JPS6017093B2 - ビ−ムスプリツタ - Google Patents
ビ−ムスプリツタInfo
- Publication number
- JPS6017093B2 JPS6017093B2 JP10753478A JP10753478A JPS6017093B2 JP S6017093 B2 JPS6017093 B2 JP S6017093B2 JP 10753478 A JP10753478 A JP 10753478A JP 10753478 A JP10753478 A JP 10753478A JP S6017093 B2 JPS6017093 B2 JP S6017093B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- angle
- incident
- beam splitter
- light
- incidence
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はビームスプリッタに関するものである。
ある光線をその進む方向とそれとは別な方向とに光を分
割する場合、第１図Ａに示すごとき半透明鏡を用いる。
割する場合、第１図Ａに示すごとき半透明鏡を用いる。
すなわち入射光線１に対する透過光線２および反射光線
３の強度は半透明鏡４の反射率によってきまる。このよ
うに入射光線を透過光線２と反射光線へとある割合でビ
ームを分割するのでこれをビームスプリツ夕という。し
かし半透明鏡には必ず厚みがあり入射光線１の位相がそ
ろっていると第２図に示すように入射光線５は鏡の表面
９と裏面１０で反射されたビーム７，８が互に干渉しあ
うことがあり、また入射光線１のビームスポットが１個
であるのに反射光のそれは２個となってしまう。
３の強度は半透明鏡４の反射率によってきまる。このよ
うに入射光線を透過光線２と反射光線へとある割合でビ
ームを分割するのでこれをビームスプリツ夕という。し
かし半透明鏡には必ず厚みがあり入射光線１の位相がそ
ろっていると第２図に示すように入射光線５は鏡の表面
９と裏面１０で反射されたビーム７，８が互に干渉しあ
うことがあり、また入射光線１のビームスポットが１個
であるのに反射光のそれは２個となってしまう。
これを解決するために面に薄い誘電体膜を付けて裏面の
反射を防ぐ方法とがとられたりしている。本発明の目的
はこのようなことをすることなく裏面反射を完全に除去
したビームスプリッタを提供することにある。
反射を防ぐ方法とがとられたりしている。本発明の目的
はこのようなことをすることなく裏面反射を完全に除去
したビームスプリッタを提供することにある。
本発明によれば、光線を半透明物体に入射してその一部
を反射しその一部を透過するビームスプリッタにおいて
、前記半透明物体としてブＩＪュースタ角を有する電気
光学結晶を用い「該電気光学物体の厚さをその表面に入
射した光線が偏波方向をその裏面において９００回転す
るように設定し、且つ前記電気光学結晶の表面もしくは
裏面に対する前記光線の入射角をブリュースタ角になる
ように設定し、前記表面に対する入射角をブリュースタ
角になるように設定した場合は電界成分が入射面内にあ
る入射光を入射し、前記裏面に対する入射角をブリュー
スタ角になるように設定した場合は電界成分が入射面に
対して垂直になる入射光を入射するように構成したこと
を特徴とするビームスプリツタが提案される。
を反射しその一部を透過するビームスプリッタにおいて
、前記半透明物体としてブＩＪュースタ角を有する電気
光学結晶を用い「該電気光学物体の厚さをその表面に入
射した光線が偏波方向をその裏面において９００回転す
るように設定し、且つ前記電気光学結晶の表面もしくは
裏面に対する前記光線の入射角をブリュースタ角になる
ように設定し、前記表面に対する入射角をブリュースタ
角になるように設定した場合は電界成分が入射面内にあ
る入射光を入射し、前記裏面に対する入射角をブリュー
スタ角になるように設定した場合は電界成分が入射面に
対して垂直になる入射光を入射するように構成したこと
を特徴とするビームスプリツタが提案される。
以下本発明にかかるビームスプリッタの実施例について
第２図以下に詳細に説明する。
第２図以下に詳細に説明する。
まず本発明にかかるビームスプリッ夕の原理を第２図お
よび第３図に示す。
よび第３図に示す。
第２図において入射光１３と反射光１４によって形成さ
れる面１１を入射面と称する。この場合「鏡面１２とし
て電気光学結晶たとえばリチウムナィベートＬｉＮｂ○
３あるし、はＫＤＰすなわちＫＨよ○４等を用いると入
射光の電界成分が入射面１１内にある場合と入射面と垂
直な方向にある場合とでは鏡面１２における反射のし方
が異なる。この様子を第３図に示す。第３図において横
軸は入射角８、縦軸は反射光１４のパワＰｒを入射光１
３のパワＰｉで割った比を示す。第３図において曲線１
７は入射面に垂直な面内に電界成分がある場合であり曲
線１８は入射面内に電界成分のある場合である。曲線１
８にはＰｒ／Ｐｉ＝０なる角度があるがこの角はブリュ
ースタ角といい、この角度で光線１３が入射した場合反
射光１４が消えてすべての入射光１３は透過光１６とな
る。本発明において反射を無くする方法はこれによる。
第４図は半透明鏡として電気光学結晶２６を用いた本発
明の１構成図である。
れる面１１を入射面と称する。この場合「鏡面１２とし
て電気光学結晶たとえばリチウムナィベートＬｉＮｂ○
３あるし、はＫＤＰすなわちＫＨよ○４等を用いると入
射光の電界成分が入射面１１内にある場合と入射面と垂
直な方向にある場合とでは鏡面１２における反射のし方
が異なる。この様子を第３図に示す。第３図において横
軸は入射角８、縦軸は反射光１４のパワＰｒを入射光１
３のパワＰｉで割った比を示す。第３図において曲線１
７は入射面に垂直な面内に電界成分がある場合であり曲
線１８は入射面内に電界成分のある場合である。曲線１
８にはＰｒ／Ｐｉ＝０なる角度があるがこの角はブリュ
ースタ角といい、この角度で光線１３が入射した場合反
射光１４が消えてすべての入射光１３は透過光１６とな
る。本発明において反射を無くする方法はこれによる。
第４図は半透明鏡として電気光学結晶２６を用いた本発
明の１構成図である。
第４図において角２４をブリュースタ角になるように結
晶２６に対する入射光線１９のなす角２７を設定する。
入射光１９の電界成分は入射面に垂直な方向とすると面
２２で曲線１７に示したパワ（入射光の一部）が反射さ
れる。残りのパワは結晶２６中を進行し電気光学効果に
より偏波方向が変わる。結晶２６の厚み２５を適当に選
べば裏面２３でちようど偏波方向が９０ｏ回転するよう
にできる。このようにすると面２３では電界成分が入射
面内にあり、角２４がブリュース夕角であるので反射す
ることなく透過する。このため結晶２６での反射光は反
射光２１だけとなりビームスプリツタとして良好な動作
をする。また入射光１９の電界成分が入射面内にある場
合は角２７をブリュースタ角にすれば面２２において完
全透過し面２３で一部反射することになり、この場合も
良好なスプリッタを構成することができる。以上詳細に
説明したごと〈本発明によれば半透明物体として電気光
学結晶を用い、その厚さと入射角と入射光の偏波方向を
設定するのみで特性の良好はビームスプリッ夕を得るこ
とができるので、本発明の効果は頗る大である。
晶２６に対する入射光線１９のなす角２７を設定する。
入射光１９の電界成分は入射面に垂直な方向とすると面
２２で曲線１７に示したパワ（入射光の一部）が反射さ
れる。残りのパワは結晶２６中を進行し電気光学効果に
より偏波方向が変わる。結晶２６の厚み２５を適当に選
べば裏面２３でちようど偏波方向が９０ｏ回転するよう
にできる。このようにすると面２３では電界成分が入射
面内にあり、角２４がブリュース夕角であるので反射す
ることなく透過する。このため結晶２６での反射光は反
射光２１だけとなりビームスプリツタとして良好な動作
をする。また入射光１９の電界成分が入射面内にある場
合は角２７をブリュースタ角にすれば面２２において完
全透過し面２３で一部反射することになり、この場合も
良好なスプリッタを構成することができる。以上詳細に
説明したごと〈本発明によれば半透明物体として電気光
学結晶を用い、その厚さと入射角と入射光の偏波方向を
設定するのみで特性の良好はビームスプリッ夕を得るこ
とができるので、本発明の効果は頗る大である。
第１図Ａ，Ｂは従来のビームスプリッタ、第２図及び第
３図は本発明にかかるビームスプリッタの原理説明図、
第４図は本発明にかかるビームスプリツタの１実施例で
ある。 図において２６が電気光学結晶である。 第１図 第２図 第３図 第４図
３図は本発明にかかるビームスプリッタの原理説明図、
第４図は本発明にかかるビームスプリツタの１実施例で
ある。 図において２６が電気光学結晶である。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １ 光線を半透明物体に入射してその一部を反射しその
一部を透過するビームスプリツタにおいて、前記半透明
物体としてブリユースタ角を有する電気光学結晶を用い
、該半透明物体の厚さをその表面に入射した光線が偏波
方向をその裏面において９０°回転するように設定し、
且つ該半透明物体の表面もしくは裏面に対する前記光線
の入射角をブリユースタ角になるように設定し、前記表
面に対する入射角をブリユースタ角になるように設定し
た場合は電界成分が入射面内にある入射光を入射し、前
記裏面に対する入射角をブリユースタ角になるように設
定した場合は電界成分が入射面に対して垂直になる入射
光を入射するように構成したことを特徴とするビームス
プリツタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10753478A JPS6017093B2 (ja) | 1978-09-04 | 1978-09-04 | ビ−ムスプリツタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10753478A JPS6017093B2 (ja) | 1978-09-04 | 1978-09-04 | ビ−ムスプリツタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5535327A JPS5535327A (en) | 1980-03-12 |
| JPS6017093B2 true JPS6017093B2 (ja) | 1985-05-01 |
Family
ID=14461617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10753478A Expired JPS6017093B2 (ja) | 1978-09-04 | 1978-09-04 | ビ−ムスプリツタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017093B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5872982A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-02 | Toppan Printing Co Ltd | ホログラム複製方法 |
-
1978
- 1978-09-04 JP JP10753478A patent/JPS6017093B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5535327A (en) | 1980-03-12 |
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