JPS60183719A - 薄膜蒸着装置 - Google Patents
薄膜蒸着装置Info
- Publication number
- JPS60183719A JPS60183719A JP59040764A JP4076484A JPS60183719A JP S60183719 A JPS60183719 A JP S60183719A JP 59040764 A JP59040764 A JP 59040764A JP 4076484 A JP4076484 A JP 4076484A JP S60183719 A JPS60183719 A JP S60183719A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- heat
- opening
- substrate
- heat insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/22—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、金属蒸気を基板に蒸着させる薄膜蒸着装置
の熱遮蔽に関するものである。
の熱遮蔽に関するものである。
従来の薄膜蒸着装置を第１図に示す。図において、１ば
基板１３に蒸着ずべき蒸着物質である金属２を内部に収
容するるつぼ、３は該るつぼ１の上面に形成された噴射
孔、４は上記るつぼ１の噴射孔３から噴射された金属蒸
気、５は上記るつぼ１を加熱するフィラメント、６は交
流電源、７は直流電源、８はグリッド、９は上記金属蒸
気４をイオン化するための熱電子を放出するイオン化フ
ィラメント、１０は交流電源、１１ば直流電源、１２は
上記イオン化された金属蒸気を加速する加速電極、１４
は上記基板１３の表面に蒸着形成された薄膜、１５は直
流電源、１６は上記るつぼ１からの輻射熱を遮蔽する熱
シールド板、１７は所定の真空度に保持された真空容器
である。
基板１３に蒸着ずべき蒸着物質である金属２を内部に収
容するるつぼ、３は該るつぼ１の上面に形成された噴射
孔、４は上記るつぼ１の噴射孔３から噴射された金属蒸
気、５は上記るつぼ１を加熱するフィラメント、６は交
流電源、７は直流電源、８はグリッド、９は上記金属蒸
気４をイオン化するための熱電子を放出するイオン化フ
ィラメント、１０は交流電源、１１ば直流電源、１２は
上記イオン化された金属蒸気を加速する加速電極、１４
は上記基板１３の表面に蒸着形成された薄膜、１５は直
流電源、１６は上記るつぼ１からの輻射熱を遮蔽する熱
シールド板、１７は所定の真空度に保持された真空容器
である。
次に動作について説明する。
第１図におい一ζ、フィラメント５は電源６によって加
熱され、電源７によってり−えられた電圧により電子を
るつぼ１に照射し、該るつぼ１ば該電子の１（１突を受
けて加熱される。これによりるつぼ１内の金Ｊ、ＬＡ２
は蒸発し、該金属蒸気は噴射孔３からｆ↓空中に噴射さ
れる。該噴射された金属蒸気４はイオン化フィラメンＩ
・９．電源１０．グリッド８によって発」ユされた熱電
子の衝突を受けてイオン化され、該イオン化された金属
蒸気４は加速型（伝１２と電源１５とによって加速され
、基板１３に射突して蒸着薄膜１４を作る。
熱され、電源７によってり−えられた電圧により電子を
るつぼ１に照射し、該るつぼ１ば該電子の１（１突を受
けて加熱される。これによりるつぼ１内の金Ｊ、ＬＡ２
は蒸発し、該金属蒸気は噴射孔３からｆ↓空中に噴射さ
れる。該噴射された金属蒸気４はイオン化フィラメンＩ
・９．電源１０．グリッド８によって発」ユされた熱電
子の衝突を受けてイオン化され、該イオン化された金属
蒸気４は加速型（伝１２と電源１５とによって加速され
、基板１３に射突して蒸着薄膜１４を作る。
ところで、この薄膜蒸着装置においては、上記金属蒸気
４を発生・ｌしめる際、」二記るつぼ１は相当のｉ！ｌ
ｉ温になり、そのため）層剤熱が該るつぼ１の表面から
周囲に放出されることとなる。そこでこの従来装置では
、るつぼ１の側面及び底面の外方には上記輻射熱を反射
させる熱シールド板１６を配置しており、また上面にお
いては−に記加速電極■２を熱シールド板に共用してい
る。しかしこの加速電極１２はるつぼ１からかなり上方
に離れた位置にあるため金ｊＦｓ％ｇ気４ば該電極１２
部分を拡がって通ることとなり、そのための加速電極】
２には大きな開］コ部が形成されている。このためるつ
ぼ１の噴射孔３例の面からの輻射熱は、上記開口部を通
って基板１３に到達して該基板１３を加熱することにな
る。そこで従来の’ｆ（Ｉｌ＋Ｘｊ蒸着装置では、基板
の温度上昇を防止するためには基板１３を冷却する必要
があった。
４を発生・ｌしめる際、」二記るつぼ１は相当のｉ！ｌ
ｉ温になり、そのため）層剤熱が該るつぼ１の表面から
周囲に放出されることとなる。そこでこの従来装置では
、るつぼ１の側面及び底面の外方には上記輻射熱を反射
させる熱シールド板１６を配置しており、また上面にお
いては−に記加速電極■２を熱シールド板に共用してい
る。しかしこの加速電極１２はるつぼ１からかなり上方
に離れた位置にあるため金ｊＦｓ％ｇ気４ば該電極１２
部分を拡がって通ることとなり、そのための加速電極】
２には大きな開］コ部が形成されている。このためるつ
ぼ１の噴射孔３例の面からの輻射熱は、上記開口部を通
って基板１３に到達して該基板１３を加熱することにな
る。そこで従来の’ｆ（Ｉｌ＋Ｘｊ蒸着装置では、基板
の温度上昇を防止するためには基板１３を冷却する必要
があった。
本発明は、」二記のような従来のものの欠点をなくすた
めＱこなされたもので、るつぼの噴射孔からの金属蒸気
の噴出を妨げないような開口が形成された耐熱性の断熱
祠からなる断熱縁；（（内にるつぼを収容することによ
り、るつぼからの輻射熱が基１反にあまり届かないよう
にして基１反への多゛ハ影響を小さくできる薄膜蒸着装
置を提供することを目的としている。
めＱこなされたもので、るつぼの噴射孔からの金属蒸気
の噴出を妨げないような開口が形成された耐熱性の断熱
祠からなる断熱縁；（（内にるつぼを収容することによ
り、るつぼからの輻射熱が基１反にあまり届かないよう
にして基１反への多゛ハ影響を小さくできる薄膜蒸着装
置を提供することを目的としている。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す。図におし１て、第１
図と同一符号は同−又は相当部分を示し、２１は耐熱性
の１１１′ｉ熱材からなる断熱容器で、該容器２１内に
はるつぼ１及びフィラメント５が収容されており、また
、該容器２１のるつぼｌのフィラメント５と対向する部
分を除いた面に対応する会１−分は該面に密着している
。２２は上記断熱容器２１の噴射孔３とり１応する部分
に設けられた開口であり、該開口２２は、頂角３０゛の
円錐台形状Ｇこなっており、そのるつぼ１倶撞１！１の
径は」二記噴月１孔３と同し径で、るつぼ１と反り１側
に行くほどその径は大きくなっＣいろ。
図と同一符号は同−又は相当部分を示し、２１は耐熱性
の１１１′ｉ熱材からなる断熱容器で、該容器２１内に
はるつぼ１及びフィラメント５が収容されており、また
、該容器２１のるつぼｌのフィラメント５と対向する部
分を除いた面に対応する会１−分は該面に密着している
。２２は上記断熱容器２１の噴射孔３とり１応する部分
に設けられた開口であり、該開口２２は、頂角３０゛の
円錐台形状Ｇこなっており、そのるつぼ１倶撞１！１の
径は」二記噴月１孔３と同し径で、るつぼ１と反り１側
に行くほどその径は大きくなっＣいろ。
次に作用効果について説明する。
本実施例装置により基板１３に薄膜を蒸着形成するには
、従来と同様にるつぼ１から金属蒸気を噴出セしめる訳
であるが、本実施例では、上記断！ｊハ容器２１の開口
２２の面積は小さいため、るつぼ１の噴射孔３から噴出
する金属蒸気は開口２２を通るが、るつぼｌからの輻射
熱のほとんど番よこの断熱容器２１により遮断され、基
板１３！こ到達する４１をは従来のものと比較して非常
に少ｆ、ｃ ＜ 、ｆｊｔって熱の影響が小さくなり、
基板冷却装置など特別な装置を必要としない。
、従来と同様にるつぼ１から金属蒸気を噴出セしめる訳
であるが、本実施例では、上記断！ｊハ容器２１の開口
２２の面積は小さいため、るつぼ１の噴射孔３から噴出
する金属蒸気は開口２２を通るが、るつぼｌからの輻射
熱のほとんど番よこの断熱容器２１により遮断され、基
板１３！こ到達する４１をは従来のものと比較して非常
に少ｆ、ｃ ＜ 、ｆｊｔって熱の影響が小さくなり、
基板冷却装置など特別な装置を必要としない。
以上のように本発明に係る薄膜蒸着装置によれば、るつ
ぼを耐熱性の断対喜Ａからなる断熱容器内に収容したの
で、基板に到達するるつぼからの輻射熱量を大きく低減
でき、該輻射熱による基板への悪影響を防止でき、基板
冷却装置を不要にできるｕノ果がある。
ぼを耐熱性の断対喜Ａからなる断熱容器内に収容したの
で、基板に到達するるつぼからの輻射熱量を大きく低減
でき、該輻射熱による基板への悪影響を防止でき、基板
冷却装置を不要にできるｕノ果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のｆｉ：膜蒸着装置の概略構成図、第２図
は本発明の一実施例によるＹａ膜蒸着装置の楯ｍ６構成
図である。 １・・・るつぼ、２・・・蒸着物質、３・・・噴射孔、
４・・・蒸気、５・・・フィラメント、１３・・・基板
、１４・・・薄膜、２１・・・断熱容器、２２・・・開
口。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 １
は本発明の一実施例によるＹａ膜蒸着装置の楯ｍ６構成
図である。 １・・・るつぼ、２・・・蒸着物質、３・・・噴射孔、
４・・・蒸気、５・・・フィラメント、１３・・・基板
、１４・・・薄膜、２１・・・断熱容器、２２・・・開
口。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 １
Claims (3)
- （１） 基板に蒸着すべき蒸着物質を収容するるつぼと
、該るつぼを加熱するフィラメントとを備え、上記るつ
ぼからの蒸気を基板に衝突させて薄膜を蒸着させる薄膜
蒸着装置において、上記るつぼは該るつぼの噴射孔と対
応する部分に開口を有する耐熱性の断熱材からなる断熱
容器内に収容されていることを特徴とするＨ 膜蒸着装
置。 - （２） 上記断熱容器は、上記フィラメントをも収容す
るものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の薄膜蒸着装置。 - （３）上記断熱容器は、その少なくとも上記るつぼの噴
射孔が設けられた面に対応する部分は該面に密着してお
り、上記開口は、そのるつぼ側端の径が上記噴射孔と同
し径でるつぼと反対側に行くほど径が大きくなる頂角３
０°の円錐台形状を有するものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は第２項記載のＭ膜蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59040764A JPS60183719A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59040764A JPS60183719A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 薄膜蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60183719A true JPS60183719A (ja) | 1985-09-19 |
Family
ID=12589686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59040764A Pending JPS60183719A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60183719A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5070811A (en) * | 1988-09-27 | 1991-12-10 | Albert Feuerstein | Apparatus for applying dielectric or metallic materials |
-
1984
- 1984-03-01 JP JP59040764A patent/JPS60183719A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5070811A (en) * | 1988-09-27 | 1991-12-10 | Albert Feuerstein | Apparatus for applying dielectric or metallic materials |
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