボックス３は蓋体５
を閉じた後、反応炉１の内部に挿入され位置決めされる
。
続いて、ヒータ２１こより反応炉１内が加熱され、炉内
が所定温度に安定すると、供給路１３からモノシラン（
ＳｉＨ４）や四塩化シリコン（ＳｉＣ＾）等の反応ガス
が反応ボックス３の内部に供給される。供給された反応
ガスは、供給口１２から蓋体５の内部に拡散し、多数の
小孔１１から本体４の内部にシャワーのように均一に吹
き出される。同時に、排出路９が真空ポンプ等の負圧源
ζこより吸引されるため、小孔１１から吹き出された反
応ガスは対向する底板６の小孔７に吹い込まれるように
層流状態となって各ウェハ１５間を通って直進する。吸
込用小孔７から吸い込まれた反応ガスは排出口６に集合
され排出路９を通って排出される。
が所定温度に安定すると、供給路１３からモノシラン（
ＳｉＨ４）や四塩化シリコン（ＳｉＣ＾）等の反応ガス
が反応ボックス３の内部に供給される。供給された反応
ガスは、供給口１２から蓋体５の内部に拡散し、多数の
小孔１１から本体４の内部にシャワーのように均一に吹
き出される。同時に、排出路９が真空ポンプ等の負圧源
ζこより吸引されるため、小孔１１から吹き出された反
応ガスは対向する底板６の小孔７に吹い込まれるように
層流状態となって各ウェハ１５間を通って直進する。吸
込用小孔７から吸い込まれた反応ガスは排出口６に集合
され排出路９を通って排出される。
反応ガスが層流状態でウェハ１５の表面に沿って流れる
間に、ウェハ１５の表面にＣＶＤ膜が形成されて行くが
、反応ガスが各ウエノ１に均等に供給されるため、ＣＶ
Ｄ膜は膜厚、膜質ともに均一になり、また、同一ウェハ
における膜厚、膜質も殆ど均一になる。
間に、ウェハ１５の表面にＣＶＤ膜が形成されて行くが
、反応ガスが各ウエノ１に均等に供給されるため、ＣＶ
Ｄ膜は膜厚、膜質ともに均一になり、また、同一ウェハ
における膜厚、膜質も殆ど均一になる。
（１） 複数の被処理物を収容した反応ボックスを反応
炉ｌこ置き、反応ガスを反応ボックス内に流すようにし
たことにより、反応を反応ボックス内に限定させて起さ
せることができるため、炉内の不必要な部分を減少させ
ることによって炉内における有効部分の割合を増加させ
ることができ、床面積を減少させることができる。
炉ｌこ置き、反応ガスを反応ボックス内に流すようにし
たことにより、反応を反応ボックス内に限定させて起さ
せることができるため、炉内の不必要な部分を減少させ
ることによって炉内における有効部分の割合を増加させ
ることができ、床面積を減少させることができる。
（２） 反応ボックス内において反応ガスを多数の小孔
からなる吹出口から多数の小孔からなる吸込口に向けて
流すことにより、反応ガスが均一かつ層流状態で被処理
物に供給されるため、処理状態が全体的に均一化され、
処理の質を向上させることができる。
からなる吹出口から多数の小孔からなる吸込口に向けて
流すことにより、反応ガスが均一かつ層流状態で被処理
物に供給されるため、処理状態が全体的に均一化され、
処理の質を向上させることができる。
（３］ 反応ボックスを石英ガラスで形成することによ
り、反応ボックスから不純物が発生することを防止でき
るため、処理への悪影響が回避できる。
り、反応ボックスから不純物が発生することを防止でき
るため、処理への悪影響が回避できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、反応ボックスの開閉構造および反応炉の出し
入れ構造は前記実施例に限定されない。
入れ構造は前記実施例に限定されない。
吹出口、吹込口は多数の小孔で構成するに限らず、長孔
や網目等で構成してもよい。
や網目等で構成してもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＣＶＤ装置に適用し
た場合について説明したが、それに限定されるものでは
なく、たとえば、エピタキシャル装置や酸化炉等にも適
用できる。
をその背景となった利用分野であるＣＶＤ装置に適用し
た場合について説明したが、それに限定されるものでは
なく、たとえば、エピタキシャル装置や酸化炉等にも適
用できる。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は第
１図■−■線に沿う断面図、第３図は反応ボックスの斜
視図である。
１図■−■線に沿う断面図、第３図は反応ボックスの斜
視図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被処理物を複敗北べて保持する治具と、この治具を
収容し、反応ガスを一方向に流すように吹出口と吹込口
とが開設されている反応ボックスと、この反応ボックス
を収容する反応炉とを備えている処理装置。 ２ 反応ボックスが、石英ガラスで形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ８、吹出口と吹込口とが、多数の小孔から構成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021629A JPS60167416A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021629A JPS60167416A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167416A true JPS60167416A (ja) | 1985-08-30 |
Family
ID=12060353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021629A Pending JPS60167416A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60167416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7980003B2 (en) * | 2006-01-25 | 2011-07-19 | Tokyo Electron Limited | Heat processing apparatus and heat processing method |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59021629A patent/JPS60167416A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7980003B2 (en) * | 2006-01-25 | 2011-07-19 | Tokyo Electron Limited | Heat processing apparatus and heat processing method |
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