JPS6076115A - 基板加熱装置 - Google Patents
基板加熱装置Info
- Publication number
- JPS6076115A JPS6076115A JP58181818A JP18181883A JPS6076115A JP S6076115 A JPS6076115 A JP S6076115A JP 58181818 A JP58181818 A JP 58181818A JP 18181883 A JP18181883 A JP 18181883A JP S6076115 A JPS6076115 A JP S6076115A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz plate
- heat
- substrate
- wafer
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P10/00—Bonding of wafers, substrates or parts of devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明祉超ＬＳＩ等の製造に使用されるウェハ等の基板
の加熱装置に関する。
の加熱装置に関する。
従来超ＬＳＩの製造に於て社＾空中でシリコンウェハを
加熱したのちその弐ＩｆＩに薄膜を形成する等の処理を
施すことが行なわれているが、これに使用される加熱装
置は例えば第１図示のように赤外線ヒータａｌＤ複数本
と反射板すとで構成され、真空室Ｃ内に送シ込まれたウ
ニ／％ｄを輻射加熱するを一般とする。
加熱したのちその弐ＩｆＩに薄膜を形成する等の処理を
施すことが行なわれているが、これに使用される加熱装
置は例えば第１図示のように赤外線ヒータａｌＤ複数本
と反射板すとで構成され、真空室Ｃ内に送シ込まれたウ
ニ／％ｄを輻射加熱するを一般とする。
而してか＼る構成の加熱装置ではウェハｄを不均一に輻
射加熱し勝ちで熱ムラによるウェハｄの破損を生じ易く
、またウェハｄの昇温時間を短くするために赤外腺ヒー
タａＯ亀力を大きくすると真空室ｃｆ）壁面が加熱され
てカスを放出する不都合がらるのでその電力を大きく出
来ず、効率の悪い輻射加熱により外温時間が掛ってウェ
ハｄの処理能率を向上させ得ない欠点がめった。
射加熱し勝ちで熱ムラによるウェハｄの破損を生じ易く
、またウェハｄの昇温時間を短くするために赤外腺ヒー
タａＯ亀力を大きくすると真空室ｃｆ）壁面が加熱され
てカスを放出する不都合がらるのでその電力を大きく出
来ず、効率の悪い輻射加熱により外温時間が掛ってウェ
ハｄの処理能率を向上させ得ない欠点がめった。
本発明はこうした欠点のない加熱装置上提供することを
目的としたもので真空中で処理されるべきウニハモの他
の基板を赤外線ヒータにょシ加熱ブ′る式のものに於て
、該赤外線ヒータの前方に基板が接面する石英板を設け
たこと全特徴とする。
目的としたもので真空中で処理されるべきウニハモの他
の基板を赤外線ヒータにょシ加熱ブ′る式のものに於て
、該赤外線ヒータの前方に基板が接面する石英板を設け
たこと全特徴とする。
本発明の実施例ｋ ＩＩ向第２図につき説明するに。
（１）祉具空呈、（２）れ該真空室（１）゛に連設した
準備呈で、該準儒寛（２）内に設けたカセットクース（
３）から一枚ずつウェハ（４１が仕切バルブを介して真
空！ｉ！ （１３Ｆｉに送シ込まれる。（５３線該具空
室（Ｈ内に設けた赤外線ヒータ、（６）は反射板ｒ示し
、ウェハ（４）は該赤外線ヒータ１６】で加熱されたの
ち俟面に薄膜形成その他の処理を１ノ′ルすべく処理部
（７）へ送られる。該ウェハ（１）を単に赤外線ヒータ
（５）で輻射加熱すると前記したようにウニノー ＋１
１の昇温時間が掛り加熱ムラを生ずるが、該ヒータ（５
）の前方に石英板（８）を設けてこれに送υ込まれたウ
ェハ（Ｉ＋を接面させることにより短時間で均一な加熱
が与えられるようにした。これを更に説明すれば石英板
（８）はそれ自体ヒータ（５）からの輻射熱を受けて約
１０００’ＣＫまで昇温することが出来しかも透光性を
有するので、これに接面したウェハ（１）をヒータ（５
）からの赤外線による輻射熱と石英板（８）からの伝導
熱とで均一にしかも短時間で加熱し得る。
準備呈で、該準儒寛（２）内に設けたカセットクース（
３）から一枚ずつウェハ（４１が仕切バルブを介して真
空！ｉ！ （１３Ｆｉに送シ込まれる。（５３線該具空
室（Ｈ内に設けた赤外線ヒータ、（６）は反射板ｒ示し
、ウェハ（４）は該赤外線ヒータ１６】で加熱されたの
ち俟面に薄膜形成その他の処理を１ノ′ルすべく処理部
（７）へ送られる。該ウェハ（１）を単に赤外線ヒータ
（５）で輻射加熱すると前記したようにウニノー ＋１
１の昇温時間が掛り加熱ムラを生ずるが、該ヒータ（５
）の前方に石英板（８）を設けてこれに送υ込まれたウ
ェハ（Ｉ＋を接面させることにより短時間で均一な加熱
が与えられるようにした。これを更に説明すれば石英板
（８）はそれ自体ヒータ（５）からの輻射熱を受けて約
１０００’ＣＫまで昇温することが出来しかも透光性を
有するので、これに接面したウェハ（１）をヒータ（５
）からの赤外線による輻射熱と石英板（８）からの伝導
熱とで均一にしかも短時間で加熱し得る。
尚、第２図示の例では該石英板（８）を分割してその一
部を昇降台（９）に構成し、その上方に送られて来るウ
エノ葛（４）を該台（９）に載せ、ヒータ（５）へ下降
接近してウニ／−＋４１を加熱したのち処理部（７）へ
と送り出すようにした。
部を昇降台（９）に構成し、その上方に送られて来るウ
エノ葛（４）を該台（９）に載せ、ヒータ（５）へ下降
接近してウニ／−＋４１を加熱したのち処理部（７）へ
と送り出すようにした。
このように本発明によるときは赤外線ヒータの前方にウ
ェハ等の基板が接面する石英板を設けたので該基板を該
ヒータの輻射熱と石英板からの伝導熱とで加熱出来、従
来の輻射のみによる加熱よりも約半分の時間で済み、基
板の処理能率を高め得ると共に石英板により赤外線が散
乱されるので均一な輻射加熱を行なえ熱ムラＶＬよる基
板の破損を防止出来る等の効果がある。
ェハ等の基板が接面する石英板を設けたので該基板を該
ヒータの輻射熱と石英板からの伝導熱とで加熱出来、従
来の輻射のみによる加熱よりも約半分の時間で済み、基
板の処理能率を高め得ると共に石英板により赤外線が散
乱されるので均一な輻射加熱を行なえ熱ムラＶＬよる基
板の破損を防止出来る等の効果がある。
第１図は従来例の裁断側面図、第２図は本発明の実施例
の裁断幽面図である。 （４）・・・基板、（５１・・・赤外線ヒータ。 （８）・・・石英板。 特許出願人 日本真空技術ｖｆ式会社 代 理 人 北 何、欣 − 外２名
の裁断幽面図である。 （４）・・・基板、（５１・・・赤外線ヒータ。 （８）・・・石英板。 特許出願人 日本真空技術ｖｆ式会社 代 理 人 北 何、欣 − 外２名
Claims (1)
- 真空中で処理されるべきウェハその他の基板を赤外線ヒ
ータによシ加熱する式のものに於て、該赤外線ヒータの
前方に基板が接面する石英板を設けたこと１−特徴とす
る基板加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181818A JPS6076115A (ja) | 1983-10-01 | 1983-10-01 | 基板加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181818A JPS6076115A (ja) | 1983-10-01 | 1983-10-01 | 基板加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076115A true JPS6076115A (ja) | 1985-04-30 |
Family
ID=16107358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58181818A Pending JPS6076115A (ja) | 1983-10-01 | 1983-10-01 | 基板加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076115A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62234539A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5260570A (en) * | 1975-11-13 | 1977-05-19 | Toshiba Corp | Vapor phase growing device |
-
1983
- 1983-10-01 JP JP58181818A patent/JPS6076115A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5260570A (en) * | 1975-11-13 | 1977-05-19 | Toshiba Corp | Vapor phase growing device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62234539A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
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