JPS60176779A - サ−マルヘツドならびにその製造方法 - Google Patents
サ−マルヘツドならびにその製造方法Info
- Publication number
- JPS60176779A JPS60176779A JP59031534A JP3153484A JPS60176779A JP S60176779 A JPS60176779 A JP S60176779A JP 59031534 A JP59031534 A JP 59031534A JP 3153484 A JP3153484 A JP 3153484A JP S60176779 A JPS60176779 A JP S60176779A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protrusion
- thermal head
- insulating substrate
- etching
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の41J用分wr )
本発明はサーマルヘッドに係り、特にそれの基板に関す
るものである。
るものである。
サーマルヘッドは通常、供給された心気エネルギーを熱
として蓄積すると同時に紙への熱伝達を良くするために
、発熱抵抗体を部分グレーズと称するガラスなどの絶縁
体の上に形成している。以下、第1図および第2図を用
いて従来のサーマルヘッドを説明1−る。
として蓄積すると同時に紙への熱伝達を良くするために
、発熱抵抗体を部分グレーズと称するガラスなどの絶縁
体の上に形成している。以下、第1図および第2図を用
いて従来のサーマルヘッドを説明1−る。
第1図は発熱抵抗体付近の断面図、第2図はシリアルサ
ーマルヘッドの平面図である。図中の1はアルミナ基板
で、その上にガラスからなる部分グレーズ2が形成きれ
ている。この基板lの所定位置に発熱抵抗体3ならびに
棉体4が設けられ、これらを保欣するためにオーバーコ
ート5が形成される。第2図において6も部分グレーズ
で、その上には発熱抵抗体3は形成?れていない。
ーマルヘッドの平面図である。図中の1はアルミナ基板
で、その上にガラスからなる部分グレーズ2が形成きれ
ている。この基板lの所定位置に発熱抵抗体3ならびに
棉体4が設けられ、これらを保欣するためにオーバーコ
ート5が形成される。第2図において6も部分グレーズ
で、その上には発熱抵抗体3は形成?れていない。
前記部分グレーズ2は、鮮明な印字を得るためにはでき
るだけ高くした方が望ましい。しかし従来の部分グレー
ズ2はスクリーン印刷でプリントして焼成することによ
って形成していたため、焼成工程でガラスが溶融してフ
ローすることと、部分グレーズ20幅金必安以上11(
大きくすると熱容訛が太ぎくな9ヘツドの熱応答性が劣
化1−ることがら、部分グレーズ2の高さを余り尚くす
ることができず%ri+v、 v−+な印字が侮られな
ρ)つた。
るだけ高くした方が望ましい。しかし従来の部分グレー
ズ2はスクリーン印刷でプリントして焼成することによ
って形成していたため、焼成工程でガラスが溶融してフ
ローすることと、部分グレーズ20幅金必安以上11(
大きくすると熱容訛が太ぎくな9ヘツドの熱応答性が劣
化1−ることがら、部分グレーズ2の高さを余り尚くす
ることができず%ri+v、 v−+な印字が侮られな
ρ)つた。
〔発明の1日9〕
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、
鮮明な印字が付られるサーマルヘッドならびにその製造
方法を提供するにある。
鮮明な印字が付られるサーマルヘッドならびにその製造
方法を提供するにある。
この目的を達成するため、本発明は、絶縁基板の発熱抵
抗体が形成される個所に予め突部を一体に設け、その突
部の上に部分グレーズを介して発熱抵抗体を形成したこ
とを特徴とするものである。
抗体が形成される個所に予め突部を一体に設け、その突
部の上に部分グレーズを介して発熱抵抗体を形成したこ
とを特徴とするものである。
前記目的を速成するため、本発明はさらに、(100)
配向面を有する単結晶シリコンを絶縁基板として用い、
その絶縁基板の発熱抵抗体が形成される個所に異方性エ
ツチングによってほぼ台形の突部を一体に形成し、その
突部の上に部分グレーズを弁して発熱抵抗体をプレ族し
たことを特徴と1−るものである。
配向面を有する単結晶シリコンを絶縁基板として用い、
その絶縁基板の発熱抵抗体が形成される個所に異方性エ
ツチングによってほぼ台形の突部を一体に形成し、その
突部の上に部分グレーズを弁して発熱抵抗体をプレ族し
たことを特徴と1−るものである。
次に本発明の実施例を図とともに説明1−る。第3図0
)〜に)はサーマルヘッドの製造工程を説明するための
Pfjr面図、第4図はその製造工程によって得られた
サーマルヘッドの発熱抵抗体付近の拡大断囲図、第5μ
mはエツチング工程を説明するための図、第6図はエツ
チング特性図でhる。
)〜に)はサーマルヘッドの製造工程を説明するための
Pfjr面図、第4図はその製造工程によって得られた
サーマルヘッドの発熱抵抗体付近の拡大断囲図、第5μ
mはエツチング工程を説明するための図、第6図はエツ
チング特性図でhる。
(100)配向ILIを有−4゛る単結晶シリコンを絶
縁基板11とし、て用い、置 31si(イ)に示す如
く熱酸化により表面に1〜′2μ程度の(19S厚を有
する酸化シリコン膜12を)12成する。次に同図(ロ
)に示1°ように酸化シリコン膜12上に部分グレーズ
に相描″4−るパターンを7オトレジストJ:3によっ
て形成し、このフォトレジス) 13?c−マスクとし
て、フッmt主成分とするエツチング欣によりフォトレ
ジスト13で穣われていない個Iヅ[の(シ化シリコン
膜12を除去1−る。
縁基板11とし、て用い、置 31si(イ)に示す如
く熱酸化により表面に1〜′2μ程度の(19S厚を有
する酸化シリコン膜12を)12成する。次に同図(ロ
)に示1°ように酸化シリコン膜12上に部分グレーズ
に相描″4−るパターンを7オトレジストJ:3によっ
て形成し、このフォトレジス) 13?c−マスクとし
て、フッmt主成分とするエツチング欣によりフォトレ
ジスト13で穣われていない個Iヅ[の(シ化シリコン
膜12を除去1−る。
このようにして、rl(化シリコン膜12からなる部分
グレーズ14が−11られる〔同図(ハ)診照〕。
グレーズ14が−11られる〔同図(ハ)診照〕。
しかる後ヒドラジン、水岐化カリウム、エチレンジアミ
ンなどのエツチング欣を用いて兵力1生エツチングをr
工yxい、部分グレーズ14で憶われていない絶縁基&
11を所定寸法たけエツチングして同図に)に示すよう
にほぼ台形の突部15?l−一体に形成する。
ンなどのエツチング欣を用いて兵力1生エツチングをr
工yxい、部分グレーズ14で憶われていない絶縁基&
11を所定寸法たけエツチングして同図に)に示すよう
にほぼ台形の突部15?l−一体に形成する。
第5図および第6図は、前記ヒドラジンを主成分とする
エツチング液を用いた異方性エツチングを説明するため
の図でるる。第3図(ハ)に示すように表面に酸化シリ
コン族からなる部分グレーズ14を形成した絶縁基板1
1をエツチング液に浸漬すると、エラチングレー) &
’! (lOO)面方向が(Ill)面方向よりも大き
く、第5図に示すように基&11の狡面に対して約55
度の傾斜角をイ1する(Ill)配向面16に沿ってエ
ツチングが進み、(111)配向面16が′9:麦スる
自己エツチング終止点17でエツチングが停止する。本
発明の異方性エツチング液゛グ自己エツチング終止点1
7まではエツチングを行な1わないので、エツチング紙
面18は平坦な(100)配向面とな9、結局山形の突
部15が形DX、される。
エツチング液を用いた異方性エツチングを説明するため
の図でるる。第3図(ハ)に示すように表面に酸化シリ
コン族からなる部分グレーズ14を形成した絶縁基板1
1をエツチング液に浸漬すると、エラチングレー) &
’! (lOO)面方向が(Ill)面方向よりも大き
く、第5図に示すように基&11の狡面に対して約55
度の傾斜角をイ1する(Ill)配向面16に沿ってエ
ツチングが進み、(111)配向面16が′9:麦スる
自己エツチング終止点17でエツチングが停止する。本
発明の異方性エツチング液゛グ自己エツチング終止点1
7まではエツチングを行な1わないので、エツチング紙
面18は平坦な(100)配向面とな9、結局山形の突
部15が形DX、される。
第6図に示すようにエツテングレートは、エツチング液
におけるHzC) N2H4(ヒドラジン)の体積比と
エツチング温度によって大きく袈わる。図−中の曲線A
&エエッチング温反か20℃、曲%Bは75℃、曲線C
は100℃、曲線りは沸点温度(119℃、120℃、
121℃、119.7℃、116℃、111℃)におけ
るエツチングレート7示している。
におけるHzC) N2H4(ヒドラジン)の体積比と
エツチング温度によって大きく袈わる。図−中の曲線A
&エエッチング温反か20℃、曲%Bは75℃、曲線C
は100℃、曲線りは沸点温度(119℃、120℃、
121℃、119.7℃、116℃、111℃)におけ
るエツチングレート7示している。
これらの特性曲線からみて、エツチング温度を100℃
、エツチング液中における水の含有率を刀体、tilK
316以下にした方が、エツチング紙面を平坦にするこ
とができる。第6図において、エッナング液kE1成が
35体積3!6’ H2065体績タロNtH+で、エ
ツチング温反が100℃の場合には、エツチングレート
は1.5μ/m i nとなり、突部15の高さを30
μn1にするためには約20分間エソナングすれはよい
ことになる。
、エツチング液中における水の含有率を刀体、tilK
316以下にした方が、エツチング紙面を平坦にするこ
とができる。第6図において、エッナング液kE1成が
35体積3!6’ H2065体績タロNtH+で、エ
ツチング温反が100℃の場合には、エツチングレート
は1.5μ/m i nとなり、突部15の高さを30
μn1にするためには約20分間エソナングすれはよい
ことになる。
このようにして傾斜角が4r、) 55度の台形の央部
】5が形成され、X(4図に示すようにその上に公知の
手段によって発熱抵抗体19、導体かならびにオーバー
コート21かl1m1次形成されてサーマルヘッドが得
られる。
】5が形成され、X(4図に示すようにその上に公知の
手段によって発熱抵抗体19、導体かならびにオーバー
コート21かl1m1次形成されてサーマルヘッドが得
られる。
n1記笑施例のように絶縁基板として単結晶シリコンを
月3いれは、熱伝棉性(放熱性)が艮く、ハイパワー駆
動による尚運印字が可能で、しかも面粗度が小びく各独
性能の均一化が図れる。
月3いれは、熱伝棉性(放熱性)が艮く、ハイパワー駆
動による尚運印字が可能で、しかも面粗度が小びく各独
性能の均一化が図れる。
また前記実施例のように突部の形状がほぼ臼形になって
おれは、蒸崩・等によって突部上に発熱抵抗体、導体な
らびにオーバーコートなどを形成する場合に膜厚が全体
にわたってほぼ均一になシ、ステップ、カバーリッジを
改善す込ことができる。。
おれは、蒸崩・等によって突部上に発熱抵抗体、導体な
らびにオーバーコートなどを形成する場合に膜厚が全体
にわたってほぼ均一になシ、ステップ、カバーリッジを
改善す込ことができる。。
なお、第2図に示した部分グレーズ6に相当す 。
る突起を、上述と同じ方法及び同じ工程中に絶縁基板1
1に形成し、オーバーコートしてあり(第4図の発熱抵
抗体19及び等体加がない#St成)、この′突起部に
よりサーマルヘッドの往復移動に除して記録用紙の損傷
を防止している。
1に形成し、オーバーコートしてあり(第4図の発熱抵
抗体19及び等体加がない#St成)、この′突起部に
よりサーマルヘッドの往復移動に除して記録用紙の損傷
を防止している。
本発明は前述のように、基板に予め突部が形成されてい
るから来負的に基板表面から発熱抵抗体・、を遠ざける
ことができ、鮮明な印字が可能であ冬。
るから来負的に基板表面から発熱抵抗体・、を遠ざける
ことができ、鮮明な印字が可能であ冬。
さらに本発明は前述のように、(100)配向面を有す
る単結晶シリコンを基板に用い、異方性エツチングでほ
ぼ台形の突部を形成するから、台形突部の形成が容易で
、しかもエツチング条件の珂択で突部の高さを任意にコ
ントロールすることができる。
る単結晶シリコンを基板に用い、異方性エツチングでほ
ぼ台形の突部を形成するから、台形突部の形成が容易で
、しかもエツチング条件の珂択で突部の高さを任意にコ
ントロールすることができる。
第1図は従来のサーマルヘッドにおける発熱抵抗体付近
の断面図、第2図はそのサーマルヘッドの平面図、第3
図(イ)、(ロ)、e−1、に)は本発明のサーマルヘ
ッドの製造工程を示す断面図、v、4図はそのサーマル
ヘッドの発熱抵抗体付近の拡大断面図、第5図は異方性
エツチングの説明図、第6図はエツチング特性図である
。 11・・・・・・絶縁基板、12・・・・・・隊化シリ
コン膜、13・・・・・・フォトレジスト、14・・・
・・・部分グレーズ、 15・・・・・・突部、18・
・・・・・(loO)配合面、19・・・・・・発熱抵
抗体。 代理人 弁理士 武 順次部 才 1 口 73 広
の断面図、第2図はそのサーマルヘッドの平面図、第3
図(イ)、(ロ)、e−1、に)は本発明のサーマルヘ
ッドの製造工程を示す断面図、v、4図はそのサーマル
ヘッドの発熱抵抗体付近の拡大断面図、第5図は異方性
エツチングの説明図、第6図はエツチング特性図である
。 11・・・・・・絶縁基板、12・・・・・・隊化シリ
コン膜、13・・・・・・フォトレジスト、14・・・
・・・部分グレーズ、 15・・・・・・突部、18・
・・・・・(loO)配合面、19・・・・・・発熱抵
抗体。 代理人 弁理士 武 順次部 才 1 口 73 広
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 絶縁基板の発熱抵抗体が形成きれる個所に予め
突部を一体に設け、その突部の上に部分グレーズを介し
て凭:枯抵抗体を形成したことを特徴とするサーマルヘ
ッド。 (2、特許請求の範囲第(1)項記載において、前記突
部がほぼ台形の突台ISであること乏・も峨とするサー
マルヘッド。 (3)4+1・Hi!求の4a曲巣(IJ塊自己i火に
おいて、削れ己絶縁基板が単結晶シリコンで構成塾j′
シていることを符■とするサーマルヘッド。 (4) (100)配向面を七1°″る単粘品シリコン
絶A寡基板として用い、その絶縁基板の発熱抵抗体が形
成される個所に異方性エツチングによってほぼ台形の突
部全一体に形成し、その突部の上に部分グレーズ全弁し
て発#抵抗体を形成したことを特徴とするサーマルヘッ
ドの製造方法。 (5) IFf許誼求の範囲第(4)項記載において、
前記絶縁基板を熱畝化して表面に酸化シリコン膜を形成
して、その酸化シリコン膜を部分グレーズのパターンに
エツチングし、しかるのち残った酸化シリコン族をマス
クとして前記異方性エツチングを行なうことを時へとす
るサーマルヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031534A JPS60176779A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | サ−マルヘツドならびにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031534A JPS60176779A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | サ−マルヘツドならびにその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60176779A true JPS60176779A (ja) | 1985-09-10 |
Family
ID=12333862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59031534A Pending JPS60176779A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | サ−マルヘツドならびにその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60176779A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62164556A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-21 | Alps Electric Co Ltd | サ−マルヘツドおよびその製造方法 |
| JPS62162038U (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-15 | ||
| JP2014193563A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | サーマルプリントヘッド、サーマルプリンタおよびサーマルプリントヘッドの製造方法 |
| JP2021011021A (ja) * | 2019-07-03 | 2021-02-04 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 |
| JPWO2021149617A1 (ja) * | 2020-01-23 | 2021-07-29 | ||
| JP2021130212A (ja) * | 2020-02-18 | 2021-09-09 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッドの製造方法、サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP59031534A patent/JPS60176779A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62164556A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-21 | Alps Electric Co Ltd | サ−マルヘツドおよびその製造方法 |
| JPS62162038U (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-15 | ||
| JP2014193563A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | サーマルプリントヘッド、サーマルプリンタおよびサーマルプリントヘッドの製造方法 |
| JP2021011021A (ja) * | 2019-07-03 | 2021-02-04 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 |
| JPWO2021149617A1 (ja) * | 2020-01-23 | 2021-07-29 | ||
| JP2021130212A (ja) * | 2020-02-18 | 2021-09-09 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッドの製造方法、サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ |
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