JPS5956479A - 放射線像変換方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は放射線像変換方法、さらに詳しくは輝尽性螢光
体を利用した放射線像変換方法に関する。

従来放射線像を画像として得るのには、銀塩感光材料か
らなる乳剤層を有する写真フィルムとＸ線増感紙を用い
る、いわゆる放射線写真法が利用されているが、この方
法で得られる放射線像よりも画像の鮮鋭度や解像力が優
れた放射線像を得ることのできる放射線像変換方法の１
つとして、米国特許第３゜８５９．５２７号、同４，２
３６，２６４号明細書、特開昭５５−１６３４７２号、
同５５−１１６３４０号公報等に記載されている方法が
注目されている。

この放射線像変換方法は蓄積性螢光体（放射線を照射し
た後、可視光線および赤外線から選ばれる電磁波で励起
すると発光を示す螢光体。ここで放射線とはＸ線、α線
、β線、γ線、高エネルギー中性子線、電子線、真空紫
外線、紫外線等の電磁波あるいは粒子線をいう。）を利
用するもので、被写体を透過した放射線を蓄積性螢光体
に吸収せしめ、しかる後蓄積性螢光体を可視光線および
赤外線から選ばれる電磁波で励起し、輝尽性螢光体が蓄
積している放射線エネルギーを螢光（輝尽発光）として
放出せしめ、この螢光を検出して画像化するものである
。

従来、弗化ハロゲン化物螢光体の１種として次式、Ｂａ
ＦＸ：ａＥｕ２＋ （但しＸはＣＪ、Ｂｒおよび■のうちの少なくとも１種
であり、ａはＱ＜ａ≦０．２なる条件を満たす数である
。） で表される２価のユーロピウム付活弗化ハロゲン化バリ
ウム螢光体が知られている。この螢光体はＸ線、紫外線
、電子線等で励起されると高輝度の近紫外発光（瞬時発
光）を示し、特にＸ線増感紙用螢光体として実用に供さ
れているが、この螢光体はまた高輝度の輝尽発光を示す
。すなわち、この螢光体は放射線の照射を受けた後４５
０乃至１ｌ１００ｎの波長領域の電磁波で励起されると
高輝度の近紫外発光を示す。従ってこの螢光体は上記放
射線像変換方法に使用することができる（米国特許第４
．　２３９．　９６８号参照）。

ところで上記放射線像変換方法が　医療診断を目的とす
るＸ線像変換に用いられる　　場合には、患者の被曝線
量を少なくするためにその方法はできるだけ高感度であ
るのが望ましく、従ってその方法に用いられる蓄積性螢
光体は輝尽による発光輝度ができるだけ高いのが望まし
い。このような点から、上記ＢａＦＸ：Ｅｕ２＋螢光体
を使用する放射線像変換方法についてもその感度の向上
が望まれており、従ってＢａＦＸ：Ｅｕ２＋螢光体の輝
尽による発光輝度の向上が望まれている。

本発明は上述のような状況の下で行われたものであり、
上記ＢａＦＸ：Ｅｕ２＋螢光体よりも輝尽による発光輝
度の高い螢光体を蓄積性螢光体として使用することによ
り、ＢａＦＸ：Ｅｕ２＋螢光体を使用する放射線像変換
方法よりも感度の高い放射線像変換方法を提供すること
を目的とする。

本発明者等は上記目的を達成するためにＢａＦＸ：Ｅｕ
２＋螢光体の輝尽による発光輝度の改良について種々の
研究を行ってきた。その結果、ＢａＦＸ：Ｅｕ２＋螢光
体の母体である弗化ハロゲン化バリウム（１３ａ　Ｆ　
Ｘ）と、ハロゲン化ナトリウム（ＮａＸ’、但しＸ′は
Ｃ７！、Ｂｒおよび■のうちの少なくとも１種である）
とからなる複合ハロゲン化物を母体とし、この母体を２
価のユーロピウムで付活した新規な螢光体は、放射線の
照射を受けた後４５０乃至１ｌ１００ｎの波長領域の電
磁波で励起されると従来のＢａＦＸ：Ｅｕ２＋螢光体よ
りも高輝度の近紫外発光を示すことを見出し本発明を完
成させるに至９た。

本発明の放射線像変換方法は、次式、 ＢａＦＸ　　−ｘＮａＸ’　　：　　ａＥｕ２＋（但し
ＸおよびＸ′はいずれもＣＩ、ＢｒおよびＩのうちの少
なくとも１種であり、Ｘおよびａはそれぞれ０＜ｘ≦２
および０＜ａ≦０．２なる条件を満たす数である） で表される２価のユーロピウム付活複合ハロゲン化物螢
光体を含む蓄積性螢光体に被写体を透過した放射線を吸
収せしめ、しかる後この螢光体を４５０乃至１ｌ１００
ｎの波長領域の電磁波で励起して螢光体が蓄積している
放射線エネルギーを螢光として放出せしめ、この螢光体
を検出することを特徴とする。

本発明の放射線像変換方法に使用される上記２価のユー
ロピウム付活複合ハロゲン化物螢光体は従来のＢａＦＸ
：ＥｕＺ＋螢光体と同様にＸ線等の放射線の照射を受け
た後４５０乃至１ｌ１００ｎの波長領域の電磁波で励起
されると近紫外発光を示すが、この輝尽による発光の輝
度はＢａＦＸ：Ｅｕ２＋螢光体よりも高い。

従って本発明の放射線像変換方法はＢａＦＸ：Ｅｕ２＋
螢光体を使用する放射線像変換方法よりも高感度である
。なお上記２価のユーロピウム付活複合ハロゲン化物螢
光体のうちでも上記式のＸ値が１０−５≦Ｘ≦５Ｘ１０
−１の範囲にある螢光体は輝尽による発光輝度が特に高
く、従ってＸ値がこの範囲にある螢光体を使用する本発
明の放射線像変換方法は特に高感度である。また、Ｎａ
Ｘ’のうちではＮａＩとＮａＢｒが輝尽による発光輝度
を特に高く、更にＮａＩを用いれば蓄積された放射線エ
ネルギーが励起前の経時によって減少する度合（以下フ
ェーディングという）が少なくできるので特に好ましい
。

また上記式の好ましいａ値の範囲は１０−５≦ａ≦１０
−１である。

以下本発明の詳細な説明する。

本発明の放射線像変換方法に使用される２価のユ−ロピ
ウム付活複合ハロゲン化物螢光体は例えば以下に述べる
製造方法によって製造される。

まず螢光体原料としては １）弗化バリウム（Ｂ　ａ　Ｆ２　）、ｉｉ）塩化バリ
ウム（Ｂ　ａ　Ｃｊ！　２）　、臭化バリウム（ＢａＢ
ｒ２）および沃化バリウム（ＢａＩ２）のうちの少なく
とも１種、 ｉｉｉ　）塩化ナトリウム（ＮａＣｊ２）、’臭化ナト
リウム（ＮａＢｒ）および沃化ナトリウム（ＮａＩ）の
うちの少なくとも１種、および ｉｖ）ハロゲン化物、酸化物、硝酸塩、硫酸塩等の３価
ユーロピウムの化合物 が用いられる。この４つの螢光体原料を用いて化学量論
的に ＢａＦＸ−ｘＮａＸ’　：　ａＥｕ” （但しｘ、ｘ’、Ｘおよびａは前述と同じ意義を有する
） なる式で表される螢光体原料混合物を調製する。螢光体
原料混合物は上記４つの螢光体原料を単に混合すること
によって調製してもよいし、あるいは上記ｉ〉のＢａＦ
２と上記ｉｉ）のハロゲン化バリウムを用いてあらかじ
めＢａＦＸを生成せしめ、しかる後このＢａＦＸに上記
ｉｔｉ　）のハロゲン化ナトリウムおよび上記ｉｖ）の
付活剤原料を混合することによって調製してもよい。後
者の螢光体原料混合物調製方法において、Ｂ　ａ　Ｆ２
　とハロゲン化バリウムからＢａＦＸを生成せしめるの
には公知の種々の方法が採用される。例えばＢａＦＸは
ＢａＦ２とハロゲン化バリウムとを混合し、得られる混
合物を１００℃以上の温度で数時間加熱することによっ
て容易に生成せしめることができる（乾式法、特公昭５
１−２８５９１号参照）。またＢａＦＸはＢａＦ２の懸
濁液に　。

ハロゲン化バリウムの溶液を加え、好ましくは減圧下、
加温しながら攪拌し、水分を徐々に蒸発乾固せしめる操
作によっても容易に生成せしめることができる（湿式法
、特開昭５１−６１４９９号参照）。

なお上記乾式法および湿式法のいずれにおいても、反応
系中に付活剤原料を介在させることによってＢａＦＸの
生成と同時にＢａＦＸと付活剤原料との均一な混合をも
達成することができる。いずれの螢光体原料混合物調製
方法においても、ＢａＦ２、ハロゲン化バリウム、ハロ
ゲン化ナトリウムおよび付活剤原料、あるいはＢａＦＸ
、ハロゲン化ナトリウムおよび付活剤原料は充分に混合
される。混合は乳鉢、ボールミル、ロンドミル等の通常
の混合機によって行われる。

次に得られた螢光体原料混合物を石英ボート、アルミナ
ルツボ、石英ルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中
で焼成を行なう。焼成温度は６００乃至１０００℃が適
当である。焼成時間は螢光体原料混合物の充填量、焼成
温度等によって異なるが、一般にはｌ乃至６時間が適当
である。焼成雰囲気として少量の水素ガスを含む窒素ガ
ス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む二酸化炭素雰囲気等
の弱還元性雰囲気を使用し、それによって焼成過程にお
いて３価のユーロピウムを２価のユーロピウムに還元す
る。なお、上記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を
電気炉から取り出して放冷後粉砕し、しかる後焼成物粉
末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、上記と同
じ焼成条件で再焼成を行なってもよい。この場合、焼成
雰囲気として弱還元性雰囲気の代わりに窒素ガス雰囲気
、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気を使用してもよい
。焼成後、得られる焼成物をほぐし、篩分は等螢光体製
造において一般に採用される各種操作によって処理して
本発明の螢光体を得る。

以上説明した製造方法などによって得られる次式、Ｂａ
　　ＦＸ　　−ｘＮａ　　Ｘ　／　　：　　ａ　　Ｅ１
１２＋（但しＸおよびＸ′はいずれもＣ７！、Ｂｒおよ
び■のうちの少なくとも１種であり、Ｘおよびａはそれ
ぞれＯ＜Ｘ≦２およびＱ＜ａ≦０．２なる条件を満たす
数である） で表される２価のユーロピウム付活複合ハロゲン化物螢
光体は、従来のＢａＦＸ：Ｅｕ２＋螢光体と同様にＸ線
等の放射線の照射を受けた後４５０乃至１ｌ１００ｎの
波長領域の電磁波で励起されると近紫外線発光を示す。

そしてその輝尽による発光の輝度はＢａＦＸ：Ｅｕ２＋
螢光体よりも高い。従ってこの螢光体を使用する本発明
の放射線像変換方法はＢａＦＸ：Ｅｕ２＋螢光体を使用
する放射線像変換方法よりも高感度である。第１図は本
発明の放射線像変換方０ 法に使用される２価のユーロピウム付活複合ハロゲン化
物螢光体の励起スペクトルを例示するものであり、管電
圧ａｏＫｖｐのＸ線が照射された試料を用いて測定した
ＢａＦＢｒ　−１０−”ＮａＢｒ　：　１０−”Ｂｕ２
＋螢光体の励起スペクトルである。第１図から明らかな
ように、ＢａＦＢｒ　・１０−’ＮａＢｒ　：　１０”
Ｅｕ２＋螢光体の励起可能な波長範囲は４５０乃至１ｌ
１００ｎであり、特に４５０乃至７５０ｎｍが最適励起
波長範囲である。本発明の放射線像変換方法に使用され
る２価のユーロピウム付活複合ハロゲン化物螢光体の励
起可能な波長範囲は螢光体の組成によっても若干界なる
が、一般には第１図に示された結果とほぼ同じ４５０乃
至１ｌ１００ｎであり、最適励起波長範囲は４５０乃至
７５０ｎｍである。

この範囲では螢光体の温度を実質的に上昇させることな
く励起できる。この励起可能な波長範囲および最適励起
波長範囲はＢａＦＸ：Ｂｕ２＋螢光体の励起可能な波長
範囲および最適励起波長範囲にほぼ一致する。

第２図は本発明の放射線像変換方法に使用される１ ２価のユーロピウム付活複合ハロゲン化物螢光体の輝尽
による発光スペクトルを例示するものであり、ＢａＦＢ
ｒ　・１０−’ＮａＢｒ　：　１０−’ＥｕＺ＋螢光体
に管電圧８０ＫＶｐのＸ線を照射した後、該螢光体をＨ
ｅ−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）で励起することによ
って測定した発光スペクトルである。螢光体の組成によ
っても若干界なるが、本発明の放射線像変換方法に使用
される２価のユーロピウム付活複合ハロゲン化物螢光体
は輝尽によって第２図に示されるような近紫外発光を示
す。そして該複合ハロゲン化物螢光体の輝尽による発光
スペクトルはＢａＦＸ：Ｅｕ２＋螢光体の輝尽による発
光スペクトルとほぼ同じである。

第３図および第４図はそれぞれＢａＦＢｒ−ｘＮ”　Ｂ
　ｒ　：　１０−’Ｅｕ２＋Ｅｕ２＋螢光Ｂａ　ＦＣ７
！　・ｘＮａＢｒ　：　１０−’Ｅｕ２＋Ｅｕ２＋螢光
圧８０ＫＶｐのＸ線を照射した後、それら螢光体をＨｅ
−Ｎｅレーザー（６３３ｎｍ）で励起した時の螢光体の
母体構成成分であるＮａＢｒ０量Ｘ値（横軸）と輝尽に
よる発光輝度（縦軸）との関係を示すグラフであり、２ 第３図の縦軸はＢａＦＢｒ　：　１０−３Ｅｕ２＋螢光
体の輝尽による発光輝度を１００としたときの相対値で
表わし、第４図の縦軸はＢａＦＣ＃　：　１０−３Ｅｕ
２＋螢光体の輝尽による発光輝度を１００としたときの
相対値で表している。第３図および第４図から明らかな
ように、Ｘ値がＱ＜ｘ≦２の範囲にある本発明の放射線
像変換方法に使用されるＢａＦＢｒ−ｘＮａＢｒ　：　
１０−″Ｅｕ２＋Ｅｕ２＋螢光ＢａＦＣｊｌ　−ｘＮａ
　Ｂ　ｒ　：　１０−’Ｅｕ２＋Ｅｕ２＋螢光ぞれＸ値
が０であるＢ　ａ　ＦＢ　ｒ　：　１０−’Ｅｕ２＋Ｅ
ｕ２＋螢光ＢａＦＣβ：ｔｏ−３Ｅｕ２＋螢光体よりも
高輝度の輝尽発光を示す。またＢａＦＢｒ−ｘＮａＢｒ
：１０−’Ｅｕｚ＋螢光体およびＢａＦＣ＃　・ｘＮａ
Ｂｒ　：　１０−’Ｅｕ２＋Ｅｕ２＋螢光れにおいても
Ｘ値が１０−５≦Ｘ≦５Ｘ１０−１の範囲にある螢光体
は特に発光輝度が高い。なお、第３図および第４図はそ
れぞれＢａＦＢｒ−ｘＮａＢｒ：１０−’Ｅｕ２＋Ｅｕ
２＋螢光ＢａＦＣｊｌ　−ｘＮａＢｒ　：　１０−’Ｅ
ｕ２＋Ｅｕ２＋螢光てのＸ値と輝尽による発光輝度との
関係を示すものであるが、母体構成成分であるハロゲン
化ナトリウム３ の異なるＢａＦＢｒ　−ｘＮａ　Ｉ　：　１０−”Ｅｕ
Ｚ＋螢光体Ｂａ　ＦＣ／　−ｘＮａ　Ｉ　：　１０−’
ＥｕＺ＋螢光体についてもＸ値と輝尽による発光輝度と
の関係はそれぞれ第３図および第４図とほぼ同じであっ
た。またＢＢａＦＢｒ−ｘＮａｃｊｌ　　：　　１　０
−”Ｅｕ２＋、　ＢａＦＣｊｌ−ｘＮａｃｌｌ：１０’
″”Ｅ　ｕＺ＋螢光体のＸ値と輝尽による発光輝度との
関係は第３図または第４図の各曲線はど上に凸ではない
が、１０−’〜２で輝尽発光輝度が改良される関係を示
した。さらに第３図および第４図はいずれもＥｕ２＋ｉ
ｌａ値が１０−３である螢光体についてのＸ値と輝尽に
よる発光輝度との関係を示すものであるが、ａ値が変化
した螢光体についてもＸ値と輝尽による発光輝度との関
係は第３図および第４図と同様の傾向にあることが確認
された。

本発明の放射線像変換方法を概略図を用いて具体的に説
明する。第５図において１１は放射線発生装置、１２は
被写体、１３は上記２価のユーロピウム付活複合ハロゲ
ン化物螢光体を含有する蓄積性螢光体層を有する放射線
像変換パネル、１４は該放射線像変換パネル中に蓄積さ
れた放射線潜像を螢光とし４ て放射させるための励起源としての光源、１５は該放射
線像変換パネルより放射された螢光を検出する光電電変
換装置、１６は１５で検出された光電変換信号を画像と
して再生する装置、１７は再生された画像を表示する装
置、１８は光源１４からの反射光をカントし、放射線像
変換パネル１３より放射された光のみを透過させるため
のフィルターである。１５以降は１３からの光情報を何
らかの形で画像として再生できるものであればよく、上
記に限定されるものではない。

第５図に示されるように、被写体１２を放射線発生装置
１１と放射線像変換パネル１３の間に配置し、放射線を
照射すると、放射線は被写体１２の各部の放射線透過率
の変化に従って透過し、その透過像（すなわち放射線の
強弱の像）が放射線像変換パネル１３に入射する。この
入射した透過像は放射線像変換パネル１３の蓄積性螢光
体層に吸収され、これによって該螢光体層中に吸収した
放射線量に比例した数の電子または正孔が発生し、これ
が蓄積性螢光体のトラップレベルに蓄積される。すなわ
ち放射線量５ 過像の蓄積像（一種の潜像）が形成される。次にこの潜
像を光エネルギーで励起して顕在化する。

すなわぢ、光源１４から放射される励起光で放射線像変
換パネル１３の蓄積性螢光体を走査してトラップレベル
に蓄積された電子または正孔を追出し、蓄積像を螢光と
して放射せしめる。先に述べたように、放射線像変換パ
ネル３の蓄積性螢光体層に用いられる２価のユーロピウ
ム付活複合ハロゲン化物螢光体の励起可能な波長範囲は
４５０乃至１ｌ１００ｎであり、最適励起波長範囲は４
５０乃至７５０ｎｍであるので、励起光としては４５０
乃至１ｌ１００ｎ。

好ましくは４５０乃至７５０ｎｍの波長を有する電磁波
が用いられる。この範囲（４５０〜７５０ｎｍ）ならば
蓄積性螢光体層の温度を実質的に上昇させることなく励
起できるので螢光体および螢光体層の温度変化による劣
化が未然に防止できる。

上記励起光による励起によって蓄積性螢光体層から放射
される螢光の強弱は蓄積された電子または正孔の数すな
わち放射線像変換パネル１３の蓄積性螢光体層に吸収さ
れた放射線エネルギーの強弱に比例６ しており、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電変
換装置１５で電気信号に変換し、画像再生装置１６によ
って画像として再生し画像表示装置１７によってこの画
像を表示する。

上記本発明の放射線像変換方法において用いられる放射
線像変換パネルは上記２価のユーロピウム付活複合ハロ
ゲン化物螢光体を適当な結合剤中に分散して含有する蓄
積性螢光体層を有する。蓄積性螢光体層が自己支持性の
ものである場合には蓄積性螢光体層自体が放射線像変換
パネルとなり得るが、一般には蓄積性螢光体層は適当な
支持体上に設けられて放射線像変換パネルが構成される
。さらに通常は蓄積性ち螢光体層の片面（支持体が設け
られる面とは反対側の面）に該螢光体層を物理的にある
いは化学的に保護するための保護膜が設けられる。また
蓄積性螢光体層と支持体とをより密接に接着させる目的
で螢光体層と支持体との間に下塗り層が設けられる場合
もある。なお、上記のような構造を有する放射線像変換
方法パネルは特開昭５５−１６３５００号に開示されて
いるように着色剤によって着色されて７ いてもよい（蓄積性螢光体層が着色される場合には励起
光入射側からその反対側に向って着色度が次第に高くな
るように着色されるのが好ましい）また放射線像変換パ
ネルの蓄積性螢光体層には本発明の式ＢａＦＸ−ｘＮａ
Ｘ’　：ａＥｕ２÷螢光体の他に、所望により公知の蓄
積性螢光体のうちで４５０〜１ｌ１００ｎの波長領域の
電磁波で輝尽による発光を示す蓄積性螢光体が併用され
てもよい。併用されるに好ましい公知の蓄積性螢光体と
しては特開昭５５−１２１４４号に記されている希土類
付活ランタンオキシハライド螢光体、米国特許第４，２
３６．０７８号、特開昭５５−１２１４３号、同５５−
１２１４５号、同５５−８４３８９号、同５６−２３８
５号、同５６−２３８６号、同５６−７４１７５号等に
記されている希土類付活アルカリ土類金属フルオロハラ
イド螢光体などがある。

また放射線像変換パネルの蓄積性螢光体層中に特開昭５
５−１４６４４７号に開示されているように白色粉体が
分散されていてもよい。さらに、放射線像変換パネルは
特開昭５６−１１３９３号あるいは８ 特開昭５６−１２６００号に開示されているように蓄積
性螢光体層の励起光入射側とは反対の側に金属反射層あ
るいは白色顔料反射層が設けられていてもよい。このよ
うに着色剤あるいは白色粉末を使用することによって、
また光反射層を設けることによって、鮮鋭度の高い画像
を与える放射線像変換パネルを得ることができる。

本発明の放射線像変換方法において上記放射線像変換パ
ネルの蓄積性螢光体層を励起する光エネルギーの光源と
しては、４５０乃至１ｌ１００ｎの波長領域にバントス
ペクトル分布をもった光を放射する光源の他にＨｅ−Ｎ
ｅレーザー光（６３３ｎｍ）、ＹＡＧレーザー光（１０
６４ｎｍ）、ルビーレーザー光（６９４ｎｍ）、アルゴ
ンレーザー（４８８ｎｍ）等の単一波長の光を放射する
光源が使用される。

特にレーザー光を用いる場合には高い励起エネルギーを
得ることができる。レーザー光の中でも特にＨｅ−Ｎｅ
レーザー光を用いるのがより好ましい。

先に説明したように、本発明の放射線像変換方法に使用
される２価のユーロピウム付活複合ハロゲン９ 化物螢光体は従来のＢａＦＸ：Ｂｕ２＋螢光体よりも輝
尽による発光輝度が高い。従って本発明の放射線像変換
方法はＢａＦＸ：Ｅｕ２＋螢光体のみを使用する放射線
像変換方法よりも高感度である。

次に実施例によって本発明を説明する。

実施例１゜ ＢａＦ２１７５．５ｇ　（１モル）、ＢａＢｒ２２９７
、Ｉｇ　（１モル）、ＮａＢｒ０．２０６ｇ　（２×１
０１モル）およびＥｕＢｒ３　ｏ、７８３ｇ　（２ＸＩ
Ｏ−３モル）を秤取し、ボールミルを用いて充分に混合
した。得られた螢光体原料混合物を石英ボートに充填し
てチューブ炉に入れ焼成を行なった。焼成は１容量％の
水素ガスを含む窒素ガスを流速２８０ｃｃＺ分で流しな
がら９００℃で２時間行なった。

焼成後、石英ボートをチューブ炉から取り出し室温まで
放冷した。得られた焼成物をボールミルを用いて粉砕し
た後、焼成物粉末を再び石英ボートに充填してチューブ
炉に入れて２次焼成を行なった。２次焼成は窒素ガスを
流速２８０ｃｃ／分で流しながら７００℃で１時間行な
った。２次焼成後、石英ボート０ をチューブ炉から取り出して室温まで放冷し、得られた
焼成物をほぐして篩にかけた。このようにしてＢａＦＢ
ｒ−１０’−’ＮａＢｒ：１０−’Ｅｕ２＋螢光体を得
た。

また、ＮａＢｒの代わりにＮａＣ１０，１１７ｇ（２Ｘ
１０−”モル）およびＮａ１０．３０ｇ　（２Ｘ１０−
３モル）をそれぞれ使用すること以外は上述と同様にし
てＢａＦＢｒｌＯ−’ＮａＣｊ！：１０−”Ｅｕｚ÷螢
光体およびＢａＦＢｒ　・１０−”Ｎａ　Ｉ　：　１０
−３　Ｅ　ｕ２÷螢光体を製造した。さらにＮａＢｒを
使用しないこと以外は上述と同様にしてＢａＦＢｒ・１
０″３Ｅｕ２＋螢光体を製造した。

次に上記４種類の螢光体を用いて放射線像変換パネルを
製造した。いずれの放射線像変換パネルも以下のように
して製造した。

まず螢光体８重量部と硝化綿（結合剤）１重量部とを溶
剤（アセトン、酢酸エチルおよび酢酸ブチルの混液）を
用いて混合し、粘度がおよそ５０センチストークスの塗
布液を調製した。次にこの塗布液を水平に置いたポリエ
チレンテレフタレートフィルム１ （支持体）上に均一塗布し、−昼夜放置して自然乾燥す
ることによって層厚が約３００μの螢光体層を形成し、
放射線像変換パネルとした。

次に得られた４種類の放射線像変換パネルの輝尽による
発光輝度を測定した。この輝尽による発光輝度の測定は
放射線像変換パネルに管電圧８０ＫＶｐのＸ線を照射し
た後、これをＨｅ−Ｎｏレーザー光（６３３ｎｍ）で励
起し、その螢光体層から放射される螢光を受光器（分光
感度Ｓ−５の光電子増倍管）で受光することによって行
なった。

ＢａＦＢｒ・１０−’ＮａＢｒ：　１０−”Ｅｕ２＋螢
光体、ＢａＦＢｒ　・１０−”ＮａＣｊ２　：　１０−
ｊＥｕ２＋螢光体およびＢａＦＢｒ・１０−’ＮａＩ螢
光体を用いた放射線像変換パネルはいずれも輝尽による
発光輝度が１３ａＦＢｒ：１０−’ＥｕＺ＋螢光体を用
いた放射線像変換パネルの約２倍であった。なお、詳し
い数値を下記第１表に示す。従ってそれら放射線像変換
パネルを使用する本発明の放射線像変換方法はＢａＦＢ
　ｒ　：　１０−’Ｅｕ２＋螢光体のみを用いた放射線
像変換パネルを使用する放射線像変換方法に比べて約２ ２倍高感度である。

実施例２゜ 螢光体原料としてＢａ　Ｆ２　１７５．　３　ｇ　（１
モル）、ＢａＣ＃２２０Ｂ、２ｇ　（１！ル）　、Ｎａ
Ｃｊ！０．１１７ｇ　（２ｘｌＯ−３モル）およびＥｕ
Ｃ＃ａ０．５１７ｇ　（２ｘｌＯ−”モル）を用いるこ
と以外は実施例１と同様にし７ＢａＦＣｊ２１０−’Ｎ
ａＣＪ：１０″”　Ｅ　ｕ　２＋螢光体を製造した。ま
たＮａＣｊ！の代わりにＮａＢｒ０．２０６ｇ　（２Ｘ
１０−’モル）およびＮａ　Ｉ　Ｏ，３０ｇ　（２Ｘ　
１０−’％ル）をそれぞれもちいること以外は上記と同
様にしてＢａＦＣｌ　−１０−’Ｎａ　Ｂ　ｒ　：　１
０−’Ｅｕ２＋Ｅｕ２＋螢光ＢａＦＣＩｌ・１０−”Ｎ
ａ　Ｉ　：　１０−’Ｂｕ２＋螢光体を製造した。ざら
にＮａＣ７！を使用しないこと以外は上記と同様にして
Ｂａ　ＦＣＩｌ　：　ｌ　Ｏ−”Ｅｕ２＋螢光体を製造
した。

次に得られた４Ｎａの螢光体を用いて実施例１と同様に
して放射線像変換パネルを製造した。その後得られた４
種類の放射線像変換パネルの輝尽による発光輝度を実施
例１と同様にして測定した。

３ ＢａＦＣ＃　・１０−”ＮａＣｊ！　：　１０−’Ｅｕ
２＋Ｅｕ２＋螢光ＦＣＩｌ　・１０−’ＮａＢｒ　：　
１０−’Ｅｕ２＋Ｅｕ２＋螢光Ｂａ　ＦＣＪ　−１０−
’Ｎａ　ｒ　：　１０−’Ｅｕｚ＋螢光体を用いた放射
線像変換パネルはいずれｇも輝尽による発光輝度がＢａ
ＦＣＩｌ　：　１０−”Ｅｕ２＋螢光体を用いた放射線
像変換パネルの２倍強であった。

なお、詳しい数値は下記第１表に示す。従ってそれら放
射線像変換パネルを使用する本発明の放射線像変換方法
はＢａ　ＦＣＩｌ：　１０−’Ｅｕ２＋Ｅｕ２＋螢光用
いた放射線像変換パネルを使用する放射線像変換方法に
比べて２倍強高感度である。

実施例３ ＮａＢｒをそれぞれ６１．７ｇ　（０，６モル）、２４
７．０ｇ　（２，４モル）および４９３．９ｇ　（４，
８モル）用いること以外は実施例１と同様にしてＢａＦ
Ｂｒ　・０．３ＮａＢｒ　：　１０−’ＥｕＺ＋螢光体
、ＢａＦＢｒｌ、２ＮａＢｒ：１０−’Ｅｕ２＋Ｅｕ２
＋螢光ＢａＦＢｒ　−２，４ＮａＢｒ　：　１０−’Ｅ
（１２＋螢光体を製造した。

次に得られた３種類の螢光体を用いて実施例１と４ 同様にして放射線像変換パネルを製造した。その後得ら
れた３種類の放射線像変換パネルの輝尽による発光輝度
を実施例１と同様にして測定した。

下記第１表に示されるように、ＢａＦＢｒ・０゜３Ｎａ
Ｂｒ　：　１０−’Ｅｕ２＋Ｅｕ２＋螢光ＢａＦＢｒ・
１．２ＮａＢｒ　：　１０−’Ｅｕ２＋Ｅｕ２＋螢光た
放射線像変換パネルは輝尽による発光輝度が実施例１の
Ｂａ　ＦＢ　ｒ　：　ｌ　Ｏ−”Ｅｕ２＋螢光体を用い
た放射線像変換パネルのそれぞれ約１．７倍および約１
．２倍であったが、Ｎａ　Ｂ　ｒｉｌがより多いＢａＦ
Ｂｒ・２．４ＮａＢｒ　：　ｌ　Ｏ−’Ｅｕ２＋Ｅｕ２
＋螢光た放射線像変換パネルは輝尽による発光輝度が実
施例１のＢａＦＢｒ　：　１０−”Ｅｕ２＋螢光体を用
いた放射線像変換パネルの約０．７倍であった。従って
ＢａＦＢｒ・０．３ＮａＢｒ：１Ｏ−３Ｅｕ２＋螢光体
およびＢａ　ＦＢ　ｒ　・１．　２Ｎａ　Ｂ　ｒ　：　
１０−３Ｅｕ２＋螢光体を用いた放射線像変換パネルを
使用する本発明の放射線像変換方法はＢａＦＢｒ　！　
１０−”Ｅｕ針針先光体みを用いた放射線像変換パネル
を使用する放射線像変換方法に比べてそれぞれ約１．７
倍および約１゜５ ２倍高感度であるが、ＢａＦＢｒ２．４ＮａＢｒ：１Ｏ
−３Ｆ、ｕ２＋２＋螢光用いた放射線像変換パネルを使
用する放射線像変換方法はＢａＦＢｒ：１Ｏ−３ＥｕＥ
ｕ光体のみを用いた放射線像変換パネルを使用する放射
線像変換方法に比べて約３０％感度が低い。

６ 第１表 ２７

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はそれぞれ本発明の放射線像変換方
法に使用されるＢａＦＢｒ　・１０””ＮａＢｒ：１Ｏ
−３Ｂｕ２＋螢光体の励起スペクトルおよび輝尽床によ
る発光スペクトルである。 第３図および第４図はＢａＦＢｒ−ｘＮａＢｒ：１Ｏ−
３Ｅｕ２＋およびＢａＦＣＩｌ−ｘＮａＢｒ　：　１０
−３　Ｅｕ針針先光体おけるＮａＢｒ量Ｘ値と輝尽によ
る発光輝度との関係を示すグラフである。 第５図は本発明の放射線像変換方法の概略説明図である
。 １１・・−放射線発生装置、１２・・−被写体、１３・
−放射線像変換パネル、１４・−光源、１５・−光電変
換装置、１６・・・画像再生装置、１７−・画像表示装
置、１８−　フィルター。 特許出願人　富士写真フィルム株式会社８ ４策か損が聾

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 次式 ％式％ 夏のうちの少なくとも１種であり、Ｘおよびａはそれぞ
   れ０＜ｘ≦２およびＱ＜ａ≦０．２なる条件を満たす数
   である） で表される２価のユーロピウム付活複合ハロゲン化物螢
   光体を含む蓄積性螢光体に被写体を透過した放射線を吸
   収せしめ、しかる後この螢光体を４５０乃至１ｌ１００
   ｎの波長領域の電磁波で励起して螢光体が蓄積している
   放射線エネルギーを螢光として放出せしめ、この螢光を
   検出することを特徴とする放射線像変換方法。