JPH035573B2 - - Google Patents
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- JPH035573B2 JPH035573B2 JP58102945A JP10294583A JPH035573B2 JP H035573 B2 JPH035573 B2 JP H035573B2 JP 58102945 A JP58102945 A JP 58102945A JP 10294583 A JP10294583 A JP 10294583A JP H035573 B2 JPH035573 B2 JP H035573B2
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- JP
- Japan
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- layer
- mask
- pattern
- chromium
- silicon dioxide
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G03F1/80—Etching
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、クロム・マスクを形成するための反
転プロセスに係る。クロム層を被覆に透明基板の
上に以下においてポジ・レジストと称するポジテ
イブ・フオトレジストを塗布し、露光マスクを介
して露光し、現像し、クロムよりも緩慢にドラ
イ・エツチングされる材料の層をブランケツト被
覆すなわち全体に被覆し、続いてフオトレジスト
層及びこれと重畳された材料を除去し、最終的に
クロムをドライ・エツチし、残留する層をエツチ
ング・マスクとして用いる。
転プロセスに係る。クロム層を被覆に透明基板の
上に以下においてポジ・レジストと称するポジテ
イブ・フオトレジストを塗布し、露光マスクを介
して露光し、現像し、クロムよりも緩慢にドラ
イ・エツチングされる材料の層をブランケツト被
覆すなわち全体に被覆し、続いてフオトレジスト
層及びこれと重畳された材料を除去し、最終的に
クロムをドライ・エツチし、残留する層をエツチ
ング・マスクとして用いる。
反転プロセスは露光マスクにおける開口のパタ
ーンのネガが例えばクロムからなる層からフオト
リソグラフ技法を用いてエツチング除去されるプ
ロセスである。クロム・マスクは、例えば半導体
の技術に於いては、メタライゼーシヨン・パター
ンもしくは拡散窓のパターンをフオトリソグラフ
技法によつて半導体基板上に転写するために用い
られる。
ーンのネガが例えばクロムからなる層からフオト
リソグラフ技法を用いてエツチング除去されるプ
ロセスである。クロム・マスクは、例えば半導体
の技術に於いては、メタライゼーシヨン・パター
ンもしくは拡散窓のパターンをフオトリソグラフ
技法によつて半導体基板上に転写するために用い
られる。
反転プロセスは或るマスク・パターンのネガ及
びポジが必要である場合に重要となる。これは、
アデイテイブ・プロセスによつて及びサブトラク
テイブ・プロセスによつてメタライゼーシヨン・
パターンの製造を行なうための手段が必要である
場合にも同様である。反転プロセスはマスク・パ
ターンのポジよりもネガを作る方がより経済的で
ある場合にも重要である。例えば、最近のマスク
はパターン・ジエネレータを用いて作られるが、
この場合プログラム制御された露光ビームによつ
て、フオトレジスト及び後のエツチング工程にお
いてはマスク材が除去されるべき個所に於いてマ
スク材上のフオトレジストが露光される。マスク
開口部の面積がマスク全表面積の50％よりも大と
なる様なタイプのパターンとしてマスク・パター
ンが形成される場合は、パターン・ジエネレータ
によつて所望の開口のパターンではなく、そのネ
ガ・パターンを作る事及び反転プロセスによつて
マスクを用いて所望パターンの転写を行なうのが
時間の節減になるであろう。
びポジが必要である場合に重要となる。これは、
アデイテイブ・プロセスによつて及びサブトラク
テイブ・プロセスによつてメタライゼーシヨン・
パターンの製造を行なうための手段が必要である
場合にも同様である。反転プロセスはマスク・パ
ターンのポジよりもネガを作る方がより経済的で
ある場合にも重要である。例えば、最近のマスク
はパターン・ジエネレータを用いて作られるが、
この場合プログラム制御された露光ビームによつ
て、フオトレジスト及び後のエツチング工程にお
いてはマスク材が除去されるべき個所に於いてマ
スク材上のフオトレジストが露光される。マスク
開口部の面積がマスク全表面積の50％よりも大と
なる様なタイプのパターンとしてマスク・パター
ンが形成される場合は、パターン・ジエネレータ
によつて所望の開口のパターンではなく、そのネ
ガ・パターンを作る事及び反転プロセスによつて
マスクを用いて所望パターンの転写を行なうのが
時間の節減になるであろう。
従来技術によると、反転プロセスは次の様にし
て実施される。即ち、所望のマスク・パターンを
呈するマスクが該マスクの写真乾板を用いた反転
コピーによつて、あるいはネガテイブ・フオトレ
ジスト（ネガ・レジスト）で所望のマスク・パタ
ーンを呈するマスクを用いる事によつて作られ
る。反転コピーの不利点としては、装置及び材料
に関して非常に複雑である事、形成すべきパター
ンが完全には排除し得ないほこりの粒子によつて
劣化するという危惧を伴なう事、乳材層が損傷を
受けやすい事あるいはほこりの粒子が露光の際に
マスクの様に働らく事等を挙げる事ができる。反
転コピー及びネガ・レジストの利用には常に寸法
変化や端部のにじみが伴なう。これが、大規模な
製造において、反転コピー及びネガ・レジストの
使用が非常に小さいパターン素子の転写を不可能
にする理由である。転写の可能な寸法の下限はお
よそ2μｍである。一方、ポジ・レジストの場合、
可能な解像度は用いられる放射ビーム及び装置に
よつて制限されるに過ぎない。
て実施される。即ち、所望のマスク・パターンを
呈するマスクが該マスクの写真乾板を用いた反転
コピーによつて、あるいはネガテイブ・フオトレ
ジスト（ネガ・レジスト）で所望のマスク・パタ
ーンを呈するマスクを用いる事によつて作られ
る。反転コピーの不利点としては、装置及び材料
に関して非常に複雑である事、形成すべきパター
ンが完全には排除し得ないほこりの粒子によつて
劣化するという危惧を伴なう事、乳材層が損傷を
受けやすい事あるいはほこりの粒子が露光の際に
マスクの様に働らく事等を挙げる事ができる。反
転コピー及びネガ・レジストの利用には常に寸法
変化や端部のにじみが伴なう。これが、大規模な
製造において、反転コピー及びネガ・レジストの
使用が非常に小さいパターン素子の転写を不可能
にする理由である。転写の可能な寸法の下限はお
よそ2μｍである。一方、ポジ・レジストの場合、
可能な解像度は用いられる放射ビーム及び装置に
よつて制限されるに過ぎない。
これは、換言するならば、この技術分野がより
高実装密度の、より寸法の小さいものへと向かう
傾向からすると上記の方法が不適性を増す事を意
味する。ポジ・レジストと比べて、ネガ・レジス
トは酸素に対する敏感性の故に貯蔵寿命が短かい
という不利点を有している。
高実装密度の、より寸法の小さいものへと向かう
傾向からすると上記の方法が不適性を増す事を意
味する。ポジ・レジストと比べて、ネガ・レジス
トは酸素に対する敏感性の故に貯蔵寿命が短かい
という不利点を有している。
米国特許第4132586号明細書に於いて、露光マ
スクの反転コピーもしくはネガ・レジストの使用
を必要としないコントラスト・リバーサルをうる
方法を開示している。この方法に於いて、ポジ・
レジストがクロムの様な金属層で被覆された基板
上に塗布され、金属層においてエツチングされる
べきパターンのネガに対応する開口のパターンを
呈する露光マスクを介して露光が行なわれ、現像
処理が行なわれ、酸化マグネシウム層でもつてブ
ランケツト被覆処理が行なわれる。続いて、フオ
トレジスト及びその上の酸化マグネシウムがリフ
トオフされ、最終的に残留する酸化マグネシウム
をエツチング・マスクとして用いる事によつて、
クロムを反応性イオン・エツチングによつて除去
する。酸化マグネシウム層は厚さが200nｍであ
る。上記米国特許の方法は反転コピーを用いず、
またネガ・レジストを用いないが、パターンの転
写は酸化マグネシウム・マスクの層の厚さが比較
的厚いので寸法変化を伴ない、更に端部もシヤー
プさに欠ける。従つて上記米国特許の方法は、非
常に微細なパターン成分を有する非常に高密度の
パターンを転写するための方法には適していな
い。更に、金属に対する酸化マグネシウム層の付
着力も十分ではない。
スクの反転コピーもしくはネガ・レジストの使用
を必要としないコントラスト・リバーサルをうる
方法を開示している。この方法に於いて、ポジ・
レジストがクロムの様な金属層で被覆された基板
上に塗布され、金属層においてエツチングされる
べきパターンのネガに対応する開口のパターンを
呈する露光マスクを介して露光が行なわれ、現像
処理が行なわれ、酸化マグネシウム層でもつてブ
ランケツト被覆処理が行なわれる。続いて、フオ
トレジスト及びその上の酸化マグネシウムがリフ
トオフされ、最終的に残留する酸化マグネシウム
をエツチング・マスクとして用いる事によつて、
クロムを反応性イオン・エツチングによつて除去
する。酸化マグネシウム層は厚さが200nｍであ
る。上記米国特許の方法は反転コピーを用いず、
またネガ・レジストを用いないが、パターンの転
写は酸化マグネシウム・マスクの層の厚さが比較
的厚いので寸法変化を伴ない、更に端部もシヤー
プさに欠ける。従つて上記米国特許の方法は、非
常に微細なパターン成分を有する非常に高密度の
パターンを転写するための方法には適していな
い。更に、金属に対する酸化マグネシウム層の付
着力も十分ではない。
従つて、本発明の目的はクロム・マスクを形成
するための簡単な、信頼性のある反転プロセスで
あつて、パターン寸法がマイクロメータあるいは
サブマイクロメータの微細な寸法の場合にも端部
が極めてシヤープで且つ高い精度で像を転写しう
る反転プロセスを提供する事にある。
するための簡単な、信頼性のある反転プロセスで
あつて、パターン寸法がマイクロメータあるいは
サブマイクロメータの微細な寸法の場合にも端部
が極めてシヤープで且つ高い精度で像を転写しう
る反転プロセスを提供する事にある。
反転プロセスは、構成素子の最小寸法が光学的
解像度の限界（およそ0.5μｍ）の範囲内にある様
なマスク・パターンを有するクロム・マスクの製
造に適用しうる。該方法は更に生成される欠陥部
の密度が極めて小であるという特徴を呈する。更
に、二酸化シリコンがクロムに対するすぐれた付
着力を呈する事並びに非常に薄いSiO2層でもす
ぐれたエツチング・マスク特性を具備する事等の
顕著な効果が呈せられる。それ故、本発明の反転
プロセスは実高装密度の集積半導体回路の製造に
用いられるマスク・パターンの転写に非常に適し
ている。
解像度の限界（およそ0.5μｍ）の範囲内にある様
なマスク・パターンを有するクロム・マスクの製
造に適用しうる。該方法は更に生成される欠陥部
の密度が極めて小であるという特徴を呈する。更
に、二酸化シリコンがクロムに対するすぐれた付
着力を呈する事並びに非常に薄いSiO2層でもす
ぐれたエツチング・マスク特性を具備する事等の
顕著な効果が呈せられる。それ故、本発明の反転
プロセスは実高装密度の集積半導体回路の製造に
用いられるマスク・パターンの転写に非常に適し
ている。
クロムはプラズマ・エツチングによつて首尾よ
くエツチングされる。１：１の体積比で酸素及び
塩素化炭化水素を含む雰囲気に於いてエツチング
を行うのが有利である。これらの条件の下では二
酸化シリコンのエツチング率は無視しうる程度で
ある。もしもエツチング媒体における塩素化炭化
水素の百分率がトリクロルエチレン90体積％及び
ジクロルエチレン10体積％であると、二酸化シリ
コンの除去は観察されない。
くエツチングされる。１：１の体積比で酸素及び
塩素化炭化水素を含む雰囲気に於いてエツチング
を行うのが有利である。これらの条件の下では二
酸化シリコンのエツチング率は無視しうる程度で
ある。もしもエツチング媒体における塩素化炭化
水素の百分率がトリクロルエチレン90体積％及び
ジクロルエチレン10体積％であると、二酸化シリ
コンの除去は観察されない。
第１図に示される構造体はソーダ石灰ガラスな
いし石英ガラスの基板１、100nｍ程度の厚さの
クロム層２及び個々のマスク・パターンのネガを
呈するポジ・レジストのパターン３よりなる。フ
オトレジスト・パターン３は通常のフオトリソグ
ラフ法によつて形成される。適当なポジ・レジス
ト材は例えばジアゾナフトキノン増感剤を用いた
フエノールホルムアルデヒド樹脂（novolak）で
ある。市販のものとしてはShipley社のAZ−
1350J、AZ−1450B（商品名）がある。
いし石英ガラスの基板１、100nｍ程度の厚さの
クロム層２及び個々のマスク・パターンのネガを
呈するポジ・レジストのパターン３よりなる。フ
オトレジスト・パターン３は通常のフオトリソグ
ラフ法によつて形成される。適当なポジ・レジス
ト材は例えばジアゾナフトキノン増感剤を用いた
フエノールホルムアルデヒド樹脂（novolak）で
ある。市販のものとしてはShipley社のAZ−
1350J、AZ−1450B（商品名）がある。
第１図の構造体の上に第２図に示す様に厚さａ
10nｍの二酸化シリコン層４をブランケツト付
着させる。二酸化シリコン層４は陰極スパツタリ
ングもしくはCDVによつて付着させる事ができ
る。二酸化シリコン層４はクロム層２に対するす
ぐれた付着力を呈する。これは、付着の際に、ク
ロム層２上の酸化クロム層、クロム及びシリコン
を含む重畳された酸化物の層及び二酸化シリコン
の最上層よりなるわずか数ｎｍの厚さの層構造体
が形成されるという事実によるものと考えられ
る。次にフオトレジスト・パターン３及びその上
の二酸化シリコンの部分がリフト・オフ処理され
る。そのために構造体はフオトレジストを溶解す
る媒体に浸漬される。適当な材料は90℃ないし
100℃に於いて用いられるIndust−Ri−Chem.
Laboratory社のＪ−100（商品名）及び室温で用
いられるCaro酸である。Ｊ−100はアルキルナフ
タリン・スルホン酸のナトリウム塩及び遊離アル
キルナフタリン・スルホン酸よりなる重量比22.5
％ないし23.9％の不揮発性成分を含有している。
混合体の揮発部分は44.5重量％のテトラクロルエ
チレン、37重量％のＯ−ジクロルベンゼン、0.8
重量％のＰ−ジクロルベンゼン及び17.6重量％の
フエノールよりなる。Ｊ−100による処理はおよ
そ40分間である。１の96％スルホン酸及び45ml
の85％過酸化水素の混合によつて得られるCaro
酸によつても有利な結果がえられる。Caro酸の
処理は約10分間である。フオトレジストに対する
Ｊ−100もしくはCaro酸の作用は石英層４によつ
ては実質的に妨げられない。第３図の構造体に示
される様に、所望のマスク・パターンに従つて二
酸化シリコン層４が形成される。
10nｍの二酸化シリコン層４をブランケツト付
着させる。二酸化シリコン層４は陰極スパツタリ
ングもしくはCDVによつて付着させる事ができ
る。二酸化シリコン層４はクロム層２に対するす
ぐれた付着力を呈する。これは、付着の際に、ク
ロム層２上の酸化クロム層、クロム及びシリコン
を含む重畳された酸化物の層及び二酸化シリコン
の最上層よりなるわずか数ｎｍの厚さの層構造体
が形成されるという事実によるものと考えられ
る。次にフオトレジスト・パターン３及びその上
の二酸化シリコンの部分がリフト・オフ処理され
る。そのために構造体はフオトレジストを溶解す
る媒体に浸漬される。適当な材料は90℃ないし
100℃に於いて用いられるIndust−Ri−Chem.
Laboratory社のＪ−100（商品名）及び室温で用
いられるCaro酸である。Ｊ−100はアルキルナフ
タリン・スルホン酸のナトリウム塩及び遊離アル
キルナフタリン・スルホン酸よりなる重量比22.5
％ないし23.9％の不揮発性成分を含有している。
混合体の揮発部分は44.5重量％のテトラクロルエ
チレン、37重量％のＯ−ジクロルベンゼン、0.8
重量％のＰ−ジクロルベンゼン及び17.6重量％の
フエノールよりなる。Ｊ−100による処理はおよ
そ40分間である。１の96％スルホン酸及び45ml
の85％過酸化水素の混合によつて得られるCaro
酸によつても有利な結果がえられる。Caro酸の
処理は約10分間である。フオトレジストに対する
Ｊ−100もしくはCaro酸の作用は石英層４によつ
ては実質的に妨げられない。第３図の構造体に示
される様に、所望のマスク・パターンに従つて二
酸化シリコン層４が形成される。
次のステツプに於いて、二酸化シリコン層４を
エツチング・マスクとして用いて、クロム層２が
プラズマ・エツチングによつて選括的に除去され
る。プラズマ・エツチングは例えば、米国特許第
3795557号明細書に開示される装置を用いて行な
われうる。このプラズマ・エツチング装置に於い
ては、エツチングされる物体が気密蓋部で覆われ
た円筒型の容器であつて少くとも１つの活性ガス
のためのガス導入口及び真空ポンプに接続された
１つのガス排気口を有する容器内に配置される。
反応性ガスとして酸素及び塩素化炭化水素
（C2HCl390体積％及びC2H2Cl210体積％の混合体
が好ましい）の混合体が用いられる。厚さ1nｍ
程度のクロム層２をエツチングするのにおよそ20
分かかる。所定の反応条件の下において、二酸化
シリコンは実際上全く影響をうけない。第４図は
プラズマ・エツチングの結果を示している。クロ
ム・パターン２は第１図のフオトレジスト・パタ
ーン３のネガである。二酸化シリコン層４の厚さ
が薄い事によつて、第１図のフオトレジスト・パ
ターンのネガは最大の像精度及び非常に高度な端
部の鮮鋭度でもつて、クロム層２へ転写する事が
できる。クロム・パターン２上に残された二酸化
シリコン層４はクロムに対する機械的な損傷に対
する保護層として用いられる。
エツチング・マスクとして用いて、クロム層２が
プラズマ・エツチングによつて選括的に除去され
る。プラズマ・エツチングは例えば、米国特許第
3795557号明細書に開示される装置を用いて行な
われうる。このプラズマ・エツチング装置に於い
ては、エツチングされる物体が気密蓋部で覆われ
た円筒型の容器であつて少くとも１つの活性ガス
のためのガス導入口及び真空ポンプに接続された
１つのガス排気口を有する容器内に配置される。
反応性ガスとして酸素及び塩素化炭化水素
（C2HCl390体積％及びC2H2Cl210体積％の混合体
が好ましい）の混合体が用いられる。厚さ1nｍ
程度のクロム層２をエツチングするのにおよそ20
分かかる。所定の反応条件の下において、二酸化
シリコンは実際上全く影響をうけない。第４図は
プラズマ・エツチングの結果を示している。クロ
ム・パターン２は第１図のフオトレジスト・パタ
ーン３のネガである。二酸化シリコン層４の厚さ
が薄い事によつて、第１図のフオトレジスト・パ
ターンのネガは最大の像精度及び非常に高度な端
部の鮮鋭度でもつて、クロム層２へ転写する事が
できる。クロム・パターン２上に残された二酸化
シリコン層４はクロムに対する機械的な損傷に対
する保護層として用いられる。
次に本発明の実施例をより詳しく説明する。
およそ100nｍの厚さのブランケツト・クロム
層で被覆したソーダ石灰ガラスを用いて、およそ
400nｍの厚さのAZ−1350Hの層がクロム層の上
にスピン被覆される。次に通常のフオトリソグラ
フ工程が行なわれる。即ちフオトレジストが乾燥
及び予備加熱され、クロム層における所望のパタ
ーンのネガに相当するマスク・パターンを有する
マスクを介して水銀ランプ光でもつて露光を行な
い、KOH水溶液で現像を行なう。続いて加熱処
理を行なう事なく、フオトレジストで被覆され
た、クロムを被覆したガラス板が陰極スパツタリ
ング装置内で配置される。これは、相互に平行な
２つの水平に配置された平坦な電極板を有する通
常の陰極スパツタリング装置である。この装置は
陽極直接駆動型の装置のカテゴリーに属する。陰
極スパツタリングの開始点に於いて、カソード・
スパツタリング室内の圧力は２×10-2マイクロバ
ール（0.001ミリバール）より低圧である。次い
で100±５ml／分の流量でもつてアルゴンが室部
に導入される。動作圧力はおよそ30マイクロバー
ルである。全体的なRF電力（13MHz）はおよそ
0.8KWである。陰極に、2800Vの電圧が印加さ
れ、陽極に600Vのバイアスが印加される。所定
の条件の下に於いて、およそ0.2nｍ／秒の速度で
二酸化シリコンが付着される。即ちおよそ10nｍ
の厚さの二酸化シリコン層を構造体上に付着する
のに40秒ないし、60秒かかる事になる。次のプロ
セス・ステツプに於いて、フオトレジスト及びそ
の上の二酸化シリコンが、構造体全体が90℃ない
し100℃のＪ−100を入れた容器内でリフト・オフ
処理される。尚、二酸化シリコンは本来的に多孔
性であるので、フオトレジストを除去するための
溶液を浸透し、以てフオトレジストのリフト・オ
フを促す作用があることに注意されたい。次にア
ルカリ性水溶液及び水でもつてクリーニングが行
なわれる。乾燥後、夫々のパターンに従つて
SiO2層で被覆されたクロム被覆ガラス板が、例
えばLFE社から販売されているLFE−（PFS／
PCrE／PDS）−501プラズマ・エツチング装置内
に配置される。
層で被覆したソーダ石灰ガラスを用いて、およそ
400nｍの厚さのAZ−1350Hの層がクロム層の上
にスピン被覆される。次に通常のフオトリソグラ
フ工程が行なわれる。即ちフオトレジストが乾燥
及び予備加熱され、クロム層における所望のパタ
ーンのネガに相当するマスク・パターンを有する
マスクを介して水銀ランプ光でもつて露光を行な
い、KOH水溶液で現像を行なう。続いて加熱処
理を行なう事なく、フオトレジストで被覆され
た、クロムを被覆したガラス板が陰極スパツタリ
ング装置内で配置される。これは、相互に平行な
２つの水平に配置された平坦な電極板を有する通
常の陰極スパツタリング装置である。この装置は
陽極直接駆動型の装置のカテゴリーに属する。陰
極スパツタリングの開始点に於いて、カソード・
スパツタリング室内の圧力は２×10-2マイクロバ
ール（0.001ミリバール）より低圧である。次い
で100±５ml／分の流量でもつてアルゴンが室部
に導入される。動作圧力はおよそ30マイクロバー
ルである。全体的なRF電力（13MHz）はおよそ
0.8KWである。陰極に、2800Vの電圧が印加さ
れ、陽極に600Vのバイアスが印加される。所定
の条件の下に於いて、およそ0.2nｍ／秒の速度で
二酸化シリコンが付着される。即ちおよそ10nｍ
の厚さの二酸化シリコン層を構造体上に付着する
のに40秒ないし、60秒かかる事になる。次のプロ
セス・ステツプに於いて、フオトレジスト及びそ
の上の二酸化シリコンが、構造体全体が90℃ない
し100℃のＪ−100を入れた容器内でリフト・オフ
処理される。尚、二酸化シリコンは本来的に多孔
性であるので、フオトレジストを除去するための
溶液を浸透し、以てフオトレジストのリフト・オ
フを促す作用があることに注意されたい。次にア
ルカリ性水溶液及び水でもつてクリーニングが行
なわれる。乾燥後、夫々のパターンに従つて
SiO2層で被覆されたクロム被覆ガラス板が、例
えばLFE社から販売されているLFE−（PFS／
PCrE／PDS）−501プラズマ・エツチング装置内
に配置される。
プラズマ・エツチング室内の圧力はおよそ0.33
ミリバールである。エツチングは体積比１：１の
塩素化炭化水素（炭化水素の90体積％はトリクロ
ルエチレンで、10体積％はジクロルエチレンであ
る）及び酸素の混合体を用いて実施される。ガス
の流量は12.5ml／分である。エツチングは13.5M
Hzの高周波、350ワツトの電力で行なわれた。お
よそ100nｍの厚さのクロム層を選択的にエツチ
ングするためには、18分ないし20分かかる。本発
明のマスク製造方法を用いる事によつて、マスク
に於けるパターン素子の寸法が解像度の光学的限
界（および0.5μｍ）である場合にも、クロム層へ
の完全な転写が行なわれた。更に形成されたクロ
ム・マスクはすぐれた端部鮮鋭度を呈した。
ミリバールである。エツチングは体積比１：１の
塩素化炭化水素（炭化水素の90体積％はトリクロ
ルエチレンで、10体積％はジクロルエチレンであ
る）及び酸素の混合体を用いて実施される。ガス
の流量は12.5ml／分である。エツチングは13.5M
Hzの高周波、350ワツトの電力で行なわれた。お
よそ100nｍの厚さのクロム層を選択的にエツチ
ングするためには、18分ないし20分かかる。本発
明のマスク製造方法を用いる事によつて、マスク
に於けるパターン素子の寸法が解像度の光学的限
界（および0.5μｍ）である場合にも、クロム層へ
の完全な転写が行なわれた。更に形成されたクロ
ム・マスクはすぐれた端部鮮鋭度を呈した。
第１図ないし第４図は本発明の方法の工程を示
す図である。 １……ガラス基板、２……クロム層、３……ポ
ジ・レジスト、４……二酸化シリコン層。
す図である。 １……ガラス基板、２……クロム層、３……ポ
ジ・レジスト、４……二酸化シリコン層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) クロム層で被覆した基板上にポジ・レジ
ストの層を塗布する工程と、 (b) 露光マスクを通して露光を行い、上記ポジ・
レジストを現像する工程と、 (c) 10nｍ程度の厚さの二酸化シリコンの層を上
記ポジ・レジストと上記クロム層にブランケツ
ト被覆する工程と、 (d) 上記ポジ・レジスト層及び上記ポジ・レジス
ト層に付着する上記二酸化シリコンの層をリフ
ト・オフにより除去する工程と、 (e) 上記クロム層上に残留する上記二酸化シリコ
ンの層をエツチング・マスクとして使用するこ
とにより、酸素と塩化炭化水素を含む雰囲気で
上記クロム層をドライ・エツチングする工程を
有する、 クロム・マスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP82107797A EP0101752B1 (de) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | Umkehrprozess zum Herstellen von Chrommasken |
| EP821077971 | 1982-08-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945443A JPS5945443A (ja) | 1984-03-14 |
| JPH035573B2 true JPH035573B2 (ja) | 1991-01-25 |
Family
ID=8189193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58102945A Granted JPS5945443A (ja) | 1982-08-25 | 1983-06-10 | クロム・マスクの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4489146A (ja) |
| EP (1) | EP0101752B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5945443A (ja) |
| DE (1) | DE3272888D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046074A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-12 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| US4706167A (en) * | 1983-11-10 | 1987-11-10 | Telemark Co., Inc. | Circuit wiring disposed on solder mask coating |
| GB2189903A (en) * | 1986-04-01 | 1987-11-04 | Plessey Co Plc | An etch technique for metal mask definition |
| US4774164A (en) * | 1987-04-06 | 1988-09-27 | Tegal Corporation | Chrome mask etch |
| JPH01304457A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-08 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| US5089361A (en) * | 1990-08-17 | 1992-02-18 | Industrial Technology Research Institute | Mask making process |
| JP2000114246A (ja) | 1998-08-07 | 2000-04-21 | Ulvac Seimaku Kk | ドライエッチング方法および装置、フォトマスクおよびその作製方法、ならびに半導体回路およびその製作方法 |
| US6409312B1 (en) | 2001-03-27 | 2002-06-25 | Lexmark International, Inc. | Ink jet printer nozzle plate and process therefor |
| US6901653B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-06-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Process for manufacturing a magnetic head coil structure |
| JP6028378B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2016-11-16 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
| WO2020138855A1 (ko) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크 및 포토마스크 |
| CN111487845A (zh) * | 2019-01-29 | 2020-08-04 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种可以直接剥离的led管芯电极掩模图形的制作方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3795557A (en) * | 1972-05-12 | 1974-03-05 | Lfe Corp | Process and material for manufacturing semiconductor devices |
| JPS5915174B2 (ja) * | 1976-07-26 | 1984-04-07 | 日本電信電話株式会社 | フオトマスクの製造方法 |
| US4132586A (en) * | 1977-12-20 | 1979-01-02 | International Business Machines Corporation | Selective dry etching of substrates |
| US4184909A (en) * | 1978-08-21 | 1980-01-22 | International Business Machines Corporation | Method of forming thin film interconnection systems |
-
1982
- 1982-08-25 DE DE8282107797T patent/DE3272888D1/de not_active Expired
- 1982-08-25 EP EP82107797A patent/EP0101752B1/de not_active Expired
-
1983
- 1983-06-10 JP JP58102945A patent/JPS5945443A/ja active Granted
- 1983-08-17 US US06/524,182 patent/US4489146A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0101752B1 (de) | 1986-08-27 |
| DE3272888D1 (en) | 1986-10-02 |
| US4489146A (en) | 1984-12-18 |
| EP0101752A1 (de) | 1984-03-07 |
| JPS5945443A (ja) | 1984-03-14 |
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