JPS60182093A - 磁気バブルメモリ素子の製造方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS60182093A JPS60182093A JP59036075A JP3607584A JPS60182093A JP S60182093 A JPS60182093 A JP S60182093A JP 59036075 A JP59036075 A JP 59036075A JP 3607584 A JP3607584 A JP 3607584A JP S60182093 A JPS60182093 A JP S60182093A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- permalloy
- pattern
- resist pattern
- photoresist film
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリの製造方法に係わシ、特に磁
気パズル転送用パーマロイパターンの形成方法に関する
ものである。
気パズル転送用パーマロイパターンの形成方法に関する
ものである。
一般に磁気バブルメモリ素子の磁気バブル転送用として
用いられるパーマロイパターンは１例えばガーネット結
晶基板上にパーマロイ薄膜を形成し、このパーマロイ薄
膜上に所要のパターン形状を有する例えばポジ形レジス
トパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに
してイオンエツチングすることによ多形成される□。
用いられるパーマロイパターンは１例えばガーネット結
晶基板上にパーマロイ薄膜を形成し、このパーマロイ薄
膜上に所要のパターン形状を有する例えばポジ形レジス
トパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに
してイオンエツチングすることによ多形成される□。
このようなパーマロイパターンの形成方法によると、イ
オンエツチングによりパーマロイパターンのマスクとな
るレジストパターンも同時にエツチングされてしまうた
め、このレジストパターンの膜厚を十分に厚く形成する
必要がめった。
オンエツチングによりパーマロイパターンのマスクとな
るレジストパターンも同時にエツチングされてしまうた
め、このレジストパターンの膜厚を十分に厚く形成する
必要がめった。
しかしながらレジストパターンを厚く形成すると、イオ
ンエツチングの解像力が低下し、微細なパーマロイパタ
ーンを高精度で形成することが不可能となる欠点があっ
た。
ンエツチングの解像力が低下し、微細なパーマロイパタ
ーンを高精度で形成することが不可能となる欠点があっ
た。
したがって本発明は、微細なノ（−マロイノ９−ンを高
精度で形成可能とした磁気バブルメモリ素子の製造方法
を提供することを目的としている。
精度で形成可能とした磁気バブルメモリ素子の製造方法
を提供することを目的としている。
このような目的を達成するために本発明は、フォトレジ
スト膜を２層形成し、フォトマスクを介して露光し現像
することによシまず上層のみに高解像度のレジストパタ
ーンを形成し１次にこの上層レジストパターンをマスク
にして全面露木を行なって上層と同一形状の下層レジス
トパターンを形成することによシ、イオンミーリングに
耐え得る十分な厚いレジストパターンを高精度で形成可
能にしたものである。
スト膜を２層形成し、フォトマスクを介して露光し現像
することによシまず上層のみに高解像度のレジストパタ
ーンを形成し１次にこの上層レジストパターンをマスク
にして全面露木を行なって上層と同一形状の下層レジス
トパターンを形成することによシ、イオンミーリングに
耐え得る十分な厚いレジストパターンを高精度で形成可
能にしたものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図ないし第５図は本発明による磁気バブルメモリ素
子の製造方法の一例を示す要部断面工程図である。これ
らの図において、まず第１図に示すようにウェーハ１上
に被加工膜としてのパーマロイ膜２を真空蒸着法などに
よ多形成する。次に第２図に示すようにこのパーマロイ
膜２上に例えばポリメチルイソプロペニルケトンを約０
．６μｍの厚さに塗布し、約９０°Ｃｌ２Ｏ分間ベーク
してポジ形レジスト膜３を形成した後、このポジ形レジ
スト膜３上に例えばアジド系のＲＤ２００ＯＮ（日立化
成製商品名）を約０．２μｍの厚さに塗布し、約８０℃
、２０分間ベークしてネガ形レジスト膜４を形成する。
子の製造方法の一例を示す要部断面工程図である。これ
らの図において、まず第１図に示すようにウェーハ１上
に被加工膜としてのパーマロイ膜２を真空蒸着法などに
よ多形成する。次に第２図に示すようにこのパーマロイ
膜２上に例えばポリメチルイソプロペニルケトンを約０
．６μｍの厚さに塗布し、約９０°Ｃｌ２Ｏ分間ベーク
してポジ形レジスト膜３を形成した後、このポジ形レジ
スト膜３上に例えばアジド系のＲＤ２００ＯＮ（日立化
成製商品名）を約０．２μｍの厚さに塗布し、約８０℃
、２０分間ベークしてネガ形レジスト膜４を形成する。
次にこのネガ形レジスト膜４上に最小寸法約０．７５μ
ｍのパターンを有するフォトマスクを介して紫外線（λ
−３００ｎｍ）露光を行なった後、例えばテトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド現像液に浸漬して第３
図に示すように前述したＲＤ２００ＯＮのネガ形レジス
トパターン５を形成する。次にこのネガ形レジストパタ
ーン５がマスクとなるような短波長の紫外線（λ＝２５
０ｎｍ）でウェハ全面を露光した後、現像液に浸漬して
第４図に示すように前述したネガ形レジストパターン５
と同一形状のポジ形レジストパターン６を形成する。最
後にこれらのネガ形レジストパターン５およびポジ形レ
ジストパターン６をマスクとしてイオンエツチングを行
なうことによシ、第５図に示すように前述したパーマロ
イ膜２からなるパーマロイパターン７が得られた。この
場合、イオンエツチングにはＶｅｅｃｏ社の１０インチ
マイクロエッチシステムを用い、加速電圧５００■、イ
オン電流密度０．５ Ａ／ＣＩ 、 Ａ ｒ圧力５ ｍ
Ｔｏｒｒの条件で行なった。また、この場合、パーマ
ロイ膜２の約０．４μｍの厚さをエツチングするのに約
１５分間を要した。
ｍのパターンを有するフォトマスクを介して紫外線（λ
−３００ｎｍ）露光を行なった後、例えばテトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド現像液に浸漬して第３
図に示すように前述したＲＤ２００ＯＮのネガ形レジス
トパターン５を形成する。次にこのネガ形レジストパタ
ーン５がマスクとなるような短波長の紫外線（λ＝２５
０ｎｍ）でウェハ全面を露光した後、現像液に浸漬して
第４図に示すように前述したネガ形レジストパターン５
と同一形状のポジ形レジストパターン６を形成する。最
後にこれらのネガ形レジストパターン５およびポジ形レ
ジストパターン６をマスクとしてイオンエツチングを行
なうことによシ、第５図に示すように前述したパーマロ
イ膜２からなるパーマロイパターン７が得られた。この
場合、イオンエツチングにはＶｅｅｃｏ社の１０インチ
マイクロエッチシステムを用い、加速電圧５００■、イ
オン電流密度０．５ Ａ／ＣＩ 、 Ａ ｒ圧力５ ｍ
Ｔｏｒｒの条件で行なった。また、この場合、パーマ
ロイ膜２の約０．４μｍの厚さをエツチングするのに約
１５分間を要した。
このような方法によって形成されたパーマロイパターン
Ｔを解像度チェックした結果、下記表１に示すようなデ
ータが得られた。
Ｔを解像度チェックした結果、下記表１に示すようなデ
ータが得られた。
表 １
この場合、フォトマスクとしては、０．４〜１．０μｍ
までのラインアンドスペースパターンを有する密着露光
マスクを用いた。また、ウェハは３インチのものを用い
、はぼ全面に解像する最小のライン幅（スペース幅に等
しい）を走査形電子顕微鏡観察によシ調べた。ここで前
記表１中、従来方法はポジ形フォトレジストＡＺ １３
５０ Ｊ （５ｈｉｐＬｅｙ社製商品名）を約０．９Ｐ
の厚さに塗布し、露光、現像した後、前述と同一条件で
イオンエツチングを行なったものである。
までのラインアンドスペースパターンを有する密着露光
マスクを用いた。また、ウェハは３インチのものを用い
、はぼ全面に解像する最小のライン幅（スペース幅に等
しい）を走査形電子顕微鏡観察によシ調べた。ここで前
記表１中、従来方法はポジ形フォトレジストＡＺ １３
５０ Ｊ （５ｈｉｐＬｅｙ社製商品名）を約０．９Ｐ
の厚さに塗布し、露光、現像した後、前述と同一条件で
イオンエツチングを行なったものである。
同表から明らかなようにこのような方法によれば、最小
ライン幅が０．４μｍのものまで得られるのに対して従
来方法では０．８μｍが実用上限界であった。このよう
な結果は、パターン転写を行なうのに０．２μｍという
極めて薄いレジスト膜を用い、しかもガンマ特性がポジ
形レジストよシも優れたアジド系ネガ形レジストＲＤ２
００ＯＮを用いたことによるものと考えられる。ちなみ
にアジド系ネガ形レジストＲＤ２００ＯＮは、膜厚が０
．３ Ｉｎ以上となると、紫外線の吸収のために逆に解
像度が低下することになる。
ライン幅が０．４μｍのものまで得られるのに対して従
来方法では０．８μｍが実用上限界であった。このよう
な結果は、パターン転写を行なうのに０．２μｍという
極めて薄いレジスト膜を用い、しかもガンマ特性がポジ
形レジストよシも優れたアジド系ネガ形レジストＲＤ２
００ＯＮを用いたことによるものと考えられる。ちなみ
にアジド系ネガ形レジストＲＤ２００ＯＮは、膜厚が０
．３ Ｉｎ以上となると、紫外線の吸収のために逆に解
像度が低下することになる。
なお、前述した実施例において、下層のポジ形レジスト
としてポリメチルメタクリレート等を用いても同様の効
果が得られることは言うまでもない。
としてポリメチルメタクリレート等を用いても同様の効
果が得られることは言うまでもない。
以上説明したように本発明によれば、従来のイオンエツ
チングを用いるフォトエツチング法では解像が不可能で
あった０、４μｍまでの微細加工が可能となる極めて優
れた効果が得られる。
チングを用いるフォトエツチング法では解像が不可能で
あった０、４μｍまでの微細加工が可能となる極めて優
れた効果が得られる。
第１図ないし第５図は本発明による磁気バブルメモリ素
子の製造方法の一例を示す要部断面構成図である。 １・・・・ウェーハ、２・・・・パーマロイ膜、３・・
・・ポジ形レジスト膜、４・・・・ネガ形レジスト膜、
５・・・・ネガ形レジストパターン、６・・・・ポジ形
レジストパターン、７・・・・第１図 第２図 第４図 第５図 ワ 第１頁の続き ■発明者 大吉１）隆司 ０発 明 者 斉 藤 進 小平市； ジニアリ
子の製造方法の一例を示す要部断面構成図である。 １・・・・ウェーハ、２・・・・パーマロイ膜、３・・
・・ポジ形レジスト膜、４・・・・ネガ形レジスト膜、
５・・・・ネガ形レジストパターン、６・・・・ポジ形
レジストパターン、７・・・・第１図 第２図 第４図 第５図 ワ 第１頁の続き ■発明者 大吉１）隆司 ０発 明 者 斉 藤 進 小平市； ジニアリ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ウェーハ上にパーマロイ膜を形成する工程と、前
記パーマロイ膜の表面に紫外線で感光するポジ形フォト
レジスト膜を形成する工程と、前記ポジ形フォトレジス
ト膜上にネガ形フォトレジスト膜を形成する工程と、前
記ネガ形フォトレジスト膜上にフォトマスクを介して該
ネガ形フォトレジスト膜を露光する工程と、前記ネガ形
フォトレジスト膜を現像する工程と、前記ウェーハ全面
を紫外線で露光する工程と、前記ポジ形フォトレジスト
膜を現像する工程と、前記パーマロイ膜の露出部をイオ
ンエッチしてパーマロイパターンを形成する工程とから
なることを特徴とした磁気バブルメモリ素子の製造方法
。 ２、前記ネガ形レジスト膜なアジド系レジスト膜とする
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気バブ
ルメモリ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59036075A JPS60182093A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59036075A JPS60182093A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182093A true JPS60182093A (ja) | 1985-09-17 |
Family
ID=12459619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59036075A Pending JPS60182093A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182093A (ja) |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP59036075A patent/JPS60182093A/ja active Pending
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