JPS60182200A - 導電性ダイ取付テープとその応用 - Google Patents

導電性ダイ取付テープとその応用

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JPS60182200A
JPS60182200A JP60013678A JP1367885A JPS60182200A JP S60182200 A JPS60182200 A JP S60182200A JP 60013678 A JP60013678 A JP 60013678A JP 1367885 A JP1367885 A JP 1367885A JP S60182200 A JPS60182200 A JP S60182200A
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support film
conductive
adhesive
release layer
die attach
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ジヨセフ アントニー オーリチオ
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 多数の印刷回路を有するシリコンウニjハは、最初にク
エで・をダイシングフィルム(粘着性表面を有する重合
体)上に置いてダイシング操作中ウェ゛ハを所定の位置
に保持する。それからダイシング工具(例えば、ダイヤ
モンド埋込砥石)でウェハをその厚さに関して部分的に
切断する。それがらウェハを割りて個々のチェツブにし
、支持フィルムを延伸して分離する。それからチップを
真空チャックで個々に捨い上げてチップキャリヤ(予め
チップを保持するために接着剤で処理されている)の土
に置く。それから接着剤を硬化してチップを所定の位置
に固定し、チップにワイヤ(細線)をボンディングする
工程の間チップに支持を提供する。チップキャリヤに接
着剤を適用するために使用されている多くの方法がある
(例えば、注入器の使用、スタンプパッドの使用、その
他の計量分配手法の使用)。殆んどの方法は接着剤の厚
さを均一にすることが不可能であり、あるものは適用が
煩雑であり、かつ長い時間を要する。
本発明の概要 本発明は半導体チップに対する接着剤のカバレージの厚
さと面積に関して所望の均一性を提供するようなテープ
製品に向けられている。それは少なくとも1個の半導体
チ、7″を上に支持する寸法と形状の接着剤/lターン
を有する支持テープから 。
なる。個々の半導体チップは、夫々、対応する接着剤支
持体上にぽきそれと接触される。半導体チップと支持体
フィルム/接着剤の接触を為した後、半導体チップをそ
れに付着した接着剤と共に支持体フィルムから剥離する
。このチップ/接着剤集合体を適当なチップキャリヤ中
に置いて適当な仕方で硬化する。それから、慣用の仕方
でチップにワイヤ(細線)をボンディングする。
具体的説明 本発明は、支持体フィルムと接着剤パターンからなる導
電性ダイ取付テープに係シ、+導体チップを支持体フィ
ルムから(付着した接着剤と共に)除去して適当なチッ
プキャリヤに置くのに先立って半導体チップを支持する
ことが可能なものである。
本発明のダイ取付テープは適当なパターンの接着剤12
を有する支持フィルム11と、好ましい態様では、更に
、接着剤を異物(例えば、汚れ、ホコリ等)による汚染
から保護するための剥離ライナー13とからなる。接着
剤12は、チツf/接着剤集合体を支持フィルム11が
ら除去するときに剥離される必要がある。従って、適当
な剥離層を支持フィルム11上に、それと接着剤120
間に、設けることが一般的に望ましい。
本発明の製品に使用し得る代表的な支持体フィルム11
には紙ならびにオレフィン(例えば、ポリエチレンti
はy口〈レン)、ビニルハライド重合体およびポリエス
テルのような公知の熱可塑性重合体がある。支持フィル
ムの厚さは約12〜250マイクロメートルの範囲内で
あることができ、約50〜125マイクロメートルの厚
さが好ましい。
好ましい態様では、支持フィルムの1面に、前述のよう
に1チ、プキャリャに置くのに先立って支持フィルム1
1から導電性接着剤/チップ集合体の容易な分離を許容
する、適当な剥離層をコーティングする。代表的な剥離
層には従来技術(例えば、A、M、 KapraJ へ
の米国特許第3,912,569号および同第3,57
5,917号)に記載されているようなシリコーン組成
物およびフルオロヵーゼン組成物がある。これらの剥離
層は所望の剥離特性(例えば、約023〜0.91ky
/リーム)を与えるのに充分々厚さであることだけが必
要である。
支持フィルムの表面が固有の剥離機能を有する場合には
(ポリフルオロカーボン)、その表面の固有な剥離特性
を本発明における「剥離層」として利用することが可能
である。適当な剥離塗工重合体フィルム(例えば、S 
I LOX (商品名)剥離コーティングを有するポリ
プロピレン)の商業的入手先としてはウィスコンシン州
、メナシャのAkrosiff1社がある。
同様に、加熱すると剥離特性を有する重合体を用いるな
らば剥離層を省略することが可能である。
例えば、ポリプロピレンなどのポリオレフィンフィルム
11は、半導体チップと接着剤をお互いに結合した後で
加熱して(例えば、45〜70℃で0.25〜3分間)
後からチツf/接着剤集合体を清浄に剥離するのを確実
化することが可能である。
剥離層(あるいは、剥離層を用いない場合には支持フィ
ルム11)の露出表面に、後からチップキャリャに移す
べき半導体チップを取付ける位置を形成する適当な・母
ターンの導電性接着剤12を付着する。一般的に1導電
性液着剤パターンは搭載すべきチップの面積に近い適当
な寸法と適当な形状を有する四角の接着剤・母ターンの
系列からなる。接着剤の厚さは約5〜75マイクロメー
トルの範囲内であることができる。用いることができる
適当な導電柱接着剤組成物には導電性の要件を満たすた
めの充填剤(例えば、2〜約90 wt%の適当な導電
性材料)を含めた接着材料がある。代ノ 表的な導電性材料には微粉砕した良導電性金属(例えば
、アルミニウーム、銅、銀、金、パラジウム)あるいは
カーゼンブラックがある。導電性材料のマトリックスを
成し得る代表的な接着材料にはポリイミド、エポキシ、
シリコーン、そして所望の耐熱性および導電性の要件を
満足するいろいろな変性重合体材料がある。適当な接着
剤の1つは銀充填ポリイミド(Epoxy Techn
ology社の商品P−1011)である。 ゛ 好ましい態様では、本発明のフィルム製品は接着剤の露
出表面上にそれを汚染と損傷(例えば、好ましい実質的
に平坦な上表面が不本意に損傷すること)から保護する
ために適当な剥離ライナー13を含む。例えば、剥離塗
工紙を剥離ライナー材料として使用し得る。剥離ライナ
ーは支持フィルム11上に剥離層を用いた場合それと異
なる特性を有してもよい。
本発明のフィルムは慣用の積層および印刷操作を用いて
形成することが可能である。例えば、剥離層を慣用のコ
ーティング技法で支持フィルム上にコーティングした後
その層を乾燥することが可能である。次いで、導電性接
着剤のパターンを適当な印刷手法、例えば、スクリーン
印刷法あるいはスタング印刷法で乾燥した剥離層上に適
用し、それから接着剤を積層法で支持フィルムエ2に移
す。剥離ライナーを接着剤の露出表面上、に望む場合に
は、それも慣用の積層手法で適用し得る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の導電性ダイ取付テーゾの斜視図、第2
図は剥離ライナー(またはカバーシート)を接着剤上に
付着してそれを異物による汚染から保護した本発明の好
ましい態様の断面図である。 11・・・支持フィルム、12・・・導電性接着剤パタ
ーン、13・・・剥離ライナー。 特許出願人 ストウファーケミカルカンパニー 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士古賀哲次 弁理士 山 口 昭 之 弁理士・西 山 雅 也 手続補正書 昭和60年 5月 29日 特許庁長官 志 賀 学 殿 1、事件の表示 昭和60年 特許願 第013678 号2、発明の名
称 導電性ダイ取付テープとその応用 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 ストウファー ケミカル カンパニー4、代理人 5、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」の欄 6、補正の内容 別紙の通り 7、添付書類の目録 補正特許請求の範囲 1通 2、特許請求の範囲 1、(a) 支持フィルムと、 (b) 該支持フィルムの1面に剥離可能に定着され、
かつ少なくとも1個の半導体チップを上に支持するため
の寸法および形状を有する導電性接着剤パターン とからなる、導電性接着剤上に半導体チップを剥離可能
に支持するのに有用な導電性ダイ取付テープ0 2、前記支持フィルムがポリオレツィン重合体である特
許請求の範囲第1項記載の導電性ダイ取付テープ。 3、前記支持フィルムがポリエチレンである特許請求の
範囲第1項記載の導電性ダイ取付テープ。 4、前記支持フィルムが約12〜250マイクロメート
ルの厚さである特許請求の範囲第1項記載の導電性ダイ
取付テープ。 5、前記支持フィルム上に該支持フィルムと前記接着剤
の間に剥離層を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
導電性ダイ取付テープ。 6、前記剥離層がシリコーン組成物からなる特許請求の
範囲第5項記載の導電性ダイ取付テープ。 7、前記剥離ノーがフルオロカーボン組成物からなる特
許請求の範囲第5項記載の導電性ダイ取付テープ。 8、前記導電性接着剤が約5〜75マイクロメートルの
厚さを有する特許請求の範囲第1項記載の導電性ダイ取
付テープ。 9、前記導電性接着剤が接着剤マトリックス中に導電性
のために有効な量の導電性金属を含有している特許請求
の範囲第1項記載の導電性ダイ取付テープ。 10、前記支持フィルムが約12〜250マイクロメー
トルの厚さを有する特許請求の範囲第2項記載の導電性
ダイ取付テープ。 11、前記支持フィルム上に該支持フィルムと前記接着
剤の間に剥離層を有し、該剥離層がシリコーン組成物か
らなる特許請求の範囲第9項記載の導電性ダイ取付テー
プ。 12、約5〜75マイクロメートルの厚さの導電性接着
剤を有し、該導電性接着剤が接着剤マトリックス中に導
電性のために有効な量の導電性金属を含む特許請求の範
囲第1項記載の導′「に性ダイ取付テープ。 13、前記導電性接着剤パターンを覆う剥離ライナーを
更に有するl特許請求の範囲第1項記載の導電性ダイ取
付テープ。 14゜前記導電性接着剤パターンを覆う剥離ライナーを
特徴とする特許請求の範囲第12項記載の導電性ダイ取
付テープ。 15、支持フィルムと該支持フィルムの1而に剥離可能
に定着されかつ少なくとも1個の半導体チップを上に支
持するための寸法および形状を有する導電性接着剤パタ
ーンと、からなる導電性ダイ取付テープの該導電性接着
剤パターン上に、半導体チップを剥離可能に支持して成
る集合体。 16、前記支持フィルムがポリオレフィン重合体である
特許請求の範囲第15項記載の集合体。 17、前記支持フィルムがポリエチレンである特許請求
の範囲第15項記載の集合体。 18、前記支持フィルム亦約12〜250マイクロメー
トルの厚さである特許請求の範囲第15項記載の集合体
。 19、前記支持フィルム上に該支持フィルムと前記接着
剤の間に剥離層を特徴とする特許請求の範囲第15項記
載の集合体。 20、前記剥離層がシリコーン組成物からなる特許請求
の範囲第19項記載の集合体。 21、前記剥離層がフルオロカーボン組成物からなる特
許請求の範囲第19項記載の集合体。 22、前記導電性接着剤が約5〜75マイクロメ。 −トルの厚さを有する特許請求の範囲第15項記載の集
合体。 23、前記導電性接着剤が接着剤マトリックス中に導電
性のために有効な量の4電住金属を含有している特許請
求の範囲第15項記載の集合体。 あ、前記支持フィルムが約12〜2’50マイクロメー
トルの厚さを有する特許請求の範囲第16項記載の集合
体。 25、前記支持フィルム上に該支持フィルムと前ic!
接着剤の間に剥離層を有し、該剥離層がシリコーン組成
物からなる特許請求の範囲第23項記載の集合体。 26、約5〜75マイクロメートルの厚さの導電性接着
剤を有し、該導電性接着剤が接着剤マトリックス中に導
電性のために有効な童の導電性金属を含む特許請求の範
囲第15項記載の集合体。 27、支持フィルムと該支持フィルムの1面に剥離可能
に定着されかつ少なくとも1個の半導体チップを上例支
持するための寸法および形状を有する導電性接着剤パタ
ーンとからなる導電性ダイ取付テープの、該導電性、接
着剤パターン上に半導体チップをボンドし、その後膣支
持フィルムから該半導体チップをそれに付着した導電性
接着剤と共に除去し、そして該竿導体チップをそれに付
着した導電性接着剤と共にチップキャリヤにポンドする
工程を含む、半導体チップのチップキャリヤへの搭載方
法。 28、前記支持フィルムがポリオレフィン重合体である
特許請求の範囲第27項記載の方法。 29、前記支持フィルムがポリエチレンである特許請求
の範囲第27項記載の方法。 30、前記支持フィルムが約12〜250マイクロメー
トルの厚さである特許請求の範囲第27項記載の方法。 31、前記支持フィルム上に該支持フィルムと前記接着
剤の間に剥離層を更に有する特許請求の範囲第27項記
載の方法。 32、前記剥離層がシリコーン組成物からなる特許請求
の範囲第31項記載の方法。 33、前記剥離層がフルオロカーボン組成物からなる特
許請求の範囲第31項記載の方法。 あ、前記導電性接着剤が約5〜75マイクロメートルの
厚さを有する特許請求の範囲第27項記載の方法。 35、前記導電性接着剤が接着剤マトリックス中に導電
性のために有効な量の導電性金属を含有している特許請
求の範囲第27項記載の方法。 36、前記支持フィルムが約12〜250マイクロメー
トルの厚さを有する特許請求の範囲第28項記載の方法
。 37、前記支持フィルム上に該支持フィルムと前記接着
剤の間に剥離層を有し、該剥1114層がシリコーン組
成物からなる特許請求の範囲第35順記載の方法。 38、約5〜75マイクロメートルの厚さの導電性接着
剤を有し、該導電性接着剤が接着剤マトリックス中に導
電性のだめに有効な量の導電性金属を含む特許請求の範
囲第27項記載の方法。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(a) 支持フィルムと、 (b) 該支持フィルムの1面に剥離可能に定着され、
    かつ少なくとも1個の半導体チップを上に支持するため
    の寸法および形状を有する導電性接着剤パターン とからなる、導電性接着剤上に半導体チップを剥離可能
    に支持するのに有用な導電性ダイ取付チーブ。 2、前記支持フィルムがホリオレフィン重合体である特
    許請求の範囲第1項記載の導電性ダイ取付チーブ。 3、前記支持フィルムがプリエチレンである特許請求の
    範囲第1項記載の導電性ダイ取付チーブ。 4、前記支持フィルムが約12〜250マイクロメート
    ルの厚さである特許請求の範囲第1項記載の導電性ダイ
    取付テープ。 5.2 前記支持フィルム上に該支持フィルムと前記接
    着剤の間に剥離層を特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の導電性ダイ取付テープ。 6、前記剥離層がシリコーン組成物からなる特許請求の
    範囲第5項記載の導電性ダイ取付テープ。 7、前記剥離層がフルオロカーデン組成物からなる特許
    請求の範囲第5項記載の導電性ダイ取付テープ。 8、前記導電性接着剤が約5〜75マイクロメートルの
    厚さを有する特許請求の範囲第1項記載の導電性ダイ取
    付テープ。 9 前記導電性接着剤が接着剤マ) IJックヌ中に導
    電性のために有効な量の導電性金属を含有している特許
    請求の範囲第1項記載の導電性ダイ取付テープ。 10、前記支持フィルムが約12〜250マイクロメー
    トルの厚さを有する特許請求の範囲第2項記載の導電性
    ダイ取付テープ。 11、前記支持フィルム上に該支持フィルムと前記接着
    剤の間に剥離層を有し、該剥離層がシリコ−ン組成物か
    らなる特許請求の範囲第9項記載の導電性グイ取付テー
    プ。 12、約5〜75マイクロメートルの厚さの導電性接着
    剤を有し、該導電性接着剤が接着剤マトリックス中に導
    電性のために有効な量の導電性金属を含む特許請求の範
    囲第1項記載の導電性ダイ取付テープ。 13、前記導電性接着剤i!ターンを覆う剥離ライナー
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の導電性ダイ取
    付チーブ。 14、前記導電性接着剤パターンを覆う剥離ライナーを
    特徴とする特許請求の範囲第12項記載の導電性ダイ取
    付テープ。 15、支持フィルムと該支持フィルムの1面に剥離可能
    に定着されかつ少なくとも1個の半導体チップを上に支
    持するだめの寸法および形状を有する導電性接着剤パタ
    ーンと、からなる導電性ダイ重付テープの該導電性接着
    剤・臂ターン上に、半導体チップを剥離可能に支持して
    成る集合体。 16、前記支持フィルムがポリオレフィン重合体である
    特許請求の範囲第15項記載の集合体。 17、前記支持フィルムがポリエチレンである特許請求
    の範囲第15項記載の集合体。 18 前記支持フィルムが約12〜250マイクロメー
    トルの厚さである特許請求の範囲第15項記載の集合体
    。 19、前記支持フィルム上に該支持フィルムと前記接着
    剤の間に剥離層を特徴とする特許請求の範囲第15項記
    載の集合体。 20、前記剥離層がシリコーン組成物からなる特許請求
    の範囲第19項記載の集合体。 21、前記剥離層がフルオロカーボン組成物からなる特
    許請求の範囲第19項記載の集合体。 22、前記導電性接着剤が約5〜75マイクロメートル
    の厚さを有する特許請求の範囲第15項記載の集合体。 23、前記導電性接着剤が接着剤マトリックス中に導電
    性のために有効な量の導電性金属を含有している特許請
    求の範囲第15項記載の集合体。 ム、前記支持フィルムが約12〜250マイクデメート
    ルの厚さを有する特許請求の範囲第16項記載の集合体
    。 25 前記支持フィルム上に該支持フィルムと前記接着
    剤の間に剥離層を有し、該剥離層がシリコーン組成物か
    らなる特許請求の範囲第23項記載の導電性ダイ取付テ
    ープ。 26、約5〜75マイクロメートルの厚さの導電性接着
    剤を有し、該導電性接着剤が接着剤マ1. リックス中
    に導電性の、ために有効な量の導電性金属を含む特許請
    求の範囲第15項記載の導電性ダイ取付テープ。 27 支持フィルムと該支持フィルムの1面に剥離可能
    に定着されかつ少なくとも1個の半導体チップを上に支
    持するための寸法および形状を有する導電性接着剤i4
    ターンとからなる導電性ダイ取付テープの、該導電性接
    着剤パターン上に半導体チップをポンドし、その後該支
    持フィルムから該半導体チップをそれに付着した導電性
    接着剤と共に除去し、そして該半導体チップをそれに付
    着した導電性接着剤と共にチップキャリヤにプントする
    工程を含む、半導体チップのチップキャリヤへの搭載方
    法。 28、前記支持フィルムがポリオレフィン重合体である
    特許請求の範囲第27項記載の方法。 29、前記支持フィルムがポリエチレンである特許請求
    の範囲第27項記載の方法。 30、前記支持フィルムが約12〜250マイクロメー
    トルの厚さである特許請求の範囲第27項記載の方法。 31、前記支持フィルム上に該支持フィルムと前記接着
    剤の間に剥離層を更に有する特#′f請求の範囲第27
    項記載の方法。 32、前記剥離層がシリコーン組成物からなる特許請求
    の範囲第31項記載の方法。 33、前記剥離層がフルオロカーボン組成物からなる特
    許請求の範囲第31項記載の方法。 34、前記導電性接着剤が約5〜75マイクロメートル
    の厚さを有する特許請求の範囲第27項記載の方法。 35、前記導電性接着剤が接着剤マトリ、クス中に導電
    性のために有効な量の導電性金属を含有している特許請
    求の範囲第27項記載の方法。 364 前記支持フィルムが約12〜250マイクロメ
    ートルの厚さを有する特許請求の範囲第28項記載の方
    法。 37、前記支持フィルム上に該支持フィルムと前記接着
    剤の間に剥離層を有し、該剥離層がシリコーン組成物か
    らなる特許請求の範囲第35項記載の方法。 38、約5〜75マイクロメートルの厚さの導電性接着
    剤を有し、該導電性接着剤が接着剤マトリックス中に導
    電性のだめに有効な量の導電性金属を含む特許請求の範
    囲第27項記載の方法。
JP60013678A 1984-01-30 1985-01-29 導電性ダイ取付テープとその応用 Pending JPS60182200A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991012187A1 (fr) * 1990-02-06 1991-08-22 Sumitomo Bakelite Company Limited Bande de couverture pour puce electronique
US5208103A (en) * 1991-02-28 1993-05-04 Sumitomo Bakelite Company Limited Cover tape for packaging chip type electronic parts

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5049434A (en) * 1984-04-30 1991-09-17 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Pre-patterned device substrate device-attach adhesive transfer system
KR870002636A (ko) * 1985-08-08 1987-04-06 로버트 씨. 술리반 부착 콤포넨트 본드접착제에 의한 반도체 콤포넨트의 형성방법
EP0252739B1 (en) * 1986-07-09 1993-10-06 LINTEC Corporation Adhesive sheets for sticking wafers thereto
KR910006367B1 (ko) * 1987-07-09 1991-08-21 스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤 칩고정테이프
DE3808667A1 (de) * 1988-03-15 1989-10-05 Siemens Ag Montageverfahren zur herstellung von led-zeilen
DE3923023A1 (de) * 1989-07-12 1991-01-24 Siemens Ag Uv-haertbarer klebstoff fuer ein halbleiterchipmontageverfahren
DE4413529C2 (de) * 1994-04-15 1996-07-25 Tele Filter Tft Gmbh Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement
JP3903447B2 (ja) * 1998-01-21 2007-04-11 リンテック株式会社 粘着シート
JP4573442B2 (ja) * 2001-01-11 2010-11-04 日東電工株式会社 電子部品キャリア用ボトムカバーテープ
JP4107417B2 (ja) 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4283596B2 (ja) 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4275522B2 (ja) 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4443962B2 (ja) 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5857730A (ja) * 1981-09-30 1983-04-06 Nissha Printing Co Ltd 半導体パツケ−ジの製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3912569A (en) * 1974-02-27 1975-10-14 Akrosil Corp Coating substrate with thermosetting resin containing printed design
DE3001613C2 (de) * 1980-01-17 1986-04-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Befestigung eines, eine monolithisch integrierte Halbleiterschaltung enthaltenden Halbleiterkörpers aus Silicium an einer Unterlage mit einem entsprechenden Verfahren hierzu
DD158076A1 (de) * 1981-04-06 1982-12-22 Ruediger Uhlmann Verfahren zum kleben von halbleiterchips auf traegerkoerpern

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5857730A (ja) * 1981-09-30 1983-04-06 Nissha Printing Co Ltd 半導体パツケ−ジの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991012187A1 (fr) * 1990-02-06 1991-08-22 Sumitomo Bakelite Company Limited Bande de couverture pour puce electronique
US5346765A (en) * 1990-02-06 1994-09-13 Sumitono Bakelite Company Limited Cover tape for packaging chip type electronic parts
US5208103A (en) * 1991-02-28 1993-05-04 Sumitomo Bakelite Company Limited Cover tape for packaging chip type electronic parts

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Publication number Publication date
IL73615A (en) 1989-05-15
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