JPS6017976A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPS6017976A JPS6017976A JP58124813A JP12481383A JPS6017976A JP S6017976 A JPS6017976 A JP S6017976A JP 58124813 A JP58124813 A JP 58124813A JP 12481383 A JP12481383 A JP 12481383A JP S6017976 A JPS6017976 A JP S6017976A
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- Japan
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- emitting device
- type inp
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は半導体発光装置に関するものであシ、特に単色
性に優れたレーデ光を多波長にわたって得ることが出来
る半導体発光装置に関するものである。
性に優れたレーデ光を多波長にわたって得ることが出来
る半導体発光装置に関するものである。
技術の背景
レーザーは普通の光と異なり波長と位相（空間と時間）
がそろっているいわゆるコヒーレントな光である。レー
ザー光の持つ特徴は可干渉性、単光性、指向性及び大強
度等である。とのような特徴を有するレーザー光で特に
ｍ色性に優れているレーザーとしてＤＦＢ （Ｄｉｓｔ
ｒｉｂｕｔｅｄ ＦｅｅｄＢａｃｋ ）及びＤＢＲ（Ｄ
ｌｇｔｒｉｂｕｔｅｄ ＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｉｏ
ｎ ）レーデ−がある。
がそろっているいわゆるコヒーレントな光である。レー
ザー光の持つ特徴は可干渉性、単光性、指向性及び大強
度等である。とのような特徴を有するレーザー光で特に
ｍ色性に優れているレーザーとしてＤＦＢ （Ｄｉｓｔ
ｒｉｂｕｔｅｄ ＦｅｅｄＢａｃｋ ）及びＤＢＲ（Ｄ
ｌｇｔｒｉｂｕｔｅｄ ＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｉｏ
ｎ ）レーデ−がある。
従来技術と問題点
従来、単色性に優れＡレーデである上記ＤＦＢ及びＤＢ
Ｒを発光する装置は、基板上に形成された活性層に近接
して設けられた光ガイド層に回折格子を形成したものが
あったが例えば１．２〜１．５５μｍの範囲で単色性に
優れているレーデアレイ発光装置がなかった〇 このようなレーザアレイを形成するには回折格子の周期
をウェハの面内でかえることと、活性層の組成をそれに
対応して変化させることが必要であるが、従来技術であ
るｔｐｇ 、 ＶＰＥ成長法及び干渉光学系を用いると
難しく、このような多波長の単色性レーザアレイが実現
できなかった。
Ｒを発光する装置は、基板上に形成された活性層に近接
して設けられた光ガイド層に回折格子を形成したものが
あったが例えば１．２〜１．５５μｍの範囲で単色性に
優れているレーデアレイ発光装置がなかった〇 このようなレーザアレイを形成するには回折格子の周期
をウェハの面内でかえることと、活性層の組成をそれに
対応して変化させることが必要であるが、従来技術であ
るｔｐｇ 、 ＶＰＥ成長法及び干渉光学系を用いると
難しく、このような多波長の単色性レーザアレイが実現
できなかった。
発明の目的
以上の欠点を鑑み本発明は単色性に優れたレーザ光を多
波長にわたって得ることが出来る半導体装置を提供する
ことを目的とする。
波長にわたって得ることが出来る半導体装置を提供する
ことを目的とする。
発明の構成
本発明の目的は基板上に種々のバンドギャップエネルギ
ーを有する活性層と、該活性層に近接して設けられ且つ
該活性層のバンドキャップエネルギと回折格子の周期が
同期せしめられた光ガイド層とを具備する半導体レーザ
アレイが一定間隔に少なくとも２つ以上のストライプ構
造を有することを特徴とする半導体発光装置によって達
成される０ 発明の実施例 以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
ーを有する活性層と、該活性層に近接して設けられ且つ
該活性層のバンドキャップエネルギと回折格子の周期が
同期せしめられた光ガイド層とを具備する半導体レーザ
アレイが一定間隔に少なくとも２つ以上のストライプ構
造を有することを特徴とする半導体発光装置によって達
成される０ 発明の実施例 以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図ないし第４図は本発明の１実施例を説明するため
の概略斜視図である。
の概略斜視図である。
第１図に示すように約０．２μｍの厚さのｎ型インジウ
ムリン基板１上に例えばモレキ二うビームエビタキシャ
ル（ＭＢｇ）法等によって約０．１μｍの厚さのインジ
ウムガリウム砒素リン（以下ＩｎＧａＡｇＰと記す）
（Ｅｇ（ｘ） ）活性層をそのバンドギャップエネルギ
をＸ方向に分布せしめるように形成し、次に該Ｉｎ］ａ
ＡｓＰ活性層上にｏ、ｉないし０．２μｍの厚さにｐ型
インジウムガリウム砒素リン（以下ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ
と記す） （Ｋｇ’ ＞ Ｅｇ（ｘ） ）光ガイド層を
厚さ０．２〜０．３μｍにＭＢｇ法によって連続成長さ
せる。
ムリン基板１上に例えばモレキ二うビームエビタキシャ
ル（ＭＢｇ）法等によって約０．１μｍの厚さのインジ
ウムガリウム砒素リン（以下ＩｎＧａＡｇＰと記す）
（Ｅｇ（ｘ） ）活性層をそのバンドギャップエネルギ
をＸ方向に分布せしめるように形成し、次に該Ｉｎ］ａ
ＡｓＰ活性層上にｏ、ｉないし０．２μｍの厚さにｐ型
インジウムガリウム砒素リン（以下ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ
と記す） （Ｋｇ’ ＞ Ｅｇ（ｘ） ）光ガイド層を
厚さ０．２〜０．３μｍにＭＢｇ法によって連続成長さ
せる。
次に第２図に示すようにｐ−ＩｎＧａＡｓ光ガイド層３
上に例えばホトレジストを塗布しレーザ光を用いて干渉
パターン４を形成し露出する。この干渉ツヤターン４を
形成する際基板を傾けることによって第２図に示しだよ
うなパターンを得ることが出彷零浪ル；この干渉・母タ
ーン４０周期（／ｌ）の広４ｇ：エネルギバンド幅相当
波長 ｍ：任意の整数次にＳＩＯ□膜（図示せず）をマ
スクとしてＢｒ２−ＣＨ３０Ｈを用いてエツチングしＢ
Ｈ８（埋込みヘテロストライプ）６を形成する（第３図
）。
上に例えばホトレジストを塗布しレーザ光を用いて干渉
パターン４を形成し露出する。この干渉ツヤターン４を
形成する際基板を傾けることによって第２図に示しだよ
うなパターンを得ることが出彷零浪ル；この干渉・母タ
ーン４０周期（／ｌ）の広４ｇ：エネルギバンド幅相当
波長 ｍ：任意の整数次にＳＩＯ□膜（図示せず）をマ
スクとしてＢｒ２−ＣＨ３０Ｈを用いてエツチングしＢ
Ｈ８（埋込みヘテロストライプ）６を形成する（第３図
）。
次に液相エピタキシャル成長により厚さ１μ。
のｐ型ＩｎＰ層７、厚さＩ Ｊｉｍのｎ型ＩｎＰ層、ｐ
ｍＩｎＰ層９を連続するように成長し最後にｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ層１０を形成しｎ側基板を研磨し１００μｍ厚
にした後、Ｐ電極金属Ｔ ｌ／Ｐ ｔ／Ａ ｕ層１１を
形成し、ｎ、ル−ザーを分離するメサエッチングをし、
ツーー２ｎ側電極ＡｕＧｅ／Ｎｉ を形成した後、アレ
イ状にへき開する（第４図）。
ｍＩｎＰ層９を連続するように成長し最後にｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ層１０を形成しｎ側基板を研磨し１００μｍ厚
にした後、Ｐ電極金属Ｔ ｌ／Ｐ ｔ／Ａ ｕ層１１を
形成し、ｎ、ル−ザーを分離するメサエッチングをし、
ツーー２ｎ側電極ＡｕＧｅ／Ｎｉ を形成した後、アレ
イ状にへき開する（第４図）。
このようにして本発明に係る新規な発光装置が形成され
る。なお第４図においてり、、Ｌ、及びＬ３の長さはそ
れぞれ２００〜３００μｍ／１ヶ（但し１ケは１ストラ
イプを意味する）、１００μｍ及び２００〜３００μｍ
である。第４図に示した発光装置は、回折格子の周期と
活性層のノ々ンドギャップエネルギとを適合せしめて、
一定間隔で複数のストライプブが形成されているので異
なる枝木発明ではＩｎＰ基板を用いたがＧａＡｓ基板等
も用いることが可能である。
る。なお第４図においてり、、Ｌ、及びＬ３の長さはそ
れぞれ２００〜３００μｍ／１ヶ（但し１ケは１ストラ
イプを意味する）、１００μｍ及び２００〜３００μｍ
である。第４図に示した発光装置は、回折格子の周期と
活性層のノ々ンドギャップエネルギとを適合せしめて、
一定間隔で複数のストライプブが形成されているので異
なる枝木発明ではＩｎＰ基板を用いたがＧａＡｓ基板等
も用いることが可能である。
また」１記実施例において形成した干渉・臂ターン（第
２図）はより精度よく行うためにはＥＢ露露光分用いて
第５図のようにステップ状にするのが好ましい。第２図
においてａは同一周期の領域を示す。
２図）はより精度よく行うためにはＥＢ露露光分用いて
第５図のようにステップ状にするのが好ましい。第２図
においてａは同一周期の領域を示す。
発明の詳細
な説明したように本発明によれば単色性に優れたレーザ
光を多波長にわたって得ることが出来る０
光を多波長にわたって得ることが出来る０
第１図ないし第４図は本発明の１実施例を説明するため
の概略斜視図であり、第５図は第２図に示した構造の他
の実施例を示す。 １− ｎ型ＩｎＰ基板、２− ＩｎＧａＡｓＰ （Ｅｇ
（ｘ））活性層、３− ＩｎＧａＡｓＰ （Ｂｇ’ ）
ｇｇ（ｘ））光ガイド層、４・・・干渉ノ’？ターン
、５・・・回折格子、６・・・ストライプ、７．９・ｐ
型ＩｎＰ層、８−ｐ型ＩｎＰ層、１０ ・Ｐ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ層、１１−・・金属電極。 餓 憾 第４図 ３５１−
の概略斜視図であり、第５図は第２図に示した構造の他
の実施例を示す。 １− ｎ型ＩｎＰ基板、２− ＩｎＧａＡｓＰ （Ｅｇ
（ｘ））活性層、３− ＩｎＧａＡｓＰ （Ｂｇ’ ）
ｇｇ（ｘ））光ガイド層、４・・・干渉ノ’？ターン
、５・・・回折格子、６・・・ストライプ、７．９・ｐ
型ＩｎＰ層、８−ｐ型ＩｎＰ層、１０ ・Ｐ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ層、１１−・・金属電極。 餓 憾 第４図 ３５１−
Claims (1)
- １、基板上に稲々のバンドギャップエネルイーを有する
活性層と、該活性層に近接して設けられ且つ該活性層の
バンドキャッグエネルギと回折格子の周期が同期せしめ
られた光ガイド層とを具備する半導体レーザアレイが一
定間隔に少なくとも２つ以上のストライプ構造を有する
ととを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58124813A JPS6017976A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58124813A JPS6017976A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017976A true JPS6017976A (ja) | 1985-01-29 |
| JPH0437599B2 JPH0437599B2 (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=14894751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58124813A Granted JPS6017976A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017976A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2758914A1 (fr) * | 1997-01-27 | 1998-07-31 | Fujitsu Ltd | Dispositif a semiconducteur optique comportant un reseau de diffraction et son procede de fabrication |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5062783A (ja) * | 1973-10-05 | 1975-05-28 | ||
| JPS5289080A (en) * | 1976-01-20 | 1977-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS57124489A (en) * | 1981-01-27 | 1982-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Two wavelength semiconductor light emitting element |
-
1983
- 1983-07-11 JP JP58124813A patent/JPS6017976A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5062783A (ja) * | 1973-10-05 | 1975-05-28 | ||
| JPS5289080A (en) * | 1976-01-20 | 1977-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS57124489A (en) * | 1981-01-27 | 1982-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Two wavelength semiconductor light emitting element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2758914A1 (fr) * | 1997-01-27 | 1998-07-31 | Fujitsu Ltd | Dispositif a semiconducteur optique comportant un reseau de diffraction et son procede de fabrication |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0437599B2 (ja) | 1992-06-19 |
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