JPS60178657A - 半導体増幅装置 - Google Patents

半導体増幅装置

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JPS60178657A
JPS60178657A JP3426384A JP3426384A JPS60178657A JP S60178657 A JPS60178657 A JP S60178657A JP 3426384 A JP3426384 A JP 3426384A JP 3426384 A JP3426384 A JP 3426384A JP S60178657 A JPS60178657 A JP S60178657A
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JP
Japan
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chip
power supply
circuit
power source
terminals
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JP3426384A
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JPH0476213B2 (ja
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Noboru Ishihara
昇 石原
Yukio Akasaka
赤坂 幸雄
Mamoru Obara
小原 護
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NTT Inc
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明は、高利得、高周波の増幅を行う半導体ICに関
するものである。
(従来の技術分野) 第1図は従来例であって、1はICチップ外の高電位電
源供給端子、2はICチップ外の低電位電源供給端子、
3はICチップ内の入力信号端子、4はICチップ内の
出力信号端子、5はICチップ内の高電位電源供給端子
、6はICチップ内の八 低電位電源供給端子、7,8はICチップ内外を結ぶボ
ンディングワイヤおよびIC外部での電源供給用ライン
の寄生インダクタンス、9はICチップの内と外の境界
を示す破線、A、〜AllはICチップ内で構成される
受動素子または能動素子によりなる増幅回路網である。
このような回路網の高電位電源ラインおよび低電位電源
ラインをICチップ内の電源供給端子5,6に一括し、
寄生インダクタンス7.8の要因であるICチップ外の
ボンディングワイヤおよび電源供給用ラインを介して電
源を供給する従来の手法では、寄生インダクタンス7.
8により交流接地が不完全となり、出力段の回路(例え
ばA11)の信号成分がICチップ内の’JLj[ライ
ンを介して入力段の回路(例えばA、)にまわり込み、
発振等の不安定動作を生じ易い。
第2図は、さらに具体的な従来例 であって、第1図で
説明した信号の他、10,11.14は抵抗R,+ R
2+ R=、、12 、 J3はトランジスタである。
第1図の構成に基づくこのような従来のICチップ内部
への電曽供給法では、例えば出力信号端子4の不整合等
により、出力信号端子4に信号が入力したとするとトラ
ンジスタ13はベース接地動作となり、寄生インダクタ
ンス7が負荷となり、端子5に利得を生じ、工Cチップ
内の電源ラインを介して抵抗10.’11により分圧さ
れ、入力信号端子3に帰還されたり、端子4からの信号
が抵抗14、ICチップ内のミノライン、抵抗11を介
して帰還がかかり、発振等の不安定動作を生じ易くなる
特にマイクロ波帯に及ぶ高利得、高周波増幅回路ICで
は、僅か数111(のインダクタンスで回路動作が不安
定となり、発振を生じてしまうという問題があった。
これを解決するには、端子6,6をμFオーダ以上の大
容量で交流接地すれば良いが、ICチップ内では数十p
F程度の小容量値の実現が限界であることや、ICチッ
プ外では、チップ近傍に大容量を配置し、交流接地を図
ることが考えられるが、チップと容量との接続をボンデ
ィングワイヤ等で行う必要があるため、数nH程度の寄
生インダクタンスが伺加し−Cしまい、容量とインダク
タンスの等 共振により特性が劣化してしまう問題があった。
△ (発明の目的) 本発明は、この欠点を除去するため、増幅回路ICの全
体回路の電源ラインをいくつかに分割し、各々について
ICチップ内の′電源ラインパクンを構成し、別個にボ
ンディングワイヤやラインを介して電源を供給できるよ
うにして、高利得、高周波増幅回路ICの発振に対する
安定化を図ることのできる半導体増幅装置を提供するも
のである。
(発明の構成および作用) 以下本発明の詳細な説明する。
第3図は本発明の実施例であって、1はICチップ外の
高電位電源供給端子、2はICチップ外の低電位ih#
供給用端子、3はICチップ内の入力信号端子、4はI
Cチップ内の出力信号端子、5−1〜5−nはICチッ
プ内の高電位電源供給端子、6−1〜6−nはICチッ
プ内の低′亀位電源供給端イ、7−1〜7−11.8−
1〜8−11はICチップ内外を結ぶボンディングワイ
ヤおよび! 諒供給用ライ7テ17)寄生インダクタン
ス、9はICチップの内と外の境界を示す破線、A、〜
AnはICチップ内で構成される受動素子または能動素
子より成る増幅回路網である。
本発明は、増幅回路ICを構成する回路について、回路
構成、利得特性、帯域特性、N、諒供給用う・インの寄
生インダクタンス、ICチップ内の端1′・数を考慮し
て、適当KA、〜Anの部分回路に分割し、A1−Al
、各々について、ICチップ内の高電位電源供給端子5
−1〜5−11およびICチップ内の低電位I4源gし
給端子6−1〜6−11を酸レフ、各々、別f1δ1(
1,1、ディングワイヤおよび電源供給用ラインを・I
I、N’l ・j外の15.源供給用端子1,2により
、電源を加え、動作せしめるものである。このため、I
Cチップ外の端子1,2では、容易に大容量で交流接地
を完全に取ることができるので、第1図の従来例 で示
したような、ICチップ内の電源ラインパクンを介して
の部分回路間の結合がなくなり、信号の電源ラインを介
するまわり込みによる発掘等の不安定を改善することが
できる。なお、分割部分でも高利得なほどその部分回路
内での電源ラインパクンを介しての廻り込みが犬きくな
るので、分割はなるべく各分割部分の利得が相等しくな
るようにすることが好ましい。
第4図は、さらに具体的な本発明の実施例であって、第
3図で説明した他に10 、11 、14は抵抗R1+
R2+ RE% 12 + 13はトランジスタである
。本発明の場合、例えば出力信号端子4での不整合によ
り、端子4から入力すると、トランジスタ13はベース
接地として動作し、インダクタンス7−nを負荷として
、端子5−nに利得を生じる。しかし、ICチップ内の
電源供給用端子5−1.・・・5−nが分割してあり、
ICチップ外の端子1,2は容易に大容量で交流接地を
とることができるので、第2図で示した従来の手法のよ
うに、ICチップ内の電源ラインを介しての入力部分へ
廻り込みがなくなり、信号の%f、 諒ラインを介して
の廻り込みによる発振等の不安定を改善することができ
る。
本発明は、坪に寄生インダクタンスの低減を図ることよ
りも、ICチップへの電源供給用ラインが完全に分離さ
れているため改善効果が大きく、例えば、寄生インダク
タンスを5分の1にするよりも5分割したほうが、発振
等に対する安定性の改善を図ることができる。
第5図は伝送利得S2. = 66 dB帯域1.5G
H7,を有する広帯域増幅回路を想定したときのICチ
ップ内の’it;源ラインパタンの5分割時と非分割1
10における発振に対する絶対安定性の評価指数である
安定指数(5tability factor ) K
の周波数特性の比較を示したものである。これにより、
L=1nHの時非分割時においては■で示すようにK<
1の領域が存在し、K〉1の絶対安定性を確保すること
ができないが、ICチップ内の電源ラインパタンを5分
割することにより、■のように絶対安定を確保でき、L
の値を1/10 (L=0.1 nH)にした非分割時
の特性■と比較してもさらに安定であり、工Cチップ内
の電源ラインバタン分割の効果が大きいことがわかる。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明は増幅回路ICにおいて全
体回路の電源ラインを分割し、ICチップ内の電源供給
用ラインパクンを分割部ととに構成して個別に電源を供
給することにより、従来のようなICチップ外の電源供
給用ボンディングワイヤ、ラインの寄生インダクタンス
の影響で、信号がICチップ内の電源ラインパタンを介
してまわり込むことがなくなり、発振などの不安定動作
に対して改善を図ることができる。特に、発振の生じ易
い高利得、高周波増幅回路ICでは、電源を分割して供
給することにより、犬きく安定性を確保することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は従来の増幅回路1cの電源供給例を示
す回路図、第3図、第4図は本発明の半導体増幅装置I
Cの実施例を示す回路図、第5図は本発明実施例の効果
を示す特性図である。 1・・ICチップ外の高電位電源供給端子、2・・・I
Cデツプ外の低電位電源供給用端子、3・・・ICチッ
プ内の入力信号端子、4・・・ICチップ内の出力信号
端子、5(5−1〜5−n)・・ICチップ内の高電位
電源供給端子、6(6−1〜6−n)・・・ICチップ
内の低電位電源供給端子、7(771〜7−n ) 、
 8 (8−1〜8−n)・・・ICチップの内外を結
ぶボンディングワ・rヤおよびIC外部の′ル、源供給
用ラインの寄仕インダクタンス、9・・・ICチップの
内と外の境界を示す破線、10,11.14・・・抵抗
、12 、13・・・トランジスタ、A 1− A 1
1・・・増幅回路網。 特許出願人 日本型Gt ill:話公社代理人 白水
常雄 外1名 Ttllo 第20 第3図 第4目

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)高利得、高周波の増幅を行う半導体増幅装置にお
    いて、ICチップ内部の高電位電源端子および低電位電
    源端子が各々数個に分割され、分割された部分ごとに引
    き出されたボンディングワイヤ寸たはラインを介して前
    記電源端子により電源が供給されるように構成されたこ
    とを9”)′徴とする半導体増幅装置。
  2. (2)前記の分割はその分割された部分による利得かは
    は相等しくなるように行なわれていることを特徴とする
    特許請求の範凹第1項記載の半導体増幅装置。
JP3426384A 1984-02-27 1984-02-27 半導体増幅装置 Granted JPS60178657A (ja)

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JP3426384A JPS60178657A (ja) 1984-02-27 1984-02-27 半導体増幅装置

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JP3426384A JPS60178657A (ja) 1984-02-27 1984-02-27 半導体増幅装置

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JPS60178657A true JPS60178657A (ja) 1985-09-12
JPH0476213B2 JPH0476213B2 (ja) 1992-12-03

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JPH02113565A (ja) * 1988-10-22 1990-04-25 Nec Corp 半導体集積回路

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JPS57129530A (en) * 1981-02-05 1982-08-11 Nec Corp Integrated circuit

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