JPS60170687A - Ｘ線像変換プレ−ト - Google Patents
Ｘ線像変換プレ−トInfo
- Publication number
- JPS60170687A JPS60170687A JP2599084A JP2599084A JPS60170687A JP S60170687 A JPS60170687 A JP S60170687A JP 2599084 A JP2599084 A JP 2599084A JP 2599084 A JP2599084 A JP 2599084A JP S60170687 A JPS60170687 A JP S60170687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- image conversion
- ray image
- conversion plate
- phosphor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はＸ線でエネルギーを蓄積し、赤外線や可視光に
より蓄積したエネルギーを発光エネルギーとして解放す
る輝尽性、熱発光性螢光体層を有するＸ線像変換プレー
トに関する。
より蓄積したエネルギーを発光エネルギーとして解放す
る輝尽性、熱発光性螢光体層を有するＸ線像変換プレー
トに関する。
従来、Ｘ線像を記録し可成する手段としては、螢光体を
塗布したハロゲン化銀フィルムを用いる写真法があった
。しかしとの写真法では、Ｘ線被曝線量の低減や撮影画
像に記録された画像からできるだけ多くの、しかもより
正確な情報を得るといった要求を満たすには不十分であ
った。
塗布したハロゲン化銀フィルムを用いる写真法があった
。しかしとの写真法では、Ｘ線被曝線量の低減や撮影画
像に記録された画像からできるだけ多くの、しかもより
正確な情報を得るといった要求を満たすには不十分であ
った。
そこで米国特許第３８５９５２７号明細書等に開示され
ているようなＸ線像変換システムが有望視されている。
ているようなＸ線像変換システムが有望視されている。
これは被写体を透過したＸ線を、螢光体層を有するＸ線
像変換プレートに被写体潜像を蓄積せしめた後に可成す
るシステムである。故にこのシステムを実用化するには
、被曝線量低減のためにＸ線吸収率が高くしかも蓄積し
たエネルギーを高効率に解放しうる輝尽性或は熱発光性
螢光体が要求される。このような螢光体としては、蓄積
した画像の可成の容易さから、アルカリ土類弗化ハロゲ
ン化物螢光体が有望視され種々改良が試みられている。
像変換プレートに被写体潜像を蓄積せしめた後に可成す
るシステムである。故にこのシステムを実用化するには
、被曝線量低減のためにＸ線吸収率が高くしかも蓄積し
たエネルギーを高効率に解放しうる輝尽性或は熱発光性
螢光体が要求される。このような螢光体としては、蓄積
した画像の可成の容易さから、アルカリ土類弗化ハロゲ
ン化物螢光体が有望視され種々改良が試みられている。
しかしながらこの螢光体は、化学的不安定性や再使用に
際しての前画像残像等の難点が指摘されている。即ち前
者は、螢光体層を形成するアルカリ土類弗化ハロゲン化
物螢光体が、化学的に不安定、特に水分に対して不安定
で常温の水の中に入れるとすぐに分解してしまう現象で
ある。後者はこの螢光体層を例えばＢ□ＫｖｐのＸ線で
照射した後、室温で発振波長ｓ５ｏｎｍの赤外レーザに
て励起したときに輝尽発光する光を、フォトマルで受け
たとき、この受けた信号電流をＳ。とじ、この螢光体層
をヒーターで約７０℃５分間保持し、その後同様に輝尽
発光をフォトマルで受けたときの信号電流をＳ工とする
と、Ｓ、はＳ。の２〜３チにも達するもので、この８１
として現われるのが前画像残像現象である。
際しての前画像残像等の難点が指摘されている。即ち前
者は、螢光体層を形成するアルカリ土類弗化ハロゲン化
物螢光体が、化学的に不安定、特に水分に対して不安定
で常温の水の中に入れるとすぐに分解してしまう現象で
ある。後者はこの螢光体層を例えばＢ□ＫｖｐのＸ線で
照射した後、室温で発振波長ｓ５ｏｎｍの赤外レーザに
て励起したときに輝尽発光する光を、フォトマルで受け
たとき、この受けた信号電流をＳ。とじ、この螢光体層
をヒーターで約７０℃５分間保持し、その後同様に輝尽
発光をフォトマルで受けたときの信号電流をＳ工とする
と、Ｓ、はＳ。の２〜３チにも達するもので、この８１
として現われるのが前画像残像現象である。
Ｘ線像変換プレートとしては、再使用に際して前画像残
像がゼロであることが望ましく、その出現が望まれてい
る。
像がゼロであることが望ましく、その出現が望まれてい
る。
本発明はこのような従来の欠点を解決するためになされ
たもので、化学的に安定で前画像消去の容易な輝尽性、
熱発光性の螢光体層を有するＸ線像変換プレートの提供
を目的とする。
たもので、化学的に安定で前画像消去の容易な輝尽性、
熱発光性の螢光体層を有するＸ線像変換プレートの提供
を目的とする。
すなわち本発明は、螢光体層を有するＸ線像変換プレー
トにおいて、螢光体層を形成する螢光体として一般式が
Ｒ２０，Ｓ ： ａｉｒ （ただしＲはＹ、Ｌａ及びＧ
ｄ のいずれか少なくとも１種、ｘｏ’≦ａ≦１６１）
で表わされる物質を有することを特徴とする。
トにおいて、螢光体層を形成する螢光体として一般式が
Ｒ２０，Ｓ ： ａｉｒ （ただしＲはＹ、Ｌａ及びＧ
ｄ のいずれか少なくとも１種、ｘｏ’≦ａ≦１６１）
で表わされる物質を有することを特徴とする。
い捷上記一般式を満足する螢光体として例えばＹｔｏｘ
Ｓ ： ０．０００２Ｐ、ｒをとる。第１図はこの螢
光体に８０ＫＶｐのＸ線を照射した後、発振波長８５０
〜８６０ｎｍの赤外レーザの光を励起光として輝尽させ
た際の輝尽発光スペクトルを示した図であり、この図か
られかるように発光した光と励起光との分離はよい。
Ｓ ： ０．０００２Ｐ、ｒをとる。第１図はこの螢
光体に８０ＫＶｐのＸ線を照射した後、発振波長８５０
〜８６０ｎｍの赤外レーザの光を励起光として輝尽させ
た際の輝尽発光スペクトルを示した図であり、この図か
られかるように発光した光と励起光との分離はよい。
これ１こ対して従来の輝尽性螢光体においては、励起光
として発振波長６００ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザを用い、
前述の輝尽発光スペクトルは波長４００ｎｍあたりが中
心になるので、発光した光と励起光との分離はあまりよ
くない。
として発振波長６００ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザを用い、
前述の輝尽発光スペクトルは波長４００ｎｍあたりが中
心になるので、発光した光と励起光との分離はあまりよ
くない。
第２図は螢光体Ｙ、Ｏ□Ｓ ： ０．０００２Ｐｒの熱
発光強度と温度との関係を示す図であり、この図かられ
かるようにこの螢光体は４０１Ｇ近辺から蓄積したエネ
ルギーを解放し始めて７０℃近辺では解放し終わる。
発光強度と温度との関係を示す図であり、この図かられ
かるようにこの螢光体は４０１Ｇ近辺から蓄積したエネ
ルギーを解放し始めて７０℃近辺では解放し終わる。
この性質はＸ線像変換プレートを再使用する場合前画像
消去に有用である。通常、変換プレートは１５０℃以上
の温度には耐えられず、深い捕獲準位を有する従来の輝
尽性螢光体における熱による前画像消去は十分なもので
はなかった。螢光体Ｙ、０２Ｓ ： ０．０Ｏ０２Ｐｒ
では、７０′ＣＪ以上の温度に保つことにより、熱によ
る前画像消去が容易になった。
消去に有用である。通常、変換プレートは１５０℃以上
の温度には耐えられず、深い捕獲準位を有する従来の輝
尽性螢光体における熱による前画像消去は十分なもので
はなかった。螢光体Ｙ、０２Ｓ ： ０．０Ｏ０２Ｐｒ
では、７０′ＣＪ以上の温度に保つことにより、熱によ
る前画像消去が容易になった。
第３図は螢光体の輝尽輝度と時間との関係を示す図であ
る。第３図（ａ）は本発明に用いる螢光体Ｙ２だ第３図
（Ｃ）は従来の輝尽性螢光体を加熱温度７０℃中で１０
分間放置し、更にそれ以後は１００Ｗのハロゲンランプ
光も照射したときの輝尽輝度の減少を示している。なお
第３図においては、Ｘ線で螢光体１こエネルギーを蓄積
した際の輝尽輝度を１００としている。第３図かられか
るように、螢光体Ｙ２Ｏ２Ｓ ： ０．０００２Ｐｒは
７０℃で加熱したとき、約１５分間で蓄積したエネルギ
ーを解放し終わる。これに対して従来の輝尽性螢光体は
、７０℃で加熱し且つ１００Ｗのハロゲンランプ光を照
射しても１、蓄積したエネルギーを解放し終わるのに３
時間以上かかる。
る。第３図（ａ）は本発明に用いる螢光体Ｙ２だ第３図
（Ｃ）は従来の輝尽性螢光体を加熱温度７０℃中で１０
分間放置し、更にそれ以後は１００Ｗのハロゲンランプ
光も照射したときの輝尽輝度の減少を示している。なお
第３図においては、Ｘ線で螢光体１こエネルギーを蓄積
した際の輝尽輝度を１００としている。第３図かられか
るように、螢光体Ｙ２Ｏ２Ｓ ： ０．０００２Ｐｒは
７０℃で加熱したとき、約１５分間で蓄積したエネルギ
ーを解放し終わる。これに対して従来の輝尽性螢光体は
、７０℃で加熱し且つ１００Ｗのハロゲンランプ光を照
射しても１、蓄積したエネルギーを解放し終わるのに３
時間以上かかる。
いま螢光体Ｙ、０．８ ： ０．０００２Ｐｒと従来の
輝尽性螢光体を、常温の水の中に５分間入れておく。す
ると螢光体ＹＰＯｔＳ： ０．０００２Ｐｒは何の変化
も示さないのに対し、従来の輝尽性螢光体は分解して沈
殿物が生じ別の物質ｔこなってしまう。このよう１こ螢
光体Ｙ！Ｏｘ８ ： ０．０００２Ｐｒは従来の輝尽性
螢光体と比べて、化学的に安定、％１こ水分に対して安
定である。
輝尽性螢光体を、常温の水の中に５分間入れておく。す
ると螢光体ＹＰＯｔＳ： ０．０００２Ｐｒは何の変化
も示さないのに対し、従来の輝尽性螢光体は分解して沈
殿物が生じ別の物質ｔこなってしまう。このよう１こ螢
光体Ｙ！Ｏｘ８ ： ０．０００２Ｐｒは従来の輝尽性
螢光体と比べて、化学的に安定、％１こ水分に対して安
定である。
第４図は螢光、体Ｙ、Ｏ，Ｓ ： ａＰｒの付活剤であ
るＰｒの含有量を変化させた時の輝尽発光輝度を示す図
である。この図かられかるように、この螢光体は１０≦
ａ≦１０−′の広範囲において輝尽発光を示すし、ａの
値は１０≦ａ≦１０−３で最も強い発光輝度を示す。
るＰｒの含有量を変化させた時の輝尽発光輝度を示す図
である。この図かられかるように、この螢光体は１０≦
ａ≦１０−′の広範囲において輝尽発光を示すし、ａの
値は１０≦ａ≦１０−３で最も強い発光輝度を示す。
なお上述した一般式でＩ（がＬａやＧｄを含有する螢光
体でもこれまで述べたような性質をもっている。しかし
強酸１こ対する化学的安定性等を考えるとＹ、Ｇｄ、Ｌ
ａの順によく、螢光体製造の立場から言えば几がＹであ
る螢光体が最も望ましい。
体でもこれまで述べたような性質をもっている。しかし
強酸１こ対する化学的安定性等を考えるとＹ、Ｇｄ、Ｌ
ａの順によく、螢光体製造の立場から言えば几がＹであ
る螢光体が最も望ましい。
し発明の実施例〕
実施例１
まず酸化イツトリウム１００ｙ、酸化プラセオジムｏ、
ｏ１５Ｐ、硫黄３１．５９、炭Ｒｆ ） ’） ｆｔ
Ａ ３１．５Ｆ 。
ｏ１５Ｐ、硫黄３１．５９、炭Ｒｆ ） ’） ｆｔ
Ａ ３１．５Ｆ 。
及びリン酸カリウム４ノを十分に混合させて密閉したる
つほで１１５０℃で３時間焼成し、この焼結体に脱イオ
ン水による洗浄、酸洗浄、水洗、ろ過乾燥を順次行なっ
てＹ、Ｏ，Ｓ ： ０．０００２Ｐｒ螢光体を得る。
つほで１１５０℃で３時間焼成し、この焼結体に脱イオ
ン水による洗浄、酸洗浄、水洗、ろ過乾燥を順次行なっ
てＹ、Ｏ，Ｓ ： ０．０００２Ｐｒ螢光体を得る。
そしてこの螢光体と硝化綿を重量比で８：ｌの割合で、
アセトン、酢酸エチル及び酢酸ブチルの混液である浴剤
を用いて混合し、塗布液を調整する。
アセトン、酢酸エチル及び酢酸ブチルの混液である浴剤
を用いて混合し、塗布液を調整する。
次にこの塗布液を水平に置いたポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上にナイフコーターを用いて均一に塗布し
、５０′ＣＪで乾燥して膜厚が約３００ｆｎの螢光体層
を形成する。そしてこの螢光体層上に酢酸セルロースの
アセ沖溶液を均一に塗布し、乾燥Ｌ テ保＋ｔｉ １ｍ
を作ると、ＹｔＯｔＳ ： ０．０００２Ｐｒ螢光体が
螢光体層を形成するＸ線像変換プレー） （１）を得る
。
ートフィルム上にナイフコーターを用いて均一に塗布し
、５０′ＣＪで乾燥して膜厚が約３００ｆｎの螢光体層
を形成する。そしてこの螢光体層上に酢酸セルロースの
アセ沖溶液を均一に塗布し、乾燥Ｌ テ保＋ｔｉ １ｍ
を作ると、ＹｔＯｔＳ ： ０．０００２Ｐｒ螢光体が
螢光体層を形成するＸ線像変換プレー） （１）を得る
。
実施例２
酸化ガドリニウム１００ｇ、酸化プラセオジム０．０２
３ｙ、硫黄３１．５ノ、炭酸ナトリウム３１．５ ｆｌ
及びリン酸カリウム４７を十分に混合させる。後は実施
例１と同様の方法により、Ｇｄ＊Ｏｔｓ ： ０．００
０５Ｐｒ螢光体が螢光体層を形成するＸ線像変換プレー
ト（２）を得る。
３ｙ、硫黄３１．５ノ、炭酸ナトリウム３１．５ ｆｌ
及びリン酸カリウム４７を十分に混合させる。後は実施
例１と同様の方法により、Ｇｄ＊Ｏｔｓ ： ０．００
０５Ｐｒ螢光体が螢光体層を形成するＸ線像変換プレー
ト（２）を得る。
実施例３
酸化イツトリウム５０ノー酸化ガドリニウム５０７、酸
化プラセオジム０．０７５’、硫黄３１．５５’、炭酸
ナトリウム３１．５ Ｆ及びリン酸カリウム４ノを十分
に混合させる。後は実施例１と同様の方法により、Ｙｌ
、ｖｓ Ｇｄ Ｏ，２５０，Ｓ ： ０．００１ Ｐｒ
螢光体が螢光体層を形成するＸ線像変換グレート（３）
を得る。
化プラセオジム０．０７５’、硫黄３１．５５’、炭酸
ナトリウム３１．５ Ｆ及びリン酸カリウム４ノを十分
に混合させる。後は実施例１と同様の方法により、Ｙｌ
、ｖｓ Ｇｄ Ｏ，２５０，Ｓ ： ０．００１ Ｐｒ
螢光体が螢光体層を形成するＸ線像変換グレート（３）
を得る。
実施例４
酸化イツトリウム５０ｇ、酸化ランタン５０ノ、酸化プ
ラセオジム０．００６７グ、硫黄３１．５１ｉ’、炭酸
ナトリウム３１．５ Ｆ及びリン酸カリウム４ノを十分
に混合させる。後は実施例１と同様の方法により、Ｙ１
５Ｌａｏ、５Ｏ２Ｓ ： ０．０００１Ｐｒ螢光体が螢
光体層を形成するＸ線像変換プレート（４）を得る。
ラセオジム０．００６７グ、硫黄３１．５１ｉ’、炭酸
ナトリウム３１．５ Ｆ及びリン酸カリウム４ノを十分
に混合させる。後は実施例１と同様の方法により、Ｙ１
５Ｌａｏ、５Ｏ２Ｓ ： ０．０００１Ｐｒ螢光体が螢
光体層を形成するＸ線像変換プレート（４）を得る。
いまアルカリ土類弗化ハロゲン化物螢光体で°あるＢａ
ＦＢｒ ：Ｂｕ が螢光体層を形成する従来のＸ線像変
換グレート（５）があるとする。Ｘ線像変換プレート（
１）〜（５）を３ＱＫＶｐのＸ線で照射した後、室温で
発振波長８５０ｎｍにて励起したときに輝尽発光する光
を、フォトマルで受けたとき、この受けた信号電流を８
゜とし、Ｘ線像変換プレート（１）〜（５）をヒーター
で約７０℃５分間保持し、その後同様に輝尽発光をフォ
トマルで受けたときの信号電流をＳ、とすると、ＳＩ／
Ｓｏの比はＸ線像変換プレート（１）〜（４）では０．
１〜０．２％、Ｘ線像変換プレート（５）では２〜３％
である。またＸ線像変換プレート（１）〜（５）を、常
温の水の中に５分間入れておくと、Ｘ線像変換プレート
（１）〜（４）は伺の変化も示さないが、Ｘ線像変換プ
レート（５）は螢光体層を形成するＢａＦＢｒ ：Ｂｕ
螢光体が分解して別の物質１こなって輝尽発光を示さ
なくなる。
ＦＢｒ ：Ｂｕ が螢光体層を形成する従来のＸ線像変
換グレート（５）があるとする。Ｘ線像変換プレート（
１）〜（５）を３ＱＫＶｐのＸ線で照射した後、室温で
発振波長８５０ｎｍにて励起したときに輝尽発光する光
を、フォトマルで受けたとき、この受けた信号電流を８
゜とし、Ｘ線像変換プレート（１）〜（５）をヒーター
で約７０℃５分間保持し、その後同様に輝尽発光をフォ
トマルで受けたときの信号電流をＳ、とすると、ＳＩ／
Ｓｏの比はＸ線像変換プレート（１）〜（４）では０．
１〜０．２％、Ｘ線像変換プレート（５）では２〜３％
である。またＸ線像変換プレート（１）〜（５）を、常
温の水の中に５分間入れておくと、Ｘ線像変換プレート
（１）〜（４）は伺の変化も示さないが、Ｘ線像変換プ
レート（５）は螢光体層を形成するＢａＦＢｒ ：Ｂｕ
螢光体が分解して別の物質１こなって輝尽発光を示さ
なくなる。
このようＩＣＸ線像変換プレート（１）〜（４）は、Ｘ
線像変換プレート（５）に比べ、前画像消去が容易で化
学的Ｅこ安定、特に水に対して安定である。
線像変換プレート（５）に比べ、前画像消去が容易で化
学的Ｅこ安定、特に水に対して安定である。
以上説明したように本発明のＸ線像変換プレートは、化
学的に安定であり、再使用に際して前画像の消去が容易
である優れたＸ線像変換プレートとなる。
学的に安定であり、再使用に際して前画像の消去が容易
である優れたＸ線像変換プレートとなる。
第１図は螢光体Ｙ２Ｏ１１８： ０．０Ｏ０２Ｐｒの輝
尽発光スペクトルを示すグラフ、第２図は螢光体Ｙ、０
．Ｓ ：０．０００２Ｐｒの熱発光強度と温度との関係
を示すグラフ、第３図は螢光体Ｙ、Ｏ，Ｓ ： ０，０
００２Ｐｒと従来の輝尽性螢光体の輝度と時間との関係
を示すグラフ、第４図をま螢光体Ｙ、Ｏ，Ｓ ： ａＰ
ｒのａの値を変化させたときの輝尽発光輝度を示すグラ
フである。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第 １
図 第 ２ 図 慎友（°Ｃ） 第 ３ 図 （α） （１） 蒔ＶｆＩ（亦） （Ｃ） 時用（亦う
尽発光スペクトルを示すグラフ、第２図は螢光体Ｙ、０
．Ｓ ：０．０００２Ｐｒの熱発光強度と温度との関係
を示すグラフ、第３図は螢光体Ｙ、Ｏ，Ｓ ： ０，０
００２Ｐｒと従来の輝尽性螢光体の輝度と時間との関係
を示すグラフ、第４図をま螢光体Ｙ、Ｏ，Ｓ ： ａＰ
ｒのａの値を変化させたときの輝尽発光輝度を示すグラ
フである。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第 １
図 第 ２ 図 慎友（°Ｃ） 第 ３ 図 （α） （１） 蒔ＶｆＩ（亦） （Ｃ） 時用（亦う
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （＋） 一般式が４０．Ｓ：ａ、ｐｒ（ただし几はＹ、
Ｌａ ’）７１゜びＧｄ のいずれか少なくとも１種、
１６１１≦ａ≦１０′″１）で表わされる物質からなる
螢光体層を有することを特徴とするＸ線像変換プレート
。 （２）前記物質のａの値か１０≦ａ≦１０であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線像変換プレ
ート。 （３）前記物質の几がＹであることを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載のＸ線像変換プレート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2599084A JPS60170687A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | Ｘ線像変換プレ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2599084A JPS60170687A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | Ｘ線像変換プレ−ト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170687A true JPS60170687A (ja) | 1985-09-04 |
Family
ID=12181148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2599084A Pending JPS60170687A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | Ｘ線像変換プレ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170687A (ja) |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP2599084A patent/JPS60170687A/ja active Pending
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