JPS60175006A - 振幅ビ−ムスプリツタ - Google Patents
振幅ビ−ムスプリツタInfo
- Publication number
- JPS60175006A JPS60175006A JP59030577A JP3057784A JPS60175006A JP S60175006 A JPS60175006 A JP S60175006A JP 59030577 A JP59030577 A JP 59030577A JP 3057784 A JP3057784 A JP 3057784A JP S60175006 A JPS60175006 A JP S60175006A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- light
- beam splitter
- component
- refractive index
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
- G02B27/142—Coating structures, e.g. thin films multilayers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/283—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for beam splitting or combining
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＣＤ（コンパクトディスクプレーヤ）等の光ピ
ツクアップ装置に用いることができる振幅ビームスプリ
ッタにｍ−ｔ−、ｂ本のであるへ従来例の構成とその問
題点 近年、ＣＤをはじめとしてレーザーディスク、光ファイ
ルメモリ等が製品化されているが、これらの機器にとっ
て１要な光ピツクアップ装置のローコスト化が安来され
ている。
ツクアップ装置に用いることができる振幅ビームスプリ
ッタにｍ−ｔ−、ｂ本のであるへ従来例の構成とその問
題点 近年、ＣＤをはじめとしてレーザーディスク、光ファイ
ルメモリ等が製品化されているが、これらの機器にとっ
て１要な光ピツクアップ装置のローコスト化が安来され
ている。
以下図面を参照しながら説明する。第１図は従来光ピツ
クアップ装置に用いられているビームスゲジッタの構成
図であり、１及び１′ は直角プリズム、２は薄膜部、
３は受光部、４はディスク基板、５はレーザー光源、６
は入射光、７はディスク基板での反射光、８はに波長板
である。
クアップ装置に用いられているビームスゲジッタの構成
図であり、１及び１′ は直角プリズム、２は薄膜部、
３は受光部、４はディスク基板、５はレーザー光源、６
は入射光、７はディスク基板での反射光、８はに波長板
である。
以上のように構成されたビームスプリッタについてその
動作を説明する。レーザー光源６から発せられたレーザ
ー光は直角プリズム１′ から入射し、誘電体多層膜で
構成された薄膜部２でＰ−成分（入射面に水平な成分）
とＳ−成分（入射面に垂二直な成分）とに分離され、Ｓ
−成分は反射され、Ｐ−成分は透過する。透過したＰ−
成分は具波長板８により円偏光に変崇されディスク基板
で反射する。反射した円偏光は再び１／１阪長板を透過
し９０°回転した直線偏光（すなわちＳ−成分）とな９
直角プリズム１に入射し薄膜部２で反射され受光部ａに
達する。
動作を説明する。レーザー光源６から発せられたレーザ
ー光は直角プリズム１′ から入射し、誘電体多層膜で
構成された薄膜部２でＰ−成分（入射面に水平な成分）
とＳ−成分（入射面に垂二直な成分）とに分離され、Ｓ
−成分は反射され、Ｐ−成分は透過する。透過したＰ−
成分は具波長板８により円偏光に変崇されディスク基板
で反射する。反射した円偏光は再び１／１阪長板を透過
し９０°回転した直線偏光（すなわちＳ−成分）とな９
直角プリズム１に入射し薄膜部２で反射され受光部ａに
達する。
しかしながら、上記の構成においては、薄膜部は誘電体
多層膜を士数層配して構成しなければならず、さらに％
波長板と組合せて使用する必要がある。上記Ａ波長板は
高価な光学用水晶を用いており、その加工稍度も高度な
技術を要求されるため、上記構成によるビームスプリッ
タはたいへん高価になるという問題点があった。
多層膜を士数層配して構成しなければならず、さらに％
波長板と組合せて使用する必要がある。上記Ａ波長板は
高価な光学用水晶を用いており、その加工稍度も高度な
技術を要求されるため、上記構成によるビームスプリッ
タはたいへん高価になるという問題点があった。
そこで単に振幅ビームスプリッタを上記ビームスプリッ
タの変わりに使用することが提案されている。第２図は
従来の振幅ビームスプリッタの構成図であり、９及び９
′ は直角プリズム、１０は薄膜部、１１は受光部、１
２はレーザー光源、１３は入射光、１４はディスク基板
での反射光、１６はディスク基板である。
タの変わりに使用することが提案されている。第２図は
従来の振幅ビームスプリッタの構成図であり、９及び９
′ は直角プリズム、１０は薄膜部、１１は受光部、１
２はレーザー光源、１３は入射光、１４はディスク基板
での反射光、１６はディスク基板である。
以上のように構成された従来の振幅ビームスプリッタに
ついてその動作＋ａ明する。
ついてその動作＋ａ明する。
前記ビームスプリッタにおいては、レーザー光源へのも
どシ光をできるだけ少なくしてノイズを防止していたが
、逆にそのもどり光をある適度多くしてもノイズを防止
できることがわかっている。
どシ光をできるだけ少なくしてノイズを防止していたが
、逆にそのもどり光をある適度多くしてもノイズを防止
できることがわかっている。
レーザー光源から発せられたレーザー光は直角プリズム
９′ から入射し薄膜部１ｏでその棒は反射され、棒は
透過しディスク基板１６に当たる。ディスク基板１６で
反射された反射光１４は再び薄膜部１０でその棒は反射
して受光部１１に達し、棒は透過してレーザー光源１２
へもどる。結果的には入射光１３０Ａが受光部に達し信
号となり、％がレーザー光源へもど不ことになる。
９′ から入射し薄膜部１ｏでその棒は反射され、棒は
透過しディスク基板１６に当たる。ディスク基板１６で
反射された反射光１４は再び薄膜部１０でその棒は反射
して受光部１１に達し、棒は透過してレーザー光源１２
へもどる。結果的には入射光１３０Ａが受光部に達し信
号となり、％がレーザー光源へもど不ことになる。
この振幅ビームスプリッタには従来薄膜部１０の構成が
金属薄膜のみから成るもの、あるいは、誘電体多層膜か
ら成るもの、さらには金属薄膜と誘電体薄Ｉｇ！を組合
わせたものがあった。
金属薄膜のみから成るもの、あるいは、誘電体多層膜か
ら成るもの、さらには金属薄膜と誘電体薄Ｉｇ！を組合
わせたものがあった。
薄膜部１０の構成が金属薄膜のみから成る場合は吸収が
多く、杯の場合で３０〜４０チ、勾の場合でも蒸着条件
によっては２０チ前後に達する。
多く、杯の場合で３０〜４０チ、勾の場合でも蒸着条件
によっては２０チ前後に達する。
又、薄膜部の信頼性については、酸化などのためにその
光学特性は劣下しやすく、誘電体による保護膜などの処
理が必要である。さらに透過光、反射光は偏光されその
Ｐ−成分とＳ−成分の割合は大きく変化するため光ピツ
クアップ装置には使用できない。
光学特性は劣下しやすく、誘電体による保護膜などの処
理が必要である。さらに透過光、反射光は偏光されその
Ｐ−成分とＳ−成分の割合は大きく変化するため光ピツ
クアップ装置には使用できない。
薄膜部１ｏの構成が誘電体多層膜から成る場合は吸収は
ごく少ないが膜の構成が複雑になることに加え、特に偏
光の影響が太きいために光ピツクアップ装置には使用で
きない。
ごく少ないが膜の構成が複雑になることに加え、特に偏
光の影響が太きいために光ピツクアップ装置には使用で
きない。
最後に、薄膜部の構成が金属薄膜と誘電体薄膜を組合わ
せた場合も、金属膜のみの構成に比較すると吸収は比較
的少なくなるが、従来までの構成においては偏光に対す
る考慮がなされておらず光ピツクアップ装置に使用する
ことはでき々かった。
せた場合も、金属膜のみの構成に比較すると吸収は比較
的少なくなるが、従来までの構成においては偏光に対す
る考慮がなされておらず光ピツクアップ装置に使用する
ことはでき々かった。
すなわち従来の振幅ビームスプリッタは、吸収が多いた
めと偏光の影響のために入射光１３の内で受光部１１に
達する光量が非常に少なくなってし７まい光ピツクアッ
プ装置の効率が悪くなったり、ノイズが発生したりする
原因となっていた。
めと偏光の影響のために入射光１３の内で受光部１１に
達する光量が非常に少なくなってし７まい光ピツクアッ
プ装置の効率が悪くなったり、ノイズが発生したりする
原因となっていた。
以上のように従来の振幅ビームスプリッタにお一イ１ｉ
ｌハｈ目ｈ１よも實１イ壽、柄戸シｒ−ハ賠鄭請；望ま
れていた。
ｌハｈ目ｈ１よも實１イ壽、柄戸シｒ−ハ賠鄭請；望ま
れていた。
発明の目的
本発明の目的は、ローコストでしかも偏光を考慮し、Ｐ
−成分及びＳ−成分それぞれの透過光と反射光の割合を
ほぼ１対１とでき、吸収の少ない振幅ビームスプリッタ
を提供することである。
−成分及びＳ−成分それぞれの透過光と反射光の割合を
ほぼ１対１とでき、吸収の少ない振幅ビームスプリッタ
を提供することである。
発明の構成
本発明の振幅ビームスプリッタは、互いに同じ屈折率を
有する２個の直角プリズムと、前記２個の直角プリズム
によってはさまれた薄膜部から成り、前記薄膜部の構成
を、前記直角プリズムより高屈折率の誘電体薄膜、次に
金属薄膜、さらに前記直角プリズムより高屈折率の誘電
体薄膜の順に配したものであり、これにより入射光のＰ
−成分及びＳ−成分それぞれの反射と透過の割合がほぼ
１対１となり吸収も６％程度と少なくなるものである。
有する２個の直角プリズムと、前記２個の直角プリズム
によってはさまれた薄膜部から成り、前記薄膜部の構成
を、前記直角プリズムより高屈折率の誘電体薄膜、次に
金属薄膜、さらに前記直角プリズムより高屈折率の誘電
体薄膜の順に配したものであり、これにより入射光のＰ
−成分及びＳ−成分それぞれの反射と透過の割合がほぼ
１対１となり吸収も６％程度と少なくなるものである。
実施例の説明
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。
する。
第３図は本発明の一実施例における振幅ビームスプリッ
タの構成図を示すものである。第３図において、１６及
び１６′ は直角プリズム、１７はＺｒＯ２薄膜、１８
はムｑ薄膜、１９はＺｒＯ２薄膜、２０は受光部、２１
はレーザー光源、２２は入射光、２３はディスク基板で
の反射光、２４はディスク基板である。なお１７〜１９
を合せて薄膜部と称する。
タの構成図を示すものである。第３図において、１６及
び１６′ は直角プリズム、１７はＺｒＯ２薄膜、１８
はムｑ薄膜、１９はＺｒＯ２薄膜、２０は受光部、２１
はレーザー光源、２２は入射光、２３はディスク基板で
の反射光、２４はディスク基板である。なお１７〜１９
を合せて薄膜部と称する。
以上のように構成された本実施例の振幅ビームスプリッ
タについてその動作を説明する。まずレーザー光源２１
から発せられたレーザー光は一方の直角プリズム１６′
より入射し薄膜部で入射光２２のＰ−成分及びＳ−成
分がそれぞれ１対１の割合で反射光、透過光に分離する
。透過したレーザー光はディスク基板２４で反射される
。ディスク基板での反射光２３は再び直角プリズム１６
に入射し薄膜部で同様に透過光、反射光に分離され、透
過光はレーザー光源２１にもどり、反射光は受光部２ｏ
に達する。父上記膜構成における吸収率は６チ程度と小
さくできるため、受光部２０では、入射光２２の死に近
い光量が得られる。
タについてその動作を説明する。まずレーザー光源２１
から発せられたレーザー光は一方の直角プリズム１６′
より入射し薄膜部で入射光２２のＰ−成分及びＳ−成
分がそれぞれ１対１の割合で反射光、透過光に分離する
。透過したレーザー光はディスク基板２４で反射される
。ディスク基板での反射光２３は再び直角プリズム１６
に入射し薄膜部で同様に透過光、反射光に分離され、透
過光はレーザー光源２１にもどり、反射光は受光部２ｏ
に達する。父上記膜構成における吸収率は６チ程度と小
さくできるため、受光部２０では、入射光２２の死に近
い光量が得られる。
表１及び第４図に計算結果を示す。なお本計算結果は、
誘電体多層膜の計算式において、屈折率ｎＮｔ−Ｎｔ−
複重屈折率 ＝ ｎ−１ｋ、又屈折角ψ、を複素屈折角
ψ貴として金属薄膜（吸収体薄膜）を含む多層膜の理論
計算を行なったものである。
誘電体多層膜の計算式において、屈折率ｎＮｔ−Ｎｔ−
複重屈折率 ＝ ｎ−１ｋ、又屈折角ψ、を複素屈折角
ψ貴として金属薄膜（吸収体薄膜）を含む多層膜の理論
計算を行なったものである。
Ｚｒ０２（７）屈折率ｆ ２．Ｉ Ａｇ （７）複素屈
折率を０．１２−３．６・ｉ、直角プリズムに使用する
光学ガラスの屈折率を１．５１６とし、レーザー発光波
長を８１０ｎｍとした。
折率を０．１２−３．６・ｉ、直角プリズムに使用する
光学ガラスの屈折率を１．５１６とし、レーザー発光波
長を８１０ｎｍとした。
表 １
Ｊ ＝ ８４−ｆｉｘｍ
ムｑの膜厚はＰ−成分の透過光、反射光の割合がほぼ１
対１になるように選ばれている。表１及び第４図より、
２層のＺｒＯ２の膜厚を、光路長として殉波長、死波長
あるいは％波長とすることによりＳ−成分の透過光と反
射光の割合もほぼ１対１にできることがわかる。又、Ｚ
ｒ０ｚの膜厚を上記各波長間で適当に変化させると、透
過光、反射光の割合を、Ｐ−成分については１対１のま
まで、Ｓ−成分のみ自由に変化させることができ、レー
ザー光源へのもどり光を調整することが可能である。表
１及び第４図においては、ＺｒＯ２の膜厚を変化させた
ときに、Ｐ−成分の透過光と反射光の割合をつねに１対
１になるようにｋｑの膜厚を選んだが、逆にＳ−成分の
透過光と反射光の割合を１対１になるようにＡｑの膜厚
を選ぶとＰ−成分の透過光と反射光の割合を自由に変化
させることができる。
対１になるように選ばれている。表１及び第４図より、
２層のＺｒＯ２の膜厚を、光路長として殉波長、死波長
あるいは％波長とすることによりＳ−成分の透過光と反
射光の割合もほぼ１対１にできることがわかる。又、Ｚ
ｒ０ｚの膜厚を上記各波長間で適当に変化させると、透
過光、反射光の割合を、Ｐ−成分については１対１のま
まで、Ｓ−成分のみ自由に変化させることができ、レー
ザー光源へのもどり光を調整することが可能である。表
１及び第４図においては、ＺｒＯ２の膜厚を変化させた
ときに、Ｐ−成分の透過光と反射光の割合をつねに１対
１になるようにｋｑの膜厚を選んだが、逆にＳ−成分の
透過光と反射光の割合を１対１になるようにＡｑの膜厚
を選ぶとＰ−成分の透過光と反射光の割合を自由に変化
させることができる。
本実施例において、２層のＺｒ０２１７ 、１９の膜厚
を光路長として中心波長（ａｌｏｎｍ ）の死波長とし
て試作した振幅ビームスプリッタの透過率、反射率、及
び吸収を測定した結果と計算値を比較したデータを表２
に示す。測定結果と計算値がほぼ一致していることがわ
かる。
を光路長として中心波長（ａｌｏｎｍ ）の死波長とし
て試作した振幅ビームスプリッタの透過率、反射率、及
び吸収を測定した結果と計算値を比較したデータを表２
に示す。測定結果と計算値がほぼ一致していることがわ
かる。
表 ２
以上のように本実施例によれば、薄膜部の構成を一方の
直角プリズムよりＺｒＯ２−ムｇ −Ｚ ｒｏ ２とす
ることにより、吸収が少なく、入射光のＰ−成分、Ｓ−
成分それぞれの透過光と反射光の割合を１対１とするこ
とができる光ピツクアップ用のビームスプリッタを実現
している。又、Ｚｒ０ｚは干渉効果によって透過光と反
射光の割合を変化させる目的以外にＡｑの保護膜の役割
も同時にはたシテおり、ビームスプリッタとしての信頼
性を高めている。なお上の実施例では、高屈折率誘電体
にＺｒ０ｚ、金属膜にムｑを使用したが、高屈折率誘電
体には、ＺｒＯ２に限定されるものではなく、使用する
直角プリズムより高い屈折率を有すればよく、Ｔｉ０ｚ
、Ｃｅ０ｚ等が使用できる。又金属膜についても人
に限定されるものではなくムＵ。
直角プリズムよりＺｒＯ２−ムｇ −Ｚ ｒｏ ２とす
ることにより、吸収が少なく、入射光のＰ−成分、Ｓ−
成分それぞれの透過光と反射光の割合を１対１とするこ
とができる光ピツクアップ用のビームスプリッタを実現
している。又、Ｚｒ０ｚは干渉効果によって透過光と反
射光の割合を変化させる目的以外にＡｑの保護膜の役割
も同時にはたシテおり、ビームスプリッタとしての信頼
性を高めている。なお上の実施例では、高屈折率誘電体
にＺｒ０ｚ、金属膜にムｑを使用したが、高屈折率誘電
体には、ＺｒＯ２に限定されるものではなく、使用する
直角プリズムより高い屈折率を有すればよく、Ｔｉ０ｚ
、Ｃｅ０ｚ等が使用できる。又金属膜についても人
に限定されるものではなくムＵ。
（３ｕ、Ａ、８等が使用できる。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明は、薄膜部の構
成を一方の直角プリズムより、前記直角プリズムより高
屈折率の誘電体薄膜、次に金属薄薄さらに前記直角プリ
ズムより高屈折率の誘電体薄膜の順に配したことにより
透過′光、反射光の割合をＰ−成分、Ｓ−成分それぞれ
について１対１にすることができ、金属膜での光の吸収
を最小限に少なくできるという優れた効果が得られる。
成を一方の直角プリズムより、前記直角プリズムより高
屈折率の誘電体薄膜、次に金属薄薄さらに前記直角プリ
ズムより高屈折率の誘電体薄膜の順に配したことにより
透過′光、反射光の割合をＰ−成分、Ｓ−成分それぞれ
について１対１にすることができ、金属膜での光の吸収
を最小限に少なくできるという優れた効果が得られる。
その効果により偏光の影響が少なく、効率の高いローコ
ストな振幅ビームスプリッタを実現できるという効果が
得られる。
ストな振幅ビームスプリッタを実現できるという効果が
得られる。
第１図は従来の光ピツクアップ装置に用いられているビ
ームスプリッタの構成図、第２図は従来の振幅ビームス
プリフタの構成図、第３図は本発明の一実施例における
振幅ビームスプリ、りの構成図、第４図は一実施例にお
ける計算値を示すグラフである。 １．１’ 、９，９／ 、１６．１６’ ・・・・・・
直角プリズム、２，１ｏ・・・・・・薄膜部、３，１１
．２０・・・・・・受光部、４，１５．２４・・・・・
・ディスク基板、６゜１２ 、２１・・・・・・レーザ
ー光源、６，１３，２２−°。 １０．入射光、７ 、１４ 、２３・旧・・ディスク基
板での反射光、８°・・・・・％波長板、１７．１９・
・・・・・ＺｒＯ２薄膜、１８・・・・・・ムｑ薄膜、
２６・・・・・・Ｓ−成亦の反射率、２６・・・・・・
Ｐ−成分の反射率及び透過率、２７・・・・・・Ｓ−成
分の透過率、２８・・・・・・Ｐ−成分の反射重子透過
率、２９・・・・・・Ｓ−成分の反射重子透過率。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １１２ 図 ！ｉｌｌ 第 ４８１
ームスプリッタの構成図、第２図は従来の振幅ビームス
プリフタの構成図、第３図は本発明の一実施例における
振幅ビームスプリ、りの構成図、第４図は一実施例にお
ける計算値を示すグラフである。 １．１’ 、９，９／ 、１６．１６’ ・・・・・・
直角プリズム、２，１ｏ・・・・・・薄膜部、３，１１
．２０・・・・・・受光部、４，１５．２４・・・・・
・ディスク基板、６゜１２ 、２１・・・・・・レーザ
ー光源、６，１３，２２−°。 １０．入射光、７ 、１４ 、２３・旧・・ディスク基
板での反射光、８°・・・・・％波長板、１７．１９・
・・・・・ＺｒＯ２薄膜、１８・・・・・・ムｑ薄膜、
２６・・・・・・Ｓ−成亦の反射率、２６・・・・・・
Ｐ−成分の反射率及び透過率、２７・・・・・・Ｓ−成
分の透過率、２８・・・・・・Ｐ−成分の反射重子透過
率、２９・・・・・・Ｓ−成分の反射重子透過率。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １１２ 図 ！ｉｌｌ 第 ４８１
Claims (2)
- （１）互いに同じ屈折率を有する２面の直角プリズムと
、前記２個の直角プリズムによってはさまれた薄膜部と
から成り、前記薄膜部の構成を、前記直角プリズムより
高屈折率の誘電体薄膜、次に金属薄膜、さらに前記直角
プリズムより高屈折率の誘電体薄膜の順に配したことを
特徴上する振幅ビームスプリッタ。 - （２）上記２層の誘電体薄膜の厚みが、光路長として中
心波長の殉波長から始波長であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の振幅ビームスプリッタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59030577A JPS60175006A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 振幅ビ−ムスプリツタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59030577A JPS60175006A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 振幅ビ−ムスプリツタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60175006A true JPS60175006A (ja) | 1985-09-09 |
Family
ID=12307705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59030577A Pending JPS60175006A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 振幅ビ−ムスプリツタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60175006A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02166489A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-27 | Canon Inc | 定着装置 |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP59030577A patent/JPS60175006A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02166489A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-27 | Canon Inc | 定着装置 |
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